FLASH memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4423件
In this flash memory 4, the number of storage blocks A4-A9 of an area written with control data having high update frequency is set to be larger than the number of storage blocks A1-A3 of an area written with control data having low update frequency.例文帳に追加
フラッシュメモリ4において、更新頻度の高い制御データを書き込む領域の記憶ブロックA4〜A9を、更新頻度の低い制御データを書き込む領域の記憶ブロックA1〜A3よりも多くする。 - 特許庁
An interface 21 is supplied at least a part of internal signal which is transmitted and received between the flash memory and the controller, is configured to recognize it, and outputs the at least the part of internal signal of an input signal.例文帳に追加
インターフェース21は、フラッシュメモリとコントローラとの間で授受される内部信号の少なくとも一部を供給され且つ認識可能に構成され、内部信号の少なくとも一部を入力信号として出力する。 - 特許庁
To prevent the decline of a write speed when respectively writing the set of data comprising two or more kinds of data from a plurality of ports to a flash memory and to obtain a sizable free area after erasing the set of the data.例文帳に追加
フラッシュメモリに対し、複数種類のデータから成るデータの集合を複数ポートからそれぞれ書き込む場合に、書き込み速度の低下を防ぎ、且つ、データの集合の消去後に纏まった空き領域を得る。 - 特許庁
An emulator 2 loads a simple program which a CPU 11 of a target system 1 uses to perform communications between an interface part 14 for the emulator and a flash memory 12 into a free storage area of a RAM 13 of the target system 1.例文帳に追加
ターゲットシステム1のCPU11が、エミュレータ用インターフェース部14とフラッシュメモリ12との通信を行うための簡易プログラムを、エミュレータ2がターゲットシステム1のRAM13の空き記憶エリアにロードさせる。 - 特許庁
To reduce latency of a computer by reducing the time required for writing storage data, in a data storage device storing/updating the storage data by alternately writing the storage data into two blocks of a flash memory.例文帳に追加
フラッシュメモリの2つのブロックに交互に保存データを書き込むことで保存データの記憶/更新を行うデータ記憶装置において、保存データの書き込みに要する時間を短くして、コンピュータの待ち時間を抑える。 - 特許庁
To provide a flash memory element which is effective for preventing interference between adjacent cells by executing a program operation in a unit of word line and programming the cell sharing the same word lines, and to provide a programming method thereof.例文帳に追加
ワードライン単位でプログラム動作を実施して、同一ワードラインを共有するのセルをプログラムすることにより、隣接するセル間での干渉防止に有効なフラッシュメモリ素子とそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device preventing a part which is not made into a silicide from being formed as residues of an insulating film etc., remain at a step part of conductive film in a floating gate type flash memory, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
フローティングゲート型フラッシュメモリにおいて、導電膜の段差部分に絶縁膜等の残渣が残り、シリサイド化されない部分が発生することを防止する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In a case the hard disk 3 fails, the operation control program of the air conditioner 12 and the operation control program of the audio apparatus 13 are loaded from the flash memory 4 and executed to make the operation of the air conditioner 12 and the audio apparatus 13 continuable.例文帳に追加
ハードディスク3が故障すると、フラッシュメモリ4からエアコン12の操作制御プログラムとオーディオ機器13の操作制御プログラムをロードして実行し、エアコン12とオーディオ機器13の操作を続行可能とする。 - 特許庁
When an alarm time is set, a user is made to select an image or sounds to be used to report the set time, and set data showing the selected image or sounds is stored in a flash memory 27 together with the alarm time.例文帳に追加
アラーム時刻の設定に際して、ユーザーに、設定時刻の報知に使用する画像や音声を選択させ、アラーム時刻と共に選択された画像や音声を示す設定データをフラッシュメモリ27に記憶する。 - 特許庁
According to the attribute of information stored in a cache memory (temporary storage means), the operation of reading information temporarily stored in the temporary storage means and writing it in the storage medium, that is, flash operation is controlled.例文帳に追加
キャッシュメモリ(一時記憶手段)に記憶された情報の属性に応じて、一時記憶手段に一時記憶される情報を読み出すと共に上記記録媒体に書き込む動作、即ちフラッシュ動作を制御する。 - 特許庁
