「酸素表面基」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明に係る炭素質材料の表面改質方法は、前記炭素質材料を２５０〜１１００℃の範囲において熱処理を施し、酸素官能基量を増大させ、その後８００〜１２００℃の範囲において高温での焼成処理により、表面の細孔径の増大を図ると共に、比表面積の増大をさせることができる。例文帳に追加

The surface modification method of a carbonaceous material according to the present invention comprises heat-treating the carbonaceous material in a temperature range of 250 to 1,100°C to increase the amount of oxygen functional groups and burning the resulting material in a higher temperature range of 800 to 1,200°C to increase the surface pore size and increase the specific surface area. - 特許庁

光導波路基板の製造方法は、シリコン基板１５の表面のシリコンを酸化するガスの雰囲気下にシリコン基板１５を曝しつつ加熱して、光導波路となる石英膜を表面に形成させることによる光導波路基板の製造方法であって、シリコン基板１５の酸素濃度が、最大でも２４ｐｐｍａであることを特徴としている。例文帳に追加

In the method for manufacturing the optical waveguide substrate wherein the silicon substrate 15 is heated while being exposed under an atmosphere of a gas for oxidizing silicon on the surface of the silicon substrate 15 and whereby the quartz film becoming the optical waveguide is formed on the surface, an oxygen concentration of the silicon substrate 15 is set at 24 ppma at most. - 特許庁

炭素繊維表面のヒドロキシル基に、酸素原子を介してトリオルガノシリル基(オルガノ基は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基を示す)を結合してなり、Ｘ線光電子分光法により測定される炭素繊維表面珪素濃度Ｓｉ／Ｃが０．１００以上である撥水性炭素繊維。例文帳に追加

This water repellent carbon fiber is provided by bonding a triorganosilyl group (wherein, organo groups are each independently H, an alkyl or an alkoxy) with hydroxyl groups on the surface of the carbon fiber through oxygen atom, and showing a Si/C silicon concentration on the surface of the carbon fiber of ≥0.100, measured by an X-ray photoelectron spectrometry. - 特許庁

レジスト層もしくはアモルファスカーボン層を表面に有する基板にＨＭＤＳガスを曝すＨＭＤＳガス暴露工程と、基板に酸素含有ガスを曝す酸素含有ガス暴露工程と、を行うことにより、少なくともレジスト層もしくはアモルファスカーボン層の上にシリコン酸化膜を形成する。例文帳に追加

A method of manufacturing a semiconductor device carries out: an HMDS gas exposure step for exposing a substrate having a resist layer or an amorphous carbon layer on its surface to an HMDS gas; and an oxygen-containing gas exposure step for exposing the substrate to an oxygen-containing gas, thereby forming a silicon oxide film at least on the resist layer or the amorphous carbon layer. - 特許庁

表面に変質層が形成されたレジスト膜を有する半導体基板を、処理チャンバ内に搬入するステップと、半導体基板を加熱するとともに、処理チャンバ内に不活性ガスを導入して処理チャンバ内の圧力を上げるステップと、次いで、処理チャンバ内に酸素ガスを導入し、酸素ガスのプラズマによってレジスト膜をアッシングするステップとを有する。例文帳に追加

This method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: carrying a semiconductor substrate having a resist film formed with an altered layer on a surface thereof into a processing chamber; heating the semiconductor substrate, and increasing pressure in the processing chamber by introducing inactive gas into the processing chamber; and then introducing oxygen gas into the processing chamber and ashing the resist film by plasma of the oxygen gas. - 特許庁

基板１１を酸化物チャンバＦ３に搬入し、チタンを主成分とする第一ターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタさせてチタン酸化物からなる酸化物層を形成し、酸化物層を有する基板１１を照射チャンバＦ４に搬入し、酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して可変抵抗体を形成した。例文帳に追加

