「FLASH memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing flash memory device with which a cell area can be miniaturized and highly integrated by making an etching process for defining a floating gate into anisotropic etching process.例文帳に追加

フローティングゲートを定義するためのエッチング工程を非等方性エッチング工程とすることにより、セル面積を最小化し且つ高集積化できるようにしたフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

A flash memory 15 prepares LTPb 152-i that has a group of entries to register physical addresses information of blocks which are assigned as logical block addresses of every zone 154-i to which the blocks belong.例文帳に追加

論理ブロックアドレスが割り当てられるブロックの物理アドレス情報を登録するためのエントリの群を有するＬＴＰｂ１５２-iを、そのブロックが属するゾーン１５４-i毎にフラッシュメモリ１５に用意する。 - 特許庁

To provide a storage control device for controlling a storage destination of data between storage devices differed in power consumption such as a hard disk and a flash memory device by use of the time zone-based change of power rate.例文帳に追加

本発明の記憶制御装置は、電力料金の時間帯による変化を利用し、ハードディスクとフラッシュメモリデバイスのような消費電力の異なる記憶デバイスの間で、データの格納先を制御する。 - 特許庁

Related to a method for manufacturing a flash memory, a low-voltage transistor part constituting a peripheral circuit goes through many etching processes, so an isolation oxide film 101a in that region is eroded for degraded isolation characteristics.例文帳に追加

フラッシュメモリの製造方法では、周辺回路を構成する低電圧トランジスタ部がエッチング工程を多く経るため、その領域の分離酸化膜１０１ａが浸食され、分離特性が悪くなっていた。 - 特許庁

When an interface part 15 receives consumption amount information, an IC card 1 updates balance information, records it in a flash memory 14 and starts the timer of a timer processing part 13 in accordance with the program of ROM 12.例文帳に追加

ＩＣカード１は、インターフェース部15が消費金額情報を受信すると、ＲＯＭ12のプログラムにしたがって、残高情報を更新してフラッシュメモリ14に記録すると共に、タイマー処理部13のタイマーを起動する。 - 特許庁

A flash memory in which initialization information is stored in fuse cell arrays 110-112 is provided with a read-out control circuit 13 performing read-out of initialization information at the time of initialization operation of a chip dividing into plural times.例文帳に追加

初期化情報をフューズセルアレイ110 〜112 に記憶させているフラッシュメモリにおいて、チップの初期化動作時に初期化情報の読み出しを複数回に分割して行う読み出し制御回路13を設けている。 - 特許庁

To provide a video/audio accumulation apparatus which increases capacity of an expensive flash memory and further enables a temporal or locational relationship of a motion picture and a still picture to be easily grasped.例文帳に追加

高価なフラッシュメモリの容量を増加することができ、しかも、動画と静止画との時間的或いは位置的な関連も容易に把握することが可能な画像音声蓄積装置を提供する。 - 特許庁

A resistance element 22 and an N-channel MOS transistor 26 are connected in series between an output terminal 8.1a of a voltage generating circuit included in a flash memory and a line for a grounding potential GND.例文帳に追加

フラッシュメモリに含まれる電圧発生回路８．１の出力端子８．１ａと接地電位ＧＮＤのラインとの間に、抵抗素子２２およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ２６を直列接続する。 - 特許庁

Even when a flash memory of the microcomputer B4 is replaced with a mask ROM or the like, a correction of a boot program for each microcomputer is unnecessary, and the processing system can be used immediately for various purposes.例文帳に追加

これにより、マイコンＢ４のフラッシュメモリをマスクＲＯＭ等に変更しても、各マイコンのブートプログラムの修正は不要となり、本処理システムを様々な用途に即座に利用することが可能となる。 - 特許庁

The page in the block is divided into a plurality of sub-blocks, and a storing order is changed by a unit of each group, thus the flash memory system 1 can be improved in its rewriting efficiency.例文帳に追加

このようにブロック内のページを複数のサブブロックに分割して、各グループ単位で記憶順序を変更することによって、フラッシュメモリシステム１は、その書替効率を向上させることができる。 - 特許庁

To discharge a dummy capacitor with a constant current until a lower voltage level is achieved when a sense time of a sense amplifier is controlled using the dummy capacitor in a NAND flash memory.例文帳に追加

本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、ダミーキャパシタを用いてセンスアンプのセンス時間を制御する場合に、より低い電圧レベルまでダミーキャパシタを定電流放電させることができるようにする。 - 特許庁

