「酸素表面基」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

基材粒子の表面に、酸素などの不純物元素の含有量の少ない鉄の被覆層が形成された複合粒子を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a composite particle having an iron coating layer small in the content of impurities such as oxygen on the surface of a base material particle. - 特許庁

基板１１上にあらかじめダイヤモンド様炭素膜１２Ａを形成し、このダイヤモンド様炭素膜１２Ａに酸素プラズマ処理を行い、表面の粗いダイヤモンド様炭素膜からなるエミッタ電極１２を形成する。例文帳に追加

A diamond-like carbon film 12A is formed in advance on a base 11, and oxygen plasma treatment is applied to the diamond-like carbon film 12A to form an emitter electrode 12 comprising the diamond-like carbon film having a coarse surface. - 特許庁

真空容器内に金属元素を含む有機原料ガスと酸素ラジカルとを導入し、これらを反応させて前記真空容器内に配置されている基板表面上に金属酸化膜を形成することを特徴とする成膜方法。例文帳に追加

An organic raw material gas containing a metal element and an oxygen radical are introduced into a vacuum container and are reacted, and the metal oxide film is formed on the surface of the substrate disposed in the vacuum container. - 特許庁

基体表面に微量な酸素を含む不活性ガスを接触させる枝付ウィスカー成長工程と、該枝付ウィスカーに触媒成分を担持する工程、を行う。例文帳に追加

Then, a branched whiskers growing process for bringing an inert gas containing a very small amount of oxygen into contact with the surface of the substrate and a process for supporting the catalytic component on the branched whiskers are performed. - 特許庁

耐薬品性、耐熱性、寸法安定性に加え、表面平滑性および水蒸気、酸素に対するバリア性の優れた反射型液晶表示素子用プラスチック基板を提供する。例文帳に追加

To provide a plastic substrate for a reflective liquid crystal display element excellent in chemical resistance, heat resistance and dimensional stability and additionally in surface smoothness and a barrier property to water vapor and oxygen. - 特許庁

その後、この酸素及び／又は窒素を吸着させたダイヤモンド基板の表面上に、有機金属化合物と酸化剤又は窒素剤とを交互に供給する原子層堆積法により、酸化膜又は窒素膜を成膜する。例文帳に追加

Thereafter, an oxide film or a nitride film is deposited on the surface of the diamond substrate with the oxygen and/or nitrogen adsorbed by an atomic layer deposition process where an organic metal compound and an oxidizing agent or a nitriding agent are alternately fed. - 特許庁

低ドーズ量で健全な埋め込み酸化物層を形成させ、表面のシリコン単結晶部の欠陥をできるだけ少なくした、酸素イオン注入によるＳＯＩ構造のシリコン単結晶基板の製造方法。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon single-crystal substrate of SOI structure through oxygen ion implantation which reduces defects of a silicon single-crystal part on the surface as much as possible, by forming a sound embedded oxide layer with a low dosage. - 特許庁

その後、（ｉ）にてドライ酸化雰囲気中で酸素濃度を希釈して基板１の表面を熱酸化し、溝部分に素子分離熱酸化膜５を形成する。例文帳に追加

Thereafter, the surface of the substrate 1 is thermally oxidized in a dry oxidizing atmosphere which is reduced in oxygen concentration, and an element isolation thermal oxide film 5 is formed on the groove (i). - 特許庁

次に、プラズマ処理によって活性化表面を持つ前記基粒子を、酸素との接触反応によって、活性化点を失活する事により新規微粒子を得る事が出来る。例文帳に追加

Then the base particles having an activated surface by the plasma treatment are subjected to a contact reaction with oxygen so that the activation point is deactivated to give the objective new fine particles. - 特許庁

含酸素官能基密集度（μｍｏｌ／ｍ^２） ＝［(９５０℃×３０分)ＣＯ発生量(μｍｏｌ／ｇ)＋(９５０℃×３０分)ＣＯ_２ 発生量（μｍｏｌ／ｇ）］／窒素吸着比表面積（ｍ^２／ｇ）例文帳に追加

The oxygen-containing functional group density(μmol/m^2)=[(950°C×30min)CO generation amount(μmol/g)+(950°C×30min)CO_2 generation amount(μmol/g)]/nitrogen adsorption specific surface area (m^2/g). - 特許庁

上面に絶縁膜（Ｈｉｇｈ−ｋ膜）３２が積層されたＧｅ基板３１の絶縁膜３２の表面から、酸素原子含有ガスを含む処理ガスのプラズマを照射する。例文帳に追加

From a surface of an insulating film (High-k film) 32 of a Ge substrate 31 for which the insulating film 32 is laminated on an upper surface, plasma of process gas containing oxygen-atom-containing gas is radiated. - 特許庁

