「C 12」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

When the concrete C is placed, the concrete C is prevented from biting into unevenness or raising since the separation sheet 14 exists between the placed concrete C and the plate 12 having the unevenness and the raising.例文帳に追加

コンクリートＣを打設すると、打設されたコンクリートＣと、凹凸や起毛が発生している廃材再生型枠板１２との間に、コンクリート付着分離シート１４が介在しているので、コンクリートＣが凹凸や起毛に食い込むことが防止される。 - 特許庁

When a requirement point (C-point) defined by a control force f3 and a motor operation speed v3 exists in a region 5 within a motor operation out-of-region boundary speed, a C'-point designation command is sent to a driver 16 in place of a C-point designation command, and a motor 12 is operated.例文帳に追加

制御力ｆ３及びモータ動作速度ｖ３で定まる要求点（Ｃ点）がモータ動作範囲外領域境界速度内領域５に存在する場合、Ｃ点指定指令に代えてＣ´点指定指令をドライバ１６に送り、モータ１２を動作させるようにする。 - 特許庁

The hairdressing composition in an O/W emulsion type contains (a) 0.1-5 mass% of hydrophobized fine particles of a metal oxide such as titanium oxide and zinc oxide, (b) an oil component having ≥50°C of the melting point such as paraffin and candelilla wax, and (c) a nonionic surfactant solid at 25°C and having ≥12 of HLB.例文帳に追加

（ａ）疎水化処理された酸化チタン、酸化亜鉛などの微粒子金属酸化物を０．１〜５質量％、（ｂ）パラフィン、キャンデリラロウなどの融点５０℃以上の油剤に、（ｃ）２５℃で固形状のＨＬＢ１２以上のノニオン性界面活性剤を含有するＯ／Ｗ乳化型の整髪料組成物。 - 特許庁

The thermocouple is manufactured by connecting and integrating a protective body 2, comprising corrosion resistant ceramic or glass whose average thermal expansion coefficient at 20-600°C is 12×10^-6/°C or smaller, with the surface of a thermocouple element wire 1 comprising a metal whose difference with the average thermal expansion coefficient is within 3×10^-6/°C.例文帳に追加

２０〜６００℃の平均熱膨張率が１２×１０^−６／℃以下である耐食性セラミックス又はガラスよりなる保護体２を、当該平均熱膨張率との差が３×１０^−６／℃以内である金属よりなる熱電対素線１の表面に接合させて一体化した熱電対を作る。 - 特許庁

The circuit connecting material 50 includes an adhesive composition 51 and conductive particles 12 having projected portions on a surface side, and a storage elastic modulus at 40°C becomes 0.5 to 3GPa by hardening treatment, while an average coefficient of thermal expansion from 25 to 100°C becomes 30 to 200 ppm/°C by hardening treatment.例文帳に追加

回路接続材料５０は、接着剤組成物５１と、表面側に突起部を有する導電粒子１２とを含有し、硬化処理により４０℃における貯蔵弾性率が０．５〜３ＧＰａとなり、硬化処理により２５℃から１００℃までの平均熱膨張係数が３０〜２００ｐｐｍ／℃となることが可能である。 - 特許庁

The polyester heat-shrinkable film has a maximum heat shrinkage ratio of 20-50% in the main shrinking direction after immersion in warm water at 80°C for 10 sec and subsequent immersion in water at 23°C for 30 sec and has an initial shrinkage stress of at least 12 MPa when immersed in warm water at 80°C.例文帳に追加

８０℃の温水に１０秒間浸漬し、次いで２３℃の水中に３０秒間浸漬した後の主収縮方向の最大熱収縮率が２０〜５０％の範囲であり、かつ８０℃の温水に浸漬した際の初期収縮応力が１２ＭＰａ以上であるポリエステル系熱収縮性フィルムである。 - 特許庁

Next, after drying them in a high temperature (about 60°C) and coating pure water or water on the surface of the hydrogen storage alloy layers 12, 13, a hydrogen storage alloy electrode 10 is fabricated by naturally drying at a room temperature (about 25°C) which is lower than the drying temperature (about 60°C), and by being cut in a prescribed size.例文帳に追加

ついで、高温（約６０℃）で乾燥させた後、水素吸蔵合金層１２，１３の表面に純水または水を塗布した後、乾燥温度（約６０℃）よりも低温の室温（約２５℃）で自然乾燥させ、所定寸法に切断して、水素吸蔵合金電極１０を作製した。 - 特許庁

A can body C is held at a transport mechanism 5, transporting can bodies C in and out from an inspection stage (a processing stage), by rotary pedestals 13 situated in a plurality of spots on an outer periphery, and a turret 12 (a first turret) on the transportation side to transport, in order, the can bodies C through rotation in a peripheral direction.例文帳に追加

