「FLASH memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(67ページ目) - Weblio英語例文検索

When a recording part 3 breaks down and printout processing cannot be performed, image data stored in an image memory 8 are transferred to a flash memory 21 according to a transfer instruction made by a user so that the other equipment can be made to print out the image data.例文帳に追加

記録部３が故障してプリントアウト処理を行えない場合に、ユーザによってなされる転送指示に従って、画像メモリ８に記憶されている画像データをフラッシュメモリ２１へ転送して、他の機器でプリントアウトを行えるようにする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device such as a NOR type flash memory and the like which can suppress a depletion of a control gate electrode between floating gate electrodes drastically and contains a multi-value type in which a read error is difficult to occur, and its manufacturing method.例文帳に追加

浮遊ゲート電極間の制御ゲート電極の空乏化を大幅に抑制できて、読み出しエラーが起こりにくい多値型を含むＮＯＲ型のフラッシュメモリ等の不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device such as a flash memory device for obtaining a program verification voltage that is requested by a program verification operation without any charge loss when an operation mode changes from program operation to the program verification operation.例文帳に追加

プログラム動作からプログラム検証動作へ動作モードが変化する時電荷損失なしでプログラム検証動作で要求されるプログラム検証電圧を得られる半導体メモリ装置、一具体例としてはフラッシュメモリ装置を提供すること。 - 特許庁

To enable performing write-in, verifying, or the like for a storage element storing trimming information, replacement information, or the like without providing an exclusive circuit, in a non-volatile semiconductor memory in which electrical write-in and erasure can be performed like a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのような電気的に書込み、消去可能な不揮発性記憶装置において、専用の回路を設けることなくトリミング情報や置換情報等を記憶する記憶素子への書込みやベリファイなどを行なうことができるようにする。 - 特許庁

To provide an address buffer of a flash memory including a nonvolatile section selecting code cell which can select an arbitrary sector so that a normal sector can be utilized by making a memory sector in which defect occurs in a highly integrated core product a disable-state.例文帳に追加

高集積のコアプロダクトにおいて欠陥の生じたメモリセクタを不能状態（ディスエーブル）にして正常セクタを利用できるように任意のセクタを選択することができる不揮発性区域選択コードセルを含むフラッシュメモリのアドレスバッファを提供すること。 - 特許庁

A method of reading a flash memory device divides a plurality of page buffers connected to a memory cell array through a lot of bit lines into at least two groups, sequentially shifts a point in time to drive the page buffers on a group unit and reads the storage status of each cell.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子の読出し方法は、多数のビットラインを介してメモリセルアレイに連結された複数のページバッファを少なくとも２つのグループに分割し、ページバッファをグループ単位で順次時点をずらして駆動し、各セルの記憶状態を読み出す。 - 特許庁

To provide a television camera provided with a recorder which creates data related to flash and records them with video signals to record video signals that are easily editable at a studio when recording video signals into recording media, such as flash memory or hard disk.例文帳に追加

映像信号をフラッシュメモリやハードディスクなどの記録媒体に記録する際にフラッシュに関するデータを作成し、映像信号と共に併せて記録し、スタジオ等での編集が容易な映像信号を記録する記録装置を有するテレビカメラを提供することを目的とする。 - 特許庁

This memory controller performs management for allocating a physical block group collected with physical blocks wherein addresses included in different flash memories are equal to a logical block, and a reservation of a system block used as the writing destination of the system data for managing or controlling access to the plurality of flash memories.例文帳に追加

メモリコントローラは、異なるフラッシュメモリに含まれるアドレスが同一の物理ブロックを集めた物理ブロック群に対して論理ブロックに割り当てる管理と、複数個のフラッシュメモリに対するアクセスを制御又は管理するためのシステムデータの書き込み先として使用するシステムブロックの予約を行う。 - 特許庁

The microcomputer 1 incorporating the flash memory is provided with an OR circuit 21 for calculating OR between a reset signal from a flash writer 3 and a reset signal generated by a reset circuit part 30 and a signal control part 20 for using one of I/O port signals also as a reset signal.例文帳に追加

フラッシュライター３からのリセット信号と、リセット回路部３０が生成したリセット信号とを論理和するための論理和回路２１と、入出力ポート信号の１本をリセット信号との兼用にするために信号制御部２０とをフラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータ１の内部に備える。 - 特許庁

