「FLASH memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(75ページ目) - Weblio英語例文検索

A flash memory system and a method for data management using the embodiments of the invention use special test cells with early degradation detection (EDD) circuitry instead of using the actual user-data storage cells.例文帳に追加

実際のユーザデータストレージセルを使用する代わりに、劣化の早期検出（ＥＤＤ）回路を備える特別なテストセルを使用する、本発明の実施形態を用いたフラッシュメモリシステムとデータ管理方法が開示される。 - 特許庁

This information processing device reads the program from a server 402 administering all the programs of the device via a network by means of a boot loader 6101 stored in a flash memory 103 and connected via the network when power is turned on or reset.例文帳に追加

情報処理装置は、パワーオン／リセット時に、フラッシュ・メモリ（１０３）に格納されたネットワーク経由のブート・ローダー（６１０１）により、装置の全プログラムを管理するサーバー（４０２）からネットワークを介して当該プログラムを読み込む。 - 特許庁

The driving LSI 50A operates with a master clock MCLK, but reading of the correction data from the fast serial I/F flash memory 40A is performed on the basis of a serial clock SCK synchronized with the master clock MCLK.例文帳に追加

前記駆動ＬＳＩ５０ＡはマスタークロックＭＣＬＫによって動作するが、補正データの高速シリアルＩ／Ｆフラッシュメモリ４０Ａからの読み出しは、マスタークロックＭＣＬＫに同期したシリアルクロックＳＣＫに基づいて行われる。 - 特許庁

Then, in response to a request for access to a certain zone in the flash memory, the address conversion information related with a zone next to the pertinent zone from viewed from a host side is prepared in the predetermined table of the address conversion table.例文帳に追加

そして、フラッシュメモリのあるゾーンに対するアクセスが要求されたことに応答して、ホスト側から見て当該ゾーンの次のゾーンに関するアドレス変換情報をアドレス変換テーブルの所定のテーブル内に作成する。 - 特許庁

A UFD 1 has a function of storing log data showing a user authentication result by fingerprint or a content of operation performed using a host PC 2 after success of the user authentication in a flash memory 22 within the UFD1.例文帳に追加

UFD１には、指紋によるユーザの認証結果、または、ユーザの認証が成功した後にホストPC２を用いて行われた操作の内容を表すログデータをUFD１内のフラッシュメモリ２２に保存する機能が設けられている。 - 特許庁

When an error occurs in the flash memory 5, data are acquired from the server 2 storing the same data or another information processing device 3 via the network 1 using a wireless network or a network using a PLC for recovering the data.例文帳に追加

フラッシュメモリ５にエラーが発生した場合に、ワイヤレスネットワークやＰＬＣを利用したネットワーク１を介して、同一のデータを記憶するサーバ２や他の情報処理装置３からデータを取得してデータの修復を行う。 - 特許庁

Also, when the erasure time stored in the table data is shorter, whether the difference between both erasure times is smaller or larger than a specified value is checked (S 15) and if the difference is larger, warning as the deterioration of the flash memory (S 16)is carried out.例文帳に追加

また、テーブルデータに記憶する消去時間の方が短い場合、両消去時間の差が一定値よりも小さいか大きいかをチェックし（Ｓ１５）、大きい場合にはフラッシュメモリの劣化として警告を行う（Ｓ１６）。 - 特許庁

A file information management part 122 detects the processing state of one or a plurality of files stored in the flash memory, stores the detected processing states in file information generated for each file and manages them.例文帳に追加

ファイル情報管理部１２２は、フラッシュメモリに格納されている１又は複数のファイルの処理状態を検出し、検出した処理状態を、各ファイル毎に生成したファイル情報に格納して管理する。 - 特許庁

An antenna element 10 is mounted on one main surface of the laminated substrate 101, and circuit elements such as an IC 201 for down converter, a CPU chip 301, and a flash memory 302 are mounted on the other main surface thereof.例文帳に追加