缶胴Ｃの検査ステージ（処理ステージ）への搬入及び搬出を行う搬送機構５に、外周の複数箇所に設けられる回転台座１３で缶胴Ｃを保持し、周方向に回転することで缶胴Ｃを順次搬送する搬送側ターレット１２（第一のターレット）を設ける。 - 特許庁

Thereafter, the porous body is placed in a horizontal tubular furnace equipped with a quartz glass furnace tube, and after raising the temperature to 1,100°C while flowing the mixed gas of carbon monoxide gas and nitrogen gas, the temperature is raised to 1,280°C at a temperature raising rate of 60°C/h, and after keeping that temperature for 12 h, the temperature is lowered.例文帳に追加

この多孔質体を石英ガラス製炉芯管を装着した横型管状炉内にセットし、一酸化炭素ガス及び窒素ガスの混合ガスを流通させ、１１００℃まで昇温させた後、６０℃／時間の昇温速度で１２８０℃まで昇温させ、その温度で１２時間保持し、その後冷却した。 - 特許庁

The DSP 12 controls the temporary RAM 33 divisionally as SIDEs (A) to (C) and temporary (A) and (B) and controls movements of a read pointer on the SIDEs (A) to (C) and copying of frame data read out of the SIDEs (A) to (C) to the temporary (A) and (B).例文帳に追加

ＤＳＰ１２は、テンポラリＲＡＭ３３を、ＳＩＤＥ（Ａ）〜（Ｃ）とテンポラリ（Ａ），（Ｂ）に分けて管理し、ＣＰＵ１１により設定されたパラメータに基づいて、ＳＩＤＥ（Ａ）〜（Ｃ）上のリードポインタの動きと、ＳＩＤＥ（Ａ）〜（Ｃ）から読み出されたフレームデータのテンポラリ（Ａ），（Ｂ）へのコピーとを管理する。 - 特許庁

When SAM12 determines that the strong connection S_C has not been already allocated to the other management devices 13_2, 13_3, 13_4, SAM 12, strong connection S_C is allocated to the management device 13_1 in a state that weak connection W_C (with authority to read) is kept among the management devices 13_2-13_4.例文帳に追加

ＳＡＭ１２は、他の管理装置１３＿２，１３＿３，１３＿４に対して強接続Ｓ＿Ｃを既に割り当てていないと判断すると、管理装置１３＿２〜１３＿４との間の弱接続Ｗ＿Ｃ（読み出し権限あり）を維持した状態で、管理装置１３＿１に強接続Ｓ＿Ｃを割り当てる。 - 特許庁

Then the positional deviation of each placed element C in the X- and Y-directions with respect to a reference line and a reference point provided on the stage 12 and the deviations in azimuth (θ) of the element C in the X-Y plane are measured by observing the position and azimuth of the ridge section of the element C by means of an image sensor 16.例文帳に追加

次に、半導体レーザ素子のリッジ部の位置及び方位をイメージセンサ１６で観測して、位置合わせステージ上の基準線及び基準点に対する半導体レーザ素子のＸ方向及びＹ方向の位置ずれ、並びにＸ−Ｙ平面内での方位（θ）のずれを測定する。 - 特許庁

The length of the card conveying pathway 13 from a card insertion/discharge slot 12 to the card stacker 14 can be shorter than a length dimension L(C) of a single card by an overlapped dimension ΔL of the card C(28) to be read/written and the storage card C(14).例文帳に追加

カード挿入排出口１２からカードスタッカ１４までの間のカード搬送路１３の長さを、カード１枚の長さ寸法Ｌ（Ｃ）よりもリードライト対象のカードＣ（２８）と収納カードＣ（１４）の重なり寸法ΔＬ分だけ短くできる。 - 特許庁

Kado no okimi (c. 669 - December, 705) was the first prince of the Prince Otomo (the Emperor Kobun). 例文帳に追加

葛野王（かどののおおきみ、天智天皇8年（669年）頃?-慶雲2年（705年）12月）は大友皇子（弘文天皇）の第一皇子。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

FUJIWARA no Yorimune (c. 992 to March 18, 1065) was a court noble during the mid to late Heian period. 例文帳に追加

藤原頼宗（ふじわらのよりむね、正暦3年（992年）?-康平8年2月3日(旧暦)（1065年3月12日））は平安時代中期から後期にかけての公家。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Munesuke HONJO (c. 1629 - September 9, 1699) was fudai daimyo (a daimyo in hereditary vassal to the Tokugawa family) in the early part of the Edo period. 例文帳に追加