A substrate 11 is carried into an oxide chamber F3, a first target with titanium as a main constituent is sputtered under an oxygen atmosphere to form an oxide layer made of a titanium oxide, the substrate 11 having the oxide layer is carried into an irradiation chamber F4, and the surface of the oxide layer is further irradiated with an oxygen radical to form a variable resistor. - 特許庁

上記目的を達成するために、シクロオレフィンポリマー材に、有酸素雰囲気下で紫外線を照射し、シクロオレフィンポリマー材を構成するＣ−Ｈ基を−ＯＨ基及び／又は−Ｃ＝Ｏ基に転化するとともに、表面に凹凸形状を形成する。例文帳に追加

The cycloolefin polymer material is irradiated with ultraviolet rays in an oxygen-containing atmosphere to convert a C-H group constituting the cycloolefin polymer material into an -OH group and/or a -C=O group while forming concave/convex shapes on the surface. - 特許庁

例え反応ガスとして酸素を使用しても、加熱板表面の内の、少なくとも半導体基板またはサセプタと直接接触する面の酸化を極力回避して、半導体基板に安定した熱供給を行えるようにした半導体製造装置用基板ヒータを提供する。例文帳に追加

To obtain a substrate heater for semiconductor-manufacturing equipment, that can stably supply heat to a semiconductor substrate by avoiding the oxidation of a surface that directly makes contact with at least the semiconductor substrate or a susceptor within a heating plate surface, even if oxygen is used as the reaction gas. - 特許庁

流体吐出装置への非湿潤性コーティングの形成方法は、基板に酸素プラズマを当てて基板の内側部分の密度よりも高い密度を有する基板の外側部分を形成する工程と、外側部分の外表面上に非湿潤性コーティングを付与する工程と、を含む。例文帳に追加

A method of forming the non-wetting coating on the fluid ejection device includes: a step of applying an oxygen plasma to a substrate to form an outer part of the substrate having a density that is larger than that of an interior part of the substrate; and a step of applying a non-wetting coating to an exterior surface of the outer part. - 特許庁

シリコン単結晶基板に酸素イオンを注入し、その後高温熱処理を施すことにより、埋め込み酸化層および表面シリコン層を形成するＳＩＭＯＸ基板において、ＳＯＩ層の貫通転位欠陥の密度が１００個／ｃｍ^2 未満であることを特徴とするＳＩＭＯＸ基板である。例文帳に追加

In an SIMOX substrate where an oxide ion is implanted to a silicon mono-crystal substrate, and high temperature heat treatment is carried out to form an embedded oxide layer and a surface silicon layer, the density of the through-displacement failure of an SOI layer is set so as to be 100 pieces/cm^2. - 特許庁

単結晶ダイヤモンド基材上にダイヤモンド薄膜が形成されたダイヤモンド基板等の炭素材料からなる基板の表面に、プラズマ処理、ラジカル処理、薬液処理又はこれらを組み合わせた処理を施すことにより、酸素及び／又は窒素を吸着させる。例文帳に追加

The surface of a substrate composed of a carbon material such as a diamond substrate in which a diamond thin film is deposited on a single crystal diamond base material is subjected to plasma treatment, radical treatment, chemical treatment or treatment in which they are combined, thus oxygen and/or nitrogen is adsorbed thereon. - 特許庁

上方に向けて通流する酸素含有気体の気流中で基粉体を上下循環流動させながら、その循環流動する基粉体に向けて紫外線を照射し、その照射の結果表面に活性点が形成された基粉体に顔料を接触させる。例文帳に追加

While a base powder is circulated and fluidized up and down in a stream of an oxygen-containing gas flowing upwards, the circulated and fluidized base powder is irradiated with ultraviolet rays and the base powder having an active point formed in the surface as the result of the irradiation is brought into contact with a pigment. - 特許庁

この方法で基板１８上に銀ナノ粒子２４のＳＥＲＳ活性サイト３１〜３３を生成した後、酸素プラズマにより、ＳＥＲＳ基板１８から、自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）（１２）を除去するとともに、ＳＥＲＳ基板１８表面を洗浄する。例文帳に追加

