「酸素表面基」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

シリコン基板１２の表面に部分的にマスク酸化膜１９を形成した後に、このマスク酸化膜を介して基板の表面に酸素イオン１６を注入し、更にこの基板をアニール処理して基板の内部に埋込み酸化膜１３を形成する。例文帳に追加

After a mask oxide film 19 is formed partially on the surface of a silicon substrate 12, oxygen ions 16 are injected onto the surface of a substrate via the mask oxide film, and the substrate is annealed, to form the embedded oxide film 13 in the inside of the substrate. - 特許庁

窒化アルミニウム基板１１と銅板１２、１２ａを加熱して直接接合する接合体１０において、窒化アルミニウム基板１１の少なくとも銅板１２、１２ａとの接合表面が酸化処理を行う前の窒化アルミニウム基板１１の接合表面に酸素を供給し易くできるための化学表面処理液で表面処理が施されている。例文帳に追加

The joined product 10 is obtained by directly joining the aluminum substrate 11 to the copper plates 12 and 12a by heating. - 特許庁

具体的には、平均粒径が５〜２０μｍであり、酸素含有量が２０００〜６０００ｐｐｍであり、さらに、水素吸蔵合金粒子の表面の酸素が水酸基として存在するアルカリ二次電池負極用の水素吸蔵合金粉末を提供する。例文帳に追加

In concrete, to provide a hydrogen occluded alloy powder for negative electrode of alkaline secondary battery in which the powder has an average particle size of 5-20 μm and oxygen content of 2000-6000 ppm, and in which surface oxygen of hydrogen occluded alloy particle exists as hydroxyl group. - 特許庁

このような酸化膜２７は、安定な組成比よりも酸素原子数の比率が小さいので、表面にＯＨ基が発生しやすく、光導波路２１を構成する樹脂や接着剤３７と酸素原子を介して化学結合するので、結合強度や剥離強度が高くなる。例文帳に追加

Such oxide film 27, having a smaller ratio in the number of oxygen atoms than a stable composition ratio, tends to generate an OH group on the surface and chemically combines through oxygen atoms with the resin and the adhesive 37 constituting the optical waveguide 21; therefore, the bonding strength and the peel strength are increased. - 特許庁

カルボキシル基を有する有機酸を陽極燃料および酸素を陰極燃料とする燃料電池の陽極にPdS触媒、酸素極にPtP触媒に使用し、触媒粒径減少による触媒比表面積増大により燃料電池特性を向上させる。例文帳に追加

The PdS catalyst is used for the positive electrode of the fuel cell with the organic acid having a carboxyl group as a positive electrode fuel and oxygen as a negative electrode fuel, and the PtP catalyst is used for an oxygen electrode, thus improving the characteristics of the fuel cell due to an increase in the area/weight ratio of the catalyst by a decrease in a catalyst grain diameter. - 特許庁

管の外側表面層における酸素含有量が３atom％以上である管状ナノカーボン１、２、３、４は、酸素を含む官能基が水溶液中で水素結合を形成するとともに、負荷電をもち電気二重層を形成するので、親水性が賦与されて水溶液中で分散する。例文帳に追加

The tubular nano carbon 1-4 has an oxygen content of an outer surface layer of the tube being ≥3 at.%, wherein oxygen-containing functional groups form hydrogen bonds in an aqueous solution and have negative charges to form an electric double layer, accordingly the tubular nano carbon is provided with hydrophilicity and disperses in the aqueous solution. - 特許庁

（０００１）面からの傾斜角度４が調整された主面を有し、かつ表面研磨されたサファイア単結晶基板を、不活性ガス雰囲気下、又は１０容量％以下の酸素分圧を有する酸素ガス及び不活性ガスからなる混合ガス雰囲気下に熱処理を行う。例文帳に追加

A sapphire single crystal substrate having a principal plane adjusted and tilted from (0001) plane by 4° and a surface being polished is heat treated under an inert gas atmosphere or under a mixed gas atmosphere that is comprised of oxygen gas having a partial pressure of oxygen of 10 vol.% or less and an inert gas. - 特許庁

