例文 (356件) |
1次電子の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 356件
1次電子が入射して2次電子放出層1内部に2次電子が生成されると、2次電子放出層1内部に形成されている電界によって2次電子は出射面方向に加速され、透過型2次電子面の外部に放出される。例文帳に追加
An incidence of primary electrons into the layer 1 generates secondary electrons inside the layer, and they are accelerated by the electric field in the direction of the emission and emitted out of the transmissive secondary electron surface. - 特許庁
電子源1からの一次電子線5は、試料10に照射される。例文帳に追加
The primary electron beam 5 from the electron source 1 is irradiated to a sample 10. - 特許庁
電子線装置は、電子銃のカソード1から放出された一次電子線を対物レンズ11で集束する。例文帳に追加
In this electron beam device, the primary electron beam emitted from a cathode 1 of an electron gun is converged by an object lens 11. - 特許庁
この電子線装置1は一次電子線を集束して照射させるレンズを各電子銃毎に配列したレンズ群を備えている。例文帳に追加
This electron beam device 1 is equipped with a lens group composed by arranging, for every electron gun, a lens for converging and emitting a primary electron beam. - 特許庁
電子銃1からの電子ビームで試料4上の観察すべき領域を二次元的に走査し、この走査により二次電子検出器31で検出された観察領域からの二次電子に基づく信号により表示装置34に観察領域の二次電子像を表示させる。例文帳に追加
The region on the sample 4 that should be observed is scanned two-dimensionally with an electron beam from an electron gun 1, and a secondary electron image in the observation is displayed in a display device 34 by a signal based on a secondary electron from the observation region inspected at a secondary electron inspection device 31 by this scanning. - 特許庁
この2次電子の偏向により、一次電子ビームの走査位置に対応して検出器20a〜20nのいずれかの検出器を選択する。例文帳に追加
By the deflection of the secondary electrons, one of detectors 20a-20n is selected correspondingly to the scanning position of the primary electron beam 1. - 特許庁
そして、2次電子放出層1の入射面と出射面との間に電圧が印加され、2次電子放出層1内部に電界が形成される。例文帳に追加
A voltage is applied between the planes of the incidence and the emission of the secondary electron emitting layer 1 to generate an electric field in the layer. - 特許庁
電子線装置は、電子銃1,2,3からの一次電子線を収束させて試料15上で走査し、試料15から放出される二次電子線を検出して試料15の評価を行う。例文帳に追加
This electron beam system converges a primary electron beam from electron guns 1, 2 and 3 to scan it on a sample 15, and detects secondary electron beams emitted from the sample 15 to evaluate the sample 15. - 特許庁
本発明による透過型2次電子面は、ダイヤモンド、またはダイヤモンドを主成分とする材料から形成された2次電子放出層1、2次電子放出層1の機械的強度を補う支持枠21、2次電子放出層1の入射面に対して設けられる第1電極31、及び2次電子放出層1の出射面に対して設けられる第2電極32によって構成されている。例文帳に追加
The transmissive secondary electron surface comprises a secondary electron emitting layer 1 made of diamond or a material containing diamond as a main component, a supporting frame 21 which reinforces mechanical strength of the layer 1, a first electrode 31 formed on a plane of the incidence of the layer 1, and a second electrode 32 formed on the plane of the emission of the layer 1. - 特許庁
電子線装置は、熱電子放出カソード1を有する電子銃1a、コンデンサレンズ12、1次電子線の軌道を制限するNA開口13、対物レンズ19、並びに、負電圧を印加された試料20から放出された2次電子線を検出する検出器(23、24、25、26)を備える。例文帳に追加
The electron beam apparatus consists of an electron gun 1a with the thermionic emission cathode 1, a condenser lens 12, an NA opening 13 by which an orbit of a primary electron beam is restricted, an objective lens 19, and detectors (23, 24, 25, and 26) which detect secondary electron beams emitted from a sample 20 to which negative voltage has been impressed. - 特許庁
増幅電極層12は、電子放出源5と蛍光体6との間に配置され電子放出源5から放出された電子が照射され2次電子放出比が1を超えるものである。例文帳に追加
The amplifying electrode layer 12 is disposed between the electron emitting source 5 and the phosphor 6, irradiated with the electrons emitted from the electron emitting source 5, and its secondary-emission coefficient exceeds 1. - 特許庁
