「酸素表面基」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材３０が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材３０の表面をアッシングする。例文帳に追加

In the plasma etching method, a substrate W having a mask pattern formed on a surface is etched in a plasma chamber wherein a target material 30 for sputtering is installed, and plasma of an oxygen-based gas is generated in the plasma chamber in or after the etching of the substrate to ash a surface of a target material 30. - 特許庁

本発明に係るリン銅ろうクラッド材１０は、基板１１の表面にリン銅ろう層１２を設けたものであり、 無酸素銅で構成される基板１１の表面に、Ｐを3.3〜6.7重量％の割合で含むCu合金で構成され、15％以上の機械的伸びを有するリン銅ろう層１２を一体に設けたものである。例文帳に追加

The copper phosphorus brazing clad metal 10 is provided with a copper phosphorus layer brazing 12 on the surface of a substrate 11 and the surface of the substrate 11 constituted of oxygen free copper is integrally provided with the copper phosphorus brazing layer 12 constituted of a Cu alloy containing P at a ratio of 3.3 to 6.7wt.% and having ≥15% mechanical elongation. - 特許庁

結晶配向したルチル型酸化チタンからなる下層膜が形成された基板表面に、基板温度及びスパッタリング圧を制御した状態で、酸素を含むプラズマ中でチタンを含むターゲットをスパッタリングすることによって、前記下層膜の表面に結晶欠陥少ないルチル型酸化チタンが含まれた上層膜を形成した複層構造を有する酸化チタン膜を得ることができる。例文帳に追加

The titanium oxide film having a multilayer structure, in which an upper layer film containing the rutile type titanium oxide less in the crystal defects is formed on an under layer film, can be obtained by sputtering a target containing titanium in a plasma containing oxygen while controlling the substrate temperature and the sputtering pressure on the surface of the substrate, on which the under layer film composed of crystal oriented rutile type titanium oxide is formed. - 特許庁

また、その製造方法は、透明電極付基板表面に酸素含有雰囲気下で紫外線を照射する紫外線処理工程、それに続く透明電極付基板表面に不活性雰囲気下で界面活性剤の希薄水溶液を塗布、乾燥する界面活性剤層形成工程を含むことを特徴とする。例文帳に追加

Further, the method of manufacturing the same includes an ultraviolet treatment step of irradiating a surface of a substrate having the transparent electrode with ultraviolet rays in an atmosphere of oxygen, and a surface-active agent layer forming step of applying, in an inert atmosphere, a dilute solution of the surface-active agent to the surface of the substrate having the transparent electrode, and drying the surface of the substrate. - 特許庁

５００℃以下の温度で保持されたシリコン基板に対し、酸素ラジカルを用いてシリコン表面を酸化し、シリコン酸化膜を形成する半導体ゲート絶縁膜の形成方法において、ラジカル酸化を行う前に、シリコン基板表面を終端している水素原子を１ｘ１０^１４原子／ｃｍ^２以下の面密度にまで除去することを特徴とする。例文帳に追加

In the method of forming a semiconductor gate insulating film which forms a silicon oxide film by oxidizing the silicon surface of a silicon substrate held at a temperature of 500°C or less by using oxygen radicals, hydrogen atoms terminating the surface of the silicon substrate are removed until the surface density of 1×10^14 atoms/cm^2 or less is attained before radical oxidation is carried out. - 特許庁

樹脂基材又は表面を樹脂被覆した基材の表面に直接又は予め塗布して形成したシランカップリング剤の被膜の上から、親水機能を有する無機材料としてペルヒドロポリシラザンからなるシリカの前駆体を塗布して、水・酸素との反応によりシリカを主成分とした塗膜を形成した成形体とする。例文帳に追加

The molding comprises a precursor of a silica made of a perhydropolysilazane as an inorganic material having a hydrophilic function, coating directly on a front surface of a resin base or the base covered on the front surface with a resin or on a film of a silane coupling agent formed by previously coating, and a coating film which contains the silica as a main component formed by a reaction of water and an oxygen. - 特許庁