基材１表面にシリコン酸化膜を成膜し、成膜雰囲気から大気開放すること無く乾燥空気、純酸素ガス、または、酸素含有Ａｒガス雰囲気の下、２００℃〜４００℃で熱処理し、その後に帯電処理してなるシリコン酸化膜エレクトレット。例文帳に追加

For this silicon oxide film electret, a silicon oxide film is formed on the surface of a base material 2, treated thermally at 200 to 400°C in the atmosphere of dry air, pure oxygen gas or oxygen containing Ar gas, without releasing the atmosphere from the filming atmosphere, and is charged later. - 特許庁

半導体基板のエッチング処理後に、塩素の単独ガスあるいは塩素と酸素の混合ガスのプラズマに半導体基板を晒し、半導体基板表面に付着したＦｅ，Ｃｒ汚染を除去する。例文帳に追加

After the semiconductor substrate is etched, Fe and Cr contaminants adhering to the surface of the substrate are removed by exposing the substrate to a plasma of chlorine gas or a mixed gas of chlorine and oxygen. - 特許庁

熱処理の際にシリコン基板１やゲート電極８、９に酸素が拡散しにくいように基板１には表面が（１１１）結晶面である基板を用いる。例文帳に追加

At heat treatment, a substrate with the surface which is the crystal face (111) is used for the substrate 1, so that oxygen hardly diffuses in the substrate 1 and the electrodes 8 and 9. - 特許庁

電子デバイス用基材上に配置された絶縁膜の表面に、少なくとも酸素原子含有ガスを含む処理ガスに基づくプラズマを照射して、該絶縁膜と電子デバイス用基材との界面に下地膜を形成する。例文帳に追加

By irradiating the plasma derived from a process gas which at least contains a gas having an oxygen atom on a surface of an insulating film set on the substrate for the electronic device, the base film is formed in an interface between the insulating film and the substrate for the electronic device. - 特許庁

そうすることでセラミックス基板１０の表面にＡｌ原子が多く存在するため、基板上に金属スパッタ膜１３を形成した場合、セラミックス基板１０の表面のＡｌ原子と金属スパッタ膜１３の金属原子とで酸素を介した強固な結合が作られる。例文帳に追加

Thus a lot of Al atoms exist on the surface of the ceramic substrate 10. - 特許庁

常温および常圧で気体状の酸素の塊状原子集団または分子集団であるガスクラスターを形成し、これに電子を浴びせて生成したクラスターイオンを加速電圧によって加速し、基板表面に照射して基板と反応させ基板表面に反応薄膜を形成する。例文帳に追加

This method of forming the reacted thin film comprises forming gas clusters at ordinary temperature and under normal pressure, which are atomic or molecular assembly of gaseous oxygen, accelerating the cluster ions generated by means of bombarding the gas clusters with electrons by accelerating voltage, irradiating the surface of the substrate with the cluster ions, and reacting them with the substrate to form a reacted thin film on the surface of the substrate. - 特許庁

酸素イオン導電性基板の一方の表面に形成した第１作用電極の外縁部に接触する第１リード接続電極および、酸素イオン導電性基板の他の表面に形成した第２作用電極の外縁部に接触する第２リード接続電極を設けて、電流集中を低減した。例文帳に追加

Current concentration is reduced by providing a first lead connection electrode in contact with the outer edge section of a first working electrode formed on one surface of an oxygen ion conductive substrate, and a second lead connection electrode in contact with the outer edge section of a second working electrode formed on the other of the oxygen ion conductive substrate. - 特許庁

半導体構造を作成する方法は：表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板１０の表面１２上に隣接するシード層１８を含むインタフェースを形成する段階；分子酸素を利用してバッファ層２０を形成する段階；および活性酸素を利用してバッファ層２０上に１つ以上の高誘電率酸化物層２２を形成する段階；を備える。例文帳に追加

