「FLASH memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

Here, since the flash memory 26 is provided with two blocks and the timbre data are alternately transferred to these blocks, even if the timbre data in one block are lost, the timbre data before that are maintained.例文帳に追加

ここで、フラッシュメモリ２６には２つのブロックが設けられ、これらブロックに交互に音色データが転送されるから、一方が消失したとしてもそれ以前の音色データは保持される。 - 特許庁

Fluorine is injected to a nitride layer where data is to be stored in a flash memory element, thereby data retention and reliability are improved without putting an influence upon capacitor characteristics.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリ素子でデータが格納される窒化膜にフルオリンを注入してキャパシタ特性に影響を与えず、且つデータリテンション及び信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

Concretely, the program of the new startup part based on version-up or the like is supplied from the FDD 107 and processing for writing such a program in the flash memory 105 or the like is performed.例文帳に追加

具体的には、ＦＤＤ１０７から、バージョン・アップ等による新たなスタートアップ部のプログラムが供給され、かかるプログラムをフラッシュメモリ１０５に書き込む等の処理が行われる。 - 特許庁

When receiving a read request from the host device through a controller LSI 15, the data merge section 14 automatically assigns access destinations between the media server and the flash memory 11.例文帳に追加

データマージ部１４は、コントローラＬＳＩ１５を介してホスト装置からのリード要求を受信した場合には、アクセス先を、メディアサーバとフラッシュメモリ１１との間で自動的に振り分ける。 - 特許庁

To suppress the conductance of a non-selective cell from degrading while preventing the occurrence of read disturbance phenomenon even when a coupling capacity between adjacent cells is increased in a NAND flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて隣接セル間での結合容量が増大した場合においても、リードディスターブ現象の発生を防止しつつ、非選択セルのコンダクタンスの低下を抑制する。 - 特許庁

To improve access speed in a flash memory system having a plurality of data storage areas each storing data of a logical page unit corresponding to areas of a plurality of sectors.例文帳に追加

複数セクタの領域に対応する論理ページ単位のデータが格納されるデータ格納領域を複数個備えたフラッシュメモリシステムにおいて、アクセス速度を向上させることを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor storage device 10 including a NAND type flash memory 100 comprises a temporary storage part 200 to store writing data transmitted from the outside in the temporary storage part 200.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１００を含む半導体記憶装置１０において、一時記憶部２００を設け、外部から送信された書き込みデータを一時記憶部２００に格納する。 - 特許庁

To provide a method for producing a multi-voltage flash memory integrated circuit structure on a semiconductor substrate (16), having a plurality of shallow trench isolations (18) and a floating gate structure (22).例文帳に追加

複数のシャロートレンチアイソレーション（１８）とフローティングゲート構造（２２）とを有する半導体基板（１６）の上に多電圧フラッシュメモリ集積回路構造を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

An error correcting circuit 12 performs error correction when data are read from a flash memory 11, and outputs an output signal to a toggle output circuit 15 when any error correction is generated.例文帳に追加

誤り訂正回路１２は、フラッシュメモリ１１からデータの読出し時に誤りの訂正を行い、誤り訂正が発生した場合にトグル出力回路１５に出力信号を出力する。 - 特許庁

An information processor 200 of a medical institution 20 records medical information to an USB flash memory 400 where software for referring to the medical information is recorded.例文帳に追加

医療機関２０の情報処理装置２００は、医療情報を、前記医療情報を参照するためのソフトウェアが記録されているＵＳＢフラッシュメモリ４００に対して記録する。 - 特許庁

Moreover, in case of flash memory control, an address increment is not always needed and in even these cases, a disadvantage does not occur because a selection of the function is possible from the CPU 21.例文帳に追加

またフラッシュメモリコントロールの場合はアドレス・インクリメントが必要ない場合もあり、これらの場合にもＣＰＵ２１から機能選択可能であるので不都合を発生しないようにできる。 - 特許庁

The overwrite processing is executed with exclusive processing that read-write to the flash memory 2 by other processing is prohibited, and the CPU 1 executes the overwrite processing in a time division manner with other processing.例文帳に追加

