「FLASH memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(77ページ目) - Weblio英語例文検索

An address control circuit 10 rewrites the data held in the EEPROM 6 under control of the memory control circuit 8 and a counter 30 constituting the address control circuit 10 counts up the number of times when the memory control circuit 8 flash writes a data into the EEPROM 6 and holds the count nonvolatilisably.例文帳に追加

アドレス制御回路１０はメモリ制御回路８の制御のもとでＥＥＰＲＯＭ６が保持するデータを書き換え、アドレス制御回路１０を構成するカウンタ３０は、メモリ制御回路８がＥＥＰＲＯＭ６へのデータの一括書き込みを行う回数を計数し、計数値を不揮発的に保持する。 - 特許庁

A flash memory of a memory 9, connected to a baseband chip 3, stores therein image/sound-related information at telephone mode (contrast information, screen luminance information, sound volume information during the telephone mode), and image/sound-related information during a TV viewing mode (contrast information, screen luminance information, sound volume information during TV-viewing mode).例文帳に追加

ベースバンドチップ３に接続されているメモリ９のフラッシュメモリには、電話モード時の画像／音の関連情報（電話モード時のコントラスト情報、画面輝度情報、音量情報）、及びＴＶ視聴モード時の画像／音の関連情報（ＴＶ視聴モード時のコントラスト情報、画面輝度情報、音量情報）が格納されている。 - 特許庁

In accordance with the repetition of a state where the face is detected, and a state where the face is not detected, regarding at least the one face, by the face detection section 151, a controller 150 outputs a recording instruction for recording image data to be picked up by a CCD image sensor 120 in a flash memory 142 or on a memory card 143.例文帳に追加

コントローラ１５０は、顔検出部１５１が少なくとも１つの顔についてその顔を検出した状態とその顔を検出していない状態とを繰り返すことに応じて、ＣＣＤイメージセンサー１２０で撮像する画像データをフラッシュメモリ１４２又はメモリカード１４３に記録するための記録指示を出力する。 - 特許庁

When data recording processing is executed, flash cache request output and reception of a response for confirming presence of data which is already stored in a cache memory on the HDD side, however, not yet recorded to a disk itself are executed and the data already recorded in the disk is erased from a memory on the device side on condition of reception of the response.例文帳に追加

データ記録処理実行時に、ＨＤＤ側のキャッシュメモリに格納済みであるがディスク自体に対する記録が済んでいないデータの有無を確認するフラッシュキュッシュ要求出力および応答受信を実行し、応答受信を条件としてディスク記録済みデータを装置側メモリから消去する。 - 特許庁

At an end in the row direction of a cell array of NAND cells in which selection gate transistors having a stacked gate structure are connected in series to a plurality of memory cell transistors having a stacked gate structure on a semiconductor substrate 30 of an NAND type flash memory, an STI region 20 is formed in the column direction, and dummy NAND cells are formed at an end portion in the row direction.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリの半導体基板30上に積層ゲート構造を有する複数のメモリセルトランジスタに直列に積層ゲート構造を有する選択ゲートトランジスタを接続したNANDセルのセルアレイの行方向端には列方向にSTI 領域20が形成され、行方向端部にダミー用NANDセルが形成されている。 - 特許庁

To reduce the load on a CPU, detect and correct the error using hardware in a tone generator, and replace the page undergoing the error by a new page, in a tone generation apparatus in which waveform data is stored in an NAND flash memory and is read out to a waveform memory via a buffer and simultaneously reproduced.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに波形データを格納し、波形データをバッファ経由で波形メモリに読出しつつ再生を行う楽音生成装置において、ＣＰＵの負荷を軽減し、エラー検出と訂正を楽音生成部内のハードウェアを利用して実現し、またエラーが発生したページを新たなページで代替できるようにする。 - 特許庁

When the SDRAM 14 does not have a free space for information to be written, but it is predicted that the free space for the information is formed in the SDRAM 14, it is determined whether the information can be written more quickly to the SDRAM 14 or the flash memory 15, and the information is written to the quicker memory.例文帳に追加