The semiconductor structure forming method comprises a step of providing an Si substrate 10 having a surface, a step of forming an interface involving an adjacent seed layer 18 on the surface of the Si substrate 10, a step of forming a buffer layer 20 utilizing molecules of O, and a step of forming one or more high permittivity oxide layers 22 on the buffer layer 20 utilizing active O. - 特許庁

本発明の洗浄方法は、基体表面の汚染を除去する洗浄方法において、イオン、過酸化水素または酸素を含有する溶液に電界を印加することにより該イオン、過酸化水素または酸素から洗浄活性種を生成する電界印加工程と、該洗浄活性種を含有する溶液を基体表面に供給して洗浄する洗浄工程と、を含むことを特徴としている。例文帳に追加

The cleaning method of removing contaminants on the surface of a substrate includes a step for generating cleaning active species from ions, hydrogen peroxide or oxygen by applying an electric field to a solution containing hydrogen peroxide or oxygen, and a step for cleaning the surface of the substrate by feeding a solution containing the cleaning active species thereto. - 特許庁

導電性基体と、感光層と、表面層とを含み、前記導電性基体上に前記感光層と前記表面層とがこの順に積層された電子写真感光体であって、前記表面層が、１３族元素と、窒素および／または酸素と、を含有し、且つ前記表面層と前記感光層との間に中間層を有することを特徴とする電子写真感光体。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor comprises a conductive substrate, a photosensitive layer and a surface layer, having the photosensitive layer and the surface layer stacked in this order on the conductive substrate, wherein the surface layer contains a group 13 element and nitrogen and/or oxygen, and the photoreceptor has an intermediate layer between the surface layer and the photosensitive layer. - 特許庁

処理容器８内にて所定の温度になされた被処理体Ｗの表面を酸化する酸化方法において、真空雰囲気下にて酸素及び／又はオゾンよりなる酸化性ガスと水素及び／又は重水素よりなる還元性ガスとを供給し（酸素と水素のみの組み合わせを除く）、発生した水酸基活性種と酸素活性種とにより前記酸化を行なう。例文帳に追加

In the oxidation method for oxidating the surface of a treating body W set to a specific temperature in a process envelop 8, an oxidizing gas composed of oxygen and/or ozone and a reduction gas composed of hydrogen and/or heavy hydrogen are supplied under the vacuum atmosphere (excluding a combination of oxygen and hydrogen), and the oxidation is made by a hydroxyl group active species and an oxygen active species generated. - 特許庁

金属原料と酸素原料の交互表面反応で基板上に酸化物薄膜を堆積させるＡＬＤ法の原理に従った酸化物薄膜の成長方法において、使用する該酸素原料が少なくとも１つの有機リガンドを有するホウ素、シリコンまたは金属の化合物であって、その酸素が少なくとも１つのホウ素、シリコンまたは金属原子に結合しているものである。例文帳に追加

In the method of growing an oxide thin film according to the principle of the ALD method where an oxide thin film is deposited onto a substrate by an alternating surface reaction of metallic raw material and oxygen raw material, the oxygen raw material to be used is composed of a compound of boron, silicon or metal having at least one organic ligand, and the oxygen is combines with at least one atom of boron, silicon or metal. - 特許庁

酸素を含むチタン化合物は、前記基体表面に平行な断面視でのアスペクト比が８〜１００の範囲にある針状の結晶粒子から構成されているとともに、前記酸素を含むチタン化合物相とその上層の非酸化物相との界面近傍領域では、該酸素を含むチタン化合物相と該非酸化物相との錯綜領域が存在させる。例文帳に追加

A titanium compound including oxygen consists of needle-like crystal grains with an aspect ratio of 8-100 viewed from a cross section parallel to a substrate surface, and a complex area of a titanium compound phase including oxygen and a non-oxide phase exists in an area near an interface between the titanium compound phase including oxygen and the non-oxide phase on the upper layer. - 特許庁

