「Dual layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In this pattern forming method, a first mask pattern 320A is formed in a first region A by patterning a dual mask layer on a substrate 300, and a second mask pattern 320B which is wider than the first mask pattern 320A is formed in a second region B.例文帳に追加

基板３００上のデュアルマスク層をパターニングして第１領域Ａには第１マスクパターン３２０Ａを形成し、第２領域Ｂには第１マスクパターン３２０Ａより幅広である第２マスクパターン３２０Ｂを形成する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises steps of forming a photoresist pattern of irregular thickness through a mask equipped with a dual slit pattern, and finishing the transfer of a two-layered conductor layer pattern used for forming a source, a drain, and channels by the use of only one mask.例文帳に追加

この製造方法は、デュアルスリットパターンを具えたマスクにより厚さが不均一なホトレジストパターンを形成し、一つのマスクを使用して、ソース、ドレインとチャネルの形成に用いられる二層の導体層のパターン転移を完成する。 - 特許庁

A dual winding coil C pulls out a winding start W1 and a winding end W2 of a wire W of a coil main body 1 wound around a request layer M and a request width Q to a peripheral side of the coil main body 1 to form lead wire portions 2A, 2B.例文帳に追加

二元捲きコイルＣは、所望層Ｍ、所望幅Ｑに捲回するコイル本体１のワイヤＷの捲き始めＷ１と、捲き終わりＷ２とをコイル本体１の外周側に引き出してリード線部２Ａ,２Ｂを形成した。 - 特許庁

To reduce the whole conductor resistance by preventing the leakage current from increasing by suppressing the spread of a depletion layer upon rectification in a dual semiconductor device, and making the interval between both base regions smaller.例文帳に追加

デュアル半導体装置において、整流動作時における空乏層の広がりを抑制してリーク電流の増加を防止し、以って両ベース領域間の間隔をより小さく設定可能として、全体の導通抵抗の低減化を図る。 - 特許庁

The capacitor-embedded printed circuit board includes an insulating layer, a first electrode formed at one side of the insulating layer, a second electrode formed at one side of the first electrode, a dielectric layer formed at one side of the second electrode, and a third electrode formed at one side of the dielectric layer, so that the electrode of the capacitor is formed in a dual structure having the second electrode formed at the one side of the first electrode.例文帳に追加

本発明に係るキャパシタ内蔵型の印刷回路基板は、絶縁層と、絶縁層の一面に形成される第１電極と、第１電極の一面に形成される第２電極と、第２電極の一面に形成される誘電層と、誘電層の一面に形成される第３電極とを備え、第１電極の一面に第２電極を形成する二重構造にキャパシタの電極を構成することを特徴とする。 - 特許庁

The legalized block mask patterns and the legalized phase mask patterns that have been colored define features of a block mask and an alternating phase shift mask, respectively, for use in a dual exposure method for patterning features in a resist layer of the substrate.例文帳に追加

ルール適合化ブロック・マスク・パターンおよびカラーリングされたルール適合化位相マスク・パターンが、それぞれ、基板のレジスト層に構造体をパターン化する二重露光方法で使用するためのブロック・マスクおよび交番位相シフト・マスクの構造体を定義する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a dual damascene wiring capable of etching a wiring groove while protecting a lower layer wiring and keeping the shape of a via hole good without using an etching stopper in the case of etching the wiring groove.例文帳に追加

配線溝エッチング時に、エッチングストッパ層を用いず、下層配線を保護しつつ、かつビア孔形状を良好に保って、配線溝のエッチングを行なえる、デュアルダマシン配線を有する半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photo mask and a production method for semiconductor device, with which accuracy in the alignment of a via hole in a dual damassin structure and an upper wiring layer is improved and a recess or step is prevented from being generated by wiring materials in a hole for alignment.例文帳に追加

デュアルダマシン構造のビアホールと上層配線層の位置合わせ精度を高めるとともに、位置合わせ用のホールにおける配線材料による凹みや段差の発生を防止したフォトマスク及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

More specifically, the dual damascene process depends on a PVD-Ti/CVD-TiN barrier layer and forms an aluminum line showing great reduction in a saturation resistance level, the inhibition of the electro migration, or both of them especially in a line longer than 100 micrometers.例文帳に追加

具体的には、本デュアル・ダマシン・プロセスはＰＶＤ−Ｔｉ／ＣＶＤ−ＴｉＮ障壁層に依存して、特に１００マイクロメートルより長い線において飽和抵抗レベルの大幅な低下またはエレクトロマイグレーションの抑止あるいはその両方を示すアルミニウム線を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming dual damascene metal wiring of a semiconductor where occurrence of a defect can be decreased or prevented by removing a filled sacrifice film after forming an etched buffer layer on a sidewall of a trench and a device manufactured by the method.例文帳に追加

トレンチの側壁に食刻バッファー層を形成した後、犠牲充填膜を除去することによって、欠陥発生を減少、または防止することができる半導体装置のデュアルダマシーン金属配線形成方法、及びそれにより製造された装置を提供する。 - 特許庁