書き込む情報のサイズ分の空き容量がＳＤＲＡＭ（１４）になく、その情報のサイズ分の空き容量がＳＤＲＡＭ（１４）に形成されることが予想される場合、その情報をＳＤＲＡＭ（１４）及びフラッシュメモリ（１５）のいずれに書き込む方が速いかを判別し、速い方のメモリ（１４，１５）に情報を書き込ませる。 - 特許庁

A memory card 100 having a NAND type flash memory connectable to a host device 200, which transmits/receives a signal to/from the host device 200 at a first voltage (3.3 V) or a second voltage (1.8 V), checks a signal voltage through handshake with the host device 200 when the signal voltage is switched.例文帳に追加

ホストデバイス２００に接続可能な、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを有するメモリカード１００であって、ホストデバイス２００と第１の電圧（３．３Ｖ）または第２の電圧（１．８Ｖ）で信号の送受信が可能であり、信号電圧を切り替える際には、ホストデバイス２００とハンドシェイク処理により互いに信号電圧の確認を行う。 - 特許庁

To provide a microcontroller capable of executing a non-maskable interruption (NMI) without accessing a nonvolatile memory in an indefinite state in the case that there is the occurrence of the non-maskable interruption showing an operation abnormality in a CPU and a system during writing/erasure execution to/from a rewritable nonvolatile memory such as a flash EEPROM.例文帳に追加

フラッシュＥＥＰＲＯＭなどの書き換え可能な不揮発性メモリに対する書き込み・消去実行中にＣＰＵ、システムの動作異常を示すノンマスカブル割り込み（ＮＭＩ）が発生した場合に、不定状態の不揮発性メモリにアクセスすることなくノンマスカブル割り込みを実行できるマイクロコントローラを提供する。 - 特許庁

In an information storage system by a flash memory for storing information, and for rewriting or erasing the stored information as necessary, specific bits in the specific region of the memory relating to the information are rewritten from 1 to 0, so that the meaning of the stored information can be changed.例文帳に追加

情報を格納し、必要に応じて格納した情報を書き換えまたは消去するフラッシュメモリによる情報格納システムフラッシュメモリシステムにおいて、その情報に関するメモリの特定の領域における特定のビットを１から０に書き換えることにより、格納した情報の意味付けを変更する。 - 特許庁

In the memory cell array of this NOR type flash memory, a conductive material is supplied to the cavity 22 formed in the source wiring 21 having a U-shaped structure not only from a hole for source contacting but also from a hole for dummy source contacting in the process of forming a source contact electrode 23 and a dummy contact electrode 24.例文帳に追加

本発明に係るＮＯＲ型フラッシュメモリのメモリセルアレイは、ソースコンタクト電極２３及びダミーコンタクト電極２４を形成する工程においてＵ字構造のソース配線２１に形成された空洞２２にソースコンタクト用のホールに加えてダミーソースコンタクト用のホールからも導電体が供給される。 - 特許庁

The method of erasing data in a flash memory device includes a step of generating wordline bias voltages which are different from one another, an erasing step of applying the wordline bias voltages which are different from one another to a plurality of wordlines and applying an erasing voltage Vera to the bulk region of memory cells, and a step of verifying erased states.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置の消去方法は、互いに異なるワードラインバイアス電圧を生成する段階と、前記互いに異なるワードラインバイアス電圧を前記複数のワードラインに印加し、消去電圧Ｖｅｒａをメモリセルのバルク領域に印加する消去段階と、消去状態を検証する段階とを含む。 - 特許庁

If the white blemish correction information is recorded in a flash memory 20d and the temperature of a CCD type image pickup element 13 is not less than a predetermined value, a control unit 20 uses the data of a pixels for correction to correct the data of pixels of the white blemish in an RAW system image data written into a buffer memory 16.例文帳に追加

フラッシュメモリ２０ｄに白キズ補正情報が記録されており、且つＣＣＤ型撮像素子１３の温度が所定値以上である場合、制御部２０は、バッファメモリ１６に書き込まれたＲＡＷ形式の画像データ中の白キズにかかる画素のデータを補正用画素のデータを用いて補正する。 - 特許庁