表面にシリサイド膜が形成された領域を有する半導体基板を、酸素元素を含むガス雰囲気中でプラズマ処理してシリサイド膜の上に酸化膜を形成する工程と、その酸化膜を形成した後、半導体基板の表面を覆うシリコン窒化膜を形成する工程と、を備えた。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of subjecting a semiconductor substrate having a region where a silicide film is formed on a surface to a plasma treatment in a gas atmosphere containing an oxygen element to form an oxide film on the silicide film and a process of forming a silicon nitride film covering the surface of the semiconductor substrate after the oxide film is formed. - 特許庁

導電性膜の形成方法は、基板１８の表面に導電性膜をスプレー熱分解法によって形成する導電性膜の形成方法であって、酸素濃度が２体積％以下である雰囲気ガスを用いた成膜装置内において加熱された基板１８の表面に原料溶液の微粒子をスプレーする。例文帳に追加

This is a formation method of a conductive film to form the conductive film by a spray thermal decomposition method on the surface of a substrate 18, and sprays particulates of a material solution on the surface of the heated substrate in a film-forming device using an atmospheric gas of which the oxygen concentration is 2 vol% or less. - 特許庁

炭化珪素の（０００−１）_Ｃ面を、機械加工する機械加工工程と、前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面層の０．１μｍ以上を、酸素原子含有物質または溶融アルカリを用いた化学反応によって除去する表面層除去工程とを有することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法、および前記製造方法により得られる炭化珪素基板。例文帳に追加

The silicon carbide substrate is obtained by the manufacturing method. - 特許庁

本発明によって提供される解決手段の１つは、グラシーカーボン製の基板の表面に、およそ円錐を逆にしたような形状の孔又は窪みを多数有する被膜を形成し、その被膜の上から酸素エッチングを施すことを特徴とする。例文帳に追加

One of the solutions provided by this invention comprises forming a film having a number of holes or depressions with a shape of an inverted cone on the surface of a substrate made of glassy carbon and oxygen-etching the film. - 特許庁

シリコン基板の表面へのダメージが少なく、しかもドライエッチング工程やイオン注入工程を経たフォトレジスト、フォトレジストを酸素プラズマで処理した後に生じる残渣物の剥離性能に優れたフォトレジスト剥離剤を提供する。例文帳に追加

To provide a photoresist release agent causing little damage to the surface of a silicon substrate and having excellent striping performance for a photoresist subjected to a dry etching process or an ion implantation process or for a residue produced after the oxygen plasma treatment of a photoresist. - 特許庁

金属をその表面に有する電子放出体を具備する電子放出素子の製造方法であって、電子放出体を備える基体を用意する工程と、前記電子放出体を、酸素含有ガスと金属含有ガスとに交互に曝す工程と、を有する。例文帳に追加

The method for manufacturing an electron emitting element including an electron emitter with a metal on the surface comprises steps of preparing a substrate with the electron emitter, and exposing the electron emitter to a gas containing oxygen and a gas containing the metal alternately. - 特許庁

この微粒子を、イミド結合で表される骨格を環の構成要素として含む窒素原子含有環状化合物の存在下、酸素原子含有ガスで処理することにより、微粒子表面の高分子鎖に極性基を導入する。例文帳に追加

The fine particles are treated with a gas containing oxygen atoms in the presence of a nitrogen atom-containing cyclic compound containing an imide-bond skeleton as a constitution element of the ring to introduce a polar group to the polymer chain on the surface of the fine particles. - 特許庁

そして、ゲート絶縁膜２０が、（１１１）シリコン基板１０の最表面のシリコン原子に酸素が結合して形成された単層のＳｉ−Ｏ結合層１２と、シリコン窒化膜１３、Ｔａ_2 Ｏ_5 １４を含む積層膜で構成されている事である。例文帳に追加

The gate insulating film 20 comprises a single-layer Si-O coupling layer 12, formed by coupling of oxygen to silicon atoms on the uppermost surface of the silicon substrate 10, a silicon nitride film 13 and a laminated film containing Ta2O5 14. - 特許庁

放電用電極６３１は、露出した表面がカーボンより成るとともに、中空の構造であって、基板９と対向する面の周縁又はその近傍に酸素プラズマＰが進入可能な大きさのガス吹き出し孔６３８を有する。例文帳に追加

The discharge electrode 631 is of hollow structure and has a gas nozzle 638 at the edge of the surface opposite to a substrate 9 or in its neighborhood with an enough size to make oxygen plasma P able to enter and its exposed surface is made of carbon. - 特許庁