Mixture of a precursor of a polymer compound, the dual frequency drive liquid crystal and a silane coupling agent having perpendicular alignment ability to the liquid crystal is injected into a cell and the precursor of the polymer compound is polymerized while no electric field is applied to the mixture to form the liquid crystal polymer composite body layer.例文帳に追加

高分子化合物の前駆体と、二周波駆動液晶と、該液晶に対する垂直配向能を有するシランカップリング剤との混合物をセル内に注入し、電場を印加せずに上記高分子化合物の前駆体を重合させて、高分子・液晶複合体層を形成する。 - 特許庁

The two-layer graphene films contributing to a conduction is used for the channel, a fixed electric charge is introduced to the channel, and also a top gate or dual gate type gate electrode is configured so that an electric field can be applied to a vertical direction to the channel, to form a field-effect type transistor of an inverting type or normally-on type operation.例文帳に追加

伝導に寄与する二層のグラフェン膜をチャネルとし、該チャネルに固定電荷を導入し、かつ該チャネルに垂直方向に電界を印加可能のように、トップゲートあるいはヅアルゲート型のゲート電極を構成し、反転型あるいはノーマリ・オン型動作の電界効果型トランジスタとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor element of dual-damascene interconnection structure, and manufacturing method of the element, in which there is solved the problem that a contact hole is not opened, and there is suppressed the problem that the permittivity of an interlayer insulation film is increased through use of an etching block layer so that the parasitic capacitance is in creased.例文帳に追加

コンタクトホールが開口されないという問題が解決でき、しかもエッチング阻止層を用いることにより、層間絶縁膜で誘電率が高くなって寄生キャパシタンスが増加するという問題が抑えられるデュアルダマシン配線構造の半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The system has a connected dual remote plasma supply source for facilitating layer deposition onto a substrate and introducing two streams of reactive species into the chemical vapor deposition(CVD) treatment chamber, and simultaneously, the two streams are kept in a separated state until they reach a treatment region adjacent to the substrate.例文帳に追加

層の基板への堆積を容易にし、反応性の種の２つの流れを化学気相堆積処理チャンバへ送出する連結されたデュアル遠隔プラズマ供給源を特徴とし、同時に、基板に近接した処理領域に到達するまでは、２つの流れを分離状態で維持する。 - 特許庁

The liquid crystal element has a liquid crystal layer containing a liquid crystal composition containing at least one kind of dichroic dye having a substituent expressed by (Het)_j-{(B^1)_p-(Q^1)_q-(B^2)_r}_n-C^1 and at least one kind of dual-frequency nematic liquid crystal as a host liquid crystal.例文帳に追加

−（Ｈｅｔ）_j−｛（Ｂ^1）_p−（Ｑ^1）_q−（Ｂ^2）_r｝_n−Ｃ^1で表される置換基を有する二色性色素の少なくとも１種、及びホスト液晶として二周波駆動可能なネマチック液晶の少なくとも１種を含む液晶組成物を含有する液晶層を有する液晶素子である。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, capable of ensuring a sufficient working margin, even when an interlayer insulating film is made of an inorganic base low dielectric material, in the manufacturing method of a semiconductor device for forming a wiring layer embedded in a low dielectric film using a dual-damascene method.例文帳に追加

低誘電率膜に埋め込まれた配線層をデュアルダマシン法により形成する半導体装置の製造方法に関し、層間絶縁膜を無機系低誘電率材料により構成する場合にも十分な加工マージンを確保しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In relation to the catalyst nanoparticle which reduces or removes dioxin of a toxic compound generated by polymer incineration and carbon monoxide and VOC (volatile organic compounds) produced by incomplete combustion, the catalyst nanoparticle with a nano dual layer is finally manufactured by coating a porous inorganic substance layer with white color on the metal oxide nanoparticle having activities.例文帳に追加

本発明は、高分子焼却によって発生する有害物質であるダイオキシンや不完全燃焼により生成される一酸化炭素、ＶＯＣ（揮発性有機化合物）の抑制もしくは除去する触媒ナノ粒子に関し、活性を有する金属酸化物ナノ粒子に白色を帯びる多孔性無機物層をコーティングして、最終的にナノ二重層の触媒ナノ粒子を製造する。 - 特許庁

In a form of embodiment, the dual-gate semiconductor device contains a low-voltage region where a first gate dielectric are formed thereon and a diffusion barrier layer containing nitrogen and oxygen is formed on the first gate dielectric, and a high-voltage region where a second gate dielectric having a thickness thicker than that of the first gate dielectric is formed thereon and the diffusion barrier layer does not exist.例文帳に追加

１つの実施の形態では、デュアルゲート半導体装置は、上に第１のゲート誘電体が形成されており、該第１のゲート誘電体の上に窒素および酸素を含む拡散障壁層が形成されている低電圧領域と、第１のゲート誘電体より厚い厚さを有する第２のゲート誘電体が上に形成されており、前記拡散障壁層が無い高電圧領域と、を含む。 - 特許庁

