「酸素表面基」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

ＳｉＣ基板表面を高温かつ低酸素分圧下に晒すことにより、表面に付着した不純物と基板表面のＳｉ、Ｃを数原子層分除去することが同時にできるので、酸化膜形成時には欠陥が少なく極めて清浄な表面を露出させることができる。例文帳に追加

Thus, since impurities adhered to the surface Si, C of the surface of the substrate can be simultaneously removed for several atom layers by exposing the surface of an SiC substrate with a high temperature and low oxygen partial pressure, a defect is made very small at the oxide film formation time, and the clean surface can be exposed. - 特許庁

混合ガス中の酸素分子密度を減じることでオゾンガスの分解を促進して、酸化効率を向上させ、原子状酸素を有効に基板表面に到達させる。例文帳に追加

The oxygen molecule density in the mixed gas is reduced so as to accelerate decomposition of ozone gas, thereby improving oxidization efficiency and allowing atomic oxygen to effectively reach the substrate surface. - 特許庁

ポリオレフィン繊維をフッ素ガス処理してポリオレフィン繊維表面に酸素を含む官能基を結合させることにより、ＥＳＣＡにて測定した炭素元素に対する酸素の元素組成比を０．０６〜０．４０とする。例文帳に追加

The polyolefin fibers having an oxygen element:carbon element composition ratio of 0.06:1 to 0.40:1 measured with ESCA by treating the polyolefin fibers with fluorine gas to bind oxygen-containing functional groups to the surfaces of the polyolefin fibers. - 特許庁

半導体基板表面に酸素の中性活性種もしくは酸素原子を供給する酸化膜形成工程と、オゾンを供給する炭化物除去工程とを備えた製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method includes an oxide film formation step of supplying a neutral active type of oxygens or oxygen atoms onto a surface of a semiconductor substrate, and a carbide removal step of supplying ozones. - 特許庁

また、金型キャビティ内に注入するガスを、酸素、又は、酸素と可燃性ガスの混合ガスにすれば、基材樹脂表面について、フレーム処理したと同様の効果を得ることが可能になる。例文帳に追加

If the gas to be injected into the mold cavity is made oxygen or a mixture consisting of oxygen and a combustible gas, an effect similar to that acquired by applying flame processing can be obtained with regard to the surface of the base material resin. - 特許庁

すなわち、保護材として酸素の透過を抑制または防止する性質の物質を用い、欠陥２１を通じた基材１０の表面への酸素の移動を抑制または防止する。例文帳に追加

That is, by using a substance suppressing or preventing permeation of oxygen as the protective material, movement of oxygen to the surface of the substrate 10 through the defects 21 is suppressed or prevented. - 特許庁

予め酸素水や水素水を生成する必要はなく、基板上に供給される液体を霧化することで酸素水や水素水を供給する際に発揮される効果を得ることが可能な弾性表面波霧化装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a surface acoustic wave atomizer capable of obtaining the same effect to be exerted when supplying oxygen water or hydrogen water by atomizing liquid supplied on a substrate in dispensing with preliminary producing oxygen water or hydrogen water. - 特許庁

ノズル１３から噴出された酸素は、断熱膨張して温度が急激に低下し、固体粒子を含んだ酸素エアゾルとなり、被洗浄基板の表面に付着した汚染微粒子を除去し、大気中に排気される。例文帳に追加

The temperature of oxygen spouted from the nozzle 13 suddenly falls due to an adiabatic expansion, and the oxygen is changes to the oxygen aerosol including solid particles which remove contaminating particles attached to a substrate surface to be cleaned and are exhausted in the air. - 特許庁

そして、スパッタ開始前にチャンバ１０内に酸素ガスを所定時間導入し、チャンバ内壁やターゲット表面等に酸素ガスを吸着させた後に、スパッタ作業を行って基板Ｓ上に中間層を成膜する。例文帳に追加

