「C 12」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Each micro region 12 does not extend in the axis-C direction.例文帳に追加

各微小領域１２は、軸Ｃ方向に延在していない。 - 特許庁

And the above state is maintained at 30-60°C and under atmospheric pressure, for 12 hr or longer.例文帳に追加

その状態で３０〜６０℃、大気圧下で１２時間以上放置する。 - 特許庁

A palm rest 7 includes a side wall 12 forming a corner portion C.例文帳に追加

パームレスト７は、角部Ｃを形成する側壁１２を備える。 - 特許庁

This assembly type crankshaft C is provided with the crank journal 12 and the crank web 13 which are integrally formed.例文帳に追加

組立式クランク軸Ｃは、一体成形されたクランクジャーナル12およびクランクウェブ13を備える。 - 特許庁

An about 20 nm-thick AlN buffer layer 12 is formed on a (0001) face 6H-SiC substrate 11 at 500°C.例文帳に追加

（０００１）面6Ｈ-SiC基板11上に温度500℃でAlNバッファ層12を２０nm程度の膜厚で形成する。 - 特許庁

The chips C are sucked into the tank body 12 together with air from a vacuum pipe 15.例文帳に追加

バキュームパイプ15からタンク本体12内に空気とともにチップＣが吸い込まれる。 - 特許庁

The three-dimensional position of the position C of a screen center through which the optical axis (13) of the camera (12) passes.例文帳に追加

カメラ(12)の光軸(13)が通る画面中心位置Ｃの三次元位置を演算する。 - 特許庁

The elastic body 12 has a cross-section of a recess shape having a hollow portion 28, such as substantially C-shape.例文帳に追加

弾性体12の断面形状を略コの字などの中空部28を有する肉抜き形状にする。 - 特許庁

A movable roller 8 moving inside the C-shaped arm and a constant force spring 12 are used as the mechanism.例文帳に追加

この機構にはＣ型アーム内で移動する可動ローラ8と定荷重バネ12を用いる。 - 特許庁

The expand metal 12 is formed with a metal plate having a linear expansion coefficient of 8×10^-6/°C or lower.例文帳に追加

エキスパンドメタル12は線膨張率が８×１０^−６／℃以下の金属板から形成されている。 - 特許庁

The overall length L of the engaged part C of the carrier 12 is equal to the pitch P with which the drive wheels 41 are arranged.例文帳に追加

キャリヤ12の被係合部Ｃの全長Ｌと駆動輪41の配置ピッチＰが同一となされている。 - 特許庁

A group management device 11 forms a group ID_G and a group key K_G, and a content distribution apparatus 12 stores a content ID_C, the group ID_G, a content key K_C encrypted with the group key K_G, and a content encrypted with the content key K_C and then transmits them to a reproducing apparatus 14.例文帳に追加

グループ管理装置１１は、グループＩＤ_Gとグループ鍵Ｋ_Gを生成し、コンテンツ配信装置１２は、コンテンツＩＤ_C、グループＩＤ_G、グループ鍵Ｋ_Gで暗号化したコンテンツ鍵Ｋ_C、コンテンツ鍵Ｋ_Cで暗号化したコンテンツを記憶し、再生装置１４に送信する。 - 特許庁

In this picking device, an arrow head indication 28 pointing the corresponding container (c) is indicated by an indication means 26 provided above the conveyance device 12 based on a position of the corresponding container (c) and picking information, and a direction pointed by the arrow head indication 28 is indicated with following movement of the corresponding container (c) by the conveyance device 12.例文帳に追加

搬送装置12の上方に設けた表示手段26により、該当容器ｃの位置とピッキング情報とに基づいて、該当容器ｃを指示する矢印表示28を表示するとともに、搬送装置12による該当容器ｃの移動に合わせて矢印表示28の指示する方向を追従させて表示する。 - 特許庁

A complex C, C temporary characteristic value setting processing part 12 sets a temporary characteristic value of the complex C, C based on a temporary setting parameter and the vehicle data of the developed car.例文帳に追加

複素Ｃ．Ｃ暫定特性値設定処理部１２は、開発車の暫定設計パラメータと車両諸元とに基づき複素Ｃ.Ｃの暫定特性値を設定する。 - 特許庁

The communication system includes a plurality of cells 11, 12 and 14(a, b and c), a plurality of base stations 21 to 24 for making the cells 11 to 14(a, b, and c) a cover area, and a plurality of terminals 31 to 35 for communicating with the respective base stations 21 to 24.例文帳に追加