画素基板３１上に配列された画素電極３４と、画素電極３４間に設けられ樹脂により形成された隔壁３８とを、活性な酸素が存在する雰囲気、又は紫外線に曝露して、画素電極３４及び隔壁３８の表面処理を行う。例文帳に追加

Pixel electrodes 34 arranged on a pixel substrate 31 and a partition 38 that is disposed between the pixel electrodes 34 and formed from a resin are exposed to an atmosphere, in which active oxygen is present, or to ultraviolet light, to perform surface treatment of the pixel electrodes 34 and the partition 38. - 特許庁

液体を介して基板を露光する際に用いる、前記液体と接するチタン含有部材の製造方法であって、前記チタン含有部材を用意することと、前記チタン含有部材を酸素を含む雰囲気中で加熱して、前記チタン含有部材の表面に酸化チタン膜を形成することを含む。例文帳に追加

A method for manufacturing a titanium-containing member in contact with a liquid which is used when exposing a substrate through the liquid includes preparing the titanium-containing member and forming a titanium oxide film on a surface of the titanium-containing member by heating the titanium-containing member in an atmosphere containing oxygen. - 特許庁

半導体基板１００の表面部分において選択的に形成された溝１４０と、溝１４０を埋め込むように形成され、酸素のシリコンに対する比率が２以下になるように形成されたシリコン酸化膜１７０を少なくとも１つ含む複数の膜１６０、１７０とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a groove 140 selectively formed in the surface of a semiconductor substrate 100, and a plurality of films 160, 170 including at least one silicon oxidized film 170 formed so that it embeds the groove 140 and that the ratio of oxygen to silicon is 2 or less. - 特許庁

大気中の酸素または水分と反応して酸化チタンを形成する原料とキャリアガスとの混合物および酸化チタン微粒子とを、加熱した基材表面に大気開放下で吹きつけて形成した酸化チタン層をコーティングした遊戯用玉またはメダル。例文帳に追加

The balls or tokens for playing a game are coated with titanium oxide layer formed by blowing a mixture of raw material for forming titanium oxide reacting with oxygen or moisture in the atmosphere, carrier gas and titanium oxide particulate on the surface of heated base material in the open air. - 特許庁

ＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の成長温度を高くすることなく、低い酸素原子濃度を有し、表面欠陥の小突起が発生しにくいＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の製造方法、およびそれにより得られるＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an AlGaInP compound semiconductor, hard to generate small protrusions of surface defect, which has low oxygen atom concentration without raising the growth temperature of the AlGaInP compound semiconductor, and to provide an AlGaInP compound semiconductor substrate obtained thereby. - 特許庁

これにより、酸素プラズマ中のラジカル（活性種）が、プラズマ生成室Ｓから半導体基板まで案内される流路上の各形成部材の表面への接触等を起こしても失活し難くなり、プラズマ処理効率の向上を図ることができる。例文帳に追加

As a result, the radicals (active species) in the oxygen plasma are hardly deactivated even in contact with the surfaces of the forming members on a flow passage, guided from a plasma generating chamber S to a semiconductor substrate, and thereby the plasma treatment efficiency is improved. - 特許庁

表面波プラズマから生成された活性種としての酸素ラジカルにより被処理基板１００近傍に供給された第２のガスとしての絶縁膜成膜用ガスを化学反応させて、第１の絶縁膜１０１上に第２の絶縁膜１０２を形成する。例文帳に追加

A second insulating film 102 is then formed on the first insulating film 101 by causing a chemical reaction of insulating film deposition gas as second gas supplied to the vicinity of the substrate to be processed 100 with oxygen radical as active species produced from surface wave plasma. - 特許庁

(2)酸素ガスとともにCaＯまたはCaCO_３を含む脱りん剤を転炉内の溶銑表面に吹き付けて脱りん処理を行うに際し、脱りん処理後のスラグ中のCaＯ含有率（質量％）とSiＯ_２ 含有率（質量％）の比であるスラグ塩基度「CaＯ／SiＯ_２」の値を1.7以上とする。例文帳に追加

(2) When the dephosphorizing treatment is performed by injecting a dephosphorizing agent containing CaO or CaCO_3 together with oxygen gas onto the surface of the molten iron in the converter, a value of slag basicity [CaO/SiO_2] as the ratio of CaO content (mass%) and SiO_2 content (mass%) in the slag after desulfurizing treatment is to be ≥1.7. - 特許庁