The SD memory card interface controller 3 is an LSI made into one chip for performing operation control inside the SD memory card, a CPU 6 is provided inside this controller, only the CPU 1 can access an RTC 10 and accessed and read data are stored in the secret RAM area of the FLASH ROM.例文帳に追加

ＳＤメモリカードインタフェースコントローラ３はＳＤメモリカード内部の動作制御を行う１チップ化されたＬＳＩであり、このコントローラ内部には、ＣＰＵ６が設けられ、ＣＰＵ１のみが、ＲＴＣ１０へアクセスすることができ、アクセスして読み出されたデータは、ＦＬＡＳＨ ＲＯＭの秘匿ＲＡＭ領域に格納される。 - 特許庁

Since the whole or a part of an instruction decoder 8 is composed of a flash memory 8b, an instruction code is easily changed only by rewriting the contents of the memory 8b even in the case of requiring the change and addition of a peripheral circuit with the change and addition of the specification of a microcomputer in the case of executing program evaluation by the evaluation chip.例文帳に追加

インストラクションデコーダ８の全部又は一部をフラッシュメモリ８ｂとした為、評価用チップでプログラム評価を行う場合、マイクロコンピュータの仕様の変更、追加に伴い、周辺回路の変更、追加を必要とする場合であっても、フラッシュメモリ８ｂの内容を書き換えるだけで命令コードを容易に変更できる。 - 特許庁

The flash memory device having multi-level cells comprises a memory cell array, a means for previously charging bit lines, a bit line voltage supply circuit for supplying voltage to bit lines, and a 1st to 3rd latch circuits whose functions are mutually different and executes reading operation and programming operation by dividing bits into the LSB and MSM.例文帳に追加

本発明によるマルチレベルセルを有するフラッシュメモリ装置は、メモリセルアレイと、ビットラインをプリチャージする手段と、前記ビットラインに電圧を供給するビットライン電圧供給回路と、互いに機能を異にする第１乃至第３ラッチ回路とを含み、ＬＳＢとＭＳＢに分けて読み出し動作及びプログラム動作を実行する。 - 特許庁

A flash memory of a memory 9 connected to a baseband chip 3 stores image/sound related information during a telephone mode (contrast information during the telephone mode, screen luminance information, sound volume information) and the image/sound related information during a TV viewing mode (the contrast information during the TV viewing mode, the screen luminance information, the sound volume information).例文帳に追加

ベースバンドチップ３に接続されているメモリ９のフラッシュメモリには、電話モード時の画像／音の関連情報（電話モード時のコントラスト情報、画面輝度情報、音量情報）、及びＴＶ視聴モード時の画像／音の関連情報（ＴＶ視聴モード時のコントラスト情報、画面輝度情報、音量情報）が格納されている。 - 特許庁

This data rewriting device rewrites data stored in a flash ROM 2 as a nonvolatile memory the rewriting of which is restricted which is provided to a portable information terminal main body 20 by using a program to execute update to be supplied from a plate like memory 7 as an attachable/detachable recording medium and the data to be used for update.例文帳に追加

携帯情報端末装置本体２０に備えられた書き換えの制限された不揮発性メモリであるフラッシュＲＯＭ２に記憶されたデータを、着脱可能な記録媒体である板状メモリ７から供給される更新を実行するプログラムと更新に使用されるデータとを利用して行うものである。 - 特許庁

Upon receiving the command (Get Max Size) via a host interface part 21, a memory control part 23 searches for unused logical blocks in the logical space of a flash memory 22 to calculate a maximum divisible size of logical space, and sends the maximum divisible size of logical space to the host device 10.例文帳に追加

メモリ制御部２３は、ホストインターフェース部２１を介してコマンド（Get Max Size）を受信すると、フラッシュメモリ２２が有する論理空間において未使用の論理ブロックを探索することにより論理空間の分割可能な最大サイズを算出し、論理空間の分割可能な最大サイズをホスト機器１０に送信する。 - 特許庁