通信システムは、複数のセル１１、１２、１４(a,b,c)と、セル１１〜１４(a,b,c)をカバーエリアとする複数の基地局２１〜２４と、各々の基地局２１〜２４と通信を行う複数の端末３１〜３５とを含む。 - 特許庁

Before disassembling and cleaning the exhaust pipe 16, the reaction pipe 2 is heated to 500°C to 900°C with a heater 12, and the exhaust pipe 16 and a valve 17 are heated at 100°C to 200°C by a heater 20 for the exhaust pipe.例文帳に追加

そして、排気管１６を分解して洗浄する前に、昇温用ヒータ１２により反応管２を５００℃〜９００℃に加熱し、排気管用ヒータ２０により、排気管１６及びバルブ１７を１００℃〜２００℃に加熱する。 - 特許庁

The first agent of the hair shape-controlling agent comprises 0.1-12 mass% (A) glycine betaine, 3-15 mass% (B) thioglycolic acid or its salt and 0.05-7.5 mass% (C) dithiodiglycolic acid or its salt and has 0.01-0.6 weight ratio (C)/(B).例文帳に追加

(A)グリシンベタイン0.1〜12質量％、(B)チオグリコール酸又はその塩３〜15質量％、及び(C)ジチオジグリコール酸又はその塩0.05〜7.5質量％を含有し、かつ(C)/(B)の重量比が0.01〜0.6である毛髪形状制御剤第１剤。 - 特許庁

In the Ti-added extra low carbon steel sheet, the content of C is 0.001 to 0.025%, the content of N is ≤0.01%, and the content of Ti is controlled to the range of [(48/12×C+48/32×S+48/14N)+0.01] to 0.10%, by mass.例文帳に追加

Ti添加極低炭素鋼板は、Cが0.001~0.025質量％，Nが0.01質量％以下で、Ti含有量が[(48／12×C＋48／32×S＋48／14N)＋0.01]〜0.10質量％の範囲に調整されている。 - 特許庁

Low-order 12-bits of 24-bit sample data of signals (L+C), (R+C), S1, Sr are masked and high-order 12 bits are stored in delay memories 2(L+C), 2(R+C), 2S1 and 2Sr respectively.例文帳に追加

信号（Ｌ＋Ｃ）、（Ｒ＋Ｃ）、Ｓｌ、Ｓｒの２４ビットサンプルデータの下位１２ビットがマスクされて上位１２ビットがそれぞれ、遅延メモリ２（Ｌ＋Ｃ）、遅延メモリ２（Ｒ＋Ｃ）、遅延メモリ２Ｓｌ、遅延メモリ２Ｓｒに格納される。 - 特許庁

A license C incorporating an IC chip c is inserted into the reader 12, image data of a face of the license C are acquired through a scanner 12a, and electronic data are acquired from the IC chip c through an IC reader 12b.例文帳に追加

ＩＣチップｃを内蔵した免許証Ｃが読取装置１２に挿入され、スキャナ１２ａを介して免許証Ｃの券面の画像データが取得され、ＩＣリーダ１２ｂを介してＩＣチップｃから電子データが取得される。 - 特許庁

The cathode material is within a range in which the ratio C/A of C against A is in the range of 2 to 12 when the length of three sides of the smallest rectangular parallelepiped which is circumscribed including one particle 11 are A, B and C (A≤B≤C).例文帳に追加

この負極材料は、１粒子１１を含んで外接する最小の直方体１２における３辺の長さをＡ，ＢおよびＣ（Ａ≦Ｂ≦Ｃ）とすると、Ａに対するＣの比Ｃ／Ａが２から１２の範囲内となっている。 - 特許庁

The UPnP device (2) converts a SOAP command transmitted from the UPnP control point (1) into an AV/C command and transfers it to the AV/C device (3) via the IEEE1394 network (12).例文帳に追加

UPnPデバイス２は、UPnPコントロールポイント１から送信されてきたSOAPコマンドをAV/Cコマンドに変換し、IEEE１３９４ネットワーク１２を介してAV/C機器３に転送する。 - 特許庁

A fitting structure of a door mirror is provided with (a) a stiffener 12 fixed to a front end part 3a of a sash 3, (b) a bracket 14 fitted to a back side of the stiffener 12, and (c) a door mirror base 22 screwed to the stiffener 12 and the bracket 14.例文帳に追加

