「CONTACT PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

In a standard ion exchange process for removing anionic pollutants, polluted drinking water is brought into contact with a strongly basic anion-exchange resin in a pressure container.例文帳に追加

アニオン性汚染物の除去用標準イオン交換プロセスにおいて、汚染された飲料水は圧力容器内で強塩基性アニオン交換樹脂と接触させられる。 - 特許庁

Grout 30 locked in contact with the tapered inner peripheral surface of the straight pipe shaped steel pipe 12 is bored to form an elongate hole H (a grout boring process).例文帳に追加

直管状鋼管１２のテーパ形状の内周面に接して係止されているグラウト３０へ削孔を行って長孔Ｈを形成する（グラウト削孔工程）。 - 特許庁

A method for the production of the composition includes a process bringing the nanoparticles into contact with tyloxapol for a sufficient period of time and under conditions for forming the nanoparticles-tyloxapol composition.例文帳に追加

該組成物の製造方法は、該ナノ粒子とチロキサポールとをナノ粒子−チロキサポール組成物を得るのに十分な時間及び条件下で接触させる工程を含む。 - 特許庁

Furthermore, the method includes a process of forming a contact trench under the part of the semiconductor layer where the mask layer is removed using an inter-layer film containing silicon oxide as a mask.例文帳に追加

また、シリコン酸化物を含む層間膜をマスクにして、半導体層におけるマスク層が除去された部分の下にコンタクトトレンチを形成する工程を有する。 - 特許庁

To form a contact plug with a CVD process without deteriorating characteristics in ferroelectric capacitor in a semiconductor device having a micro ferroelectric capacitor.例文帳に追加

微細な強誘電体キャパシタを有する半導体装置において、強誘電体キャパシタの特性を劣化させることなく、ＣＶＤ法により、コンタクトプラグを形成する。 - 特許庁

In the part of the decarburized layer to roll contact a mating surface, the layer is removed by a finishing process performed after heat treatment while the decarburized layer is left intact at each corner part.例文帳に追加

この脱炭層のうち、相手面と転がり接触する部分は、熱処理後に行なう仕上加工により除去するのに対して、各隅角部の脱炭層はそのまま残す。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same which is capable of preventing a barrier layer from being damaged in a planarization process for forming a contact plug.例文帳に追加

コンタクトプラグの形成のための平坦化工程で障壁層が損傷することを防止することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To simplify a process through which a polysilicon electrode and a contact for a silicon substrate are formed as located at different depths in a silicon oxide film in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子において、互いにシリコン酸化膜の異なる深さに位置するポリシリコン電極及びシリコン基板に対するコンタクトの形成工程を簡単にする。 - 特許庁

To completely suppress peeling of interlayer film resulting from weakness in strength of close contact of a low-k film and damage generated during the dicing process.例文帳に追加

本発明は、ｌｏｗ−ｋ膜の密着強度の弱さやダイシング時のダメージに起因する、層間膜剥がれを抑制できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

A manufacturing period is shortened and the increase of the production cost is restrained since the spiral contact piece 20 and the projection 22c are formed in an identical process.例文帳に追加

前記スパイラル接触子２０と凸部２２ｃとを同じ工程で形成することができるため、製造時間が短く、製造コストの高騰も抑制することができる。 - 特許庁

To provide a non-contact IC tag device which can eliminate the process of attaching an IC tag to an electronic device such as a liquid crystal panel and can form the IC tag in low profile.例文帳に追加

液晶パネルなどの電子デバイスにＩＣタグを取り付ける工程を無くし、かつ薄型にＩＣタグを形成できるようにした非接触ＩＣタグ装置を提供すること。 - 特許庁

The process cartridge includes an image holding body, a charging means to be in contact with the image holding body to charge the image holding body, and a fixing mechanism to prevent rotation of the image holding body.例文帳に追加

像保持体と、像保持体と接触して像保持体を帯電する帯電手段と、像保持体の回転を防止する固定機構とを有するプロセスカートリッジである。 - 特許庁

To provide an inspection method, performing an inspection for the process confirmation for a structure in a micro-machine, the inspection for electric characteristic and the inspection for mechanical characteristic in non-contact state.例文帳に追加