After producing SERS activation sites 31-33 of the silver nanoparticles 24 on the substrate 18 by this method, the self-assembled monolayer (SAM) 12 is removed from the SERS substrate 18 by oxygen plasma, and the surface of the SERS substrate 18 is cleaned. - 特許庁

アノード基板、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、カソード基板、の康応を有する有機ＥＬ素子において、アノード基板表面に対して酸素プラズマ処理を施すことで、アノード基板表面に付着している汚染物質であるエタノールアミンの量を10ng/cm^2以下に低減させる。例文帳に追加

In the organic EL element including an anode substrate, a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode substrate, by applying an oxygen plasma treatment to the anode substrate surface, the amount of ethanolamine which is a pollutant adhered to the anode substrate surface is reduced to 10 ng/cm^2 or less. - 特許庁

半導体装置は、シリコン基板１と、シリコン基板１上に設けられ、膜厚方向に関し、シリコン基板１側の表面部分にヘリウムの濃度の極大値、シリコン基板１と反対側の表面部分に窒素の濃度の極大値がある濃度分布を有するシリコン、酸素、窒素およびヘリウムを含むＳｉＯＮ膜３とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a silicon substrate 1, and an SiON film 3 provided on the silicon substrate 1 and including silicon, oxygen, nitrogen, and helium having a concentration distribution in a film thickness direction of a maximum concentration of helium on the surface part of the silicon substrate 1 and a maximum concentration of nitrogen on the surface of the opposite side of the silicon substrate 1. - 特許庁

この半導体装置の製造方法は、基板１２に電極パッド１１を形成する電極パッド形成工程と、電極パッド１１上に、表面の少なくとも一部がフラックス１５で覆われた半田バンプ１４を形成する半田バンプ形成工程と、半田バンプ１４に反応性を有する酸素、例えば、オゾン（Ｏ_３）ガスを供給する酸素照射工程と、を含む。例文帳に追加

The method includes: an electrode pad forming step of forming an electrode pad 11 on a board 12; a solder bump forming step of forming the solder bump 14 on the electrode pad 11, with the surface of the solder bump being at least partially covered with a flux 15; and an oxygen exposure step of supplying an oxygen having reactive properties, such as an ozone (O3) gas, to the solder bump 14. - 特許庁

酸素還元反応能を有する触媒は、シルク材料を不活性ガス雰囲気下で高温焼成して粉末状の炭化状態とし、さらに水蒸気を吹き込んで賦活処理することにより比表面積が増大すると同時に、シルク材料由来の窒素が残存することをによって、優れた酸素還元能に基づく触媒活性が発現する。例文帳に追加

The catalyst having high oxygen reduction reaction ability demonstrates the catalytic activity based on superior oxygen reduction reaction ability, by powderedly carbonizing a silk material by firing at a high temperature in an inert gas atmosphere, and further activating by injecting steam to increase the specific area, and leaving silk material-derived nitrogen. - 特許庁

本願の一つの発明は、ＭＩＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置の製造方法において、ＭＩＳＦＥＴのゲートスタック及びその周辺構造を形成した後、半導体基板表面を酸素吸収膜で覆い、その状態でソースドレインの不純物を活性化するためのアニールを実行し、その後、当該酸素吸収膜を除去するものである。例文帳に追加

A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a MISFET comprises the steps of: covering a surface of a semiconductor substrate with an oxygen-absorbing film after forming a gate stack of a MISFET and a peripheral structure; performing annealing in that state to activate an impurity in a source-drain region; and subsequently removing the oxygen-absorbing film. - 特許庁

（ａ）第１の強磁性層１１、導電層１２を真空中で連続形成し、（ｂ）真空を破ることなく純酸素を導入し、導電層１２の表面を自然酸化してトンネルバリア層１３を形成し、（ｃ）酸素を排気した後、第２の強磁性層１４を成膜して基本構造を完成させる強磁性トンネル接合素子の製造方法。例文帳に追加

