「Dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method, which does not require skill, for positioning a decorative plate while a subtle dislocation being corrected when the decorative plate is joined to a metal body.例文帳に追加

化粧板を金属製躯体に接合する際、微妙なズレを修正しながら位置合わせができ、素人でも施工できる方法を提供する。 - 特許庁

Upon dislocation in the circumferential direction after being fastened by the pawls 9, the outer cylinder 4 is further tightened by the pawls 9.例文帳に追加

複数の加締め爪９により外筒４を加締めた後、周方向における位置をずらして外筒４を複数の加締め爪９により再度加締める。 - 特許庁

Further the transport device is equipped with a work attitude/position acknowledging part to acknowledge the dislocation amount of the work position with the aid of an alignment camera installed on the work stage.例文帳に追加

また、該搬送装置は、ワークステージ上に設けたアライメントカメラにより、帯状ワーク位置のずれ量を認識するワーク姿勢位置認識部を備える。 - 特許庁

Nitrogen as an element having an action of hardening impurities and a dopant other than nitrogen are jointly doped, so that the GaAs single crystals having small dislocation density can be obtained.例文帳に追加

不純物硬化作用元素としての窒素と、窒素以外のドーパントとを共にドープすることにより転位密度が小さいＧａＡｓ単結晶が得られる。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor element wherein the generation of dislocation is suppressed by the relaxiation of distortion in a gallium nitride system semiconductor using half-polarity.例文帳に追加

半極性を利用する窒化ガリウム系半導体において、歪みの緩和により転位の発生を抑制されたIII族窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

Consequently, the silicon wafer for substrate which is excellent in impurity concentration profiles and capable of growing an epitaxial growth film with less misfit dislocation is manufactured.例文帳に追加

したがって、不純物濃度プロファイルに優れ、かつミスフィット転位の少ないエピタキシャル成長膜を成長させられる基板用シリコンウェハを製造することができる。 - 特許庁

The longitudinal and lateral dislocation of the right and left ischial bones with respect to the backrest is prevented to prevent the posture from being worsened even if sitting for many hours.例文帳に追加

背もたれに対し左右の坐骨の前後左右のズレを予防することによって、長時間座っていても姿勢が悪くなることを予防する。 - 特許庁

The back and the right and left ischial bones can thereby be kept parallel to prevent or straighten the longitudinal dislocation of the right and left ischial bones and the back.例文帳に追加

このことによって背中と左右の坐骨を平行に保たせることができるため、背中と左右の坐骨の前後のズレを予防または矯正する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor manufacturing method which is capable of manufacturing a nitride semiconductor that has a flat surface and is lower in dislocation density than one manufactured through a conventional two-stage growth method.例文帳に追加

従来の２段階成長法よりも転位密度が低く、且つ表面が平坦な窒化物半導体を製造することを可能にする。 - 特許庁

To provide a light emitting diode that can reduce the concentration of helical dislocation generated in an epitaxial layer structure, as well as a manufacturing method thereof.例文帳に追加

エピタキシャル層状構造に発生するらせん転位の密度を一層下げることができる発光ダイオードとその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a joining tool usable even if axial dislocation is caused a little, and capable of reducing manufacturing cost of a precast concrete member.例文帳に追加

多少芯ずれが生じても用いることができるとともに、プレキャストコンクリート部材の製作コストを低減することができる接合具を提供する。 - 特許庁

To provide a headrest device and a vehicle seat capable of enhancing the supporting performance by suppressing dislocation of the occupant head to the left or right when the vehicle goes in collision.例文帳に追加

車両の衝突時に乗員の頭部の左右のずれを抑制して支持性能を向上させたヘッドレスト装置及び座席シートを提供する。 - 特許庁

To provide a method of detecting a defect, in more detail, a dislocation emerged in an element having at least one crystalline germanium based surface layer.例文帳に追加

欠陥を、さらに詳細には、少なくとも1つのゲルマニウム系の結晶表面層を有するエレメントに発生した転位を、検出する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal ingot that has no propagation of thermal dislocation and no crack and that is safe for handling, and to provide a method for manufacturing the ingot.例文帳に追加

熱的な転位の伝播が無いことに加え、クラックがなく取り扱い上も安全となる単結晶インゴットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, a semiconductor device and a production method therefor, with which a dislocation density is reduced and the characteristics of the device can be improved.例文帳に追加

転位密度を低減し、素子の特性を向上させることができる半導体レーザおよび半導体素子並びにそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the pipe frame 14 can be composed of a small number of components, and the dislocation of each component due to tolerance or distorted welding is prevented.例文帳に追加