The gaseous oxygen is introduced for a prescribed time into the chamber 10 before the start of sputtering and, after the gaseous oxygen is adsorbed into the inner walls of the chamber and a target surface, the intermediate layer is deposited on the substrate S by carrying out supporting work. - 特許庁

ベンゼンを触媒燃焼して分解するベンゼン分解触媒であって、白金ナノ粒子を含む触媒成分と、酸素を吸蔵及び放出する酸素吸蔵物質と、触媒成分及び酸素吸蔵物質を担持する多孔質物質と、多孔質物質が表面にコーティングされる基材とを備える。例文帳に追加

The benzene decomposition catalyst for decomposing to burn benzene with a catalyst includes: a catalyst component including platinum nano-particles; an oxygen occlusion substance for occluding and discharging oxygen; a porous substance for carrying the catalyst component and the oxygen occlusion substance; and a base material the surface of which is coated with the porous substance. - 特許庁

基材１１の表面に形成される導電性アルミニウム（Ａｌ）薄膜たる酸素導入Ａｌ薄膜１２ａは、Ａｌにその固溶限界を超える酸素を導入させてなり、１００ａｔ％のアルミニウムに対する酸素導入量がＥＰＭＡによる測定値において５〜８０ａｔ％である。例文帳に追加

The oxygen introduced Al thin film 12a which is a conductive Al thin film formed on the surface of a base material 11 is formed by introducing oxygen exceeding solubility limit of Al therein, and the amount of the oxygen introduced into the aluminum of 100at% is 5 to 80at% in the value measured by EPMA. - 特許庁

斜方蒸着法により酸素を導入しながら非磁性基板上に磁性膜を膜付けした磁気記録媒体において、前記磁性膜の中層酸素濃度Ａと、表面酸素濃度Ｂとの比率が、０．５５＜Ａ／Ｂ＜０．８５の関係を満たすことを特徴とする磁気記録媒体である。例文帳に追加

This magnetic recording medium is obtained by forming a magnetic film on a nonmagnetic substrate while introducing oxygen by an oblique deposition method so that the ratio of the oxygen concentration A in the middle layer of the magnetic film to the oxygen concentration B on the surface satisfies the expression: 0.55<A/B<0.85. - 特許庁

ガラス基板の表面に、窒化シリコンからなる酸素遮断下地膜を設け、この酸素遮断下地膜の上層に熱線反射用の窒化クロム膜を設け、さらに、窒化クロム膜の上層に窒化シリコンからなる酸素遮断保護膜を設ける。例文帳に追加

An oxygen-shielding base film comprising silicon nitride is formed on the surface of a glass substrate, a chromium nitride film for reflecting heat rays is formed as an upper layer of the oxygen-shielding base film, and further, an oxygen-shielding protective film comprising silicon nitride is formed as an upper layer of the chromium nitride film. - 特許庁

次に表面酸化膜１４をマスクにして基板本体１２の表面に垂直に酸素イオン２２を注入し、基板本体１２を１３００℃以上でアニール処理して基板本体１２の内部に埋込み酸化膜１３を形成する。例文帳に追加

Thereafter, the embedded oxide film 13 is formed in the main body 12 by implanting oxygen ions 22 into the body 12 perpendicular to surface of the main body 12 by using the oxide film 14 as a mask and annealing the body at 1,300°C or higher. - 特許庁

タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムの単結晶からなり、かつ酸素含有量が化学量論比組成より少ない非焦電性の圧電基板１の、酸素含有量が周囲より多い表面の一領域２上に、ＩＤＴ電極３を形成してなることを特徴とする弾性表面波装置とする。例文帳に追加

An IDT electrode 3 is formed on one region 2 on the surface of a non-pyroelectric piezoelectric substrate 1 composed of single crystal of lithium tantalate or lithium niobate and containing more oxygen than its surrounding area, with oxygen content being less than stoichionetry composition. - 特許庁