To enable suppressing occurrence of a program disturb failure and also degradation in an error correction capability of an ECC circuit in a NAND type flash memory with the ECC circuit.例文帳に追加

本発明は、ＥＣＣ回路を備えたＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、Ｐｒｏｇｒａｍ Ｄｉｓｔｕｒｂ不良の発生のみならず、ＥＣＣ回路のエラー訂正能力の低下を抑制できるようにする。 - 特許庁

During read operation, a NAND type flash memory 100 makes a p type semiconductor substrate Psub of a block 1a made unselected by a row decoder 2 into grounding potential VSS.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１００は、読み出し動作時に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１００は、ロウデコーダ２により非選択とされたブロック１ａのｐ型半導体基板Ｐｓｕｂを接地電位ＶＳＳにする。 - 特許庁

When motion picture photographing and recording processing is performed, motion picture data imaged by a CCD 4 are recorded in a flash memory 11 (S44) and the distance of an object is detected from a present position of a focus lens (S45).例文帳に追加

動画撮影記録処理が行われると、ＣＣＤ４により撮像された動画データをフラッシュメモリ１１に記録していき（Ｓ４４）、現在のフォーカスレンズの位置から被写体の距離を検出してく（Ｓ４５）。 - 特許庁

After a silicon nitride film is deposited on the entire surface, an opening is made at a desire position for forming the flash memory 1 and a part of the polysilicon film 6 is etched before a third insulation film 10a is formed.例文帳に追加

次にシリコン窒化膜を全面に付した後、フラッシュメモリ１を形成する所望位置に、開口部を設けてポリシリコン膜６の一部をエッチングした後に、第３の絶縁膜１０ａを形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory device improving a margin in a photo process, preventing defects in pattern, and preventing defects such as photo mask collapse by decreasing aspect ratio of photo mask.例文帳に追加

フォト工程のマージンを向上させること、パターン不良を防止すること、及びフォトマスクのアスペクト比を減らしてフォトマスク崩壊などの不良を防止することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

In the event of failure to correct an error by an error detection and correction module, re-reading out of a flash memory cell is attempted at least once by using one or more correction reference voltages.例文帳に追加

エラー検出訂正モジュールによるエラー訂正が失敗した場合、エラー訂正が成功するまで、少なくとも一度、一つ以上の修正基準電圧を用いて、フラッシュメモリ・セルの再読み出しを行う。 - 特許庁

To provide a multi-plane type flash memory for improving operation speed and data throughput by simultaneously performing programming and read operations for plural planes in response to a chip enable signal containing plural bits.例文帳に追加

マルチプレーン型フラッシュメモリにおいて、複数のビットを含むチップイネーブル信号によって複数のプレーンのプログラムおよび読出し動作を同時に実行することにより、その動作速度とデータ処理量を増加させる。 - 特許庁

To provide the rewriting method of program data for surely rewriting existing program data with new program data without setting many storage areas in a flash memory 28, and an equipment control system.例文帳に追加

フラッシュメモリ２８に多くの記憶領域を設けること無く、且つ、確実に既存のプログラムデータを新規のプログラムデータに書き換えることが可能なプログラムデータの書き換え方法及び機器制御システムを提供する。 - 特許庁

The mounting method of the flash memory card includes procedures 301 to 308 to form a protective film.例文帳に追加

本考案のフラッシュメモリカード実装方法は、保護膜を形成する手順を含まれ、該保護膜は電気回路を保護し、移動（ｍｏｖｅｍｅｎｔ）および後工程の射出成型における熱源の影響を受けないためである。 - 特許庁

To provide the source contact formation method of a flash memory element which is excellent in metallic wiring and contact resistance for preventing the deterioration of element characteristics although a following heat treatment process is carried out.例文帳に追加

金属配線およびコンタクト抵抗に優れると同時に、後続の熱処理工程が行われても素子特性の低下を防止することを可能とするフラッシュメモリ素子のソースコンタクト形成方法を提供する。 - 特許庁

A monitoring part 102f monitors the life of a storage device 2 according to the cumulative rewrite count recorded in the cumulative rewrite count management table 22b and a rewrite count limit value recorded in the flash memory.例文帳に追加

監視部１０２ｆは、ストレージ装置２の寿命を、累計書換え回数管理テーブル２２ｂに記録された累計書換え回数と、フラッシュメモリに記録された書換え回数制限値とに基づいて監視する。 - 特許庁