電子発光システムは、透明な材料でつくられた2次元の第1の電極(2)を有する電子発光装置(1)を備えている。例文帳に追加
An electronic light emission system includes an electronic light emitting device (1) having a two dimensional first electrode (2) made of a transparent material. - 特許庁
電子銃1からの電子ビームは、一次照射ビーム4となり、ステージ5の上の試料6を落射照射する。例文帳に追加
The electron gun 1 of this mapping type electron microscope emits an electron beam as a primary irradiation beam 4 to irradiate a sample 6 placed on a stage 5. - 特許庁
電子重1から放出された複数の一次電子ビームが、ステージ21上に載置された試料11に照射される。例文帳に追加
A sample 11 set on a stage 21 is irradiated with a plurality of primary electron beams emitted from an electron gun 1. - 特許庁
また、表面分析装置1は、試料S表面に1次電子線を照射する電子線鏡筒3と、上記スピン検出器5と、を有する。例文帳に追加
The surface analyzer 1 includes an electron beam lens barrel 3 for irradiating a sample S surface with primary electron beams, and the spin detector 5. - 特許庁
イ 電子管であって、次の(一)又は(二)に該当するもの((三)に該当するものを除く。)例文帳に追加
a) Electron tubes that fall under the following 1. or 2. (excluding those that fall under 3. following - 日本法令外国語訳データベースシステム
ト 電子的又は磁気的に同調可能な帯域阻止フィルターであって、次の(一)及び(二)に該当するもの例文帳に追加
(g) Electronically or magnetically tunable band-elimination filters that fall under the following 1. and 2. - 日本法令外国語訳データベースシステム
非接触温度測定装置1は、試料台の温度分布を測定する装置であり、試料台上20に載置される試料ベース10と、電子線を照射する電子線源2と、電子線照射によって誘起される二次電子を検出する二次電子検出器3と、検出した二次電子に基づいて温度分布を測定する温度測定部(信号処理部7)とを備える。例文帳に追加
A noncontact temperature measuring device 1 measures the temperature distribution of a sample stand and comprises: a sample base 10 placed on the sample stand 20, an electron beam source 2 for applying electron beams; a secondary electron detector 3 detecting secondary electrons induced by the irradiation of electron beams; and a temperature measurement section (signal processing section 7) for measuring temperature distribution, based on the induced secondary electrons. - 特許庁
(1) 特許庁は,次のものを公表する。 1. 出願公開 2. 特許明細書,及び3. 特許公報 公表は電子形態で行うことができる。例文帳に追加
(1) The Patent Office shall publish 1. laid-open publications [Offenlegungsschriften]; 2. patent specifications; and 3. the Patent Gazette [Patentblatt]. Publication may be in electronic form. - 特許庁
θ=0.3tan^-1(1/k)〜2.0tan^-1(1/k) k=(0.5×(A_i1/A_s −1))^0.5 、A_i1は前記構造支持体の二次電子放出係数が1となる最小エネルギー、A_s は前記構造支持体から放出される二次電子の初期放出エネルギー例文帳に追加
(In the formula, Ai1 shows the minimum energy at which a secondary electron emission coefficient of the structure supporter becomes 1, and As shows an initial emission energy of secondary electrons emitted from the structure supporter.). - 特許庁
次に、このπ電子共役系分子1の上にπ-πスタッキングによって、π電子共役系分子1又は他のπ電子共役系分子を積層させ、配列構造体4を形成する。例文帳に追加
Next, another π electron conjugated molecule 1 or the other π electron conjugated molecule is stacked on the π electron conjugated molecule 1 by π-π stacking to form an array structure 4. - 特許庁
電子線源1と、電子線3が照射される一次ターゲット4を備え、一次ターゲットの電子線照射位置に対してX線を取り出す方向と反対側に、一次ターゲットを構成する物質と同じ物質からなる二次ターゲット7を備えるX線源。例文帳に追加
The X-ray source is provided with an electron beam source 1 and a first target 4 on which electron beam 3 is irradiated, and is further provided with a second target 7 consisting of the same material as the one constituting the first target, at an opposite side to the direction an X-ray is taken out against the electron beam irradiating position of the first target. - 特許庁
本発明は、電子銃2及び前記電子銃から放出された一次電子を検査対象に照射する静電レンズより成る対物レンズ7を有する電子光学系と、前記対物レンズの外側に配置された差動排気系12と、を備えた電子線装置1に関する。例文帳に追加