A flash controller 20 in the RAM 10 controls the control signal for internal transmission to interrupt the transmission of the internal data when an access request from the external CPU 70 is made to the pseudo-SRAM 40, while the internal data are transmitted between the flash-type memory 60 and the pseudo-SRAM 40.例文帳に追加

ＲＡＭ１０内のフラッシュコントローラ２０は、フラッシュメモリ６０と擬似ＳＲＡＭ４０間の内部データ転送中に、外部ＣＰＵ７０から擬似ＳＲＡＭ４０に対してアクセス要求があったときに、その内部データ転送を中断するよう内部転送用制御信号を制御する。 - 特許庁

A memory card 3 is provided with a flash memory 21 keeping the data executed at the time of booting by the boot sequence of the information processor 2 and CPU 22 having a function transmitting the data executed at the booting time and stored in this memory 21 to the processor 2 and a function managing data.例文帳に追加

メモリカード３は、情報処理装置２のブートシーケンスにより実行されるブート時実行データを保持するフラッシュメモリ２１と、このフラッシュメモリ２１に記憶れているブート時実行データを情報処理装置２に伝送する伝送機能及びデータの管理を行う制御機能を有するＣＰＵ２２とを備えている。 - 特許庁

When the transfer of the program for system start under the DMA control part 10 is completed, the CPU 5 performs system start according to the program of system start read from the external memory 3, and the DMA control part 10 reads the program for system control from the flash memory 2, and transfers it to the external memory 3 simultaneously in parallel.例文帳に追加

ＣＰＵ５は、ＤＭＡ制御部１０によるシステム起動用のプログラムの転送が完了したときに、外部メモリ３から読み出したシステム起動用のプログラムに従ってシステムの起動を行う一方、同時並行的に、ＤＭＡ制御部１０は、フラッシュメモリ２からシステム制御用のプログラムを読み出し外部メモリ３へ転送する。 - 特許庁

The FPGA 20 in the on-vehicle camera device 1 is equipped with a recording signal generator 24 which generates a C signal, a D signal and an S signal of the nonvolatile memory (SPI flash memory) 40, based on the input signals 1 and 2 from a memory rewriting device 4 connected with the existing signal lines 2-1 and 2-2 in place of an operating unit 3.例文帳に追加

車載カメラ装置１内のＦＰＧＡ２０は、操作部３に替えて既存の信号線２−１，２−２に接続されたメモリ書換装置４からの入力信号１，２にもとづき、不揮発性メモリ（ＳＰＩフラッシュメモリ）４０のＣ信号、Ｄ信号、Ｓ信号を生成する記録信号生成部２４を備える。 - 特許庁

The E beam system stores the calibration data by using a flash EPROM and generates one set of super-parallel beams with a scale of 1,000 beams by receiving on/off signals directed by an address system of a memory array with each electron source mounted on the memory array as a geometrical array to trace a memory array structure.例文帳に追加

Ｅビーム・システムは、フラッシュＥＰＲＯＭを使用して較正データを記憶し、メモリ・アレイのアドレス・システムによって向けられたオン／オフ信号を受信することにより１０００本の規模の１組の超並列ビームを発生し、個々の電子源はメモリ・アレイの構造を追跡する幾何学的アレイとしてメモリ・アレイの上に取り付けられる。 - 特許庁

The n EEPROM cells for memory are used for writing a data wherein the data is written into one EEPROM cell for memory every time when the data of the flash type EEPROM is rewritten and the data is written into X cells within a plurality of EEPROM cells for memory when rewriting is performed X (X=1-n) times.例文帳に追加

ｎ個の記憶用ＥＥＰＲＯＭセルは、データの書込み用で、フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭの書き換えが１回実施される毎にひとつの記憶用ＥＥＰＰＲＯＭセルにデータが書き込まれ、書き換えをＸ（Ｘ＝１〜ｎ）回実施時に複数の記憶用ＥＥＰＲＯＭセルの内のＸ個のセルが書き込まれる。 - 特許庁

A re-programmable non-volatile memory system, such as a flash EEPROM (R) system, having its memory cells grouped into blocks of cells that are simultaneously erasable is operated to perform memory system housekeeping operations in the foreground during execution of a host command, wherein the housekeeping operations are unrelated to execution of the host command.例文帳に追加