Dynamic sub-region spacing refers at least to the number of data tracks in a data region of a magnetic disc 100 between dynamic isolators and the number of bits in a data region in flash memory between dynamic isolators.例文帳に追加
動的なサブ領域間隔は少なくとも動的な隔離体間の磁気ディスク100のデータ領域におけるデータトラックの数と動的な隔離体間のフラッシュメモリにおけるデータ領域内のビットの数とを指す。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a nonvolatile semiconductor storage device, which enables reduction in size of a ship of a nonvolatile semiconductor storage device (flash memory), decrease in manufacturing cost of the device, and/or high integration.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置(フラッシュメモリ)のチップサイズを小さくし、製造コストを下げる、および/あるいは高集積化する不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供することが課題である。 - 特許庁
If the print data conversion software stored in the flash memory 26 is started, it sends dialog data for printing mode setting to a liquid crystal control circuit 36 and displays a dialog for the printing mode setting on the liquid crystal display panel 34.例文帳に追加
フラッシュ・メモリ26に記憶されたプリントデータ変換ソフトウエアは、起動されると、液晶制御回路36にプリントモード設定用ダイヤログのデータを送り、液晶表示パネル34にプリントモード設定用ダイヤログを表示させる。 - 特許庁
In the initial state of equipment, in which the switches SW1 to SW3 are turned off, the boot control detecting ports B1 to B3 becomes "high", "high" and "low" states respectively and normal start from a NAND flash memory 100 is executed.例文帳に追加
スイッチSW1〜SW3のオフ状態である機器の初期状態では、ブート制御検出用ポートB1〜B3が「Hi」、「Hi」、「Low」となり、NANDFLASHメモリ100からの通常起動となる。 - 特許庁
In the case of initializing an one-chip microcomputer, the state of an RS type flip flop(FF) 21 is judged, and only when the FF 21 is reset, the data rewriting operation of a flash memory 1 is started.例文帳に追加
1チップマイクロコンピュータを初期化する際にRS型フリップフロップ21の状態を判別し、RS型フリップフロップ21がリセットされている場合のみ、フラッシュメモリ1のデータ書き換え動作に移行する構成とした。 - 特許庁
To provide a flash memory system that cannot only streamline data writing but also suppress an increase in access time even when data entries are increased, and an electronic apparatus and a portable terminal device having the same.例文帳に追加
効率よくデータの書き込みを行うことができることはもとより、データエントリ数が多くなっても、アクセス時間の増大を抑止できるフラッシュメモリシステム、電子機器、およびそれを備えた携帯端末装置を提供する。 - 特許庁
By this arrangement, the writing of data and reading of data at one word unit become possible by giving the continuous external addresses at the writing of the binary data, thereby the NOR type flash memory 100 can be effectively utilized at an SLC mode.例文帳に追加
これにより、二値データ書込み時には、連続した外部アドレスを与えて1ワード単位でのデータ書込みとデータ読出しが可能となり、SLCモード時にNOR型フラッシュメモリ100を有効利用できる。 - 特許庁
In the case that the output characteristic is drastically changed with time, the calibration control part 23a derives a correction function and updates the output characteristic stored in the flash memory 19 and the correction function.例文帳に追加
経年変化により出力特性が大きく変化していた場合には、校正制御部23aは補正関数の導出を行い、フラッシュメモリ19に格納されている出力特性および補正関数を更新する。 - 特許庁
Further, the input/output terminals ID 8 and 9 of the testing equipment 2 are connected to a multifunction terminal DQ 8/BUSY of the flash memory 1 and the input/output terminal ID 9 is set for exclusive use for input of data to the testing equipment 2.例文帳に追加
更に、試験装置2の入出力端子IO8,9を、フラッシュメモリ1の多機能端子DQ8/BUSYに接続し、この入出力端子IO9を試験装置2へのデータ入力専用に設定する。 - 特許庁
A CPU 10 decides whether the initial learning value saved in a flash memory 11A is effective or not at the start of rotation of a disk 1 and suspends the execution of the ordinary learning operation if the value is effective.例文帳に追加
ディスク1の回転起動時に、CPU10は、フラッシュメモリ11Aに保存されている初期学習値が有効であるか否かを判定し、有効である場合には通常の学習動作の実行を中止する。 - 特許庁
In the manufacturing process of semiconductor memories, a semiconductor maker forms a management block 105 for recording a management table capable of managing the addresses of optionally generated initial failure blocks 103 en block on a flash memory.例文帳に追加