A first ferromagnetic layer 11 and a conductive layer 12 are continuously formed in vacuum, pure oxygen is introduced without breaking the vacuum so that the surface of the conductive layer 12 is naturally oxidized to form a tunnel barrier layer 13, and after the oxygen is evacuated, a second ferromagnetic layer 14 is formed to complete a basic structure. - 特許庁

半導体基板表面近傍の酸素析出核密度を高感度に評価して結晶品質の差を捉え、さらに実際のデバイス製造工程での酸素析出核の影響を簡便に推測し、実デバイス工程に於いて高歩留まりを実現できるウェーハを提供するための高感度な評価方法を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a method for evaluating semiconductor substrate with high sensitivity for providing a wafer in which oxygen precipitation nucleus density near the surface of a semiconductor substrate is evaluated with high sensitivity to capture the difference in crystal quality, influences of oxygen precipitation nuclei in an actual device manufacturing process are further simply estimated, and a high manufacturing yield can be realized in the actual device process. - 特許庁

さらに、本発明は、細胞付着のための最大の表面積を提供することができ、酸素化装置、デプスフィルター、およびスタティックミキサーとして働いて、細胞死を生じさせることなく細胞に十分な酸素および栄養分を間欠的かつ周期的に提供することにより、細胞生成物の生成を最大にする、生育基質手段を教示する。例文帳に追加

Further, the growth substrate means is provided for maximizing the production of the cell product by capable of providing the maximum surface area for the cell adhesion, and providing sufficient oxygen and nutrition to the cells intermittently and periodically by acting as an oxidizing device, a depth filter and a static mixer without causing the cell death. - 特許庁

本発明のブラックマトリックス用カーボンブラックは、カーボンブラック表面の少なくとも一部が酸性、中性の官能基で化学修飾され、Ｘ線光電子分光法により測定した全炭素原子当たりの全酸素原子の原子比（酸素結合エネルギーの強度／炭素結合エネルギーの強度）が０．１以上であることを特徴とする。例文帳に追加

This carbon black for black matrix is characterized in that at least a part of the surface of carbon black is chemically modified with an acidic or neutral functional group and has ≥0.1 atomic ratio (intensity of oxygen bond energy/intensity of carbon bond energy) of total oxygen atoms to the whole carbon atoms measured by a X-ray photoelectron spectroscopy. - 特許庁

分散剤１０２によって表面コーティングされた金属ナノ粒子１０１を有機溶剤１０５中に混合させた後、有機溶剤１０５中に酸素を酸素ナノバブル１２５として注入して、加圧焼結によって半導体ダイの電極と基板の電極および／または半導体ダイの電極と他の半導体ダイの電極とを接合するための金属ナノインク１００を製造する。例文帳に追加

The metal nano-ink 100 for bonding together an electrode of a semiconductor die and an electrode of a substrate and/or the electrode of the semiconductor die and an electrode of another semiconductor die is produced through pressure sintering by injecting oxygen as oxygen nanovalves 125 into an organic solvent 105 after mixing metal nanoparticles 101 each having a surface coated with a dispersant 102 in the organic solvent 105. - 特許庁

タンタル酸リチウム基板およびサファイア基板の少なくとも一方の接合表面を、不活性ガスまたは酸素ガスの中性化ビーム、イオンビーム、若しくはプラズマにより活性化させてアモルファス化する、若しくはこれらの基板の少なくとも一方の接合表面上に、所望の組成のアモルファス層を真空成膜して形成する。例文帳に追加

At least one junction surface of the tantalic acid lithium substrate and the sapphire substrate is activated by an inert gas or the neutralized beam, ion beam, or plasma of oxygen gas for making into an amorphous form; or an amorphous layer having a desired composition is film-formed in vacuum, at least on one junction surface of the substrates. - 特許庁