To provide a gate electrode forming method of a flash memory element, in which CD (critical dimensions) of a gate electrode can be secured by controlling the thickness of a sidewall oxidation film formed in a sidewall of the gate electrode so as to be uniform.例文帳に追加

ゲート電極側壁に形成される側壁酸化膜の厚さを均一に制御してゲート電極のＣＤ(critical dimension)を確保可能にするフラッシュメモリ素子のゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

A reading frequency management part 23 counts a reading frequency in each block each time any page included in the block of the NAND type flash memory device 130 is read, and writes it into a prescribed block.例文帳に追加

読込回数管理部２３はＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置１３０のブロックに含まれるいずれかのページが読み出されるたびに読出回数を各ブロック毎にカウントし、所定のブロックに書き込む。 - 特許庁

A NAND flash memory 108 has restrictions on a specification of NOP which is a maximum number of writings in a unit page in the period between when data are erased and when next data are erased.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０８は、データを一度消去してから次にデータを消去するまでの間に、単位ページ内に書き込みが行える回数の上限値であるＮＯＰの仕様の制約がある。 - 特許庁

A flash memory 51 stores a unique secretion key and a prescribed address message to be generated from a system after setting the secretion/normalization areas and the DRAM 50 is started by a secretion/normalization startup program.例文帳に追加

フラッシュメモリ５１はユニックな秘密化キーと、秘密化／ノーマル化エリアを設定後にシステムより生じる所定のアドレスメッセージとを記憶し、ＤＲＡＭ５０は秘密化／ノーマル化起動プログラムによって起動される。 - 特許庁

A program or data corresponding to an object device such as coin processor are read out of a storage medium such as PC card 2 and the flash memory of the object device is reloaded by running the read program.例文帳に追加

硬貨処理装置等の対象装置に対応するプログラムやデータをＰＣカード２等の記憶媒体から読み出し、該読み出したプログラムを実行して対象装置のフラッシュメモリの書き換えを行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device capable of improving a programming speed by increasing the phosphorus concentration of a polysilicon film used as the control gate without reducing a coupling ratio.例文帳に追加

コントロールゲートとして用いられるポリシリコン膜のリン濃度を増加させながらカップリング比を低めないで、プログラム速度を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A logic LSI is integrated into one chip together with a logic FET wherein a high-permittivity insulation film as a gate insulation film and a gate electrode are provided, so as to constitute the charge-trap type flash memory.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜としての高誘電率絶縁膜及びゲート電極を有するロジックＦＥＴと共に、１チップ内に混載することによりロジックLSIを半導体基板上に構成する。 - 特許庁

A system-on-a-chip 40 includes support for a standard external interface, such as a Universal Serial Bus (USB) or IEEE 1394 interface, to which a host system such as flash memory test equipment can connect.例文帳に追加

システム・オン・チップ４０は、フラッシュメモリテスト装置などのホストシステムを接続することのできる、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）やＩＥＥＥ１３９４インターフェースなどの標準外部インターフェースのサポートを含む。 - 特許庁

To avoid power supply from being cut off while data are being written to a flash memory even when abnormality occurs to communication for transmitting/receiving ON/OFF information about an ignition switch.例文帳に追加

イグニッションスイッチのオン・オフ情報を送受信する通信に異常が生じても、フラッシュメモリに対するデータの書き込み中に電源供給が遮断されてしまうことを回避できるようにする。 - 特許庁

When the address signal ADR of a reading target is outputted from a CPU 11, a corresponding read data DR is read from the flash memory 12, and supplied to the CPU 11 and a 3-state buffer 16.例文帳に追加

ＣＰＵ１１から読み出し対象のアドレス信号ＡＤＲが出力されると、フラッシュメモリ１２から対応する読出データＤＲが読み出され、ＣＰＵ１１と３ステートバッファ１６に与えられる。 - 特許庁

The boot program 10 is stored in a first particular area inside the flash memory, and a storage area for a boot rewriting control program 11 is provided in a second particular area different from the first particular area.例文帳に追加

フラッシュメモリ内部の第１特定領域にブートプログラム１０が格納され、第１特定領域とは別の第２特定領域にブート書き換え制御プログラム１１格納領域を有する。 - 特許庁

When reading credit information stored in an IC card, and for making a storage part (flash memory) store it, an onboard unit generates an authenticator (S225), and writes the authenticator in the IC card and the storage part (S230).例文帳に追加

車載装置は、ＩＣカードに記憶されたクレジット情報を読み出して記憶部（フラッシュメモリ）に記憶させる際、認証子を生成し（Ｓ２２５）、ＩＣカードと記憶部に認証子を書き込む（Ｓ２３０）。 - 特許庁