積層基板１０１の一方主面にはアンテナ素子１０が実装され、他方主面にはダウンコンバータ用ＩＣ２０１、ＣＰＵチップ３０１およびフラッシュメモリ３０２等の実装回路素子が実装されている。 - 特許庁

A flash memory control system for writing data using a plurality of sectors includes a write control part for writing data on the basis of a status flag indicating each sector status.例文帳に追加

複数のセクタを使用してデータの書き込みを行うフラッシュメモリの制御システムにおいて、 各セクタの状態を示す状態フラグに基づいてデータの書き込みを行う書き込み制御部を有することを特徴とする。 - 特許庁

A dopant 120 is implanted, at the same time, into a polysilicon region 130 used for forming the gate electrode of an NMOS transistor and a source line 77 in the flash memory array region 90.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成するために使用することになる多結晶シリコン領域１３０とフラッシュ・メモリ・アレイ領域９０内のソース線７７とに一緒に同時にドーパント１２０を打ち込む。 - 特許庁

To provide the manufacturing method for a flash memory cell that can improve the operating speed of the cell by decreasing its contact resistance and the surface resistance of a select gate line, thus reducing its contact area and increasing its integration degree.例文帳に追加

接触抵抗及びセレクトゲートラインの面抵抗を減少させて素子の動作速度を向上させ、コンタクト面積を減少させて集積度を増加させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem in which, in a semiconductor storage composed of a flash memory in which write destinations are to be averaged by wear leveling, complete deletion of data causes deterioration in performance of a system and reduction of the rewrite life of the storage.例文帳に追加

ウェアレベリングにより書き込み先が平均化される、フラッシュメモリで構成された半導体ストレージにおいて、データの完全消去はシステムのパフォーマンスの低下とストレージの書き換え寿命を短縮化してしまう。 - 特許庁

To provide a flash memory device the characteristics of which can be improved by forming the film thickness of the edge portion of a tunnel oxide film formed in an active region thicker than the film thickness of the center portion and provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

アクティブ領域に形成されるトンネル酸化膜のエッジ部位の膜厚を中央部位の膜厚よりも厚く形成することによって、素子の特性が高められるフラッシュメモリ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printer controller device, capable of easily updating firmware for adding a storage medium for supporting or addition of a function while suppressing increase in cost without loading a large-capacity flash memory.例文帳に追加

大容量のフラッシュメモリを搭載することなくコストの増加を抑制して、サポートする記録媒体の追加や機能の追加を行うためのファームウエアの更新を容易に行うことができるプリンタコントローラ装置を提供する。 - 特許庁

The data of the movement speed retained in the flash memory determines an actually measured movement speed from the movement distance and the movement time actually measured every time when a tray unit 26 is lifted and is corrected to the latest value using the actually measured movement speed.例文帳に追加

フラッシュメモリに保持した移動速度のデータは、トレイユニット２６が昇降されるごとに実測した移動距離と移動時間とから実測移動速度を求め、実測移動速度を用いて最新の値へ補正される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory cell by which a phenomenon of forming a trench corner site to be thin in thickness by a side wall oxidation process and an active area of a desired critical size.例文帳に追加

側壁酸化工程によってトレンチコーナ部位が薄く形成される現象を防止するとともに、所望の臨界寸法だけの活性領域を確保することが可能なフラッシュメモリセルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the contents of a prescribed one block in a flash memory 1 is rewritten, the states of 128 flags inside of a flag circuit 7 corresponding to each address of page buffers 5, 6 in one to one is detected by a flag detecting circuit 8.例文帳に追加

フラッシュメモリ１における所定１ブロックの内容を書き換える場合、ページバッファ５、６の各アドレスに１対１に対応するフラグ回路７内部の１２８個のフラグの状態をフラグ検出回路８で検出する。 - 特許庁

When there is communication abnormality in reception of the OFF information, there is a possibility to have received the OFF information much later than an actual off timing, so that data write to the flash memory is canceled.例文帳に追加