マイクロマシンにおける構造体の工程確認の検査、電気特性の検査及び機械特性の検査を非接触で行う検査方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor, suitable for facilitating contact with an inspection pad in an inspection process.例文帳に追加

１つの実施形態は、例えば、検査工程における検査用パッドへのコンタクトを容易化することに適した半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cooling device in which generation of noise due to contact of fins caused by vibration is suppressed by securing fins mutually through a simple means, and to provide its manufacturing process.例文帳に追加

フィン同士を容易な手段で固定し、振動でフィン同士が接触することによる騒音の発生を抑制する冷却装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Prior to a hot dip coating process, the treatment to bring an aqueous solution containing a silicon compound (e.g. an aqueous solution of sodium orthosilicate) into contact with the surface of a plating base material is performed.例文帳に追加

溶融めっき工程の前に、珪素化合物を含有する水溶液 (例、オルト珪酸ナトリウム水溶液) をめっき基材表面に接触させる処理を行う。 - 特許庁

In the second process, a mixture solution in the vessel 24 is sucked to a nozzle 39 having a separation chip 31 and the mixture solution is brought to contact with a solid phase 38 expressing bondability to a specific base sequence.例文帳に追加

第２工程で分離チップ31を有するノズル39に容器24の混合液を吸引し特定の塩基配列に結合性を示す固相38と混合液とを接触させる。 - 特許庁

In the last steaming process, the area of the bottom of the inner pot 10 is expanded again to increase the contact with the pot bottom face and extract excessive water in a short period of time.例文帳に追加

最後の蒸らし工程は、再度内鍋１０の底部の面積を広くして、鍋底面との接触を増やし、短時間で余分な水分をとばすようにすることができる。 - 特許庁

The buffer layer 6 can be formed at a deep position from a back contact surface, thus suppressing the occurrence of a punch through phenomenon caused by the flaw, or the like during the manufacturing process.例文帳に追加

裏面接触面から深い位置にバッファ層６を形成することができるため、製造工程中についた傷などによるパンチスルー現象の発生が抑制される。 - 特許庁

Thus, the need for the mask to form the p+-type contact region 8 and the p+-type region 16a is eliminated, and the manufacturing process of the semiconductor device is simplified.例文帳に追加

これにより、ｐ^+型コンタクト領域８やｐ^+型領域１６ａを形成するためのマスクが必要なくなり、半導体装置の製造工程の簡略化を図ることができる。 - 特許庁

The method for debrominating a plastic containing a bromine compound comprises (1) a process for heating and melting the plastic containing the bromine compound, (2) a process for bringing the molten plastic containing the bromine compound into contact with water vapor in the presence of a hydrogenating agent to debrominate the plastic and (3) a process for recovering the debrominated plastic.例文帳に追加

（１）臭素化合物含有プラスチックを加熱し、溶融させる工程、（２）溶融させた臭素化合物含有プラスチックを、水素化剤の存在下で、水蒸気と接触させ、脱臭素処理する工程、（３）脱臭素処理されたプラスチックを回収する工程を含む臭素化合物含有プラスチックの脱臭素方法。 - 特許庁

This analysis method of PCB is characterized by including (1) a process for bringing the hydrophobic sample into contact with oleum impregnated silica gel satisfying following conditions, as a pretreatment process, and (2) an immunoassay process utilizing an antigen-antibody reaction between the PCB subjected to the pretreatment and the antibody.例文帳に追加

本発明のＰＣＢ類の分析方法は、(1)前処理工程として、前記疎水性試料を、以下の条件を満足する発煙硫酸含浸シリカゲルと接触させる工程、および(2)当該前処理を付した後のＰＣＢ類と抗体との抗原抗体反応を利用したイムノアッセイ工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a metal oxide thin film comprises a process where a vaporous metal oxide precursor is brought into contact with the surface of a solid, a process where the metal oxide precursor is adsorbed on the surface of the solid, and a process where the metal oxide precursor is hydrolyzed to form the metal oxide thin film.例文帳に追加