半導体基板１１の内部に酸素濃度の高い高欠陥密度層１２を形成すると共に表面層に無欠陥層１３を形成するための水素アニール処理を行う。例文帳に追加

A high defect density layer 12 having a high oxygen concentration is formed in the interior of a semiconductor substrate 11, simultaneously with which it is subjected to a hydrogen annealing process to form a non-defect layer 13 on the surface layer. - 特許庁

炭化ケイ素質基材の電子部品焼成用道具材において、ジルコニア表面層へのシリコンや酸素の浮上が抑制され、繰り返し使用においても、より長寿命化を図ることができる道具材を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide-based tool material for firing an electronic component which is suppressed in floatation of silicon and oxigen on the surface layer of zirconia and has a prolonged service life in repeating use. - 特許庁

本発明の自己潤滑性コーティングは、基材表面上に形成された、金属と酸素との結合を主鎖とする三次元網目構造を有しており、この三次元網目構造内に潤滑油を含有している。例文帳に追加

This self-lubricative coating has a three-dimensional network structure formed on the surface of a base material and containing the bonds of metal and oxygen as the main chains, and lubricating oil is contained in the three-dimensional network structure. - 特許庁

基板の上に設けた酸化により変色する金属微粒子と結着樹脂とを有する変色層の少なくとも主表面を覆う酸素透過性樹脂膜を設ける。例文帳に追加

This timer element includes an oxygen permeable resin film covering at least the main surface of a discoloring layer having metal fine particles discolored by being oxidized and a binder resin, provided on a substrate. - 特許庁

アンチモンと共に、水素、窒素、酸素、炭素のみで構成されたアンチモン化合物を含有する材料溶液（アンチモン溶液Ｌ）を基板７の表面を覆う半導体層５に付着させて溶液層Ｌ１を形成する。例文帳に追加

A solution layer L1 is formed by depositing a material solution (antimony solution L) containing an antimony compound constituted of only hydrogen, nitrogen, oxygen and carbon together with antimony, onto a semiconductor layer 5 for covering a surface of a substrate 7. - 特許庁

基材粒子の表面に、酸素などの不純物元素の含有量の少ない鉄の被覆層が形成された複合粒子を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a composite particle having an iron coating layer slight in the content of impurities such as oxygen on the surface of a base material particle. - 特許庁

前記磁性パターン間の凹部に、酸素原子濃度が基板側よりも表面側で高くなっている非磁性体が複数層埋め込まれている磁気記録媒体。例文帳に追加

In the magnetic recording medium, a plurality of nonmagnetic material layers each having a higher oxygen atom concentration on the surface side than on the substrate side are embedded, in the recesses between the magnetic patterns. - 特許庁

結晶性を高めるとともに、表面荒れが抑制された酸素で終端されたシリコンナノ結晶構造体のアニール方法と基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an annealing method of a silicon nano-crystal structure which is terminated with oxygen, in which crystallinity is enhanced and surface roughness is suppressed, and to provide a manufacturing method of a substrate. - 特許庁

緑色フィルタが形成された半導体基板上に酸素プラズマ処理を施して表面を親水化した後に青色樹脂を塗布して同様の工程にて青色フィルタを形成する。例文帳に追加

The surface of the semiconductor substrate is hydrated by applying oxygen plasma treatment on the semiconductor substrate, on which the green filter is formed, to hydrate the surface thereof and, thereafter, blue resin is applied to form a blue filter through the same process. - 特許庁

次に、この酸素プラズマによる処理がなされた基板１０１が、例えば、ｐＨ４．８程度とされた塩酸溶液に浸漬された状態とし、塩酸が、制御電極１１８及び可動部電極１０９の表面に作用する状態とする。例文帳に追加

Then the substrate 101, treated with the oxygen plasma, is immersed in hydrochloric acid solution adjusted around pH4.8, for example, to allow the hydrochloric acid to act on the surfaces of the control electrode 118 and the movable portion electrode 109. - 特許庁

次いで、真空蒸着法等によりｐ形コンタクト層１０の表面に透明電極３及びｐ側電極４を形成し、また、ＺｎＯ基板１の酸素極性面１ｂ上にｎ側電極５を形成する。例文帳に追加

Then, a transparent electrode 3 and a p-side electrode 4 are formed on the surface of the p-type contact layer 10 through a vacuum vapor deposition method or the like, and an n-side electrode 5 is formed on the oxygen polar plane 1b of the ZnO substrate 1. - 特許庁