ドアミラーの取付構造は、(a) サッシュ３の前端部３ａに固定されたスティッフナー12と、(b) スティッフナー12の裏面に取り付けられたブラケット14と、(c) スティッフナー12及びブラケット14に螺合されたドアミラーベース22とを有する。 - 特許庁

An epitaxial wafer of the semiconductor laser diode 10 is formed on a c-surface (000_1) ZnO substrate 12 of oxygen (O) polarity.例文帳に追加

半導体レーザダイオード１０のエピタキシャルウェハが、酸素（O）極性のc面(000_1)ZnO基板１２上に形成される。 - 特許庁

A rotation position data of a motor 12 in a C-phase pulse b input is latched in a C-phase pulse b of an incremental encoder 13.例文帳に追加

インクリメンタルエンコーダ１３のＣ相パルスｂで、Ｃ相パルスｂ入力時のモータ１２の回転位置データをラッチする。 - 特許庁

A positive electrode 12 contains powder of a composite oxide expressed by Li_1+a (Mn_b Cr_c M_1-b-c)_1-a O_d.例文帳に追加

正極１２はＬｉ_１＋ａ （Ｍｎ_ｂ Ｃｒ_ｃ Ｍ_１−ｂ−ｃ ）_１−ａ Ｏ_ｄ で表される複合酸化物の粉末を含む。 - 特許庁

Clearances between a housing of the compressor 12 and an impeller 20 are detected as compressor clearances CLIC, CLOC.例文帳に追加

コンプレッサ１２のハウジングとインペラ２０間のクリアランスをコンプレッサクリアランスCLI_C、CLO_Cとして検出する。 - 特許庁

A vehicle C uses a camera 12 to photograph the number plates 10 of vehicles A, B in front of the vehicle C to confirm the numbers.例文帳に追加

車両Ｃは、カメラ１２により前方車両Ａ，Ｂのナンバープレート１０を撮影し、ナンバーを認識する。 - 特許庁

A pressure sensitive adhesive layer 31 of width d is formed on a 2nd step film 12 of width c (c ≥ d, a ≥ d > b).例文帳に追加

別途、幅ｃの第二の工程フィルム１２に幅ｄで感圧接着剤層３１を形成する（ｃ≧ｄ、ａ≧ｄ＞ｂ）。 - 特許庁

The two locking flanges (10, 12) are provided so as to be relatively moved to each other along a control movement route (C).例文帳に追加

前記２つのロッキングフランジ（１０、１２）は、制御移動経路（C）に沿って互いに相対移動するように設けられている。 - 特許庁

The process C is for washing the metal material surface with cleaning water having 20-60°C of temperature, for a time from one minute to 12 hours.例文帳に追加

工程（Ｃ）：金属材料の表面を、２０〜６０℃の洗浄水で１分以上１２時間以下の時間、洗浄する工程。 - 特許庁

Next, an exposed part of the polysilicon layer 12 is wet-oxidized at a high temperature higher than 850°C but not exceeding 1,000°C to form a selectively oxidized part 14.例文帳に追加

次に、露出したポリシリコン層１２に対し１０００℃を超えない８５０℃より高い温度でウェット酸化し、選択酸化部１４を形成する。 - 特許庁

The first fixing member 11 and the second fixing member 12 make contact with a molding object C to mold the molding object C.例文帳に追加

第１固定部材１１及び第２固定部材１２は、成型対象Ｃに接触して成型対象Ｃを成型する。 - 特許庁

Furthermore, on the photoreceptor drums 12 of respective colors, reference sections Z (Z_S1, Z_S2, Z_Y, Z_M, Z_C, Z_K) becoming the references for the rotational positions, are arranged, respectively.例文帳に追加

また、各色の感光体ドラム１２には、回転位置の基準となる基準部Ｚ（Ｚ_S1、Ｚ_S2、Ｚ_Y、Ｚ_M、Ｚ_C、Ｚ_K）がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

The envelope layer 12 has a difference (H4-H3) between a C hardness H4 at its surface and a C hardness H3 at its innermost portion is equal to or greater than 10.例文帳に追加

包囲層１２において、表面のＣ硬度Ｈ４と最内部のＣ硬度Ｈ３との差（Ｈ４−Ｈ３）は、１０以上である。 - 特許庁

To the respective dedicated areas A, B, C, and D of the image display table 12, users A, B, C, and D are seated individually.例文帳に追加