固体表面に蒸気状態の金属酸化物前駆体を接触させる工程と、前記金属酸化物前駆体を前記固体表面に吸着させる工程と、前記金属酸化物前駆体を加水分解して金属酸化物薄膜を形成する工程とを含む、金属酸化物薄膜の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the nonaqueous electrolyte secondary battery includes a process in which a metallic membrane mainly composed of lithium is made to contact with a surface of a layer containing an anode active substance to make a reaction between lithium and the anode active substance, and a process in which a group of electrodes are composed by assembling the anode made in the above process and a cathode.例文帳に追加

負極の活物質を含む層の表面に、リチウムを主体とする金属膜を接触させて、リチウムと負極の活物質とを反応させる工程、および前記工程を経た負極を正極と組み合わせて電極群を構成する工程を有する非水電解質二次電池の製造方法。 - 特許庁

Scanning movement of the probe relative to the measuring point comprises a process for sending the probe at fixed intervals in the noncontact state with the sample by an XY fine-movement mechanism 29 or an XY stage 14 a process for bringing the probe close to the sample and into contact therewith at the measuring point, and a process for retreating the probe from the sample.例文帳に追加

測定点に関する探針の走査移動では、ＸＹ微動機構２９またはＸＹステージ１４によって、探針を試料と非接触状態にて一定間隔で送る行程と、測定点で探針を前記試料に接近・接触させる行程と、探針を試料から退避させる行程を行う。 - 特許庁

An anisotropic etching process carried out by the use of a magnetron etching device and an ashing process for removing a fluorocarbon polymer 14 produced in the above etching process are repeatedly carried out three times or so, by which a contact hole 13 is provided to the interlayer insulating film 9 so as to extend to a source/ drain region 6.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜１０および内壁膜１２ａをマスクとして、マグネトロンエッチング装置を用いた異方性エッチングと、このエッチングで生じたフロロカーボンポリマー１４を除去するアッシングとを３回程度繰り返し行うことにより、層間絶縁膜９にソース／ドレイン領域６に達するコンタクトホール１３を形成する。 - 特許庁

A system includes a process for arranging a buttress containing the first reactive component 4 on a tissue, a process for shooting at least one staple containing the second complementary reactive component, from a stapler, and for bringing the at least one staple into contact with the buttress, and a process for starting a chemical reaction.例文帳に追加

第一の反応性成分４を含有するバットレスを組織上に配置する工程；第二の相補的反応性成分を含有する少なくとも１つのステープルをステープラーから発射する工程であって、該少なくとも１つのステープルが該バットレスに接触する、工程；および化学反応を開始させる工程。 - 特許庁

The method for production of spherical glass powder includes: a process for pulverizing a silicon oxide-containing glassy substance to form a pulverized material; a process for spheroidizing the pulverized material by heating in a floating state to form a spheroidized material; and a process for acid-treating by bringing the spheroidized material into contact with an acid.例文帳に追加

酸化ケイ素含有ガラス質物質を粉砕して粉砕物を形成する粉砕工程、前記粉砕物を浮遊状態で加熱して前記粉砕物を球状化して球状化物を形成する球状化工程、及び、酸と接触させる酸処理工程、を包含する、球状化ガラス粉末の製法。 - 特許庁

The method for producing the paper container includes a process for punching a blank 200 from the back, a process for making the end face of the blank 200 contact a round bar 401 or the back of a plate while the blank 200 being conveyed, and a process for making a box.例文帳に追加

、紙容器の製造方法において、裏面からブランク２００を打ち抜く工程と、ブランク２００を搬送しながらブランク端面を丸棒４０１に当てる工程、もしくはブランク２００を搬送しながらブランク端面をプレートの背に当てる工程と、製函する工程とからなることを特徴とする紙容器の製造方法を提供する。 - 特許庁

The server 3 is provided with a web page storing a service application including: a process for displaying a menu in a display of the mobile phone 5; a process, in which a user selects data based on the displayed menu and directly inputs sentences; or a process for screening the input data on the non-contact reading device 8.例文帳に追加

サーバ３には、携帯電話機５のディスプレイに、メニューを表示する手順、利用者が表示されたメニューに従ってデータを選択したり、直接文章入力する手順、あるいは入力したデータを非接触読取り装置８にかざす手順を含んだサービスアプリケーションを格納するウェブページが設けられている。 - 特許庁