アルミナの表面水酸基の水素原子が、ケイ素原子に置換され、該ケイ素原子を介してポリマー鎖が表面水酸基の酸素原子に結合したアルミナ複合材であって、該ポリマー鎖が、リビングラジカル重合開始基に由来する構造とラジカル重合性不飽和結合を有するモノマーに由来する構造単位とを含むことを特徴とするアルミナ複合材。例文帳に追加

In this alumina composite material, a hydrogen atom of hydroxide group on the surface of the alumina is substituted by a silicon atom, and a polymer chain is bonded to an oxygen atom of the surface hydroxide group via the silicon atom, and the polymer chain contains a structure derived from a living radical polymerization initiating group and a structural unit derived from a monomer having a radical polymerizing unsaturated bond. - 特許庁

基体部としての芯ロッドと、当該芯ロッドの表面上に積層された固体電解質層や緻密層を含む機能層と、を有し、芯ロッド上に機能層を積層した後に焼成する酸素センサにおいて、焼成時に、当該基体部および機能層の焼結が、基体部側から機能層の表面側に向けて順次進行するように構成した。例文帳に追加

In the oxygen sensor having a core rod as a substrate part and a functional layer including the solid electrolyte layer or dense layer overlying the surface of the core rod and baked after the functional layer is laid on the core rod, the sintering of the substrate part and the functional layer is successively advanced toward the surface side of the functional layer from the substrate part. - 特許庁

サファイア基板１の表面近傍若しくは異種基板10上に形成された剥離用窒化物半導体層11に水素や窒素、酸素等のイオンを打ち込むことにより得られる中間層２、12は、アモルファス的な構造となるため、歪みを吸収、緩和し、クラックや反り等が低減する。例文帳に追加

An intermediate layer 2, 12 is obtained by implanting ions of hydrogen, nitrogen, oxygen, etc., into a nitride semiconductor layer 11 to be peeled, which is formed in the vicinity of the surface of a sapphire substrate 1 or on a hetero substrate 10. - 特許庁

その後、半導体基板１の温度を５００℃以下とした状態で酸素ガスを用いたプラズマ処理を行い、ゲート電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃの周辺の半導体基板表面部分に存在する酸化シリコン膜の損傷や欠陥を修復する。例文帳に追加

Next, another plasma treatment is conducted, by using oxygen gas with the semiconductor substrate kept at 500°C or lower for the restoring the damages or defects in silicon oxide films present in the semiconductor substrate surface, in the vicinity of the gate electrodes 10a, 10b, 10c. - 特許庁

アルカリ含有ガラス基板１の表面に、錫と珪素と酸素を主成分とする複合酸化物膜からなる、少なくとも１層の薄膜を含む絶縁性金属イオン拡散防止膜２、銀を含有する電極膜３をこの順に形成したディスプレイ用ガラス基板。例文帳に追加

The glass substrate for display has the insulative metal ion diffusion-preventing film 2 including at least one thin film comprising the composite oxide film mainly containing tin, silicone and oxygen, and an electrode film 3 containing silver, which are formed in this order on the surface of the alkali-containing glass substrate 1. - 特許庁

水の電気分解により得られる機能水又は活性酸素もしくは活性水素を含む機能水でプラスチック基板を所要時間処理して、前記プラスチック基材の表面層のアルカリ及び／又はハロゲン成分を除去し樹脂マトリクス中のオリゴマーを安定化又は除去するようにした。例文帳に追加

A plastic base plate is treated for a necessary time with a functional water obtained through the electrolysis of water or with a functional water containing active oxygen or active hydrogen to remove the alkali and/or halogen components in the surface layer of the plastic base plate, thus stabilizing or removing the oligomer in the resin matrix. - 特許庁

二軸延伸ナイロンフィルム（ユニチカ社：エンブレムＯＮ）を基材とし、まず、窒素−酸素混合ガス中でＲＦ方式で放電させて、上記ガスの低温プラズマを発生させ、この低温プラズマで上記基材を表面処理する。例文帳に追加