半導体メモリメーカがその製造工程において、任意に発生する初期不良ブロック103のアドレスを一括管理できる管理テーブルを記録する管理ブロック105をフラッシュメモリ101上に作成する。 - 特許庁
NR strength corresponding to the focal length of the lens 101 when taking photograph is obtained from a flash memory 118 by a microcomputer 116, and obtained NR strength is input into the NR processing part 181.例文帳に追加
マイクロコンピュータ116により、撮影時のレンズ101の焦点距離に対応したNR強度がFlashメモリ118から取得され、取得されたNR強度がNR処理部181に入力される。 - 特許庁
The home controller 10 includes a flash memory 104 storing a program, a CPU 101 which executes the program, and a communication interface 108 which performs communications with the air circulating device 60 and an opening and closing device 20.例文帳に追加
ホームコントローラ10は、プログラムを格納したフラッシュメモリ104と、プログラムを実行するCPU101と、空気循環装置60および開閉装置20と通信を行なう通信インターフェイス108とを備える。 - 特許庁
A part of plural storage blocks provided in a flash memory 172 is set to a first area 172a and the control program data for describing the procedure of performing the control of the respective parts of a key telephone main unit 1 are stored there.例文帳に追加
フラッシュメモリ172が持つ複数の記憶ブロックの一部を第1領域172aに設定して、ここにボタン電話主装置1の各部の制御処理を行う手順を記述した制御プログラムデータを記憶する。 - 特許庁
To provide a flash memory cell which maintain a threshold voltage uniformly across a channel width even when the charge density of a charge trapping structure across the channel width size is not uniform, and its manufacturing method.例文帳に追加
チャネル幅寸法に沿った電荷捕獲構造の電荷密度が一様でない場合でもチャネル幅寸法に沿ってしきい値電圧を一様に維持したフラッシュメモリセルおよびフラッシュメモリセルの製造方法を提供する。 - 特許庁
In the AG-AND type flash memory, the plurality of clusters are arrayed in the row direction of matrix and a plurality of banks are arrayed in the column direction, and the same pieces of management information 100 are stored in specific pages of all blocks belonging to a certain cluster.例文帳に追加
AG−AND型フラッシュメモリにおいて、マトリクスの行方向に複数のクラスタ、列方向に複数のバンクを配列し、あるクラスタに属する全ブロックの特定ページに同一の管理情報100を格納する。 - 特許庁
The flash memory is divided into a plurality of batch erasable storage areas to store a rewritten control program and a transfer control program, and provided with a control register which sets the operating state of erasure/writing, etc.例文帳に追加
フラッシュメモリは、複数の一括消去可能な記憶領域に分割され、書換え制御プログラムと転送制御プログラムとを格納し、消去・書込み等の動作状態を設定するコントロールレジスタを有する。 - 特許庁
To start an information processor even at the time of causing a memory failure, and to make rewritable a BIOS in a BIOS storing means (flash ROM or the like) while continuing the operation of the OS of the information processor.例文帳に追加
メモリ障害の発生時にも情報処理装置の起動を可能とし、情報処理装置のOSの運用を継続したままBIOS記憶手段(フラッシュROM等)内のBIOSの書換えを可能とする。 - 特許庁
To provide a bias level generating circuit of a flash memory element in which oscillation can be prevented by making a bias level being suitable for the operation, when cell-program operation is performed or verification of program is performed.例文帳に追加
セルプログラム動作を行なうかプログラム検証を行なう場合、該当動作に適したバイアスレベルを作ることにより、オシレーションを防止することができるフラッシュメモリ素子のバイアスレベル生成回路を提供すること。 - 特許庁
The flash memory stores set time as an operation interval for processing which is performed at the set time intervals and is performed by immediately returning from a power saving mode in the power saving mode.例文帳に追加
フラッシュメモリは、設定された時間毎に行われる処理であって省電力モード中においては当該省電力モードから即座に復帰して行われる処理について、設定された時間を動作間隔として記憶する。 - 特許庁
To prevent access for a defective block without performing complex file control and to output successively data succeeding to data corresponding to a specified address by only toggle operation of read-enable, in a NAND type flash memory.例文帳に追加
NAND型フラッシュメモリにおいて、複雑なファイル管理をおこなわなくても、欠陥ブロックへのアクセスを回避し、リードイネーブルのトグル動作だけで、指定アドレスに対応するデータ以降のデータを順次出力させること。 - 特許庁