This memory controller making access to the flash memory including a plurality of blocks on the basis of a logic block address is provided with a detection means detecting an illicit mapping block with an allocated logic block address ineffective for the respective blocks and a deletion means deleting the illicit mapping block detected by the detection means.例文帳に追加

論理ブロックアドレスに基づいて複数のブロックを含むフラッシュメモリにアクセスするメモリコントローラであって、それぞれのブロックにとって有効でない論理ブロックアドレスが割り当てられた不正マッピングブロックを検出する検出手段と、検出手段により検出された不正マッピングブロックをブロック消去する消去手段とを備えている。 - 特許庁

To provide the programming / erasing voltage supply circuit of a flash memory cell capable of normally performing programming / erasing operations regardless of a change in programming / erasing characteristic and improving the reliability of the circuit and the service life of the cell.例文帳に追加

プログラム／消去特性変化に拘わらずプルグラム／消去動作を正常的に行うことができ、回路の信頼度および素子の寿命を向上させることのできるフラッシュメモリ素子のプログラム／消去電圧供給回路を提供する。 - 特許庁

To enable a thermal oxide film optimal in thickness to be grown on the surface of a transistor gate of each circuit without a large number of additional processes in a semiconductor device mounted with both a microcontroller circuit and a flash memory circuit.例文帳に追加

マイクロコントローラー回路とフラッシュメモリー回路を同時に搭載する半導体装置において、著しい工程増加なしに、それぞれの回路のトランジスタゲート電極表面に、それぞれ最適な膜厚の熱酸化膜を成長させる。 - 特許庁

When power supply interception occurs during program operation on the flash memory, the interrupted processing is determined, when detecting that the processing of program operation has been interrupted by interception of the power supply after restoration of power supply (step S1).例文帳に追加

フラッシュメモリのプログラム動作中に電源遮断が発生し、電源の再投入後に、その前に電源の遮断によりプログラム動作の処理が中断されたことを検出した時点で、その中断された処理を判定する（ステップＳ１）。 - 特許庁

In the data storage apparatus 1, data stored in a data bank 61 composing a flash memory 60 are batch-erased based on a condition that a vehicle is in a fixed speed and more e.g. 10 Km per hour.例文帳に追加

データ記憶保持装置１では、例えば「時速１０ｋｍ」等、車両が一定速度以上であることが成立したことに基づいて、フラッシュメモリ６０を構成するデータバンク６１に記憶保持されたデータを一括消去することとした。 - 特許庁

At the interruption of power from the television receiver, when the mobile phone function section 30 receives a short message, the control section 50 outputs its ringer tone, causes the LED 65 to flash on and off and stores the message to a message memory 56.例文帳に追加

テレビ受信機の電源がオフのときに携帯電話機能部３０でショートメッセージが受信されたときには、制御部５０は、着信音を出力させ、ＬＥＤ６５を点滅させた後、そのメッセージをメッセージメモリ５６に記録する。 - 特許庁

When a specified time is passed in standby state, a CPU 20 detects the error of the data stored in the FLASH memory 21 based on the redundant data, and modifies the error of the detected data based on the redundant data.例文帳に追加

ＣＰＵ２０は、スタンバイ状態にあって所定時間となった時に、ＦＬＡＳＨメモリ２１に記憶されたデータの誤りを冗長データをもとにして検出し、この検出されたデータの誤りを冗長データをもとに修正する。 - 特許庁

A one-transistor semiconductor memory can be obtained wherein the ferroelectric film like a PZT film is crystallized on an SiO2 insulating film like a gate oxide film or silicon by using the flash lamp, in the state that interface reaction is restrained.例文帳に追加

またフラッシュランプを用いてゲート酸化膜などのＳｉＯ_2 絶縁膜あるいはシリコン上に界面反応を抑制した状態でＰＺＴ膜などの強誘電体膜を結晶化した１トランジスタタイプの半導体メモリが得られる。 - 特許庁

To provide a recovery method of a NAND flash memory device in which interference effect due to difference between threshold voltage of an erasing cell and threshold voltage of a program cell can be reduced by raising threshold voltage of the erasing cell.例文帳に追加