水素貯蔵粉末は，少なくとも表面の一部が金属酸化物ＭｘＯｙよりなる粒子１の集合体であって，金属原子Ｍの数ｘがｘ≧１であり，また酸素原子Ｏの数ｙが，金属原子Ｍと酸素原子Ｏとの化学結合における化学量論に基づく酸素原子Ｏの数をｗとしたとき，ｙ＜ｗである。例文帳に追加

This hydrogen storage powder is the aggregate of a particle 1, at least a part of the surface of which comprises a metal oxide MxOy (wherein, x is the number of a metal atoms M and is ≥1; and y is the number of oxygen atoms O and is <w when the stoichiometric number of oxygen atoms in the chemical bond of atoms M and O is defined as w). - 特許庁

マグネトロンスパッタリング法による成膜方法において、３０〜１００容積％の酸素ガスと、０〜７０容積％の窒素ガス、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、キセノンガス、クリプトンガスの中から選ばれる１種以上のガスとからなり、酸素ガスのプラズマ気体を発生させ、該酸素プラズマを用いて基板の表面に付着した有機系物質の汚れを除去する。例文帳に追加

In the film deposition method by the magnetron sputtering method, the soiling due to the organic materials stuck on the surface of the substrate is removed by producing a plasma gas of gaseous oxygen which is composed of 30-100 vol.% gaseous oxygen and 0-70 vol.% one or more kinds of gases selected from gaseous helium, gaseous neon, gaseous argon, gaseous xenon and gaseous krypton and using the gaseous oxygen plasma. - 特許庁

酸素透過板を、電解質基板の表面にアノード電極２ａ、裏面にカソード電極２ｂをそれぞれ形成した第１の電気化学セル群３１と、電解質基板の表面にカソード電極、裏面にアノード電極をそれぞれ形成した第２の電気化学セル群３２とに区分けした。例文帳に追加

The oxygen permeation plate is segmented into a first electrochemical cell group 31 having anodes 2a on the front face and cathodes 2b on the back face of the electrolytic substrate, and a second electrochemical cell group 32 having cathodes on the front and anodes on the back of the electrolytic substrate. - 特許庁

チタン又はチタン合金製の金網等から成る基材の表面にチタン又はチタン合金から成る噴射粉体を噴射して、基材の表面に酸素欠乏傾斜構造を有する酸化チタンの被膜が形成された光触媒コーティング組成物を得る。例文帳に追加

A jet powder consisting of titanium or titanium alloy is jetted onto the surface of a base material consisting of wire netting made of titanium or titanium alloy and the like to obtain the photocatalyst coating composition wherein the coating film of a titan oxide having an oxygen deficiency inclined structure is formed on the surface of the base material. - 特許庁

減圧可能な処理室に載置された基板の表面にシリコン酸化膜を形成する方法であって、処理室に、シランガスと酸素原子を含むガスを交互に繰り返し供給し、基板の表面にシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法が提供される。例文帳に追加

In the method of forming the silicon oxide film on a surface of a substrate mounted in a pressure-reducible processing chamber, a silane gas and oxygen atoms are repeatedly and alternately supplied into the processing chamber to form the silicon oxide film on the surface of the substrate. - 特許庁

また、この金属酸化膜３１の表面のＳｉ原子３３のうち少なくとも一部に、ヒドロキシル基よりも水和性の低いＮ原子３２を、酸素原子を介さないように結合させるので、金属酸化膜３１の表面にヒドロキシル基が形成されるのを防ぐことができる。例文帳に追加

Further, N atoms 32 which are less hydrated than a hydroxy group are bonded to at least some of Si atoms 33 on the surface of the metal oxide film 31 not through an oxygen atom, so a hydroxy group is prevented from being formed on the surface of the metal oxide film 31. - 特許庁

マスク酸化膜を形成する工程と酸素イオンを注入する工程の間に、マスク酸化膜の形成されていないＳＯＩ領域となる基板表面１２ａに、マスク酸化膜の形成されたバルク領域となる基板表面１２ｂより深い所定の深さの凹部１２ｃを形成する。例文帳に追加