The SD flash memory card is composed of an SD card transmission interface and a circuit board; and a microcontroller and many RAM are installed on the circuit board and the microcontroller is mounted with at least one 1st bus interface circuit.例文帳に追加
該SDフラッシュメモリカードはSDカード伝送インターフェースと回路板により構成し、該回路板はマイクロコントローラ及び多数のRAMを設置し、該マイクロコントローラは少なくとも一個の第一バスインターフェース回路を搭載する。 - 特許庁
The charge-up damage reduction circuit 14A includes a diode connected in the forward direction 14a whose anode is connected with the control gate 37 of the flash memory cell 11 and whose cathode is connected with a NW voltage control circuit 13.例文帳に追加
チャージアップダメージ低減回路14Aは、陽極がフラッシュメモリセル11のコントロールゲート37と接続され、陰極がNW電圧制御回路13と接続された順方向接続ダイオード14aを含む。 - 特許庁
The shutter tone output apparatus 16 stores the shutter tone for informing the user about the storage of the captured image to a flash memory 15 and sound-outputs the shutter tone when the captured image is stored.例文帳に追加
シャッター音出力装置16は、フラッシュメモリ15にキャプチャ画像が記憶されたことをユーザに報知するためのシャッター音を記憶すると共に、キャプチャ画像が記憶される際にシャッター音を音声出力する。 - 特許庁
Then the CPU 2 starts up data transfer control software written in the EPROM 5a to transfer main software from the EPROM 5a to a flash memory 3 via an address bus 6 and a data bus 7.例文帳に追加
すると、CPU2は、EPROM5aに書き込まれたデータ転送制御ソフトウェアを起動させることにより、メインソフトウェアをEPROM5aからアドレスバス6およびデータバス7を介してフラッシュメモリ3に転送する。 - 特許庁
The number of sheet that can be photographed is displayed on the liquid crystal display in place of the animation recordable time (S9) and the still image to be recorded is captured (S10), JPEG-compressed and recorded in the flash memory (S11→S12).例文帳に追加
そして、液晶ディスプレイには動画像記録可能時間に代えて前記撮影可能枚数を表示し(S9)、記録対象の静止画像を捕捉し(S10)、JPEG圧縮してフラッシュメモリに記録する(S11→S12)。 - 特許庁
A flash memory (R) has control data-storing blocks A, B for storing the control data, and a CPU decides the control data-storing block storing the control data from the control data-storing blocks A, B.例文帳に追加
フラッシュメモリ(登録商標)は、制御データを記憶するための制御データ記憶用ブロックA,Bを有し、CPUが、制御データ記憶用ブロックA,Bの中から制御データを記憶する制御データ記憶用ブロックを判定する。 - 特許庁
The information for the adjustment is decided when the communication module is assembled to an electronic apparatus or the like, recorded as the bar code, written in part areas of the flash memory provided to the electronic apparatus or the like and used.例文帳に追加
調整のための情報は、高周波モジュールが電子機器等に組み込まれた時点で決定されてバーコードに記録され、電子機器に備えられているフラッシュメモリの一部の領域に書き込まれて使用される。 - 特許庁
A MPU in the electronic control device groups the memory blocks of the flash ROM into low frequency block groups for storing data with a low frequency of writing-in and a high frequency block groups for storing data with a high frequency of writing-in.例文帳に追加
電子制御装置のMPUは、フラッシュROMの記憶ブロック群を、書込頻度が低いデータ記憶用の低頻度ブロック群と、書込頻度が高いデータ記憶用の高頻度ブロック群とにグループ化する。 - 特許庁
A MPU (microprocessor unit) 61 records the management data including the data specifying a timing intermediate time under execution of timer control and the limited number of times of data recording, in a flash memory 62 limited in the number of times of rewriting the data.例文帳に追加
MPU61が,データの書き換え回数に制限があるフラッシュメモリ62に,タイマ制御の実行中の計時途中時間及びデータ記録の制限回数を特定するデータを含む管理データを記録する。 - 特許庁
A BIOS for checking the depression of a key on a keyboard 6 in each completion of a POST (rising processing) flow such as each initializing processing and four representative BIOS set-up patterns are stored in a flash ROM 2 (read only memory).例文帳に追加
フラッシュROM2には各初期化処理等のPOSTフローを完了する毎にキーボード6のキー押下チェックを行うBIOS及び代表的なBIOSセットアップ設定パターンが4つ格納されている。 - 特許庁
The system and method of monitoring satellite digital audio radio (SDAR) use are provided in which a receiver records and stores radio-use parameters, such as a channel or song being listened to, a time a receiver is active, and a signal quality and type in a flash memory.例文帳に追加
このシステムおよび方法では、受信機が、聴取中のチャネルまたは歌、受信機が活動状態の時間、信号品質およびタイプなどのラジオ使用パラメータをフラッシュ・メモリに記録および格納する。 - 特許庁