消去セルのしきい値電圧を高めることにより、消去セルのしきい値電圧とプログラムセルのしきい値電圧との差によるインターフェランス効果が低減可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子のリカバリ方法を提供する。 - 特許庁

To provide an automatic booting system and a method for reading a booting instruction code in an XIP type or Non-XIP type flash memory to a CPU of a computer system in order to solve various problems by a conventional technology.例文帳に追加

従来の技術による諸問題を解決するため、コンピューターシステムのＣＰＵにＸＩＰ型またはＮｏｎ−ＸＩＰ型フラッシュメモリーにおけるブーティング命令コードを読み出させる自動ブーティングシステム及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory having plural cores being assembly of a block being a unit of data erasion, and in which data write-in operation or erasion operation in an arbitrary core and data read-out operation in the other arbitrary core can be performed simultaneously.例文帳に追加

データ消去の単位となるブロックの集合である複数のコアを有し、任意のコアでのデータ書込み又は消去動作と、他の任意のコアでのデータ読出し動作との同時実行を可能としたフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

Next, the information processing device sets a route to a point on a road corresponding to the edge of the area from the current position; calculates a required time of the route; and stores the required time for each route in a RAM or a flash memory (S4-S11).例文帳に追加

次に、現在位置から範囲の端に対応する道路上の地点までの経路を設定し、その経路における所要時間を算出して、その所要時間を経路毎にＲＡＭやフラッシュメモリに保存する（Ｓ４〜Ｓ１１）。 - 特許庁

The animation image data stored in the FLASH memory 6 is transferred to a panel I/F 10 via the ASIC 1 being the image forming IC, the CPU 2, and the SDRAM 3, and is animation displayed in monochrome in the operation part 9.例文帳に追加

ＦＬＡＳＨメモリ６内に格納されているアニメーション画像データは、画像形成処理ＩＣ：ＡＳＩＣ１、ＣＰＵ２、ＳＤＲＡＭ３を介して、パネルＩ／Ｆ１０へ転送され、操作部９にて、モノクロのアニメーション表示が行われる。 - 特許庁

When downloading is selected, a block of the RAM or the flash memory specified by address information attached to data sent from the external device is deleted (S10), and received data are written in the deleted block (S11).例文帳に追加

ダウンロードが選択されると、外部装置から送信されてくるデータに付加されたアドレス情報により指定されたＲＡＭまたはフラッシュメモリのブロックを消去し（Ｓ１０）、その消去したブロックに受信したデータを書き込む（Ｓ１１）。 - 特許庁

A mode change-over control circuit 23 has a function of changing over a high-speed operation mode in which a peak consumption current in the flash memory becomes a 1st value to/from a low consumption current mode in which the current becomes a 2nd value lower than the 1st value.例文帳に追加

モード切替制御回路２３は、フラッシュメモリにおける消費電流のピークが第１の値となる高速動作モードと、第１の値よりも低い第２の値となる低消費電流モードとを切り替える機能を有する。 - 特許庁

A CPU overwrites the data 151-1 of a page 150 by using WDATA[K] 160 one by one in an order on the basis of a flash memory address stored in a RAM and repeats overwrite processing so as to update the data of the page 150 bit by bit.例文帳に追加

CPUは、RAMに記憶されているフラッシュメモリアドレスに基づいて、ページ１５０のデータ１５１−１にWDATA［K］１６０を１つずつ順番に用いて上書きさせていき、ページ１５０のデータが１ビットずつ更新するように上書き処理を繰り返す。 - 特許庁

The CPU 15 allows the image processing section 6 to a simple image whose number of pixels is smaller than that of the basic image from the photographing image or the basic image and allows an image recording 14-2 in a flash memory 14 to record the simple image.例文帳に追加

その一方で、ＣＰＵ１５は、撮影画像若しくは基本画像からその画素数が基本画像よりも少ない簡易画像を画像処理部６に作成させ、フラッシュメモリ１４内の画像記録部１４−２に記録させる。 - 特許庁