Accordingly, even during the state where the GPS unit 45 is being used, the captured image data are recorded on the built-in flash memory 51, so that a photographer is allowed to perform photographing without interruption.例文帳に追加

このため、ＧＰＳユニット４５を使用した状態でも、撮影画像データが内蔵フラッシュメモリ５１に記録されることとなり、撮影者は撮影を中断することなく撮影を行うことが可能となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor recording device capable of achieving both error resistance and transfer performance in write and read by an optimum iterated code constitution in a NAND type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおける最適な積符号構成により、誤り耐性と、ライトおよびリードにおける転送性能を両立できる半導体記録装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the area designated by an access instruction given from a host system belongs to the logical sub-block, the data are written in a storage area in the flash memory corresponding to the logical sub-block.例文帳に追加

ホストシステムから与えられるアクセス指示により指定された書き込み先の領域が論理サブブロックに属するときには、論理サブブロックに対応するフラッシュメモリ内の記憶領域にデータが書き込まれる。 - 特許庁

Further, when a switch of an operation part 10 is depressed by a user, the CPU 6 reads out the telephone number corresponding to a depressed dial button from the flash memory 7, and compares it with the telephone numbers of the incoming call career.例文帳に追加

また、ＣＰＵ６は、ユーザにより、操作部１０のスイッチが押下されると、押下されたダイヤルボタンに対応する電話番号をフラッシュメモリ７から読み出し、着信履歴の電話番号と比較する。 - 特許庁

When the update program 152 for the present device is detected from the data 150, the service device executes an update work including write to a flash memory 12, etc., by executing the detected program.例文帳に追加

サービス装置は、そのデータ１５０から自装置用のアップデートプログラム１５２を検出した場合は、その検出したプログラムを実行して、フラッシュメモリ１２等への書き込みを含むアップデート作業を実行する。 - 特許庁

When adjustment processing before shipping the device to which the flash memory is mounted is completed, the adjustment/inspection program at the region 15 is rewritten to another program, and then the device is shipped.例文帳に追加

なお、当該フラッシュメモリを取付けられた装置の出荷前の調整処理が終了すると、領域１５の調整・検査プログラムが別のプログラムに書換えられた後に、当該装置が出荷される。 - 特許庁

To solve the problem that an exclusive ROM for storing a CPU control program is essential in an electronic still camera for storing an image pickup signal in a flash memory after processing the signal by a CPU in terms of software.例文帳に追加

撮像信号をＣＰＵにてソフトウエア的に信号処理してフラッシュメモリに格納する電子スチルカメラにおいて、ＣＰＵの制御プログラムを格納しておく専用のＲＯＭが不可欠である。 - 特許庁

The resource management module 201 manages the utilization situation of the hardware resources in association with each of a plurality of functions, based on the monitored result and information on used amount stored in a flash memory 208.例文帳に追加

資源管理部２０１は、監視結果とフラッシュメモリ２０８に格納される使用量情報とに基づいて、ハードウェア資源の使用状況を複数の機能それぞれに対応させて管理する。 - 特許庁

The temperature sensor is composed of a label 131 which is stuck on the surface of the flash memory 120 and varies in reflection factor with the temperature and an optical sensor 121 which decides the reflection factor of the label 131.例文帳に追加

温度センサは、フラッシュメモリ１２０の表面に貼付された、温度に応じて反射率が変化するラベル１３１と、ラベル１３１の反射率を判別する光センサ１２１とから構成されている。 - 特許庁

The MPU 3 also stores in the memory chips 14_1, 14_2 other operating histories such as the cumulative number of times that the flash disk 1 is powered, the timer values, a history of command processes, internal error numbers, and a history of alternative processes.例文帳に追加

また、ＭＰＵ３は、フラッシュディスク１における累計の電源ＯＮ回数、タイマ値、コマンド処理履歴、内部エラー番号、および代替処理履歴などの処理履歴もメモリチップ１４_1 ，１４_2 に格納する。 - 特許庁

When switching of a first tray 23 and a second tray 24 is included in the sheet processing, a CPU 600 divides a movement distance by data of a movement speed retained in a flash memory and calculates the movement time.例文帳に追加

シート処理に第１トレイ２３と第２トレイ２４の切り替えが含まれる場合、ＣＰＵ６００は、フラッシュメモリに保持した移動速度のデータで移動距離を除して移動時間を演算する。 - 特許庁