Discharges are induced by an RF system in a nitrogen-oxygen gas mixture to generate a low-temperature plasma of the gas mixture, and a base material comprising a biaxially oriented nylon film (Emblem ON, a product of Unitika Ltd.) is subjected to surface treatment with the low- temperature plasma. - 特許庁

基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及び係る製造方法によるガスバリアフィルムを提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a gas barrier film and the gas barrier film by the manufacturing method improving interlayer adhesiveness without depending on oxygen-bonding while preventing amidating or nitriding of a functional group positioned on a surface of a base material. - 特許庁

基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及びガスバリアフィルムを提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing gas barrier film and the gas barrier film capable of preventing functional groups positioned on the surface of a substrate from being amidated or nitrided and capable of improving the interlayer adhesive force without depending on oxygen bonds. - 特許庁

結晶系太陽電池の製造に用いられる基板の表面にテクスチャーの形成において、塩素ガスと酸素ガスとの二つのガス系を用い、基板のエッチング中に生成されるＳｉＯ_２のポジションをセルフマスクとしてテクスチャーを形成する。例文帳に追加

The two gas systems of a chlorine gas and an oxygen gas are used to form the texture on a surface of a substrate used to manufacture a crystal-based solar cell, and the texture is formed by using the deposition of SiO_2 produced during etching of the substrate as the self-mask. - 特許庁

低真空熱処理工程７０では、基板が6(Pa)程度の酸素分圧の高い雰囲気下において1700(℃)程度で加熱されるため、珪素除去層の生成速度より遅い速度でナノチューブがその先端から酸化させられ、基板表面においてその先端が疎に分布する。例文帳に追加

In a low vacuum heat treatment process 70, since a substrate is heated at approx. 1700°C in the atmosphere with higher oxygen partial pressure of about 6 (Pa), the nanotube is oxidized from its end at slower generation rate than that of a silicon removing layer and the end is nondense distributed on the substrate face. - 特許庁

電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板１０にレジストマスクを形成した後、酸素を含有するエッチングガス中でエッチングを行なうことにより、レジストマスクをエッチングしながらＴＦＴアレイ基板１０の表面をエッチングする。例文帳に追加

In the electro-optical device, a resist mask is formed on a TFT array substrate 10, and thereafter, an etching is performed in an etching gas environment containing oxygen, thereby, the resist mask is subjected to the etching and, at the same time, the surface of TFT array substrate 10 is subjected to the etching. - 特許庁

例えば、ポリマー表面には、処理されたポリマーのこれらの分析に基づいて処理装置内のＨ_2Ｏレベルを制御するなどによって、添加された窒素対添加された酸素の最適な比および／または洗浄後の前進接触角および未洗浄の前進接触角に基づいた最適な安定性が得られる。例文帳に追加

For example, the polymer surface may be provided with an optimal added nitrogen-to-added oxygen ratio and/or an optimal stability based on washed and unwashed advancing contact angles, by controlling the H_2O level within the treater based on these analyses of the treated polymer. - 特許庁

減圧下でオゾンを含む酸素ガスを用いてシリコン基板の表面を酸化し、このシリコン基板上にシリコン酸化膜を形成した後、減圧を維持した状態で、シリコン酸化膜の上に連続して高誘電率絶縁膜を形成する。例文帳に追加

The manufacturing method comprises the steps of: oxidizing the front surface of a silicon substrate by using an oxygen gas containing ozone under a reduced pressure; forming a silicon oxide film on this silicon substrate; and successively forming a high dielectric constant insulating film on the silicon oxide film, in a state of maintaining the reduced pressure. - 特許庁

このように、Ｓｉ層２を成膜したのち、高温、減圧下において酸素ガスを供給することで、ＳｉＣ基板１からＳｉ層２を除去することができ、大気中のＣ等で汚染されていないＳｉＣ基板１の清浄表面を得ることができる。例文帳に追加