メモリセルが同時に消去可能なセルのブロックをなすようにグループ分けされているフラッシュＥＥＰＲＯＭ（登録商標）システムのような再プログラム可能な不揮発性メモリシステムはホストコマンドの実行中にメモリシステムのハウスキーピング操作をフォアグラウンドで行うように操作され、そのハウスキーピング操作はホストコマンドの実行とは関連しない。 - 特許庁

To maintain high speed performance by shortening an erasing time by boosting high voltage for writing and high voltage for erasing when the number of times of rewriting of a non-volatile memory cell exceeds the prescribed value, in an electrically erasable and writable non-volatile semiconductor memory device such as a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリ等のような電気的消去及び書込み可能な不揮発性半導体記憶装置に関し、不揮発性メモリセルの書換え回数が所定値を越えたときは、書込み用高電圧及び消去用高電圧を高くして消去時間の高速化を図り、高速性能を維持することができるようにする。 - 特許庁

The technique maintains compatibility with a static random access memory (SRAM) having a wide byte and a flash memory having a fixed input output byte by selectively activating the byte of data being inputted and outputted and changes a program using the nonvolatile ferroelectric register in a software type method.例文帳に追加

このような本発明は、入出力されるデータのバイトを選択的に活性化させワーイドバイトを有するＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、及び固定された入出力バイトを有するフラッシュメモリとの互換性を維持することができ、不揮発性強誘電体レジスタを利用してソフトウェア的な方法でプログラムを変更することができるようにする。 - 特許庁

In the selective erasing method for the flash memory, when the threshold voltage of the memory cell which is connected to an arbitrary word line being erased is lower than a prescribed erasing threshold voltage, no further erasing for the memory cell connected to the word line is performed and the erasing is conducted only for the remaining cells.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリのための選択的消去方法は、消去された任意のワードラインに連結されたメモリセルのスレッショルド電圧が所定の消去スレッショルド電圧より低ければ、当該ワードラインに連結されたメモリセルに対する消去は、それ以上遂行せず、残りのセルに対してのみ消去を遂行する。 - 特許庁

The controller controls a nonvolatile memory system (an example of a nonvolatile memory is a flash memory well-known for skilled in the art) organized into blocks, each block includes a plurality of sector locations for storing the sector information and a particular free block is designated for storing FSInfor sector information.例文帳に追加

そのコントローラは、複数のブロックに区分された不揮発性メモリシステム（不揮発性メモリの例は当業者にとって公知であるフラッシュメモリである）を制御し、各ブロックはセクタ情報を格納するための複数のセクタを含み、特定の空きブロックがＦＳＩｎｆｏセクタ情報を格納するように指定される。 - 特許庁

To provide such a transistor structure that can make a nonvolatile memory semiconductor device, having a flash memory section in which a memory transistor and a select transistor are formed and a logic section, in which a peripheral circuit transistor is formed on the same substrate to operate at high speed by suppressing the gate depletion, particularly in, the select transistor without making the processes complicated.例文帳に追加

メモリトランジスタとセレクトトランジスタとが形成されたフラッシュメモリ部と周辺回路トランジスタが形成されたロジック部とを同一基板上に有する不揮発性メモリ半導体装置において、工程を煩雑化することなく、特にセレクトトランジスタにおけるゲート空乏化を抑制し、高速動作可能なトランジスタ構造を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor integrated circuit device comprises steps of uniformly depositing an amorphous silicon film on a substrate in which a memory cell region and an element region are formed, patterning the amorphous silicon film on the memory cell region while the amorphous silicon film remains coating on the element region on the substrate, and forming a laminated gate electrode or a single layer gate of the flash memory unit.例文帳に追加

メモリセル領域と素子領域とを画成された基板上にアモルファスシリコン膜を一様に堆積し、さらに基板上の素子領域を前記アモルファスシリコン膜で覆ったまま、メモリセル領域において前記アモルファスシリコン膜をパターニングし、フラッシュメモリ装置の積層ゲート電極あるいは単層ゲートを形成する。 - 特許庁

In a NAND type flash memory in which a memory cell array 1 is provided in a p-well 13, a positive voltage is applied to a source line SL consisting of n+ type diffusing layers or a negative voltage is applied to the p-well 13 at the time of erasing verifying operation by which threshold voltage of a memory cell in an erasing state is judged.例文帳に追加