上書き処理は他の処理によるフラッシュメモリ２への読み書きが禁止される排他処理とともに実行され、ＣＰＵ１は、上書き処理を他の処理と時分割で実行する。 - 特許庁

The multi-chip package, constituting a microcontroller, comprises a base chip 1 for fabricating therein a microcontroller having a mask ROM, and the upper chip 6 of a flash memory provided on the base chip 1.例文帳に追加

マイクロコントローラを構成するマルチチップパッケージにおいて、マスクＲＯＭを有するマイクロコントローラを作り込むベースチップ１と、このベースチップ１上にフラッシュメモリの上部チップ６を具備する。 - 特許庁

Then the received weather information is copied on the photographed picture together with the date, time, and latitude/longitude acquired from the GPS data and the retrieved place name and the picture is stored in a flash memory 8.例文帳に追加

そして、受信した天気情報を、ＧＰＳデータから取得した年月日及び時分、緯度／経度、検索した地名と共に撮影画像に映し込み、その画像をフラッシュメモリ８に保存する。 - 特許庁

To shorten a test time by parallel processing of a plurality of chips when defect check of a bit line or a sense amplifier is performed in a wafer test of a NAND type flash-memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリのウェハテストに際してビット線またはセンスアンプの不良チェックを行う場合に、テスト時間を短縮し、複数チップの並列処理によりテスト時間を大幅に縮める。 - 特許庁

To provide a method for forming a dielectric film between gates of a flash memory element capable of preventing a change in thickness of the dielectric film by suppressing a reaction between a floating gate and an oxide film.例文帳に追加

フローティングゲートと酸化膜との反応を抑えて誘電膜の厚さの変化を防止することが可能な、フラッシュメモリ素子のゲート間の誘電膜形成方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of pieces of configuration data, to which a configuration header part including maker type information and sequence type information showing storage sequence is added, are stored in a FROM (flash memory) 1.例文帳に追加

メーカ種別情報と格納順番を示すシーケンス種別情報とを含むコンフィグレーションヘッダ部が付加された複数のコンフィグレーションデータがＦＲＯＭ（フラッシュメモリ）１に格納されている。 - 特許庁

A controller of the portable flash memory checks whether the thin client OS is normally started by a client, and if it is normally started, sets an access right flag to ON.例文帳に追加

可搬型フラッシュメモリのコントローラは、シンクライアントＯＳがクライアント端末によって正常に起動されているかをチェックし、正常に起動された場合にアクセス権フラグをオンにセットする。 - 特許庁

To improve margin of CMP processing to form the STI in a NAND-type flash memory, in which the gate is formed first.例文帳に追加

本発明は、ゲート先作りのＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、ＳＴＩを形成するためのＣＭＰ処理のマージンが低下するのを改善できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

When restarting is instructed by pushing a reset key 14, the RAM 18 is initialized and setting information and the patch file read from the flash memory 17 are written in.例文帳に追加

リセットキー１４の押下により再起動が指示された場合にＲＡＭ１８を初期化し、そこにＦｌａｓｈメモリ１７から読み出したプログラムの設定情報とパッチファイルを書き込む。 - 特許庁

The P-ON microcomputer 2 starts the main IC 3 when the main IC 3 is not in an operated state, and obtains a remote control lock mode stored in the flash memory 7 to store it in a RAM 20.例文帳に追加

また、Ｐ−ＯＮマイコン２は、メインＩＣ３が起動していない場合にはメインＩＣ３を起動して、フラッシュメモリ７に記憶したリモコンロックモードを取得して、これをＲＡＭ２０に記憶する。 - 特許庁

A number 31 is an address control part which generates a physical address, a number 6 is a Vpp generation circuit which is a writing power source of the flash memories, a number 71 is a memory address bus and a number 72 is a data bus.例文帳に追加

３１は物理アドレスを発生するアドレス制御部、６はフラッシュメモリの書き込み電源であるＶｐｐ発生回路、７１はメモリアドレスバスであり、７２はデータバスである。 - 特許庁

The extended apparatus 220 is electrically connected to the controller 210 and one or more flash memory devices 230 and 231, and configured to temporarily store data, and to ensure consistency of the data, and to show the processing state.例文帳に追加

拡張器２２０は、コントローラー２１０と一つ以上のフラッシュメモリ装置２３０、２３１に電気的に接続されて、データを一時的に保存し、データを整合して、処理状態を示す。 - 特許庁