The chemical and mechanical method for polishing the surface of semiconductor wafer using the polishing pad 1 having the recessed groove 4 formed by the emboss process includes a process to generate relative motion between the semiconductor substrate and polishing pad 1 and the process to place the surface of the semiconductor substrate in contact with the polishing pad 1.例文帳に追加

エンボス加工により形成された凹条の溝４を有する研磨パッド１を用いて半導体ウエハ表面を化学機械研磨する方法は、半導体基板及び研磨パッド１との間に相対運動を生じさせる工程と、半導体基板表面を研磨パッド１に接触させる工程と、から成る。 - 特許庁

The platform repair method comprises a damaged parts removing process for completely piercing a crack part and forming a thorough-hole 4 tapered towards a centrifugal direction, an insert material fitting process for fitting an insert material 5 into the hole 4, and a welding process for conducting laser welding at the point of contact.例文帳に追加

クラック部分を完全に貫き、遠心力方向に向かって先細りとなる貫通孔４を形成する損傷部分除去工程と、インサート材５を貫通孔４に嵌め込むインサート材取り付け工程と、これらの接触部分をレーザー溶接する溶接工程とを有するプラットホーム補修方法を採用した。 - 特許庁

In the horizontal heat treatment furnace provided with a process tube having an opening end at one end and a shutter blocking the opening end part through a blocking face which is brought into contact with the opening end part, a recessed part having a function for exhausting process gas supplied to the process tube is made on a blocking face of the shutter.例文帳に追加

一端に開口端部を有するプロセスチューブと、前記開口端部と接触する閉塞面を介して前記開口端部を閉塞するシャッターとを備える横型熱処理炉において、前記プロセスチューブに供給されるプロセスガスを排気する機能を有する凹部が前記シャッターの閉塞面に穿設されていることを特徴とする。 - 特許庁

The anode forming process includes a process of forming an insulating film 15 on the anode A after patterning the anode A in a predetermined shape, and further providing the insulating film 15 with an opening to expose the metal, and in the organic layer forming process, the organic layer 10 is formed to come into contact with the metal in the opening.例文帳に追加

又陽極形成工程は、陽極Ａを所定の形状にパターニングした後、陽極Ａ上に絶縁膜１５を形成し、更に絶縁膜１５に開口を設けて金属を露出させる処理を含み、有機層形成工程は、開口にて金属と接するように有機層１０を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor device comprises a first film forming process to form a barrier film and a copper film to any of a wiring groove and a contact hole formed on an insulation film of a semiconductor substrate, a second film forming process to form an oxygen diffusion preventing film on the copper film, and a copper film heat treatment process to execute heat treatment of the copper film.例文帳に追加

半導体基板の絶縁膜上に形成された配線溝およびコンタクト孔のいずれか一つに、バリア膜と銅膜を成膜する第１の成膜工程と、銅膜上に酸素拡散防止膜を形成する第２の成膜工程と、銅膜の熱処理を行う銅膜熱処理工程を有する。 - 特許庁

The method for production of spherical glass powder includes: a process for pulverizing a silicon oxide-containing glassy substance to form a pulverized material; a process for acid-treating the pulverized material by bringing it into contact with an acid; and a process for heating the resulting material in a floating state to form a spheroidized material.例文帳に追加

酸化ケイ素含有ガラス質物質を粉砕して粉砕物を形成する粉砕工程と、酸と接触させる酸処理工程と、その後酸処理した粉砕物を浮遊状態で加熱して球状化して球状化物を形成する球状化工程、を包含する、球状化ガラス粉末の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method of the wiring board includes a process for forming a plurality of patterned wiring on a substrate, a process for depositing the insulating film on the wiring, a process for arranging the wiring in environment for allowing the wiring to be subjected to etching treatment, and a process for forming a conductive layer for electrically connecting the wiring to a contact hole provided in the insulating film.例文帳に追加

基板上に、パターニングされた複数の配線を形成する工程と、前記配線上に絶縁膜を成膜する工程と、前記基板を、前記配線をエッチング処理する環境に配置する工程と、前記配線と、前記絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して電気的に接続する導電層を形成する工程と、を備えた配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The formation method of a thin-film transistor comprises a first process for forming a source electrode and a drain electrode in the element side board, a second process for forming a semiconductor layer brought into contact with the source electrode and the drain electrode, a third process for forming a gate insulating layer which overlaps with the semiconductor layer, and a fourth process for forming a gate electrode which overlaps with the gate insulating layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極に接する半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記ゲート絶縁層に重なるゲート電極を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