本発明に係る溶接方法は、溶融池の表面張力温度特性が正となる酸素濃度範囲に基づき、溶融池内の酸素量が所定範囲となる量のフラックス層を被溶接材の表面に形成して溶接を行うことを特徴としている。例文帳に追加

In the welding method, based on the range of an oxygen concentration in which the surface tension temperature properties of a molten pool are made positive, a flux layer in an amount by which the content of oxygen in the molten pool reaches a prescribed range is formed on the surface of the material to be welded, and welding is performed. - 特許庁

基板１０上の第１電極１２と、第１電極１２上で、電子供与性材料及び電子受容性材料を含む光電変換層１６と、光電変換層１６表面に形成された酸素添加層１８と、酸素添加層１８表面に形成された第２電極２０とを備える。例文帳に追加

The organic thin film solar cell includes a first electrode 12 on a substrate 10, a photoelectric conversion layer 16 containing electron donating material and electron accepting material on the first electrode 12, an oxygen adding layer 18 formed on a surface of the photoelectric conversion layer 16, and a second electrode 20 formed on the oxygen adding layer 18. - 特許庁

所定量の酸素を含有する第１の雰囲気中で、ガラス基板２の表面に第１のモリブデン層３ａを成膜し、第１の雰囲気よりも酸素の含有率が低い第２の雰囲気中で、第１のモリブデン層３ａの表面に第２のモリブデン層３ｂを成膜する。例文帳に追加

A first molybdenum layer 3a is formed on a surface of a glass substrate 2 in a first atmosphere containing a predetermined amount of oxygen, and a second molybdenum layer 3b is formed on the surface of the first molybdenum layer 3a in a second atmosphere low in content percentage of oxygen relative to that of the first atmosphere. - 特許庁

シリコン基板表面に酸化膜を形成した後、窒化処理までの間に、窒化処理を行う環境あるいは被処理基板表面から、酸素をパージにより排除する。例文帳に追加

After an oxide film is formed on the surface of a silicon substrate and before nitriding is started, oxygen is purged from the nitriding environment or the surface of the substrate being processed. - 特許庁

次にレジスト層１６を除去して基板本体１２を洗浄し、表面酸化膜１４をマスクにして基板本体１２の表面に垂直に酸素イオン２３を注入する。例文帳に追加

Then after the resist layer 16 is eliminated, the substrate 12 is cleaned and oxygen ion 23 is vertically implanted onto the surface of the substrate 12 through the mask of the surface oxide film 14. - 特許庁

炭化珪素基板（ＳｉＣ）の酸化時に、炭化珪素基板の表面欠陥中に浸入する酸素を抑制し、当該表面欠陥を回復することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for suppressing oxygen permeated into the surface defect of a silicon carbide substrate and restoring the surface defect, when oxidizing the silicon carbide substrate (SiC). - 特許庁

セラミックス基板表面に銅回路板を接合した構造を有するセラミックス銅回路基板において、銅回路板の表面部分における含有酸素量が、１００ｐｐｍ以下（０は含まず）であることを特徴とする。例文帳に追加

In this ceramics copper circuit board provided with a structure for which a copper circuit board is joined on a ceramics substrate surface, an oxygen content at the surface part of the copper circuit board is 100 ppm or less (not including 0). - 特許庁

投射材５の衝突エネルギーにより基材表面のチタンが塑性変形摩擦熱で加熱されて活性化し、大気中の酸素と酸化反応を起こし、基材表面に酸化チタン層を生成するものである。例文帳に追加

The titanium on the surface of the base material is deformed plastically by the collision energy of the projectile 5 and heated/activated by the frictional heat and the heated/activated titanium causes an oxidation reaction with oxygen in the atmosphere to form a titanium oxide layer on the surface of the base material. - 特許庁