To provide a method and circuit for reading a multilevel NAND flash memory cell where a gray code can be used by providing a first page buffer for storing higher order bits and a second page buffer for storing lower order bits on a bit line.例文帳に追加
ビットラインに上位ビットを格納する第1ページバッファと下位ビットを格納する第2ページバッファを設け、グレーコードを用いることが可能なマルチレベルNANDフラッシュメモリセルの読み出し方法及び回路を提供する。 - 特許庁
The flash memory test cells can be made to serve as a "canary in a coal mine" by being made more sensitive than the standard cells by using experimentally determined sensitive write V_T and variable read V_T.例文帳に追加
フラッシュメモリテストセルは、実験的に決定される感度の高い書き込みV_Tと、可変読み込みV_Tを使用して標準的なセルより高感度にすることにより、「炭鉱のカナリア」の役割を果たすようにすることができる。 - 特許庁
Then, when the authenticator is stored in the IC card, and the authenticator is stored in the storage part of the onboard device, the onboard device prevents the storage (flash memory) from storing the credit information of the IC card.例文帳に追加
そして、以後、ICカードに認証子が記憶されている場合、及び、車載装置の記憶部に認証子が記憶されている場合には、車載装置は、当該ICカードのクレジット情報を記憶部(フラッシュメモリ)に記憶させない。 - 特許庁
At the same time, an ejector 4 fixed to the tray 5 by a lock 10 gets into an ejection opening 9 of a connector 3 while it moves horizontally, and a front end part 4a of the ejector 4 touches the side face of the flash memory card 8.例文帳に追加
そして、このトレイ5にロック10で固定されたイジェクタ4が水平移動しながらコネクタ3の突き出し用開口部9に入り込み、イジェクタ4の先端部4aがフラッシュメモリカード8の端面に接触する。 - 特許庁
The ultrasonic oscillating device is composed of an oscillation circuit and a control section, and the control section is provided with a calculating section 31a that calculates an optimal oscillation frequency and a flash memory 34 that stores a preset oscillation frequency value.例文帳に追加
超音波発振器は、発振回路及び制御部からなり、制御部は最適な発振周波数を計算する計算部31a及び設定された発振周波数値を記憶するフラッシュメモリ34を備える。 - 特許庁
An information processor includes the flash memory having the physical storage area capable of storing data in block units wherein a plurality of columns are set as a single unit; and a writing device dividing program data into a plurality of blocks; writing them into the physical storage area; writing a first error correction code imparted to each block into the physical storage area; and writing a second error correction code imparted to the program data in the flash memory.例文帳に追加
この情報処理装置は、複数のカラムを一単位とするブロック単位にデータを記憶可能な物理的な記憶領域を有するフラッシュメモリと、プログラムデータを複数のブロックに分けて前記物理的な記憶領域に書き込み、各ブロックに付与した第1のエラー訂正符号を前記物理的な記憶領域に書き込み、前記プログラムデータに付与した第2のエラー訂正符号を前記フラッシュメモリに書き込む書き込み装置とを備える。 - 特許庁
The flash memory device includes: a memory cell array having memory cells arrayed on word lines and bit lines; a voltage generating circuit constituted so as to generate a program voltage to be applied to a selected word line; a program voltage controller constituted so as to variably control a start level of the program voltage to be applied to remaining pages of each word line by a programming characteristic of the first page of each word line.例文帳に追加
フラッシュメモリ装置はワードラインとビットラインに配列されたメモリセルを有するメモリセルアレイと、選択されたワードラインに印加されるプログラム電圧を発生するよう構成される電圧発生回路と、各ワードラインの一番目のページのプログラム特性により、各ワードラインの残りのページに適用されるプログラム電圧の開始レベルを可変制御するよう構成されるプログラム電圧制御器を含む。 - 特許庁
When a control unit 31 detects a state where a GPS unit 45 is connected to an input/output interface "SDIO" by a switch 44 and a predetermined function that the GPS unit 45 includes is operated so as not to use an SD memory card 39 loaded into a card slot 15, a recording destination of captured image data is switched from the SD memory card 39 to a built-in flash memory 51.例文帳に追加
制御部31が、スイッチ44により入出力インターフェース“SDIO”にGPSユニット45が接続されてGPSユニット45が有する所定の機能が作動し、カードスロット15に装着されたSDメモリカード39が使用できない状態を検出すると、撮影画像データの記録先をSDメモリカード39から内蔵フラッシュメモリ51に切り換える。 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|