欠陥層１５の除去は、２００℃以下の基板温度でフッ素元素含有ガスおよび酸素ガスを電離させて発生したラジカルによる等方性エッチングにより溝１４の内表面１４ａを５ｎｍ程度エッチングする。例文帳に追加

In removing the defective layer 15, a fluorine element containing gas and oxygen gas are ionized at a substrate temperature of 200°C or less, and the inner surface 14a of the trench 14 is etched at about 5 nm by an isotropic etching by a generated radical. - 特許庁

Ｆｅ基金属ガラス粉末を、ＲＬ_３で表される希土類錯体を有機溶媒に溶解した溶液と混合し、１５０〜５００℃の脱酸素中で熱処理を施して、表面に炭素含有希土類酸化物を被覆する。例文帳に追加

The Fe-based metal-glass powder is mixed with a solution where a rare earth complex expressed by RL_3 is dissolved in an organic solvent, and thermal treatment is performed on the solution while the solution is being deoxidated at the temperature of 150 to 500°C to coat a carbon containing rare earth oxide on the surface. - 特許庁

磁気記録媒体は、非磁性基体１の表面に、Ｃｒ等の非磁性金属密着層２と酸素を含有するＡｌ等の非磁性金属堆積物の凹凸形成層３が形成されている。例文帳に追加

The magnetic recording medium has a closely adhered non- magnetic metal layer 2 made of metal, such as Cr and a roughened non-magnetic metal deposit layer 3 made of metal, such as Al containing oxygen on the surface of an non-magnetic base 1. - 特許庁

積層物５の表面にワックスからなる封止膜６を設け、水分及び酸素のバリア性を有する封止フィルム７で積層物５を覆うと共に封止フィルム７を基板１に接着して気密封止する。例文帳に追加

A sealing membrane 6 made of wax is provided on the surface of the laminate 5, and the laminate 5 is covered by a sealing film 7 having barrier property against moisture and oxygen, and the sealing film 7 is adhered to the substrate 1 and airtightly sealed. - 特許庁

前記露出した半導体表面上に存在する酸化物が分解されて酸素を除去する洗浄条件が成立するように前記工程チャンバ内を洗浄圧力で排気させて前記基板を洗浄温度で加熱する。例文帳に追加

An oxide, existing on the exposed semiconductor surface, is decomposed, and the chamber in the process is excavated by a cleaning pressure so that a cleaning condition for deoxygenization is satisfied, so as to heat the substrate at a cleaning temperature. - 特許庁

次に、この酸素プラズマによる処理がなされた基板１０１が、例えば、ｐＨ４．８程度とされた塩酸溶液に浸漬された状態とし、塩酸が、制御電極１１８及び可動部電極１０９の表面に作用する状態とする。例文帳に追加

Then the substrate 101 subjected to the treatment by oxygen plasma is immersed in a hydrochloric acid solution having a pH about 4.8, for example, so that the hydrochloric acid may act on the surfaces of the control electrode 118 and the movable electrode 109. - 特許庁

サファイア基板１の表面近傍に水素や窒素、酸素等のイオンを打ち込むことにより得られる中間層２は、アモルファス的な構造となるため、歪みを吸収、緩和し、クラックや反り等が低減する。例文帳に追加

In this method for manufacturing a nitride semiconductor epitaxial wafer, an intermediate layer 2 obtained by implanting ions including hydrogen, nitrogen, oxygen, or etc., into the vicinity of the surface of a sapphire substrate 1 is formed as amorphous structures, thereby absorbing and relieving deformation to reduce cracks and warpage. - 特許庁

導電膜２は例えばクロム（Ｃｒ）を含む材料からなり、導電膜２のうち基板１側には窒素（Ｎ）を含み、表面側には酸素（Ｏ）及び炭素（Ｃ）の少なくとも何れか一方を含む。例文帳に追加

The conductive film 2 is composed of a material containing e.g. chromium (Cr), and nitrogen (N) is contained in the substrate 1 side of the conductive film 2, and at least either oxygen(O) or carbon(C) is contained at the surface side of the conductive film. - 特許庁

耐薬品性、耐熱性、寸法安定性に加え、表面平滑性および水蒸気、酸素に対するバリア性の優れた反射型液晶表示素子用プラスチック基板を提供する。例文帳に追加

To provide a plastic substrate for a reflective liquid crystal display element, which has excellent chemical resistance, heat resistance, dimensional stability and, in addition, surface smoothness and a barrier property against vapor and oxygen. - 特許庁