ここで、前記オフ情報の受信において通信異常があった場合には、実際のオフタイミングよりも大きく遅れてオフ情報を受け取った可能性があるので、フラッシュメモリへのデータの書き込みをキャンセルする。 - 特許庁

To solve the problem that since a semiconductor flash memory required for high reliability must output and input electrons through an oxide film obtained by directly oxidizing a silicon substrate, a using voltage becomes large from positive to negative.例文帳に追加

高信頼性が要求される半導体フラッシュメモリでは、シリコン基板を直接酸化した酸化膜を通して電子の出し入れを行わなければならないため、使用する電圧が正負にわたる大電圧となる。 - 特許庁

The method of manufacturing a flash memory having conductor lines (24) crossing a trench isolation structure (70) comprises forming nitride side walls (125) for protecting a laminate during an SAS etching process.例文帳に追加

溝隔離構造（７０）を横断する導電線（２４）を有するフラッシュ・メモリ装置を製造する方法であって、この方法は、ＳＡＳ食刻プロセス中に積層を保護するために窒化物側壁（１２５）を形成することを含む。 - 特許庁

Namely, comparing byte codes #1 to #14 at a flash memory side with byte codes #1 to #14 at a disk side, rewriting operation is started by determining that firmware of the disk is firmware of a corresponding model if they are all coincided with each other.例文帳に追加

すなわち、フラッシュメモリ側のバイトコード＃１〜＃１４と、ディスク側のバイトコード＃１〜＃１４とを比較し、それらがすべて一致していれば、ディスクのファームウェアが対応機種のファームウェアであると判定して書換え動作を開始する。 - 特許庁

In this flash memory 1, a precharge circuit 30 includes transistors 19, 20 to be controlled respectively by precharge signals PR1, PR2, and pulse widths of the precharge signals PR1, PR2 are separately adjustable.例文帳に追加

このフラッシュメモリ１では、プリチャージ回路３０はそれぞれプリチャージ信号ＰＲ１，ＰＲ２によって制御されるトランジスタ１９，２０を含み、プリチャージ信号ＰＲ１，ＰＲ２のパルス幅は別々に調整可能になっている。 - 特許庁

As a result of inspection, when the opposite side equipment is the video telephone system, the CPU 14 transmits the voice data and the image data stored in a flash memory 22 to the opposite side as the response message of an automatic answering telephone.例文帳に追加

この検査の結果、相手装置がテレビ電話装置である場合には、ＣＰＵ１４はフラッシュメモリ２２に格納されている音声データと画像データとを、留守番電話の応答メッセージとして相手方に送信する。 - 特許庁

To provide an optical disk reproducing apparatus which can effectively utilize a RAM area and save the RAM area by eliminating the need of deploying a display program on the RAM when rewriting a control program in a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリ内の制御プログラムの書き換え時に、ＲＡＭ上に表示プログラムを展開させる必要をなくし、ＲＡＭ領域を有効に使用でき、ＲＡＭ領域を節約できる光ディスク再生装置を提供する。 - 特許庁

A flash memory 27 used in a Bluetooth module comprises the firmware region 11 which is rewritten by updating or the like, and an RF setting region 12 which stores a unique setting value such as communication specifications or the like.例文帳に追加

ブルートゥースモジュールに使用されるフラッシュメモリ２７は、アップデート等による書き替え可能なファームウェア領域１１と、通信仕様等の固有の設定値を格納するＲＦ設定領域１２とにより構成される。 - 特許庁

A NOR type flash memory 100 by which data are writable in either one of the multi-valued data or binary data, includes an address conversion circuit 13 for rearranging a part of address bit of the external address at the writing of the binary data.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリ１００は、多値データと二値データのいずれかでのデータ書込みが可能であり、二値データ書込み時に外部アドレスのアドレスビットの一部を並び換えるアドレス変換回路１３を備える。 - 特許庁

To improve reliability by reducing the influence of noises generated by a write/erase operation on a read operation during execution of a simultaneous execution function in a flash memory having the simultaneous execution function.例文帳に追加