酸素不透過性材料は、多孔性基材の表面の約９５％より大きい部分を均質的に覆い、そのため、頂部シート１６は、推進力０．２１気圧で拡散性気体透過性が１日で１００平方インチ当たりに約０．５×１０^５ｃｍ^３〜約２×１０^５ｃｍ^３である。例文帳に追加

The oxygen impermeable material uniformly covers a portion larger than about 95% of the surface of the porous substrate, therefore, the top sheet 16 has a diffusive gas permeability of about 0.5×10^5 cm^3/100 inch^2/day to about 2×10^5 cm^3/100 inche^2/day at driving force 0.21 atmospheric pressure. - 特許庁

本発明のインクカートリッジ１６は、２０℃における溶解酸素ガス量基準で測定したとき３ｐｐｍ未満の溶解ガス量と３４ｄｙｎｅ／ｃｍを超える２５℃における静的表面張力とを有するインク液で充填されたインク容器７０を備える。例文帳に追加

The ink cartridge 16 comprises an ink container 70 filled with an ink liquid having a less than 3 ppm dissolved gas content measured based on the dissolved oxygen gas content at 20°C and a 34 dyne/cm or more static surface tension at 25°C. - 特許庁

少なくとも第１の電極が露出していない基体の一部に接するように、アルカリ金属又はアルカリ土類金属少なくとも一つを有する脱水・脱酸材料を形成し、同脱水・脱酸材料に隔壁内及び表面に付着した酸素や水を捕獲させた構成とする。例文帳に追加

A dehydration/deacidifying material having at least one of alkaline metal or alkaline earth metal is formed so as to be contacted with one part of a base body in which at least a first electrode is not exposed, and oxygen and water adhered to inside a barrier rib and a surface are made to be captured by the dehydration/deacidifying material. - 特許庁

真空雰囲気下になされた処理容器８内にて所定の温度になされた被処理体Ｗの表面を酸化する酸化方法において、水酸基活性種と酸素活性種とを主体として用いることにより酸化を行なう。例文帳に追加

In a method of oxidizing members W to be treated for oxidizing the surfaces of the members W to be treated set at a prescribed temperature in a treating container 8 put under a vacuum atmosphere, the surfaces of the members W to be treated are oxidized using hydroxyl group active species and oxygen species as the main body of a catalyst. - 特許庁

基材表面に、所定のＴｉ成分比率でチタン酸化物とチタンとをコーティングして各々の薄膜を形成すると共に８００℃〜１２００℃の非酸素雰囲気にて加熱処理し、ＴｉｘＯｙ（ｘ、ｙは１以外の整数）を主成分とした光触媒層を形成する。例文帳に追加

The photocatalytic layer composed mainly of TixOy (x and y are an integer other than 1.) is formed by applying a titanium oxide and titanium at a specified Ti component ratio to the surface of the base and thereby forming their respective thin coating films and thermally treating the thin coating films in a non-oxygen atmosphere of 800-1,200°C. - 特許庁

マスク酸化膜２３を形成する以前又はマスク酸化膜２３を形成する工程と酸素イオン１６を注入する工程の間に、得ようとする埋込み酸化膜１３の周囲に対向するシリコン基板１２の表面にシリコンイオン２１を注入する工程を有する。例文帳に追加

Before forming the mask oxide film 23 or between a process for forming the mask oxide film 23 and a process for implanting oxygen ions 16, a process is provided for implanting silicon ions 21 onto the surface of the silicon substrate 12 that faces the periphery of the embedded oxide film 13 to be obtained. - 特許庁

圧電基板の電極を形成する面に酸素欠乏層を有する構成とすることにより、放電破壊を抑制しながらウエハ状態で特性検査を可能とする弾性表面波デバイスおよびその製造方法を実現することができる。例文帳に追加

The surface acoustic wave device and the manufacturing method thereof can be realized whereby the characteristic can be inspected in a wafer state while suppressing destruction by discharge through the adoption of a configuration wherein an oxygen deficient layer is included in a face of a piezoelectric substrate on which electrodes are formed. - 特許庁

エレクトロルミネッセンス層を備えたディスプレイ装置を形成するための基板装置１２５は、その一方の側に導電表面１０２を備え、更に酸素及び水に対して不浸透性の柔軟性を有するベース層１０１、及び電気的絶縁緩衝層１０３を有する。例文帳に追加