内外の軌道輪間で転動体を転動自在に保持する転がり軸受用保持器において、基材がチタンあるいはチタン合金とされ、且つ、表面に厚さ２０ｎｍ以上の酸素化合物層を有する。例文帳に追加

In a holder for roller bearing capable of holding a rolling body in a rolling manner between inner and outer races, a base material is titanium or a titanium alloy, and an oxide layer of ≥20 nm thick is provided on the surface thereof. - 特許庁

酸素濃度が１４×１０^17／ｃｍ^3以下であるシリコン基板２の主表面側に、フォトダイオード２２を構成する複数のＮ^+拡散領域４が互いに離間して形成されている。例文帳に追加

A plurality of n^+ diffusion regions 4 comprising photodiodes 22 are mutually separately formed on the main surface side of a silicon susbtrate 2 having an oxygen concentration of not more than 14×10^17/cm^3. - 特許庁

熱拡散による接合層の形成の後、炉内を酸素雰囲気に切り換えて徐冷を行うことで、基板表面に保護膜を形成し、これにより簡単な工程で接合層やＢＳＦ層を形成する。例文帳に追加

To form a bonding layer or a BSF layer in simple steps by forming the boding layer by a thermal diffusion, then switching to an oxygen atmosphere in a furnace, and annealing to form a protective film on a surface of a substrate. - 特許庁

非金属基板上に、シード層、非磁性下地層、および磁性層が順次成膜された磁気記録媒体において、前記非金属基板の表面にテクスチャ加工を施し、酸素または窒素および不活性ガスの混合ガス中で成膜し、かつ該混合ガス中の酸素濃度または窒素濃度を特定の濃度とし、さらに前記シード層の表面を酸素または窒素で処理することにより上記本発明の記録媒体を得る。例文帳に追加

The magnetic recording medium in which a seed layer, a nonmagnetic substrate layer and a magnetic layer are sequentially deposited on a nonmetal substrate is obtained by executing texture processing for the surface of the nonmetal substrate, forming the films in the mixture of oxygen or nitrogen and an inactive gas, setting an oxygen or nitrogen concentration in the mixed gas to a specific concentration, and processing the surface of the seed layer by oxygen or nitrogen. - 特許庁

半導体基板１に半導体基板１表面とは異なる結晶面方位有する素子分離溝２を形成する工程と、半導体基板１上に酸素ラジカル発生を促進する金属３又は酸素ラジカル発生を促進する金属３を含む膜を堆積する工程と、半導体基板１を酸化する工程と、金属または金属を含む膜を除去する工程とを有する。例文帳に追加

The method includes a step of forming the element separation groove 2 having a crystal orientation different from that of a surface of the semiconductor substrate 1 in the semiconductor substrate 1, a step of depositing a metal 3 accelerating generation of an oxygen radical or a film containing the metal 3 on the semiconductor substrate 1, a step of oxidizing the semiconductor substrate 1, and a step of removing the metal or the metal-containing film. - 特許庁

少なくとも表面層がハフニウム、ハフニウム合金、ハフニウム合金酸化物又は酸化ハフニウムからなる基体の表面を、炭素、酸素を含む化学種が当該表面に供給される雰囲気下で加熱処理することにより炭素ドープ酸化ハフニウム層又は炭素ドープハフニウム合金酸化物層からなる多機能層を有する基体とする。例文帳に追加

A base body having a multifunctional layer made of carbon-doped hafnium oxide layer or carbon-doped hafnium alloy oxide layer is provided by thermally treating the surface of the base body, in which at least the surface layer is made of hafnium, hafnium alloy, hafnium alloy oxide or hafnium oxide, in the environment in which chemical species including carbon and oxygen are supplied to the surface. - 特許庁

少なくとも表面層がジルコニウム、ジルコニウム合金、ジルコニウム合金酸化物又は酸化ジルコニウムからなる基体の表面を、炭素、酸素を含む化学種が当該表面に供給される雰囲気下で加熱処理することにより炭素ドープ酸化ジルコニウム層又は炭素ドープジルコニウム合金酸化物層からなる多機能層を有する基体とする。例文帳に追加

A base body having a multifunctional layer made of carbon-doped zirconium oxide layer or carbon-doped zirconium alloy oxide layer is provided by thermally treating the surface of the base body, in which at least the surface layer is made of zirconium, zirconium alloy, zirconium alloy oxide or zirconium oxide, in the environment in which chemical species including carbon and oxygen are supplied to the surface. - 特許庁

炭素繊維を二酸化炭素および水蒸気から選ばれる少なくとも１つの賦活ガスで処理して前記炭素繊維表面の比表面積を増大させる工程と、前記賦活処理された炭素繊維を還元処理して前記賦活処理により表面に導入された含酸素官能基を除去し、活性点であるＣ＝Ｃ基を増加させる工程とを具備したことを特徴とする。例文帳に追加