The electron beam equipment 1 is provided with an electronic optical system with an electron gun 2 and an objective lens 7 composed of an electrostatic lens which irradiates primary electrons emitted from the electron gun to a test sample and with a differential exhaust system 12 arranged outside of the objective lens. - 特許庁
高速の静電偏向器である補助偏向器21によって、10〜20kVに加速された2次電子を100MHz以上の応答速度で、一次電子ビーム1の2次元走査に同期して偏向する。例文帳に追加
An electron beam inspection device deflects secondary electrons accelerated to 10-20 kV synchronously to the two-dimensional scanning of a primary electron beam 1 by means of an auxiliary deflector 21 composed of a high-speed electrostatic deflector. - 特許庁
そして、この三次元フレーム1の抵抗値を車体と同等の値に管理して、電子コントロールユニット10などの電子部品のアース端子を三次元フレーム1に電気的に接続する。例文帳に追加
A resistance value of the three-dimensional frame 1 is controlled to a value equivalent to that of the body, and an earth terminal of the electronic component such as the electronic control unit 10 is connected electrically to the three-dimensional frame 1. - 特許庁
試料表面に対して前記電子ビームを照射する一次光学系10と、前記試料表面から放出される二次電子を検出して試料表面の画像を形成する二次光学系30とを備えた電子線装置1を使用する。例文帳に追加
The electron beam device 1 is used equipped with a primary optical system 10 irradiating electron beams on the surface of the sample, and a secondary optical system 30 forming images of the sample surface by detecting secondary electron beams emitted from the sample surface. - 特許庁
対物レンズ1の下部の1次電子線3の照射口に近い部位に数V〜数十Vの負電位が印加される第1補助電極13を設置し、第1補助電極の2次電子検出器5側に正電圧を印加する第2補助電極14を設置して2次電子軌道を修正制御する。例文帳に追加
A first auxiliary electrode 13 on which a negative potential of several V (volt) to several dozens V is impressed is installed at the portion near the irradiation port of an objective lens 1, and a second auxiliary electrode 14 for impressing a positive voltage is installed on a secondary electron detector 5 side of the first auxiliary electrode, thereby corrects and controls the orbit of secondary electrons. - 特許庁
ここで、検出器20a〜20nの数を512個とし、一次電子ビーム1のウエハ試料3上の1走査ライン分の信号が512ポイントであると、512ポイントの2次電子信号がそれぞれ512個の2次電子検出器20a〜20nによって別個に検出される。例文帳に追加
When the number of the detectors 20a-20n is 512 and the signals of one scanning line of the electron beam 1 on a wafer sample 3 are 512 points, 512 points of secondary electron signals are respectively individually detected by the detectors 20a-20n. - 特許庁
あらかじめ各アクセサリに二次元バーコード2a、3a、4aを付与し、電子カメラ1の撮像部102を用いて二次元バーコードを読取る。例文帳に追加
The accessories are imparted previously with two-dimensional bar codes 2a, 3a and 4a which are read out using the image pick-up section 102 of the electronic camera 1. - 特許庁
ウェハ6を回転させ、回転するウェハ6に対して走査型電子顕微鏡1から電子ビームを照射し、ウェハ6から放出される2次電子9を検出する。例文帳に追加
A wafer 6 is rotated, an electron beam is emitted to the rotating wafer 6 from a scanning electron microscope 1, and secondary electrons 9 emitted from the wafer 6 are detected. - 特許庁
次に、電子郵便サーバ1は、受け取った電子郵便データd2をヘッダレコードd21の受取人のメールアドレスに従って、配信すると、受取人は利用者端末2iを介して電子郵便データd2を受信する。例文帳に追加
Next, when the electronic mail server 1 distributes the received electronic mail data d2 according to the e-mail address of the recipient of the header record d21, the recipient receives the electronic mail data d2 through the user terminal 2i. - 特許庁
また、絶縁変圧器5の二次側には電子発生部3にのみ接続される第1の端子5aと、電子発生部3、電子加速部2及び直流電源1に接続される第2の端子5bとが配置されている。例文帳に追加
Furthermore, on the secondary side of the insulated transformer 5, the first terminal 5a connected only to the electron generation part 3, and the second terminal 5b connected to the electron generation part 3, the electron acceleration part 2 and the direct-current power source 1 are arranged. - 特許庁
本発明に係る基板検査方法では、電子ビームを照射することにより検査対象領域S内の所定材料から出射される二次電子の収率が1より大きくなる第1の加速電圧と、二次電子の収率が1より小さくなる第2の加速電圧とを用いる。例文帳に追加