Thus, since the oxygen gas are supplied under high temperature and reduced pressure after filming the Si layer 2, the Si layer 2 can be removed from the SiC substrate 1, and the clean surface of the SiC substrate 1, which is not polluted by C or the like in the atmosphere, can be provided. - 特許庁

成膜装置内の酸素濃度を制御することにより、基板の表面に樹脂部が存在していても樹脂部の劣化を抑制することができ、また、導電性の基板と導電性膜が電気的に接続される場合、それらの間に大きな界面抵抗が生じるのを抑制することができるようにすること。例文帳に追加

To suppress deterioration of a resin part even if the resin part exists on the surface of a substrate by controlling oxygen concentration in a film-forming device and suppress occurrence of a large interface resistance between the conductive substrate and a conductive film when they are electrically connected. - 特許庁

光触媒層とこの光触媒層表面に親水層を積層した導電性基材と、この導電性基材と電気的に導通し上記光触媒層の光励起で生じた電子の酸素との還元反応を促進する還元触媒部とを備える。例文帳に追加

The photocatalytic member is provided with a photocatalytic layer, a conductive base material formed by laminating a hydrophilic layer on the surface of the photocatalytic layer and a reduction catalytic part electrically connected to the conductive base material and for accelerating the reduction reaction of electron generated by the photoexcitation in the photocatalytic layer with the oxygen. - 特許庁

平均粒径が１〜１０００ｎｍのダイヤモンド微粒子を懸濁しためっき浴を酸素を含有する気体で攪拌しながら基材を浸漬し、基材表面に金属マトリックス中に８〜２５容量％の平均粒径が１〜１０００ｎｍのダイヤモンド微粒子を分散させためっき膜を形成する。例文帳に追加

A base material is immersed while stirring a plating bath with diamond particles of the average grain size of 1-1,000 nm suspended with a gas containing oxygen to deposit a plating film with the diamond particles of 8-25 vol.% and the average grain size of 1-1,000 nm dispersed in the metal matrix on the surface of the base material. - 特許庁

拡散炉内で、Ｐ型またはＮ型シリコン基板に、Ｎ型またはＰ型ドーパントを含む雰囲気で熱拡散によって接合層を形成した後、その炉内の雰囲気を酸素雰囲気に切り換えるとともに、徐冷を開始して、シリコン基板表面に保護膜を形成する。例文帳に追加

A method for manufacturing a photoelectric converter comprises the steps of forming the bonding layer by the thermal diffusion in an atmosphere containing an N-type or P-type dopant on a P-type or an N-type silicon substrate in a diffusion furnace, then switching the atmosphere in the furnace to the oxygen atmosphere, and starting annealing to form the protective film on the surface of the silicon substrate. - 特許庁

大気中の酸素により硬化反応が阻害されず優れた光硬化性を（表面硬化性、内部硬化性）有し、その光硬化物が樹脂、金属、ガラスといった様々な基材に対する良好な密着性を示す、且つ金属基材を腐食させることがないカチオン系感光性組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a cationic photosensitive composition that exhibits excellent photocurability (surface curability and internal curability) without inhibition of the curing reaction by oxygen in the air and gives a photocured product exhibiting good adhesion to various substrates such as resins, metals or glass and causing no corrosion of a metal substrate. - 特許庁

屈折率１．３３以上１．３４以下の可視光領域において透明なフッ素系樹脂基板２１を酸素を含有しない雰囲気中に保持し、基板表面にＦ_2レーザーのレーザー光をアブレーション閾値以下のレーザーフルエンスで照射して親水性を付与する。例文帳に追加

The cell culture substrate is obtained by holding the fluororesin substrate 21 having ≥1.33 and ≤1.34 refractive index and transparent in a visual light region in an atmosphere free from oxygen, and irradiating the surface of the substrate with a laser beam of F_2 laser with a laser fluence not higher than the abrasion threshold. - 特許庁