Between the process for forming the mask oxide film and the process for injecting oxygen ions, a recess 12c at a prescribed depth, that is deeper than the substrate surface 12b that serves as a bulk region where the mask oxide film is formed, is formed on the substrate surface 12a that serves as the SOI region where mask oxide films have not been formed. - 特許庁

このため、基板表面Ｗｆに付着するリンス液が混合液に置換される際に、混合液の溶存酸素濃度が上昇するのを抑制することができ、基板表面Ｗｆに酸化膜が形成されたり、ウォーターマークが発生するのを確実に防止できる。例文帳に追加

A dissolved oxygen concentration in the mixed liquid can thus be prevented from rising when the rinse liquid attaching to the substrate surface Wf is replaced with the mixed liquid, thereby surely preventing an oxide film from forming on the substrate surface Wf or the watermark from occurring. - 特許庁

また、先端方向にテーパー状の先端部を有するポリエステル系繊維に、酸素またはアルゴンの少なくとも一方を含むガス中でプラズマ処理を行い、該先端部の繊維表面に１０ｎｍ〜１０μｍの微細孔を形成し、かつ該繊維表面に水酸基およびカルボキシル基を生成するし、上記ポリエステル系繊維を製造する。例文帳に追加

The polyester fiber is manufactured in this way. - 特許庁

セラミックス基板上に、導電性金属の化合物（銅化合物など）を含む表面処理剤でセラミックス基板の表面を処理し、酸素存在下で焼成して金属酸化物層を形成し、この金属酸化物層上に、前記導体層を形成してもよい。例文帳に追加

A metal oxide layer can be formed on the ceramic substrate by treating the surface of the ceramic substrate with a finishing agent containing a conductive metal compound (copper compound or the like) and firing it under the presence of oxygen and the conductor layer can be formed on the metal oxide layer. - 特許庁

貼り合わせ基板６００において、単結晶シリコン基板２００の表面にイオン遮蔽用マスク３００ａを形成し、酸素イオン４００を注入する。例文帳に追加

A stuck substrate 600 has an ion shielding mask 300a formed on the surface of a silicon substrate 200 and oxygen ions 400 are implanted. - 特許庁

半導体基板の表面下近傍に、酸素イオン、窒素イオンおよび炭素イオンの少なくとも1つのイオンを注入して、イオン注入層からなるマーキングを形成する、マーク付き半導体基板の製造方法。例文帳に追加

In a method of manufacturing the marked semiconductor substrate, at least one of oxygen ions, nitrogen ions, and carbon ions are implanted nearby under the upper surface of the semiconductor substrate to form the marking consisting of an ion-implanted layer. - 特許庁

本イットリアセラミックス基材は、純度９９．９重量％以上のイットリアを焼成して得られるイットリアセラミックス基材に、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ光を照射し、表面に酸素欠陥領域が形成される。例文帳に追加

The yttria ceramic substrate is obtained by irradiating a yttria ceramic substrate, obtained by firing yttria having a purity of ≥99.9 wt.%, with Nd:YAG laser light to form an oxygen defect area in the surface. - 特許庁

チャンネル部の有機樹脂層をプラスチックからなる基板側およびこの基板に対向する表面側から侵入する水、水素、酸素などから保護することが可能な有機半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an organic semiconductor device where an organic resin layer of a channel can be protected from water, hydrogen and oxygen which invade from the side of a substrate formed of plastic and the surface side confronted with the substrate. - 特許庁

霧状のオゾン水４０は、シリコン基板４２に接触するとオゾンが分解して酸素単原子を生じ、シリコン基板４２の表面を酸化する。例文帳に追加

When the sprayed ozonized water 40 comes in contact with the silicon substrate 42, the ozone is decomposed to generate monoatomic oxygen and the surface of the silicon substrate 42 is oxidized. - 特許庁