This substrate device 125 for forming a display device provided with an electroluminescence layer is provided with a conductive surface 102 in one side thereof, and has a flexible base layer 101 having impermeability against oxygen and moisture, and an electrically insulative cushioning layer 103. - 特許庁

多孔質基材の表面に形成された樹脂層からなる炭素膜の前駆体を、酸素不活性雰囲気下で熱分解することにより炭化して得られる炭素膜であって、前記炭化後に少なくとも１度、水溶液にした時に酸性を示す分子を吸着させる処理が施された炭素膜。例文帳に追加

The carbon film is obtained by pyrolyzing a precursor of the carbon film comprising the resin layer formed on the surface of a porous base material under an oxygen inert atmosphere to carbonize the same and the adsorption treatment of a molecule, which shows acidity when an aqueous solution of the molecule is formed, is applied to the carbon film at least once after carbonization. - 特許庁

半導体装置は、基板１０とガラス蓋６０との間にほぼ真空な密閉空間Ｓを設けるとともに、同空間Ｓ内に位置してガラス蓋６０の表面にバリアメタル６１を介して酸素吸収用金属膜６２を設けている。例文帳に追加

In a semiconductor device, a substantially almost vacuum closed space S is formed between a substrate 10 and a glass lid 60, and a metal film 62 for absorbing oxygen is formed on the surface of the glass lid 60 in the space S, via barrier metal 61. - 特許庁

非磁性基体上に少なくとも磁気記録層、保護層及び潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、該保護層の酸素濃度を５原子％以上３０原子％以下とし、垂直磁気記録媒体の表面電位を−０．５Ｖ以下とすることを特徴とする。例文帳に追加

In a perpendicular magnetic recording medium which is made by laminating at least a magnetic recording layer, a protective layer and a lubricant layer one by one on a non-magnetic substrate, it is characterized to set oxygen concentration of the protective layer ≥5 at.% and ≤30 at.% and surface potential of the perpendicular magnetic recording medium ≤-0.5 V. - 特許庁

酸素不透過性材料は、多孔性基材の表面の約９５％より大きい部分を均質的に覆い、そのため、頂部シート１６は、推進力０．２１気圧で拡散性気体透過性が１日で１００平方インチ当たりに約０．５×１０^５ｃｍ^３〜約２×１０^５ｃｍ^３である。例文帳に追加

The oxygen impermeable material covers a portion larger than about 95% of the surface of the porous substrate uniformly, therefore, the top sheet 16 has a diffusive gas permeability of about 0.5×10^5 cm^3/100 square inches/day to about 2×10^5 cm^3/100 square inches/day at driving force 0.21 atmospheric pressure. - 特許庁

このように、被処理体の表面に形成されたＳｉＯ_２ 膜を酸素活性種と水酸基活性種とを主体とする雰囲気中でアニール処理することにより改質を行ったので、ＳｉＯ_２ 膜中にシームがなく、しかもそのエッチング耐性を向上させることができる。例文帳に追加

In the above method, annealing treatment of the SiO_2 film formed on the surface of the workpiece is performed in the atmosphere in which oxygen active species and hydroxyl group active species are made principal, and reforming is performed so that there is no seam in the SiO_2 film, and further, etching tolerance of the SiO_2 film can be improved. - 特許庁

焼成酸化チタン薄膜は、ＴｉＯ_２を蒸発源として酸化性雰囲気中でＥＢ蒸着により基体表面に形成された後、大気雰囲気中又は酸素雰囲気中で焼成された膜であり、１〜５ｎｍの厚みを有する。例文帳に追加

The fired titanium oxide thin film having 1-5 nm thickness is obtained by depositing titanium oxide on the surface of a substrate in an oxidizing atmosphere by EB vapor deposition while using TiO_2 as a vapor deposition source and firing the titanium oxide-deposited substrate in the atmosphere or in an oxygen atmosphere. - 特許庁

ヒートスプレッダ１は、低熱膨張材料からなり略平板状の基材２の表面３から裏面４へ厚み方向に貫通させて設けられていると共に前記両面において露出された、銅からなる複数の伝熱部材５を構成する銅の含有酸素量を２０ｐｐｍ以下とした。例文帳に追加