A read/write part 102 is controlled so as to newly store only updated information through a managing part different for each information in the case of writing new information in a flash memory 101.例文帳に追加

フラッシュメモリ１０１に新たな情報を書き込む際に、情報毎に異なる管理部が更新された情報だけを新たに蓄積するようにリード・ライト部１０２を制御する。 - 特許庁

Furthermore, with the completion of the preparatory process the processor 10 changes a location from which it obtains the group of instructions about the OS from the flash memory 14 to the DRAM 13 and continuously executes the OS.例文帳に追加

さらに、プロセッサ１０は、準備処理の完了に応じてＯＳに関する命令群の取得先をフラッシュメモリ１４からＤＲＡＭ１３に切り替えてＯＳを継続的に実行する。 - 特許庁

In the power application, the spin-drying flag is read from a flash memory (S22), and when it is "0", there is no possibility that the drum is rotated by inertia, so that the door lock is immediately released (S27).例文帳に追加

電源投入時にはフラッシュメモリから脱液フラグを読み出し（Ｓ２２）、それが「０」である場合にはドラムが惰性回転しているおそれがないのですぐにドアロックを解除する（Ｓ２７）。 - 特許庁

The flash memory 101 has the start boot sector 201 storing the start boot data, at least two boot sectors (202, 203) storing the boot data, and the main sector storing the main data.例文帳に追加

フラッシュメモリ１０１は、起動ブートデータを格納する起動ブートセクタ２０１と、ブートデータを格納する少なくとも２のブートセクタ（２０２、２０３）と、メインデータを格納するメインセクタとを有して構成される。 - 特許庁

The storage area of a flash memory is divided into a virtual sector 31 and a virtual cluster 32, so that the use of an FAT file system to be used for the file management of a hard disk device can be made available.例文帳に追加

フラシュメモリの記憶領域を、仮想的なセクタ３１と仮想的なクラスタ３２で分割して、ハードディスク装置のファイル管理に用いられるＦＡＴファイルシステムの利用を可能にする。 - 特許庁

When power is on, a CPU 203 selects frequency information in a flash memory 201 to perform the tuning processing of the data transmission frequency in an RF interface 200 in the down link.例文帳に追加

ＣＰＵ２０３は、電源オン時にフラッシュメモリ２０１から周波数情報を選択して、ＲＦインターフェース２００での下り回線におけるデータ伝送周波数のチューニング処理を実行させる。 - 特許庁

To provide a device for improving a cell distribution characteristic by correcting a cell voltage when a cell voltage sifting phenomenon of a flash memory element is generated, and to provide a method of improving the characteristic of the cell.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のセル電圧シフト現象が発生したとき、セル電圧を補正することでセル分布特性を向上させる装置とそのセル特性改善方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the frequency in writing to a nonvolatile memory (NOR-Flash-ROM) while allowing continuation of processing regardless of the occurrence of power interruption, when updating software.例文帳に追加

ソフトウェアの更新において、電源切断が発生しても処理が継続できるようにしながらも不揮発メモリ（ＮＯＲ・Ｆｌａｓｈ・ＲＯＭ）への書込み回数を少なくすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element effective to suppress the occurrence of active attack in an etching process upon formation of a gate for example by suppressing an EFH change of an element separation film.例文帳に追加

素子分離膜のEFH変化を抑えることで、たとえばゲート形成時のエッチング工程でアクティブアタックが発生するのを抑えるのに有効なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

When it is determined that the firmware to be executed by the second control unit 32 is recorded, the second control unit 32 reads binary data and writes that to a second serial flash memory 32.例文帳に追加

第２制御部３２によって実行されるファームウェアが記録されていると判断したとき、第２制御部３２は、バイナリデータを読み出して、第２シリアルフラッシュメモリ３２に書き込む。 - 特許庁

A coherency code including multiple bits of logical 0 and multiple bits of logical 1 are written together with ECC encoded data for correcting a bit error, into a page in a flash memory.例文帳に追加

ビットエラーを訂正するためのＥＣＣに符号化されたデータと共に、論理値０のビットと論理値１のビットの双方を複数ビットずつ含む整合性符号をフラッシュメモリ内のページに書き込む。 - 特許庁