The copper surface treatment method comprises a step of forming a metal layer containing at least one metal selected from copper, tin, chromium, nickel, zinc, aluminum, cobalt, gold, platinum, silver and palladium, and a step of subsequently treating the copper surface with a liquid containing at least one of alkali silicate, ester silicate, poly-silazane, or dual-functional silane compound.例文帳に追加

銅表面に銅、スズ、クロム、ニッケル、亜鉛、アルミニウム、コバルト、金、白金、銀、パラジウムから選択される金属を一種以上含む金属層を形成する工程、その後、ケイ酸アルカリ、ケイ酸エステル、ポリシラザンまたは双官能シラン化合物を少なくとも一種以上含む液で処理する工程を有する銅の表面処理方法。 - 特許庁

This dual panel type organic electroluminescent element has a structure where a pixel driving part (an array element layer including thin film transistors) and a luminescent part (organic electroluminescent diode element) are formed on substrates different from each other; and an electrical connection pattern for connecting both the elements is formed in the pixel driving part.例文帳に追加

本発明は、ピクセル駆動部(薄膜トランジスタを含むアレイ素子層)と発光部(有機電界発光ダイオード素子)を相互に異なる基板上に構成し、発光部に電流を供給するために、ピクセル駆動部に両素子を連結する電気的連結パターンが形成された構造のデュアルパネルタイプの有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

This flash discharge lamp with electrodes made by sintering high melting point metal material powder is featured in that the electrode is equipped with a dual-wall structure, its inner layer is a body sintered from mixed powders of the high melting point metal material and nickel, and its outer layer is a body sintered from mixed powders of the above-mentioned high melting point metal material and a barium oxide type emitter material.例文帳に追加

高融点金属材料粉末を焼結してなる電極を有する閃光放電ランプにおいて、当該電極は二層構造になっており、電極内側層が高融点金属材料粉末とニッケル粉末との混合粉末の焼結体であり、電極外側層が前記高融点金属材料粉末とバリウム酸化物系エミッタ材料粉末との混合粉末の焼結体であることを特徴とする閃光放電ランプとする。 - 特許庁

The objective lens 16 which condenses the laser beam emitted from the dual-wavelength laser beam source 11 on the information recording surfaces of the optical recording media 1a and 1b and forms reading spots, includes a lens having positive power and a hologram with a shape of a concentric orbicular zone, and corrects a spherical aberration caused by the thickness of the protective layer of each optical recording medium 1a and 1b.例文帳に追加

２波長レーザ光源１１から放射されたレーザ光を光記録媒体１ａ，１ｂの情報記録面に集光して読み取りスポットを形成する対物レンズ１６は、正のパワーを有するレンズと同心円輪帯状のホログラムとを有しており、各光記録媒体１ａ，１ｂの保護層の厚みで生ずる球面収差を補正する。 - 特許庁

When a wiring groove 8 and a contact hole 6 are formed on a substrate 1 with different depth using a dual damascene method, a first stopper film 9 is formed on the top layer of the film, and a second stopper film 4 is formed at such position as depth of the bottom part of the wiring groove 8, with formation of the wiring groove 8 performed in separate 2-stage processes.例文帳に追加

デュアルダマシン法を用いて、基板１上の膜に配線溝８及びコンタクトホール６をそれぞれ深さを異ならせて形成するにあたって、前記膜の最上層に第１のストッパー膜９を形成し、配線溝８の底部深さ位置に第２のストッパ膜４を形成し、配線溝８の形成を２段階の工程に分けて行う。 - 特許庁

The display device 100 has a plurality of first electrodes 11, a plurality of pixel electrodes 14 electrically connected respectively to at least one of the plurality of first electrodes via at least a bidirectional dual electrode element 12, a plurality of second electrodes 17, a display medium layer provided between the plurality of pixel electrodes 14 and the plurality of second electrodes 17.例文帳に追加

表示装置１００は、複数の第１電極１１と、それぞれが複数の第１電極のいずれか１つに少なくとも１つの双方向二端子素子１２を介して電気的に接続された複数の画素電極１４と、複数の第２電極１７と、複数の画素電極１４と複数の第２電極１７との間に設けられた表示媒体層とを有する。 - 特許庁

The rotating electric machine has a stator 4 in which a plurality of dual layer wound coils 413 having a substantially square cross sectional surface and continuing via a jumper wire are incorporated, and a rotor rotatably provided via a gap on the stator 4, wherein a slot 411 of the stator 4 is provided with an inclination 120 extending outwardly from the coils 413 and an insertion portion of an insulation sheet 91.例文帳に追加

コイル素線の断面が略四角形で、渡り線を介して連続した複数の二層巻の重ね巻のコイル４１３が組み込まれた固定子４と、固定子４にギャップを介して回転可能に設けられた回転子とを有する回転電機であって、固定子４のスロット４１１は、コイル４１３及び絶縁紙９１の挿入部よりも内周側に外広がりの傾斜１２０が設けられている。 - 特許庁