This substrate inspection method uses a first acceleration voltage in which the yield of secondary electrons emitted from the specified material inside an inspection object region S by irradiating electron beams is larger than 1, and a second acceleration voltage in which the yield of the secondary electrons is smaller than 1. - 特許庁
電子キー1は、電源として二次電池16を備えるとともに、車両20は、外部に電力を供給する送電回路29と、電子キー1を収納することで送電回路29を介して二次電池16を充電させる電子キー収納部とを備えている。例文帳に追加
The electronic key 1 is equipped with a secondary battery 16 as a power source; and a vehicle 20 is equipped with a power transmission circuit 29 for supplying electric power to the outside, and an electronic key storage portion which houses the electronic key 1 so as to recharge the secondary battery 16 via the power transmission circuit 29. - 特許庁
ホトカソード(200)から第2段目のダイノードユニット(DY1)は、ホトカソード(200)からの光電子を受ける第1ダイノードを支持しており、第1段目のダイノードユニット(DY2)は、第1ダイノードからの二次電子を受ける第2ダイノードを支持する。例文帳に追加
A dynode unit (DY1) at a second stage from a photocathode (200) supports a first dynode receiving photoelectrons from the photocathode (200), a first-stage dynode unit (DY2) supports a second dynode receiving secondary electrons from the first dynode. - 特許庁
電子ビーム描画装置1は、電子ビームを照射する電子銃2と、電子ビーム15のビーム軸の下流方向に順次配置されたアライナ14と、ブランキング電極6と、偏向器7と、第1成形アパーチャ11とを有する。例文帳に追加
This charged particle beam drawing device 1 includes: an electron gun 2 for emitting an electron beam; and an aligner 14, a blanking electrode 6, a deflector 7 and a first shaping aperture 11 which are sequentially arranged in the downstream direction of the beam axis of the electron beam 15. - 特許庁
(1) 第52A 条(2)において一般的に制限を受けるものに限らず, 電子提出の条件は次の事項を含むものとする。例文帳に追加
(1) Without limiting the generality of subregulation 52A(2), the terms and conditions for electronic filing shall include the following: - 特許庁
試料に照射する荷電粒子線のエネルギーを試料から発生する二次電子の発生効率が1以上となるように設定する。例文帳に追加
Energy of the charged particle beams to be irradiated on the sample is set so that a generation efficiency of the secondary electron generated from the sample becomes 1 or higher. - 特許庁
設定した焦点及び非点収差制御値1により二次電子像取得2を行い、そのデータ3に対し、二次電子像の流れと方向及び明瞭度を評価する操作4を行う。例文帳に追加
A secondary image is acquired 2 based on the set focal point and astigmatism control 1, and the flow, direction and articulation of the secondary electron image are evaluated 4 for the data 3. - 特許庁
そして、半導体集積回路の表面に電子ビームを照射して2次電子検出器10により2次荷電粒子を検出することにより、上層及び下層配線の観察パターンを得る。例文帳に追加
The observed patterns of the upper- and lower-layer wiring sections 1 and 2 are obtained by projecting an electron beam upon the surface of the integrated circuit and detecting secondary charged particles by means of a secondary electron detector 10. - 特許庁
このように、二次電池パック21を電源回路1などの各種の電子装置に装着するだけで、電子装置内に一切手を加えることなく、リチウムイオン二次電池22を最適な電圧で充電することができる。例文帳に追加
In this way, only with mounting the secondary battery pack 21 on the various kinds of electronic devices of the power supply circuit 1 or the like, the lithium ion secondary battery 22 can be charged by the optimal voltage, without adding any improvement to the electric device. - 特許庁
電子ビーム52の電子の第1の部分116 を収集するように構成されたコレクタ段106 と、1より小さい2次電子放射係数を有し、電子ビームの電子の第2の部分114 を受けるようにコレクタ段106 に関して位置されている電子累積素子104 を有する自己バイアス素子102 とを具備していることを特徴とする。例文帳に追加
This collector is provided with a collector stage 106 constituted to collect a first portion 116 of electrons from an electron beam 52, and a self-biased element 102 having a secondary electron emissivity 1 or smaller and comprising an electron cumulative element 104 positioned with respect to the collector step 106, so as to receive a second portion 114 of the electrons of the electron beam. - 特許庁