これにより、パイプフレーム１４は、少ない部品点数で形成することができ、また個々の部品の公差や溶接の歪による位置ずれを防止することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrostatic actuator capable of effectively preventing joining dislocation between substrates in a film forming process of a high lubrication hard film.例文帳に追加

高潤滑硬質膜の成膜工程において基板間の接合ズレを効果的に防止することが可能な静電アクチュエーターの製造方法を提供する。 - 特許庁

That is to say, when the electron mobility is at 100 cm2/Vs or more, the Schottky contact can be formed on the n-GaN wafers irrespective of the dislocation density.例文帳に追加

すなわち、電子移動度１００ｃｍ^２／Ｖｓ以上であれば、転位密度に関係なく、ｎ−ＧａＮ上に良好なショットキー接触が形成できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal substrate by which dislocation density can be decreased and to provide a group III nitride crystal substrate and a semiconductor device.例文帳に追加

転位密度を低減できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板、および半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

A foundation layer 13 for composing a semiconductor light- emitting device 20 contains Al, and-consists of a nitride semiconductor having a dislocation density of 10^11/cm^2 or less.例文帳に追加

半導体発光素子２０を構成する下地層１３はＡｌを含み、転位密度が１０^11／ｃｍ^２以下の窒化物半導体から構成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor thin film crystal having a low dislocation density in an epitaxial growth on a substrate having largely different lattice constant.例文帳に追加

格子定数の大きく異なる基板上へのエピタキシャル成長において、低転位密度の半導体薄膜結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The substrate information such as the substrate size, mounting direction, inclination, and dislocation is detected by an arithmetic process from the end section positions of the detected glass substrate.例文帳に追加

また、検出したガラス基板１５の端部位置から演算処理によって基板サイズ、載置方向、傾き、位置ズレ等の基板情報を検出する。 - 特許庁

The skin film or sheet is adhered surely to the cavity surface to prevent positional dislocation and the generation of wrinkles caused by contraction/deformation during foaming.例文帳に追加

それにより、表皮フィルムまたはシートはキャビティ面に確実に密着し、発泡成形時に、収縮変形して位置ズレやしわが生じるのが回避される。 - 特許庁

To improve the fracture dislocation when being subjected to a bending load in an automobile energy absorbing member composed of an Al-Zn-Mg-based aluminum alloy extruded material.例文帳に追加

Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ系アルミニウム合金押出材からなる自動車のエネルギー吸収部材において、曲げ荷重を受けたときの破断変位を改善する。 - 特許庁

An azimuth angle, a dislocation degree from an aim and an object range can be determined from the second signal, the third signal or a combination of these signals.例文帳に追加

方位角度、照準からのずれの程度、及び物体の範囲は、第２信号、第３信号又はそれらの組合せから決定することができる。 - 特許庁

To provide a method of forming a SiGe bipolar transistor substantially excluding dislocation defects present between an emitter and collector region.例文帳に追加

エミッタ領域とコレクタ領域の間に存在する転位欠陥を実質上含まないＳｉＧｅバイポーラ・トランジスタを形成する方法を提供すること。 - 特許庁

In another embodiment, the formation position of each semiconductor element in the wafer surface is determined based on the information so that dislocation and lamination defects are avoided.例文帳に追加

別の態様では、当該情報に基づいて、ウェハ面内における各半導体素子の形成位置を、転位、積層欠陥を避けるように決定する。 - 特許庁

Further, the dislocation density can be measured by counting etch pits through an optical microscope etc., and then the quality of the crystal can be evaluated.例文帳に追加

また、エッチピットの個数を光学顕微鏡などを用いて数えることで、転位密度を測定することができ、結晶の品質を評価することができる。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor for characteristic evaluation which can prevent the generation of distortion or dislocation of a semiconductor layer when it is brought into contact with a probe.例文帳に追加

プローブを接触させた際の半導体層の歪みや転位の発生を防止できる新規な特性評価用ヘテロ接合バイポーラトランジスタの提供。 - 特許庁

In the crystal 50, it is preferable that the average dislocation density is not more than 5x10^3 cm^-2 and the diameter is at least 8 inches.例文帳に追加

半導体結晶５０においては、平均転位密度が５×１０^3ｃｍ^-2以下であることが好ましく、また、直径が８インチ以上であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a diode having a structure capable of reducing the effect of the layout of a core section having a high threading dislocation density and increasing an element area.例文帳に追加