More preferably, the process of producing the valuables is by a biological process; the hydrothermal oxidation treatment process is a process including the reaction to convert the ammonia nitrogen existing in the residues to nitrate nitrogen by oxygen oxidation, and preferably to effect a hydrothermal oxidation reaction by bringing object wastes to be treated into contact with an oxidation catalyst in the presence of the oxygen.例文帳に追加

有価物を生産する工程が生物学的プロセスによること、前記水熱酸化処理工程は、前記残渣中に存在するアンモニア態窒素を酸素酸化によって硝酸態窒素に転換する反応を含む工程であること、また酸素存在下において、被処理物と酸化触媒とを接触させて水熱酸化反応を行うものであることが好ましい。 - 特許庁

A polyoxyethylene alkyl ether sulfate is produced by carrying out a sulfation reaction process for bringing a polyoxyethylene alkyl ether into contact with a SO3-containing gas at ≥40°C to sulfate the polyoxyethylene alkyl ether, a cooling process for cooling the reaction product of the sulfation reaction process at ≥1°C/s cooling rate to ≤30°C and a neutralization process for neutralizing the reaction product after the cooling process.例文帳に追加

反応温度４０℃以上で、ポリオキシエチレンアルキルエーテルとＳＯ_３含有ガスとを接触させて硫酸化する硫酸化反応工程と、この硫酸化反応工程の反応生成物を、１℃／ｓ以上の冷却速度で、３０℃以下の温度に冷却する冷却工程と、この冷却工程後の反応生成物を中和してポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩を製造する中和工程を行ってポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩を製造する。 - 特許庁

The manufacturing method 800 of an analysis module, having an accessible conductive contact pad includes a process 810 of forming an insulated substrate having an upper face, a micro-channel in the upper face, and the conductive contact pad arranged on the upper face.例文帳に追加

アクセス可能な導電性接触パッドを備えた分析モジュールの製造方法８００は、上面、上面内のマイクロチャネル、および上面に配置された導電性接触パッドを備えた絶縁基板を形成する過程８１０を含んでいる。 - 特許庁

To laminate a wafer electrode and a contact by facilitating alignment of the wafer electrode and a contact probe stably over a long term even in a production process employing a large number of inspection boards and a large number of alignment devices when inspection of wafers is conducted in a block.例文帳に追加

ウエハ一括での検査を行う場合に、多数の検査ボード、多数のアライメント装置を用いる生産工程であっても、長期的に安定してウエハ電極とコンタクトプローブの位置合わせを容易に行いコンタクトと貼り合わせることを目的とする。 - 特許庁

An electronic component W having completed a preceding process of an electric test unit E is positioned on a vertical axis of a contact C constituting the electric test unit E and stopped there, and the electronic component W held by a suction nozzle V1 is positioned right above the contact C.例文帳に追加

電気テストユニットＥの前工程を終えた電子部品Ｗが、電気テストユニットＥを構成するコンタクトＣの垂直軸上に位置し停止し、吸着ノズルＶ１に保持された電子部品ＷがコンタクトＣの直上に位置する。 - 特許庁

In a post-photolithography process, when a photomask is brought into contact with a substrate coated with a nitride semiconductor layer by using a contact-type exposure device, since pressure is equally applied to the whole surface of a substrate 11, cracks of the substrate are prevented.例文帳に追加

後のフォトリソグラフィ工程において、接触型の露光装置を用いてフォトマスクと窒化物半導体層が形成された基板とを接触させたときに、基板１１の表面全体に均等に圧力が加えられるので、基板割れが防止される。 - 特許庁

To provide configuration of a contact probe card capable of easily uniform arrangement in a manufacturing process of the contact probe card by being applied to inspection of a minute electronic circuit element arranged in a compact state and comparatively facilitating elastic deformation.例文帳に追加

コンパクトな状態にて配置された微細な電子回路素子の検査に適用でき、弾性変形が比較的容易であり、かつコンタクトプローブカードの製造工程において容易に均一な配置を可能とするようなコンタクトプローブカードの構成を提供すること。 - 特許庁