This method includes a process of treating a carbon fiber with at least one activation gas selected from carbon dioxide and water vapor so as to increase the specific surface area of the carbon fiber surface, and a process of reducing the activated carbon fiber to remove oxygen-containing functional groups introduced into the surface by the activation treatment and to increase C=C groups which constitute active points. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ基板１上に水素および酸素を同時に導入する工程と、前記ＳｉＣ基板１上において、１０００℃以上の温度かつ減圧の条件下で前記水素および前記酸素を燃焼反応させ、該燃焼反応により前記ＳｉＣ基板１表面にシリコン酸化膜であるゲート酸化膜４を形成する工程とを備える。例文帳に追加

A method of manufacturing a semiconductor device includes a process of simultaneously introducing hydrogen and oxygen onto the SiC substrate 1, and a process of subjecting the hydrogen and oxygen to combustion reaction on the SiC substrate 1 under conditions of a temperature of ≥1,000°C and reduced pressure, and thereby forming the gate oxide film 4 as a silicon oxide film on the surface of the SiC substrate 1 through the combustion reaction. - 特許庁

Ｘ線光電子分光法により測定した全炭素原子当たりの全酸素原子の原子比（酸素結合エネルギーの強度／炭素結合エネルギーの強度）が０．１以上に酸化処理されたカーボンブラック表面の官能基を基幹として、エポキシ化によりエポキシ基が化学修飾されてなるブラックマトリックス用カーボンブラック。例文帳に追加

The carbon black for a black matrix is obtained by using a substrate comprising the functional groups on the surface of a carbon black oxidized in such a manner as to give an atomic ratio of total oxygen atoms to total carbon atoms determined by the X-ray photoelectron spectroscopy (oxygen bond energy strength/carbon bond energy strength) of at least 0.1:1, and chemically modifying its epoxy groups through epoxidation. - 特許庁

真空容器内に水素ガスを導入し、前記水素ガスと焦電性を有する基板を反応させ、前記基板の表面から酸素原子を離脱させる第１工程と、前記基板と窒素ガスとを反応させることで、前記第１工程で離脱した酸素原子を窒素原子で置換する第２工程とを備えることで解決できる。例文帳に追加

This surface treatment method comprises the first step of removing oxygen atoms from the surface of a substrate, by introducing a hydrogen gas into a vacuum vessel, and reacting the above hydrogen gas with the substrate having pyroelectricity, and the second step of substituting a nitrogen atom for the oxygen atom removed in the above first step, by reacting the substrate with the nitrogen gas. - 特許庁

半導体装置の高誘電体キャパシタの下部電極及び上部電極を有機ルテニウム化合物を原料とする化学的気相成長法によって形成するものであって、この化学的気相成長法を、酸素及び基板表面の酸素吸着を阻害するテトラヒドロフラン等の酸素吸着阻害気体を存在させ、上記有機ルテニウム化合物の表面分解反応を制御して行うようにした半導体装置の製造方法。例文帳に追加

Upper and lower electrodes of the high dielectric capacitor of a semiconductor device are formed by CVD using an organic ruthenium compound as a material wherein CVD is carried out by controlling the face decomposition reaction of the organic ruthenium compound under existence of oxygen and a gas, e.g. tetrahydrofuran, for blocking oxygen adsorption on the surface of the substrate. - 特許庁

セラミック基板の表面または内部に導電体が形成されてなるセラミック基板であって、上記セラミック基板は、酸素を含有する窒化物セラミックからなるとともに、最大気孔の気孔径が５０μｍ以下であることを特徴とするセラミック基板。例文帳に追加

The ceramic substrate on the surface or inside of which a conductor is formed is made of nitride ceramic containing oxygen and the diameter of its maximum pore is 50 μm or less. - 特許庁

半導体基板Ｗをステージ５から離間させ、半導体基板Ｗの表面Ｗｂに曝す酸素プラズマの一部を、同半導体基板Ｗの裏面Ｗａに回り込ませようにして、半導体基板Ｗの裏面Ｗａにその回り込んだプラズマを曝すようにした。例文帳に追加

In the plasma treatment apparatus, a semiconductor substrate W is separated from a stage 5 and part of the oxygen plasma to be exposed on the surface Wb of the semiconductor substrate W is made to sneak into the rear surface Wa of the semiconductor substrate W so as to expose the sneaking plasma on the rear surface Wa of the semiconductor substrate W. - 特許庁