高い貫通転位密度を有するコア部の配置の影響を低減することができ素子面積を大きくできる構造のダイオードを提供する。 - 特許庁

The silicon single crystal grown by a CZ method has a crystal axis orientation [110] and a dislocation in the crystal length direction at the center part of the crystal.例文帳に追加

ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶の結晶軸方位が［１１０］であり、結晶長さ方向に、かつ結晶の中心部に転位が存在する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor epitaxial wafer which reduces a through dislocation and a leakage current and is suitable for manufacture of a high frequency nitride semiconductor transistor.例文帳に追加

貫通転位及びリーク電流が低減され、高周波用の窒化物半導体トランジスタの製造に適した窒化物半導体エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a silicon seed crystal, by which a non-dislocation silicon single crystal in a wide range of impurity concentration is manufactured without using a necking step.例文帳に追加

広い不純物濃度範囲の無転位シリコン単結晶をネッキング工程を用いずに製造することを可能にするシリコン種子結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a method for heat treatment of a silicon wafer capable of inhibiting generation of dislocation and aggravation in wafer surface roughness during a semiconductor device process.例文帳に追加

半導体デバイスプロセスにおける転位の発生およびウェーハ表面の粗さの悪化を抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, strained stress caused in the interface between the buried silicon oxide film 12 and the bulk layer 14 can be reduced, thus suppressing the occurrence of dislocation.例文帳に追加

その結果、埋め込みシリコン酸化膜１２とバルク層１４との界面に生じる歪み応力が低減し、転位の発生を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride substrate having a low dislocation density and a semiconductor device manufactured by the method.例文帳に追加

転位密度が小さいIII族窒化物基板を製造することが可能な製造方法およびそれを用いて製造される半導体装置を提供する。 - 特許庁

Both split molds are connected integrally to both parting surfaces, and the joint by a taper pin 19 and a step 21 is provided for preventing the dislocation of the parting line.例文帳に追加

その両方のパーティング面に両分割型を一体的に連結して、パーティングラインのずれを阻止するテーパーピン１９と受金２１とによるジョイントを設ける。 - 特許庁

To provide a cathode-ray tube device correcting asymmetric focus deterioration caused by center dislocation of an electron gun even after the electron gun is incorporated.例文帳に追加

電子銃が組み込まれた後でも、電子銃の中心ずれに起因する非対称フォーカス劣化を補正し得る陰極線管装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor crystal is a semiconductor crystal 50 comprising a compound, which has a diameter of at least 6 inches and an average dislocation density of not more than 1x10^4 cm^-2.例文帳に追加

化合物からなる半導体結晶５０であって、直径が６インチ以上であり、平均転位密度が１×１０^4ｃｍ^-2以下である。 - 特許庁

To provide a method of thermally treating a gallium arsenide single crystal, which is capable of obtaining a low-dislocation semi-insulating gallium arsenide single crystal wafer with few micro pits.例文帳に追加

微小ピットの少ない低転位半絶縁性砒化ガリウム単結晶ウェハを得ることのできる砒化ガリウム単結晶の熱処理方法を提供すること。 - 特許庁

A underlayer 12 constituting the semiconductor light-detector 20 is made of a nitride semiconductor including Al with a dislocation density 10^11/cm^2 or below.例文帳に追加

半導体発光素子２０を構成する下地層１２はＡｌを含み、転位密度が１０^１１／ｃｍ^２以下の窒化物半導体から構成する。 - 特許庁

To provide a multilayer pressure resistant hose superior in shape retaining property by preventing positional dislocation when winding reinforcing yarn while substantially smoothing a hose surface.例文帳に追加

ホース表面を略平滑にしながら補強糸の巻き付け時における位置ズレを防止可能でしかも保形性に優れた多層耐圧ホースを提供する。 - 特許庁

To avoid the risk of inclination of an inlay and the dislocation of a knee joint due thereto without causing additional wear or cold flow in the inlay.例文帳に追加

インレーにおける付加的な摩滅またはコールドフローを生じさせることなく、インレーの傾倒の危険並びにそれによる膝関節の脱臼を回避する。 - 特許庁

Since ammonia does not etch the steel plate 11, a deflective article will not occur, even if the surface of the steel plate 11 is exposed due to the dislocation of a mask.例文帳に追加

アンモニアは鋼板１１をエッチングしないので、マスクの位置ズレ等により、鋼板１１表面が露出していた場合でも、不良品が発生することはない。 - 特許庁