本庄宗資（ほんじょうむねすけ、寛永6年（1629年）頃-元禄12年8月16日(旧暦)（1699年9月9日））は、江戸時代前期の譜代大名。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Teruhiro OUCHI (c. 1520 - January 1, 1569) was a busho (Japanese military commander) in the Sengoku Period (Warring States Period). 例文帳に追加

大内輝弘（おおうちてるひろ、永正17年（1520年）？-永禄12年11月25日(旧暦)（1569年1月1日））は、戦国時代(日本)の武将。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Takakazu SEKI (c. March, 1642 - December 5, 1708) was an Edo-period mathematician (of Japanese-style mathematics, called "wasan"). 例文帳に追加

関孝和（せきたかかず、寛永19年（1642年）3月?-宝永5年10月24日(旧暦)（1708年12月5日））は、日本の江戸時代の和算家（数学者）である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The method of manufacturing anhydrous nickel chloride includes a process in which nickel chloride hydrate is processed at about 200-about 240°C over less than 12 hours.例文帳に追加

水和塩化ニッケルを約２００〜約２４０℃で１２時間未満にわたって処理する工程を含む無水塩化ニッケルの製造方法。 - 特許庁

The method also includes ashing by using a mixture gas 12 containing hydrogen and helium gas at 200-400°C, and removing of the resist pattern 8.例文帳に追加

水素とヘリウムガスとを含む混合ガス１２を用いて、２００℃〜４００℃の温度でアッシングを行い、レジストパターン８を除去する。 - 特許庁

Exposure corresponding to a prescribed magnetic pattern is performed to the surface of a photoresist 12 on a silicon substrate 10 to expose the photoresist (c).例文帳に追加

シリコン基板１０上のフォトレジスト１２の表面に対し、所定の磁気パターンに相当する露光を行ない感光させる（ｃ）。 - 特許庁

This aqueous medicine composition contains methyl cellulose having ≤12 mPa.s viscosity in 2 w/v% aqueous solution at 20°C.例文帳に追加

２ｗ／ｖ％水溶液の２０℃における粘度が１２ｍＰａ・ｓ以下であるメチルセルロースを含有する水性医薬組成物。 - 特許庁

The resulting powder is filled in an alumina crucible and held at 600°C for 12 hours in a hydrogen furnace, and then left to cool down and thereby the treated rhenium powder is obtained.例文帳に追加

得られた粉末をアルミナ製のるつぼに入れて、水素炉で６００℃に１２時間保持し放冷後、処理されたレニウム粉末を得る。 - 特許庁

A line correlation Y/C separation circuit 12 obtains line correlation of input video signals to acquire a line correlation processing luminance signal.例文帳に追加

ライン相関Ｙ／Ｃ分離回路１２は入力映像信号のライン相関を求めてライン相関処理輝度信号を得る。 - 特許庁

A nucleus 14 of titanium is formed by sputtering on a lower electrode 12 of iridium as shown in Fig. C.例文帳に追加

図１Ｃに示すように、イリジウムの下部電極１２の上に、スパッタ法によりチタンの核１４を形成する。 - 特許庁

When temperature of the bimetal 13 gets lower than 40°C, that 13 deforms so as to reduce a contact area with the battery 12.例文帳に追加

バイメタル１３は、その温度が４０℃よりも低くなると、電池１２に対する接触面積を減少させるように変形する。 - 特許庁

Titanium oxide membranes 11 and VO2 membranes 12 are alternately laminated on an Al2O3 substrate 13 in a thickness of 5 nm at 700°C.例文帳に追加

Ａｌ_2Ｏ_3基板１３上に、温度７００℃に設定して酸化チタン薄膜１１とＶＯ_2薄膜１２を、それぞれ厚さ５ｎｍにして交互に積層する。 - 特許庁

The piezoelectric element 10 includes the piezoelectric ceramics 12, having a laminar perovskite structure and has a C axis, which is selectively oriented in the thickness direction.例文帳に追加

圧電素子１０は、層状ペロブスカイト構造を有する圧電体セラミックス１２を含み、厚み方向に選択配向したＣ軸を有する。 - 特許庁

Next, a plurality of nanowire patterns respectively including a plurality of the nanowires 12 are formed on the substrate 11 by evaporating the solvent (C).例文帳に追加

次に、溶媒を蒸発させることで、基板１１上に、それぞれ複数のナノワイヤ１２を含んでなる複数のナノワイヤパターンが形成される（Ｃ）。 - 特許庁

The filter 14 eliminates a signal component in an audible band from the n-harmonic signal generated in the class C amplifier 12.例文帳に追加

フィルタ１４は、Ｃ級増幅器１２で発生したｎ高調波信号から可聴帯域の信号成分を除去する。 - 特許庁

A two-dimensional Y/C separating circuit 12 separates a composite video signal into a brightness signal Y0 and a color signal C0.例文帳に追加