これにより、ジルコニウムと、ホウ素と、酸素とを含む絶縁膜であるＺｒＢＯ膜を基板Ｓの表面及び該基板Ｓの有する貫通孔の内面に形成する。例文帳に追加

In this way, a ZrBO film which is a dielectric film containing zirconium, boron and oxygen is formed on the surface of the substrate S and the interior surface of a through-hole that the substrate S has. - 特許庁

光照射部と処理基板との間の酸素濃度を均一にし、大型基板の表面を均一に処理することができる紫外線照射装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an ultraviolet irradiation apparatus capable of uniformizing the concentration of oxygen between a light irradiation part and a treated substrate to uniformly treat the surface of a large-sized substrate. - 特許庁

基板表面に金属薄膜が形成された半導体基板を密封容器内で溶存酸素濃度が３００ｐｐｂ以下の超純水に浸漬して保管する。例文帳に追加

A semiconductor substrate having a metal film on the surface thereof is stored in a closed vessel, being immersed in extrapure water having a dissolved oxygen concentration of 300ppb or below. - 特許庁

その後、基体１１を加熱して基体１１の表面において酸素を拡散させて皮膜１２の厚みを増加させ、皮膜１２を安定化させる（Ｓ１０６）。例文帳に追加

Then, the base 11 is heated to disperse oxygen over the surface of the base 11, and to increase the film 12 in thickness to stabilize the film 12 (S106). - 特許庁

本発明において、プラスチック基板の主表面に積層体を設けることにより水分や酸素の透過による劣化を抑えることが可能とし、しかも可撓性を持たせる基板構造を得ることができる。例文帳に追加

BY providing the laminate on the main surface of a plastic substrate, a flexible substrate structure is provided with degradation caused by penetration of water content or oxygen being suppressed. - 特許庁

デバイス活性領域と異なる半導体基板内部の領域に、酸素起因欠陥（ＢＭＤ）よりなるゲッタリング層を有する半導体基板の表面に、正の電荷を有する膜である酸化膜を付加する。例文帳に追加

An oxide film as a film having positive charge is added to the surface of a semiconductor substrate having a gettering layer composed of oxygen-induced defects (BMD: Bulk Micro Defects) in the region in a semiconductor substrate different from a device active region. - 特許庁

基板上に形成された凸状をなす磁性パターンと、前記磁性パターン間の凹部に埋め込まれ、酸素原子濃度が基板側よりも表面側で高くなっている非磁性体とを有する磁気記録媒体。例文帳に追加

The magnetic recording medium comprises protruding magnetic patterns formed on a substrate, and a nonmagnetic material which is embedded in the recesses between the magnetic patterns and has a higher oxygen atom concentration on the surface side than on the substrate side. - 特許庁

低酸素処理を施したシリコン基板は基板表面層が応力に対して非常にもろくなってしまい、ハンド津愛想うちの製造プロセスの過程でクラックや反りが発生する原因ともなってしまう。例文帳に追加

To solve a problem of brittleness of a substrate surface layer of a silicon substrate subjected to a low oxygen treatment to stress to cause generation of cracks and warpage in the course of a process of manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

ＴｉＡｌ基合金で鋳造をした場合に鋳造品の表面および内部が酸化物へ変質することを抑止すると共に、ＴｉＡｌ基合金中の酸素濃度が高くなることを抑止する。例文帳に追加

To suppress denaturation into an oxide in the surface and the inside of a casting, on casting using a Ti-Al-based alloy, and further to suppress the increase in the concentration of oxygen in the Ti-Al-based alloy. - 特許庁

このため、処理中の基板Ｗの搬送を、酸素を含む外気と隔離した環境の中で行うことが可能であり、搬送中の基板Ｗ表面に不要な酸化膜やォーターマークが発生することを抑制することができる。例文帳に追加

Thereby, the substrate W during the treatment can be transferred in an environment isolated from the outside air including oxygen, and it is possible to suppress unnecessary oxide films and watermarks on the surface of the substrate W during the transferring. - 特許庁