高い触媒活性を長期にわたって維持し得る高い担持量で触媒体を酸素分離膜の多孔質基材側の表面に形成してなる酸素分離膜エレメント製造する方法であって、多孔質基材や酸素分離膜を劣化させることなく触媒体を形成して酸素分離膜エレメントを製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an oxygen separation membrane element constituted so that a catalyst body is formed on the surface of a porous base material side of an oxygen separation membrane in a high carrying amount for keeping high catalyst activity over a long period, without deteriorating the porous base material and oxygen separation membrane. - 特許庁

窒化物半導体基板を空気または酸素を含む雰囲気中で熱処理するか、あるいは、窒化物半導体基板の表面を酸素プラズマに暴露することにより、窒化物半導体基板表面に、主成分が酸化ガリウムおよび/または酸化インジウムで、表面粗さの２乗平均値が5nm以下である保護膜が形成される。例文帳に追加

A protective film essentially comprising gallium oxide and/or indium oxide and having a surface roughness of not more than 5 nm in terms of a square mean value is formed on the surface of a nitride semiconductor substrate by heat treating the nitride semiconductor substrate in an atmosphere containing air or oxygen or by exposing the surface of the nitride semiconductor substrate to oxygen plasma. - 特許庁

基板表面の全面または一部に不活性ガスを供給して酸素遮断ゾーン１０６を形成する不活性ガス供給部１２と、基板表面を所定温度に維持する加熱部１６と、酸素遮断ゾーン３０に清浄化ガスを供給して基板表面を清浄化する清浄化ガス供給部１４を有する。例文帳に追加

There are provided: an inert gas supply section 12 which supplies an inert gas to the whole or a partial area of the surface of the substrate and thereby forms an oxygen blocked zone 106; a heater 16 which maintains the surface of the substrate at a predetermined temperature; and a cleaning gas supply section 14 which supplies a cleaning gas to an oxygen blocked zone 30 and thereby cleans the surface of the substrate. - 特許庁

半導体基板３の表面に結合していた酸素原子等の非金属原子が弗化水素によって除去されて半導体基板３の表面が露出し、該露出した半導体基板３の表面と上記混合水溶液中の銅原子とが結合する。例文帳に追加

Thus, nonmetallic atoms such as oxygen atoms or the like coupled to the surface of the substrate 3 are removed by the hydrogen fluoride to expose the surface of the substrate 3, and the surface of the exposed substrate 3 is bonded to copper atoms in the mixed solution. - 特許庁

液晶表示パネル１０の基板張出部１１ａの表面に対して、酸素（Ｏ_2）プラズマ処理を施し、露出した透明基板１１の表面を清浄化するとともに、基板張出部１１ａ上の配線部１３ａ，１３ｂの全表面に薄い絶縁酸化膜１９を形成する。例文帳に追加

While applying oxygen (O2) plasma treatment with respect to the surface of a substrate overhang part 11a of a liquid crystal display panel 10 and cleaning the surface of an exposed transparent substrate 11, a thin insulated oxidized film 19 is deposited on all the surfaces of wiring parts 13a and 13b on the substrate overhang part 11a. - 特許庁

前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償する熱処理を、ＮとＯとを含む雰囲気中において、紫外光照射により窒素ラジカルと酸素ラジカルとを発生させながら低温で行い、発生した窒素ラジカルによりＳｉ基板表面のダングリングボンドを速やかに終端させ、また発生した酸素ラジカルにより、Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償する。例文帳に追加

The heat treatment for compensating the oxygen defect in the Ta2O5 film is performed in an atmosphere containing N and O at low temperatures while generating nitrogen radials and oxygen radicals, by applying ultraviolet rays to rapidly end dangling bonds on the surface of the Si substrate by the generated nitrogen radicals and to compensate the oxygen defect in the Ta2O5 film by the generated oxygen radicals. - 特許庁

基材の表面は、その表面上に存在する全原子の１乃至６０原子％の酸素原子（場合によっては空気プラズマ処理によって導入される）を含有する。例文帳に追加

The surface of the substrate contains oxygen atoms, optionally introduced by air plasma treatment, of 1 to 60 atom% of all the atoms present on the surface. - 特許庁