ｐウェル１３中にメモリセルアレイ１が設けられたＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、消去状態のメモリセルのしきい値電圧を判定する消去ベリファイ動作時に、ｎ^+ 型拡散層からなるソース線ＳＬに正の電圧を印加するか、または、ｐウェル１３に負の電圧を印加する。 - 特許庁

To stabilize erase characteristics of a flash memory cell, suppress increase of power consumption in switching from write operation to the erase operation and make the switching operation faster.例文帳に追加

フラッシュメモリセルの消去特性の安定化を図ると共に書き込み動作から消去動作に切り替える際の消費電力の増大を抑制し、かつ切り替え動作を高速化する。 - 特許庁

In a recording medium M, when the compressed data of an MP 3 format is read from a flash memory FM, a controller CTRL causes an MP 3 decoder to decode the data, and then send it to a deterioration circuit.例文帳に追加

録音媒体Ｍにおいて、ＭＰ３フォーマットの圧縮データをフラッシュメモリＦＭから読出すときには、コントローラＣＴＲＬでＭＰ３デコーダにより復元し、続いて劣化回路へ送る。 - 特許庁

A CPU 20 attaches to the image data region data representing the entire image from which the face has been extracted, the data for detection and data of an alteration detection program 26 stored in a flash memory 25.例文帳に追加

ＣＰＵ２０は、顔が抽出された画像の全体を表す領域データ、検出用データ、およびフラッシュメモリ２５に格納された改竄検出プログラム２６のデータを、画像データに添付する。 - 特許庁

To avoid the disadvantage that if defective blocks concentrate to a specified physical zone of a flash memory, the physical zone cannot ensure the required number of effective blocks.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリの特定の物理ゾーンに不良ブロックが集中した場合に、その物理ゾーンが必要とする有効ブロックの数を確保できなくなることを回避できるようにする。 - 特許庁

A command identification part 1a of a host interface 1 identifies a command from a host H and judges whether or not the operation of a flash memory control part 2 is required for a response to the command for every command.例文帳に追加

ホストインタフェース1のコマンド識別部1aがホストHからのコマンドを識別して、コマンドに対する応答にフラッシュメモリ制御部2の動作を要するかどうかを、コマンドごとに判断する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element capable of increasing a formation region of a floating gate, with no decrease of gap fill margin of an element separation film within a limited area.例文帳に追加

限られた面積の下で素子分離膜のギャップフィルマージン減少なしにフローティングゲートの形成領域を増加させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供す。 - 特許庁

To provide a redundancy circuit for a NAND flash memory device that can solve a problem of a redundancy method using an existent fuse by using a redundancy cam for repair.例文帳に追加

リダンダンシカムを用いてリペアすることにより、既存のヒューズを用いたリダンダンシ方法の問題点を解決することが可能なＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のリダンダンシ回路を提供する。 - 特許庁

At least part of data held in the flash memory is moved to the RAM at the stage where power is stably acquired from a power extracting circuit 30, for example.例文帳に追加

このフラッシュメモリに保持された少なくとも一部のデータは、例えば電力抽出回路３０から持続して電力の取得が行われるようになった段階でＲＡＭに移動される。 - 特許庁

To reduce test time when defect check of a bit line or a sense amplifier is performed in a wafer test of a NAND flash memory, and furthermore extremely reduce the test time through parallel processing of a plurality of chips.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリのウェハテストに際してビット線またはセンスアンプの不良チェックを行う場合に、テスト時間を短縮し、複数チップの並列処理によりテスト時間を大幅に縮める。 - 特許庁

After restoration from the failure, the recovery information stored in the flash memory 44 is returned to the RAM 43 and the pachinko machine 1 can re-start and continue the game as it was before the failure.例文帳に追加

停電が解消すると、フラッシュメモリ４４に退避されていたリカバリ情報がＲＡＭ４３へ復帰され、パチンコ機１は停電発生前の状態から遊技を続行することができる。 - 特許庁

A flash memory 101 has a start boot sector 201 storing start boot data, at least two boot sectors 202, 203 storing boot data, and a main sector storing main data.例文帳に追加

フラッシュメモリ１０１は、起動ブートデータを格納する起動ブートセクタ２０１と、ブートデータを格納する少なくとも２のブートセクタ（２０２、２０３）と、メインデータを格納するメインセクタとを有して構成される。 - 特許庁