本発明は、同時実行機能を有するフラッシュメモリにおいて、同時実行機能の実行時に発生する書込み／消去動作によるノイズの、読出し動作への影響を低減でき、信頼性を向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a gate structure of a flash memory cell which has a multi-capacitor structure capable of increasing programming and erasing rates by an increase in the coupling ratio, a method of forming the same, and a method of forming the dielectrics film for the same.例文帳に追加

カップリング比の増加によるプログラム及び消去速度を増加させることができる、マルチキャパシタ構造を有するフラッシュメモリセルのゲート構造とその形成方法及び誘電体膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

One of a pair of blocks of the flash memory 6 is used as a rotation block for use in normal data writing, and the other is used as a mirror block for writing the same data as the rotation block.例文帳に追加

フラッシュメモリ６の対をなす２ブロックのうちの一方を、通常のデータ書き込み時において用いるローテーションブロックとして使用し、もう一方を、ローテーションブロックと同じデータを書き込みミラーブロックとして使用する。 - 特許庁

This address mapping table is composed of: a first value representing an initial position in a flash memory of a RUN including RUN units, for instance, at least two continuous physical addresses; and a second value representing the whole size of the RUN.例文帳に追加

前記アドレスマッピングテーブルはＲＵＮ単位、例えば少なくとも２つ以上連続した物理アドレスを含むＲＵＮのフラッシュメモリ内での初期位置を示す第１値と、前記ＲＵＮの全体のサイズを示す第２値で構成される。 - 特許庁

A program or data corresponding to an object device such as coin processor are read out of a storage medium such as PC card 2 and the object device is controlled or flash memory is reloaded by running the read program.例文帳に追加

硬貨処理装置等の対象装置に対応するプログラムやデータをＰＣカード２等の記憶媒体から読み出し、該読み出したプログラムを実行して対象装置の調整やフラッシュメモリの書き換えを行う。 - 特許庁

In this erasure, the bias voltage of the floating gate of a flash memory element is set so that second voltage or third voltage being an injecting condition of a hot hole is kept, and gate bias voltage is desirably controlled in accordance with a coupling ratio.例文帳に追加

この際、フラッシュメモリ素子のフローティングゲートバイアス電圧は、ホットホール注入条件の第２電圧ないし第３電圧が維持されるようにし、ゲートバイアス電圧は、カップリング比に応じて調節されることが望ましい。 - 特許庁

When new data (record) is stored in a sector in a state in which data is stored halfway in a sector to be processed in a flash memory 4, data is stored at a position of which a flag 1 is in a state being not yet stored.例文帳に追加

フラッシュメモリ４内の処理対象となるセクタの途中まで記憶されている状態で、新しいデータ（レコード）をセクタ内に記憶しようとする場合には、フラグ１が未記憶状態の位置に記憶する。 - 特許庁

As to all of the physical blocks inside a flash memory 111, writing processing times and deletion processing times are measured, and an address of a physical block with a processing time longer than that stored in a threshold value table 109 is stored in a late block table 110.例文帳に追加

フラッシュメモリ１１１内の全物理ブロックの書き込み・消去の処理時間を測定し、閾値テーブル１０９に記憶される値より処理時間の長い物理ブロックのアドレスをレイトブロックテーブル１１０に記憶しておく。 - 特許庁

Once the music data are selected, the music data are read out of a 2nd ROM 6B or flash memory 21 together with a copyright flag CRF indicating that the data are copyrighted with '1' and written to a RAM 7.例文帳に追加

楽曲データが選択されたら、楽曲データを、著作権が存在することを「１」で示す著作権フラグＣＲＦと一緒に第２ＲＯＭ６Ｂまたはフラッシュメモリ２１から読み出してＲＡＭ７に書き込む。 - 特許庁

At that time, a user is requested to input a password, and whether or not the inputted password is matched with a password stored in an RAM 7 is determined, and the image data are transferred to the flash memory 21 only when those passwords are matched.例文帳に追加