IMAGE FORMING APPARATUS OF PARTICULARLY FORMING IMAGE TO PAPER ON BASIS OF DATA OF FILE STORED IN REMOVABLE STORAGE SUCH AS USB FLASH MEMORY例文帳に追加

画像形成装置本発明は、データに基づいて用紙に画像を形成する画像形成装置に関し、特に、ＵＳＢフラッシュメモリ等のリムーバブル記憶装置に格納されたファイルのデータに基づいて用紙に画像を形成する画像形成装置に関する。 - 特許庁

A DVD buffer control unit 23B converts the data recorded in 64 k-byte array in the recording unit of the flash memory 4 into the data in 32 k-byte array in the recording unit of the DVD and then transfers this data to the DVD drive 5.例文帳に追加

ＤＶＤバッファ制御部２３Ｂが、フラッシュメモリ４の記録単位である６４ｋバイト並びで記録されていたデータを、ＤＶＤの記録単位である３２ｋバイト並びにデータを変換してＤＶＤドライブ５に転送する。 - 特許庁

The contents of a vehicle basic function control program are updated in a flash memory 80 in which the vehicle basic function control program is stored by a decoding circuit 90 and a rewriting circuit 92 based on the fetched cipher data.例文帳に追加

その取り込まれた暗号データに基づき、復号化回路９０および書換回路９２により、車両基本機能制御プログラムを記憶したフラッシュメモリ８０においてその車両基本機能制御プログラムの内容を更新する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory device which can increase the reliability of cells, by filling a space between gate patterns with a low dielectric material and minimizing the interference phenomenon occurring between among adjacent gate patterns.例文帳に追加

ゲートパターン同士の間を低誘電体物質で充填し、隣り合うゲートパターン同士の間に発生する干渉現象を最小化することにより、セルの信頼度を高めるようにするフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

When any contents 120 are requested from a client, the Web server 110 reads the address of these contents 120 out of the Web contents managing table 111 and reads these contents 120 from the relevant address on the flash memory 12.例文帳に追加

そして、Ｗｅｂサーバ１１０は、クライアントから何れかのコンテンツ１２０が要求された場合には、そのコンテンツ１２０のアドレスをＷｅｂコンテンツ管理テーブル１１１から読み出して、フラッシュメモリ１２上の当該アドレスからそのコンテンツ１２０を読み出す。 - 特許庁

When the USB communication microcomputer 21 discriminates that the information is addressed to itself, the microcomputer 21 transfers the received update information to a control microcomputer 22 and writes the update information sent from the control microcomputer 22 to a flash memory 24.例文帳に追加

ＵＳＢ通信用マイコン２１は、自己宛てであると判別した場合、受信した更新用情報をコントロール用マイコン２２に転送した後に、コントロール用マイコン２２から送られる更新用情報をフラッシュメモリ２４に書き込む。 - 特許庁

When the temperature of the HDD is determined not to reach the upper limit temperature or higher before the reproduction of the content to be reproduced next in the content list is completed, a next content is reproduced not from the flash memory but from the HDD.例文帳に追加

コンテンツリストで特定される次に再生すべきコンテンツを再生し終えるまでにＨＤＤの温度が上限温度以上にならないと判断されると、次のコンテンツをフラッシュメモリからではなく、ＨＤＤから再生する。 - 特許庁

The registration data such as the font data and the graphic data for use in the printing of gold notes and the like are downloaded together with data indicating a storage period (a period of validity) from a host computer 200 and stored in a flash memory 105.例文帳に追加

金券等の印字に使用されるフォントデータやグラフィックデータ等の登録データは、その保存期間（有効期間）を示すデータとともにホストコンピュータ２００からインタフェース１１０を介してダウンロードされ、フラッシュメモリ１０５に保存される。 - 特許庁

To provide a row decoder circuit of a NAND type flash memory capable of supplying a normal operating voltage to a word line or a selection line also in the case of low voltage operation, and to provide an operating voltage supplying method using the same.例文帳に追加

低電圧動作の際にもワードラインまたはセレクトラインへ正常的な動作電圧を供給することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリのロウデコーダ回路およびこれを用いた動作電圧供給方法を提供する。 - 特許庁