画像表示テーブル１２の各専有領域Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤにはそれぞれ利用者（Ａさん、Ｂさん、Ｃさん及びＤさん）が着席している。 - 特許庁

The IEEE802 network (11) is connected to a UPnP control point (1), and an IEEE1394 network (12) is connected to AV/C devices (3, 4).例文帳に追加

IEEE８０２ネットワーク１１には、UPnPコントロールポイント１が接続されており、IEEE１３９４ネットワーク１２には、AV/C機器３，４が接続されている。 - 特許庁

A second rough floating area M_OUT in which a large number of the exhaust nozzles 12 are exclusively disposed is mounted on a carry-out stage block SB_C at the right edge.例文帳に追加

また、右端の搬出用ステージブロックＳＢ_Cには、専ら噴出口１２を多数配設した第２のラフ浮上領域Ｍ_OUTが搭載される。 - 特許庁

The heating treatment is preferred to be carried out at a temperature of 350°C or higher, preferably 375°C or higher for 12 hours or more.例文帳に追加

加熱処理温度は、３５０度以上、好ましくは３７５度以上とし、１２時間以上行うことが好ましい。 - 特許庁

Comparing processing 13 between an uncorrected C program source 11 and a corrected C program source 12 is executed from the heads of files.例文帳に追加

修正前Ｃプログラムソース１１と修正後Ｃプログラムソース１２をファイルの先頭からつきあわせ処理１３を行う。 - 特許庁

The difference (H4-H3) between the JIS-C hardness H4 of the surface of the core 4 and the JIS-C hardness H3 of the innermost section of the middle layer 12 is not less than 10.例文帳に追加

コア４の表面のＪＩＳ−Ｃ硬度Ｈ４と、中間層１２の最内部のＪＩＳ−Ｃ硬度Ｈ３との差（Ｈ４−Ｈ３）は、１０以上である。 - 特許庁

In a quick coupling mechanism comprising a C-shaped clamp spring 52 and a steel ball 51 attached to a piston 12, a diameter of the C-shaped clamp spring 52 is provided at a size close to an inner diameter of an air cylinder 11, and large diameter parts 11a and 11b are formed by enlarging inner diameters of both upper and lower end parts of the air cylinder 11.例文帳に追加

ピストン12に取付けたスチールボール51とC形クランプバネ52とからなるクイックカップリング機構において、C形クランプバネ52の直径をエアシリンダ11の内径に近い寸法とし、エアシリンダ11の上下両端部の内径を拡大して大径部11a, 11bを形成する。 - 特許庁

This refrigerating circuit 12 comprises a compressor 22, a condenser 24, an expander 26, an evaporator 28 and a refrigerant protecting means for keeping a temperature of the refrigerant to be lower than an upper limit temperature determined so that the C-I binding is not decomposed, successively disposed in a circulation passage 14 where the refrigerant including the C-I binding is circulated.例文帳に追加

冷凍回路12は、C-I結合を含む冷媒が循環する循環路14に順次介挿された圧縮機22、凝縮器24、膨張器26及び蒸発器28と、前記冷媒の温度を前記C-I結合が分解しないように設定された上限温度以下に保つ冷媒保護手段とを備える。 - 特許庁

Such working fluid and cleaning liquid which satisfy A>B+20°C and A>250°C are used when the grinding of a work piece 12 is executed by using the working fluid of A°C in its boiling point and the cleaning of the work piece 12 is executed by the cleaning liquid of B°C in its boiling point.例文帳に追加

被加工物１２の研削加工を、その沸点がＡ℃である加工油を用いて行ない、被加工物１２の洗浄をその沸点がＢ℃である洗浄液で洗浄する場合に、Ａ＞Ｂ＋２０℃、且つＡ＞２５０℃を満足するような加工油と洗浄液を用いる。 - 特許庁

In the process for forming the silicon oxide film 12 on the substrate 11, after forming the silicon oxide film 12 on the substrate 11, the silicon oxide film 12 is heat-treated at 1,050°C or more but not exceeding 1,100°C.例文帳に追加

基板１１上にシリコン酸化膜１２を形成する前記工程では、基板１１上にシリコン酸化膜１２を成膜した後、１０５０℃以上、１１００℃以下でシリコン酸化膜１２を熱処理する。 - 特許庁