この際、パスワードの入力をユーザに要求し、入力されたパスワードとＲＡＭ７に記憶されているパスワードとが一致するか否かを判断し、一致した場合にのみ画像データをフラッシュメモリ２１へ転送する。 - 特許庁

The image data are transmitted to an SD card in an SPI mode where a CRC function is set off, and the address stored in an SD card storage address is used for a write start address and written in a flash memory of the SD card (S110).例文帳に追加

画像データをＳＤカードへＣＲＣ機能をオフしたＳＰＩモードで伝送し、ＳＤカード格納アドレスに格納されたアドレスを書き込み開始アドレスとして、ＳＤカードのフラッシュメモリに書き込む（Ｓ１１０）。 - 特許庁

Further, memory means such as a CPU 51, a flash ROM 52, an SDRAM 53 and an EEPROM 54 are provided on the internal bus 4, and a configuration 5 of these means can realize the functions of "TCP2".例文帳に追加

さらに内部バス４に対して、ＣＰＵ５１と、フラッシュＲＯＭ５２、ＳＤＲＡＭ５３、ＥＥＰＲＯＭ５４などのメモリ手段が設けられ、これらの構成５により「ＴＣＰ２」の機能が実現されるようになされている。 - 特許庁

To enhance the performance of an electronic camera that can easily transfer image data recorded in a camera medium such as a flash memory card to a large capacity data storage device even when no PC or the like is at hand because the electronic camera is being carried.例文帳に追加

ＰＣ等が手元になくても、フラッシュメモリカード等のカメラメディアに記録された画像データを大容量のデータ蓄積装置に簡易に保管することができ、電子カメラの携帯性の向上に寄与し得る。 - 特許庁

Subsequently, matching of a bit rate with a host H is carried out, and the CPU 3 refers protect data written in a protect area PR of the flash memory 2 for determining whether the protect data are in a protected condition.例文帳に追加

続いて、ホストＨとのビットレートの合わせ込みを行い、ＣＰＵ３はフラッシュメモリ２のプロテクトエリアＰＲに書き込まれているプロテクトデータを参照し、該プロテクトデータがプロテクト状態となっているか、否かを判断する。 - 特許庁

When the digital camera 11 receives a signal indicating the completion of character input from the keyboard 13, a control unit of the digital camera 11 generates the character information displayed on the unit 22 as image data, and stores the generated information in a flash memory 15.例文帳に追加

キーボード１３から文字入力の終了信号をデジタルカメラ１１が受信すると、デジタルカメラ１１の制御部は、モニタ部２２に表示された文字情報を画像データとして生成して、フラッシュメモリ１５に記憶する。 - 特許庁

For example, when receiving health data sent from scales 80, the management device acquires time information from a radio clock receiving section 82 and stores the received health data and received times corresponding to each other in a flash memory 74.例文帳に追加

そして、例えば体重計８０から送信される健康データを受信すると、電波時計受信部８２から時刻情報を取得し、受信した健康データと受信時刻とを対応付けてフラッシュメモリ７４に保存する。 - 特許庁

The total number of characters in each transmitted mail and each received mail stored in a flash memory 14 is obtained, a font size and a scroll speed are determined based thereon, and the convenience in mail peruse is attained by display on a display part 22 or the like.例文帳に追加

フラッシュメモリ１４に格納された各送受信メールの文字総数を取得し、それに基づいてフォントサイズやスクロール速度を決定し、表示部２２に表示するなどしてメール閲覧時の利便性を図っている。 - 特許庁

By this reason, the NAND flash memory 108 and the processor 110 are configured to avoid that the ECC (bit error) error of maximum n bits detectable by devices and generated during data read.例文帳に追加

これにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１０８およびプロセッサ１１０は、データ読み出しの際に生じるデバイスが検出可能である最大ｎビットのＥＣＣ（ビット化けエラー）エラーを回避するように構成されている。 - 特許庁