Compressed picture parts data 500 stored in the RAM 360 is rotated at 90° on the RAM 360, is transferred to a flash memory 120 in a display device 100 and is preserved there.例文帳に追加

ＲＡＭ３６０に記憶された圧縮画像部品データ５００は、ＲＡＭ３６０上で９０度回転された後、表示装置１００のフラッシュメモリ１２０に転送されて保存される。 - 特許庁

A Flash memory system and a method for data management using the system's sensitivity to charge-disturbing operations and the history of charge-disturbing operations executed by the system are described.例文帳に追加

障害を誘発する動作に対するシステムの感度およびそのシステムによって実行される障害誘発動作の履歴を用いるフラッシュメモリシステムとデータ管理の方法が開示される。 - 特許庁

To provide a voice recording and reproducing device in which connection point noise is not generated at the boundary of frames when it is constituted by combining a VQ(vector quantization) and an analog flash memory.例文帳に追加

ＶＱとアナログフラッシュメモリを組み合わせて音声録音再生装置を構成するときに、フレーム境界において接続点ノイズを生じない音声録音再生装置を提供する。 - 特許庁

The CPU 34 confirms a detected result by the microswitch 64 when image data are acquired and records the image data to the flash memory 66 when the slot cover is not at the closing position.例文帳に追加

ＣＰＵ４７は、画像データが取得された際に、マイクロスイッチ６４の検出結果を確認し、スロットカバーが閉じ位置にない状態では、画像データをフラッシュメモリ６６に記録する。 - 特許庁

The CPU 2, both flash memories 3 and 4, the buffer memory 5, both memories 6 and 7 for logical/physical address conversion and the ECC circuit 8 are connected to one another through a system bus 11.例文帳に追加

ＣＰＵ２と、両フラッシュメモリ３、４と、バッファメモリ５と、両論理／物理アドレス変換用メモリ６、７と、ＥＣＣ回路８とは、システムバス１１を介して互いに接続されている。 - 特許庁

When conversion command information 25 is input from a relay chamber 30, the fail-safe CPU 13 stores the content thereof with an error detection symbol at a plurality of addresses of the flash memory 15.例文帳に追加

フェールセーフＣＰＵ１３は、リレー室３０から転換指令情報２５が入力されたとき、その内容をフラッシュメモリ１５の複数番地に誤り検出符号を付けて記憶する。 - 特許庁

To provide a flash memory device, a data programming method thereof and a data erasing method which can raise the chip integration degree and facilitate the data programming operation and data erasing operation.例文帳に追加

チップの集積度を高め、データプログラム動作及びデータ消去動作を容易に行うことができるフラッシュメモリ装置並びにそのデータプログラム方法及びデータ消去方法を提供する。 - 特許庁

The EEPROM cell gate voltage generating circuit for memory brings the n EEPROM cells into rewritable state at the time of writing a new data of the flash type EEPROM.例文帳に追加

記憶用ＥＥＰＲＯＭセルゲート電圧生成回路は、フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭのデータを新しく書込み時にｎ個の記憶用ＥＥＰＲＯＭセルを書き込み可能な状態にする。 - 特許庁

The control unit 16 having a timer settles the value of heat loading accumulated in flash memory by integration of the values of temperature obtained from temperature sensor through time.例文帳に追加

制御ユニット１６はタイマーを持っていて、温度センサーから得た温度の値を時間に関して積分することによって、フラッシュメモリの蓄積された熱負荷の値を確立できるようになっている。 - 特許庁

After the reception of the images is circulated, the photographing is made available (figure (c)) and when photographing operations are conducted, the 64 images including the photographed images are stored in a flash memory (figure (d)).例文帳に追加

また、画像の取込が１巡すると撮影可能となり（図３（ｃ））、撮影操作が行なわれると、撮影された画像を含む６４枚の画像がフラッシュメモリに記録される（図３（ｄ））。 - 特許庁

To disclose a method for manufacturing a flash memory element capable of improving a threshold voltage disturbance (Vtdisturbance) by reducing a stress applied to a cell by minimizing an interference phenomenon between gate lines.例文帳に追加

本発明は、ゲートライン間の干渉現象を最小化し、セルに加えられるストレスを減らし、しきい値電圧障害(Vtdisturbance)を改善することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を開示する。 - 特許庁