When the microcomputer 21 discriminates that the update information is not addressed to itself, on the other hand, the microcomputer 21 transmits the received update information to the control microcomputer 22 to allow a flash memory 25 to write it.例文帳に追加

一方、自己宛てでないと判別した場合に、ＵＳＢ通信用マイコン２１は、受信した更新用情報をコントロール用マイコン２２に送信し、フラッシュメモリ２５に書き込ませる。 - 特許庁

To prevent the resistance of source wiring and gate wiring from being increased, related to a method for manufacturing a semiconductor storage device such as a flash memory using a self-align source structure.例文帳に追加

セルフアラインソース構造を用いたフラッシュメモリ等の半導体記憶装置の製造方法において、ソース配線及びゲート配線の高抵抗化を防止した製造方法を提供する。 - 特許庁

The signal transmission line 20 transmits to a serial flash memory 3 data sent from the data sending device 100 via the connector 4 by a switching action of second transistors 21 and 22.例文帳に追加

信号伝送ライン２０は、第２トランジスタ２１、２２のスイッチング動作により、コネクタ４を介してデータ送信装置１００から送信されたデータをシリアルフラッシュメモリ３に伝送する。 - 特許庁

To reduce the size of a circuit by realizing writing in a flash memory without using any ROM incapable of rewriting in which a program to be executed at the time of down-load is recorded in a down-load system.例文帳に追加

ダウンロードシステムにおいて、ダウンロード時に実行するプログラムが記録された書換え不可能なＲＯＭを使用せずにフラッシュメモリへの書込みを実現し回路規模を縮小する。 - 特許庁

An opening 10 is provided at the center of a TAB tape 36, a static RAM 34 is arranged in the opening 10, and a flash memory 32 is placed on the top surface of the TAB tape 36.例文帳に追加

ＴＡＢテープ（３６）の中央に開口部（１０）を設け、該開口部（１０）内にスタティックＲＡＭ（３４）を配置し、フラッシュメモリ（３２）をＴＡＢテープ（３６）の上面に載置する。 - 特許庁

A column skip processing circuit 31, when a defective column lies on a flash memory 3, performs a control for skipping the position of the defective column and writing serial data every page.例文帳に追加

カラムスキップ処理回路３１は、フラッシュメモリ３上に欠陥カラムがある場合に当該欠陥カラムの位置をスキップしてシリアルデータを書き込むための制御を１ページ単位で行う。 - 特許庁

To provide a flash memory device in which difference of threshold value voltage between cells of the same word line caused by separation distance to a row selecting circuit is decreased, and also to provide a method for programming the same.例文帳に追加

行選択回路との離隔距離によって生ずる同一のワードラインのセル間のしきい値電圧差を減らすことができるフラッシュメモリ装置およびそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

When the power supply is returned, the recovery information saved in the flash memory 44 is returned to the RAM 43, so that the Pachinko machine 1 can continue the play from the state of before the power failure.例文帳に追加

停電が解消すると、フラッシュメモリ４４に退避されていたリカバリ情報がＲＡＭ４３へ復帰され、パチンコ機１は停電発生前の状態から遊技を続行することができる。 - 特許庁

To provide a device for updating data, capable of updating an execution program and table data stored in a flash memory with a DSP read in when started up, via a serial communication interface.例文帳に追加

ＤＳＰが起動時に読込まれるフラッシュメモリに記憶される実行プログラムやテーブルデータを汎用のシリアル通信インターフェースを介して更新可能なデータ更新装置を提供する。 - 特許庁

When the write time calculated in the write time calculation section 11 exceeds predetermined time, the device control section 12 selects RAM 16b instead of the flash memory 16a and data are written.例文帳に追加

デバイス制御部１２は、書き込み時間計算部１１で算出された書き込み時間が所定時間を越える場合に、フラッシュメモリ１６ａに代えてＲＡＭ１６ｂを選択してデータを書き込む。 - 特許庁

The decryption module 33B installs special software stored in the flash memory 22 and turned to an ON state in accordance with an instruction from the PC 2 executing the software to decrypt the data.例文帳に追加

復号モジュール３３Ｂは、フラッシュメモリ２２に記憶されている特別なソフトウエアをインストールし、それを実行しているPC２からの指示に応じてオン状態となり、データの復号が可能となる。 - 特許庁