２次元Ｙ／Ｃ分離回路１２はコンポジット映像信号を輝度信号Ｙ０と色信号Ｃ０とに分離する。 - 特許庁

The film 12 is dried by blowing gas at a temperature of 105°C or lower until the residual amount of solvent becomes 10 wt.% or less.例文帳に追加

溶媒残留率が１０重量％になるまで、温度が１０５℃以下の気体を吹き付けてフィルム１２を乾燥する。 - 特許庁

An antitheft reinforcement member 50 includes a corner reinforcement portion 56 adjacently provided along an inner surface 70 of the side wall 12 of the corner portion C.例文帳に追加

盗難防止補強部材５０は、角部Ｃの側壁１２の内面７０に沿って隣接して設けられた角補強部５６を備える。 - 特許庁

Benzotriazole is heated (at 200°C) under the evacuated environment (12 mmHg), and the sublimed benzotriazole is vapor-deposited on the surface of the copper product.例文帳に追加

減圧（１２mmHg）された環境下でベンゾトリアゾールを加熱（２００℃）し、これにより昇華したベンゾトリアゾールを銅製品表面に蒸着させる。 - 特許庁

The first probe 11 has a sub array A and a sub array B, and the second probe 12 has a sub array C and a sub array D.例文帳に追加

第１プローブ１１は、サブアレイＡとサブアレイＢを備えており、第２プローブ１２は、サブアレイＣとサブアレイＤを備えている。 - 特許庁

It is then heat treated at 600°C for 12 hours in a nitrogen atmosphere in order to crystallize the a-Si film 12a thus forming a CGD film 13.例文帳に追加

そして、窒素雰囲気中にて６００℃、１２時間の加熱処理を行って、ａ−Ｓｉ膜１２ａを結晶化して、ＣＧＳ膜１３を形成する。 - 特許庁

The lower unit 12 has a bracket 12.1 of C-shape type, and a gripper unit 6 is attached on the bracket.例文帳に追加

下部ユニット１２は、Ｃ字型のブラケット１２．１を有し、このブラケット上に、グリッパユニット６が取り付けられている。 - 特許庁

Connection spaces 12, 13 are provided between two unit elements A and C nipping each barlike member b1 to b7 of one unit element B.例文帳に追加

一つの単位要素Ｂの各棒状部材ｂ１〜ｂ７を挟んでいる二つの単位要素間Ａ・Ｃに連結空間１２・１３が介在している。 - 特許庁

Thereafter, the blowing plug 2 is removed from the inner wall part 12 of the tundish 1 in a state in which the substantial temperature of the blowing plug 2 is kept ≥120°C.例文帳に追加

その後、吹込プラグ２の実質温度を１２０℃以上に保持した状態で、吹込プラグ２をタンディッシュ１の内壁部１２から取り外す。 - 特許庁

The amorphous thin film 12 has resistance to a process performed at a temperature equal to or more than 300°C when the microcrystal thin film 13 having the cubic structure is formed.例文帳に追加

前記非晶質薄膜１２は、立方晶構造を有する微結晶薄膜１３を形成する際の３００℃以上のプロセスに耐性を有する。 - 特許庁

Plasma containing hydrogen radicals 14 is generated at 400°C and the nitride film 12 is exposed thereto.例文帳に追加

４００℃の温度で水素ラジカル１４を含むプラズマを発生させ、このプラズマ中に窒化膜１２を晒す。 - 特許庁

However, if the wafer W is held aslant in the cassette C, the output signals of the first and second wafer sensors 11 and 12 are not consisted with each other.例文帳に追加

もしも、カセットＣ内にウエハＷが斜めに収容されていると、第１および第２ウエハセンサ１１，１２の出力信号が不一致になる。 - 特許庁

An Ag film 12 as a light-reflecting film is formed on one surface of a substrate 10 made of (a-C) of this scintillator panel.例文帳に追加

シンチレータパネル１のａ−Ｃ製の基板１０の一方の表面には、光反射膜としてのＡｇ膜１２が形成されている。 - 特許庁

Also, a pump 16 having a wavelength of the lower side of the C-band, e.g. the wavelength of 980 nm or 1480 nm can be also coupled to the fiber 12.例文帳に追加

また、Ｃバンドの下側の波長のポンプ１６、たとえば９８０ｎｍまたは１４８０ｎｍのポンプを結合するようにすることも可能である。 - 特許庁

A projection 21 for pressurization is provided in the end part region C of the upper shaft 11 and pressurizes a male serration tooth 18 of the lower shaft 12.例文帳に追加

アッパシャフト１１の端部領域Ｃには、加圧用突起２１が設けられて、ロアシャフト１２の雄セレーション歯１８を加圧している。 - 特許庁