導電性金属材料よりなる複数本のフレーム基材が車体を模した三次元形状に組み立てられて形成された三次元フレーム1に、評価対象となる電子電装システムの電子コントロールユニット10などの電子部品を取り付ける。例文帳に追加
An electronic component such as an electronic control unit 10 for the electronic equipment system of an evaluation object is attached to a three-dimensional frame 1 formed assembledly into a three-dimensional shape to simulate a vehicular body with a plurality of frame base materials comprising a conductive metal material. - 特許庁
評価装置は、試料10の表面に一次光学系を介して複数の電子線を供給する電子ビーム生成手段1〜9と、試料10の表面から放出される二次電子線を検出器17に導く二次光学系14、15と、試料10を複数の電子線に対して相対的に移動させる移動手段12、Sとを具備する。例文帳に追加
This evaluating device is provided with electron beam generating means 1 to 9 for supplying plural electron beams to a surface of a sample 10 via the primary optical system, the secondary optical systems 14 and 15 for introducing a secondary electron beam emitted from the surface of the sample 10 to a detector 17, and moving means 12 and S for relatively moving the sample 10 to the plural electron beams. - 特許庁
電子機器本体1の電源として充電式電池4を使用し、また、電子機器本体1にACアダプタ7を接続可能とし、充電式電池4を満充電まで充電し、次の使用を可能にした。例文帳に追加
A rechargeable battery 4 is used in a power source of an electronic apparatus body 1, an AC adaptor 7 can be connected to the electronic apparatus body 1, and the rechargeable battery 4 is full-charged and the next use is made possible. - 特許庁
電子機器1に設けた電池パック装着部11に装着されることにより、電子機器1の充電回路部8に対して電池パック装填部11に装填した二次電池22から所定電圧の直流を供給する。例文帳に追加
By being attached to a battery pack attaching part 11 provided on the electronic apparatus 1, a direct current of a predetermined voltage is supplied from a secondary battery 22 loaded in a battery pack loading part 11 to a charging circuit 8 of the electronic apparatus 1. - 特許庁
バイアス電源6により探針1に負のバイアス電圧を印加して探針1と試料3との距離を近づけると、探針1にはトンネル電流が流れ、試料3には、互いに逆向きのトンネル電流と、二次電子放出に基づく二次電子電流が流れる。例文帳に追加
When a negative bias voltage is applied to the probe 1 by the bias power supply 6 and the distance between the probe 1 and the sample 3 is reduced, a tunnel current flows to the probe 1, and tunnel currents in opposite directions and a secondary electron current based on secondary electron emission flow to the sample 3. - 特許庁
電子ビーム蒸着装置を真空に保持した状態で第1のターゲットであるAu−Sn合金に電子ビームを放射してAlN基板1上に厚さd1(例えばd1=1μm)の第1次合金層3aを被着させて第1の電子ビーム放射を終了する。例文帳に追加
Electron beams are radiated on an Au-Sn alloy as a first target while an electron beam vapor deposition apparatus is maintained in a vacuum state, a first alloy layer 3a of the thickness d1 (for example, d1 = 1 μm) is deposited on an AlN substrate 1, and the first electron beam radiation is completed. - 特許庁
板状の絶縁性基体1と、その絶縁性基体1に貫通孔が設けられその貫通孔の内壁面に電子の衝突により二次電子を放出する電子増倍面3が形成されるチャンネル2と、その電子増倍面3に電圧を印加するため、絶縁性基体1の両面にそれぞれ設けられるカソード電極4およびアノード電極5とからなっている。例文帳に追加
This electron multiplier tube is constituted of a plate-like insulating substrate 1, channels 2 formed with electron multiplier faces 3 emitting secondary electrons via the collision of electrons with the inner wall faces of through holes provided on the insulating substrate 1, a cathode electrode 4 and an anode electrode 5 provided on both faces of the insulating substrate 1 to apply a voltage to the electron multiplier faces 3. - 特許庁
イ 電子計算機又は数値制御装置により制御される測定装置であって、次の(一)及び(二)に該当するもの例文帳に追加
(a) Measurement equipment controlled by computers or numerically-controlled coordinate measurement equipment, that falls under the following 1. and 2. - 日本法令外国語訳データベースシステム
例文 (356件) |
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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