The heat spreader 1 is ≤20 ppm. in amount of oxygen that copper constituting a plurality of heat conductive members 5 contains, the plurality of heat conductive members 5 being provided penetrating a base 2 made of a low-thermal-expansion material in a nearly flat plate shape from a top surface 3 to a reverse surface 4 along the thickness and exposed on both the surfaces. - 特許庁

ナノカーボン／アルミニウム複合材形成用めっき液を用い、乾燥無酸素雰囲気中で、直流電流等により、浴温０〜３００℃、電流密度０．０１〜５０Ａ／ｄｍ^２の電解条件で基材表面にめっきするナノカーボン／アルミニウム複合材の製造方法。例文帳に追加

In the method for producing a nanocarbon/aluminum composite material, using the plating liquid for forming a nanocarbon/aluminum composite material, plating is applied to the surface of a base material under the electrolysis conditions satisfying a bath temperature of 0 to 300°C and a current density of 0.01 to 50 A/dm^2. - 特許庁

本発明のインク組成物は、着色剤と水溶性キャリアを備え、２０℃における溶解酸素ガス量基準で測定したとき３ｐｐｍ未満の溶解ガス量と３４ｄｙｎｅ／ｃｍを超える２５℃における静的表面張力とを有する。例文帳に追加

The ink composition including a coloring agent and a water-soluble carrier, has a less than 3 ppm dissolved gas content measured based on the dissolved oxygen gas content at 20°C and a 34 dyne/cm or more static surface tension at 25°C. - 特許庁

Pr酸化物により複合酸化物の酸塩基性のバランスが最適となり、HCなどの吸着度合いが最適となると考えられ、低温活性が向上するとともに、耐久後にも高い酸素吸蔵放出能と高い比表面積を示す。例文帳に追加

Addition of the oxide of Pr makes the balance between acidity and basicity of the complex oxide optimum, and thereby it is considered that the absorbance of HC or the like becomes optimum and further, the activity at a low temperatures is improved and the catalyst exhibits high oxygen absorbing and desorbing abilities and a high specific surface area even after it is used for a long period of time. - 特許庁

基体上にインジウムを含む金属膜からなる下地金属層を形成した後、該下地金属層上にインジウム、スズおよび酸素を含む透明導電膜を形成することにより、表面に高さ２０〜１００ｎｍの突起を１μｍ四方あたり２０個以上有する透明導電膜を得る。例文帳に追加

This transparent conductive layer having 20 or more projections with height of 20-100 nm per μm^2 on the surface is obtained by forming a base metal layer comprising a metal film containing indium on a substrate, then forming the transparent conductive layer containing indium, tin and oxygen on the base metal layer. - 特許庁

ダイアモンド粒子の疎水性により基材表面にネットワークが形成されてガス供給を円滑に行い、更に電極全体が疎水化されて生成する活性酸素種による劣化が抑制されて、長期間安定した操業が可能になる。例文帳に追加

The gas supply is smoothly carried out because a network is formed on the surface of the base material by the hydrophobicity of the diamond particle and the degradation of the electrode due to the active oxygen species is suppressed because the whole electrode is made hydrophobic and then, the long term stable operation is carried out. - 特許庁

チタンまたはチタン合金の装飾基材表面に触媒作用を有する貴金属薄膜を形成し、真空槽内に配置し真空槽を排気した後、酸素を含有する窒素主体の混合ガスを真空槽内に導入し大気圧以下の減圧状態下で加熱する。例文帳に追加

A noble metal thin film having a catalyst effect is formed on the surface of the decoration member of the titanium or the titanium alloy and the member is arranged in a vacuum chamber and after the inside of the vacuum chamber is evacuated, the gaseous mixture mainly composed of nitrogen containing oxygen is introduced into the vacuum chamber and is heated under the reduced pressure state below the atmosphere pressure. - 特許庁

これらの触媒をカルボキシル基を有する有機酸を陽極燃料および酸素を陰極燃料とする燃料電池の触媒に使用し、粒径減少による触媒比表面積増大により燃料電池特性を向上させる。例文帳に追加

The catalysts are used for the catalyst of the fuel cell with the organic acid having a carboxyl group as a positive electrode fuel and oxygen as a negative electrode fuel, thus improving the characteristics of the fuel cell due to an increase in the area/weight ratio of the catalyst by a decrease in a grain diameter. - 特許庁