好ましくは、単結晶シリコン基板に対し、第１の熱処理を行なった後、表面層を所定量除去し、該除去された表面側から前記酸素イオン注入を行なう。例文帳に追加

The first thermal treatment is performed on the single crystal silicon substrate, a prescribed amount of a surface layer is removed, and the oxygen ions are implanted from the removed surface side. - 特許庁

配線導体２の表面に被着させたニッケルめっき層９上に金めっき層10を被着させて成る配線基板であって、金めっき層10表面の酸素存在領域の深さを３ｎｍ以下とした。例文帳に追加

In a wiring board wherein a gold plating layer 10 is coated on the nickel plating layer 9 coated on the surface of a wiring conductor 2, the depth of the oxygen presence area of the surface of the gold plating layer 10 is 3 nm or less. - 特許庁

含酸素官能基を表面に有する、繊維状原料からなる多孔性炭素材と、多孔性炭素材の表面に結合したＬｉと、を備える、水素吸蔵材。例文帳に追加

The hydrogen storage material includes: a porous carbon material that has an oxygen-containing functional group on a surface thereof and consists of a fibrous material; and Li that binds to the surface of the porous carbon material. - 特許庁

含酸素官能基を表面に有する、植物由来の原料の賦活物からなる多孔性炭素材と、多孔性炭素材の表面に結合したＬｉと、を備える、水素吸蔵材。例文帳に追加

The hydrogen storage material includes: a porous carbon material having an oxygen-containing functional group on a surface thereof and formed of an activating substance of a plant-derived raw material; and Li bonded to a surface of the porous carbon material. - 特許庁

コイル状炭素繊維は、Ｘ線光電子分光法で測定される表面酸素基濃度（Ｏ1s／Ｃ1s）が４．０〜１２．５at％であり、かつ比表面積が２００〜１１００ｍ^2／ｇである。例文帳に追加

This coiled carbon fiber has both of a surface oxygen radical concentration (O1s/C1s) of 4.0-12.5 at.% when measured by X-ray photoelectron spectroscopy and a specific surface area of 200-1,100 m2/g. - 特許庁

特定の官能基を有し珪素−酸素の結合を２つ以上繰り返す化合物５が、蛍光体表面または半導体超微粒子３の表面を被覆し配位結合している。例文帳に追加

In this fluorescent structural body or a superfine particle structural body, a compound 5 which has a specified functional group and in which two or more of silicon-oxygen bonds are repeated, coats the surfaces of the phosphors or the surfaces of the semiconductor superfine particles 3 to coordinately bond them. - 特許庁

銅又は銅合金からなる基体の表面を炭素、酸素を含む化学種が当該表面に供給される雰囲気下で加熱処理することにより、Ｃｕ_２Ｏを含む酸化物層を形成する。例文帳に追加

The method for manufacturing a surface-modified copper member comprises subjecting a surface of a substrate made of copper or a copper alloy to a heat-treatment in an atmosphere in which chemical species containing carbon and oxygen are fed to the surface, thereby forming an oxide layer containing Cu_2O. - 特許庁

この方法は、固相表面を酸化処理して、含酸素官能基を導入する工程と、処理表面を化学的に活性化し、表面を反応性にした後、該表面と反応し得るポリアルキレングリコール誘導体、またはポリペプチドにより処理する工程を含む方法により、表面を低結合性にするという表面処理方法を提供する。例文帳に追加

There is provided a surface treatment method of producing a surface having a low binding property, which includes the steps of: subjecting the surface of a solid phase to an oxidation treatment to introduce an oxygen-containing functional group; and chemically activating the treated surface to render the surface reactive, and subsequently treating the surface with a polyalkylene glycol derivative or a polypeptide which can react with the surface. - 特許庁

基材と、基材の表面に形成されたケイ素又はケイ素及び酸素を含有する非晶質炭素膜と、該非晶質炭素膜に、窒素又は酸素或いは両者の混合物を用いてプラスマ処理された表面が形成され、更に、該プラズマ処理された表面の一部にフッ素を含有するシランカップリング剤により形成された薄膜を有する構造体とする。例文帳に追加

The structure includes: a base material; an amorphous carbon film, which is formed on the surface of the base material, contains silicon, or silicon and oxygen, and has a surface formed by plasma treatment using nitrogen or oxygen, or a mixture of them; and a thin film formed in a part of the plasma-treated surface by using a silane coupling agent containing fluorine. - 特許庁

修飾炭素質膜は、基材の表面に形成され、ｓｐ^2結合した炭素及びｓｐ^3結合した炭素を含み、表面に水素原子と酸素原子とを含む官能基を有する炭素質膜と、炭素質膜の表面に化学的に結合された有機物成分とを備えている。例文帳に追加

The modified carbonaceous membrane has a carbonaceous membrane which is formed on the surface of a base material, contains sp^2 bonded carbon and sp^3 bonded carbon, and has a functional group containing a hydrogen atom and an oxygen atom or its surface, and the organic matter component chemically bonded to the surface of the carbonaceous membrane. - 特許庁

導電成分を含む溶液を滴下することによって基板上に配線パターンを描画形成する方法において、基板に酸素元素を表面に含み、その表面の２５℃における臨界表面張力が２５ｄｙｎ／ｃｍより小さい基板を用い、溶液にその表面張力が上記臨界表面張力より大きい溶液を用いる。例文帳に追加

In the drawing method of a wiring pattern on the substrate by dropping a solution including an electric conductive component; an oxygen element is included in the substrate on the front surface, the substrate with a critical surface tension smaller than 25 dyn/cm in 25°C of the front surface is used, and the solution with the larger surface tension force than the above critical surface tension is used for the solution. - 特許庁

酸素が含まれている基体に半導体層を成長させる液相成長法において、前記酸素による欠陥が前記基体の表面に１０００個／ｃｍ^2未満になるような温度のメルトに前記基体を接触させることにより第１の半導体層を成長させることを特徴とする。例文帳に追加

For a liquid phase growing method for growing this semiconductor layer on the substrate, which contains oxygen, the substrate is brought into contact with the melt of a temperature, so that defects caused by the oxygen is less than 1,000/cm2 on the surface of the substrate, and the first semiconductor layer is grown. - 特許庁

金属酸化物と、 前記金属酸化物の表面上の酸素原子と結合し且つ前記酸素原子に結合し得る官能基と貴金属原子に対して配位し得る原子とを含有している有機基と、 前記有機基と錯形成している貴金属原子と、を備えることを特徴とする触媒材料。例文帳に追加

The catalytic material comprises; a metal oxide; an organic group containing a functional group which can be bonded to an oxygen atom on the surface of the metal oxide and an atom which can be coordinated to a noble metal atom; and the noble metal atom forming a complex with the organic group. - 特許庁

クロムを含む型基材の表面または型基材上に形成したクロムを主成分とする薄膜に少なくとも酸素をイオン注入する工程と、イオン注入の後、型基材を酸素を含む雰囲気中で加熱処理する工程とによって製造する。例文帳に追加

This method for producing a mold for molding an optical element comprises a process for injecting at least oxygen ion into the surface of a chromium-containing mold substrate or into a thin film which is formed on the mold substrate and consists mainly of chromium, and a subsequent process for thermally treating the mold substrate in an atmosphere containing oxygen. - 特許庁

化合物半導体基板の表面に存在する酸素を低減する化合物半導体基板の研磨方法、化合物半導体基板、化合物半導体エピ基板の製造方法および化合物半導体エピ基板を提供する。例文帳に追加

To provide the method of polishing a compound semiconductor substrate in which oxygen on the surface of the compound semiconductor substrate is reduced, the compound semiconductor substrate, the method of manufacturing a compound semiconductor epi-substrate, and the compound semiconductor epi-substrate. - 特許庁