「Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Kyu-Shoun-ji Shoheki-ga (wall painting formerly at Shoun-ji Temple) (Chishaku-in Temple, Kyoto) National Treasure, circa 1593 例文帳に追加

旧祥雲寺障壁画（京都・智積院）国宝　1593年頃 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

(Al, Ga, In) N COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体及びその製造方法 - 特許庁

Generally, the word is used to mean a sign of good or bad things happening in the future, and terms such as 'engi wo katsugu' (be superstitious), 'engi ga yoi' (sign of a good thing happening in the future) and 'engi ga warui' (sign of a bad thing happening in the future) are used. 例文帳に追加

一般には、良いこと、悪いことの起こるきざし・前兆の意味で用いられ、「縁起を担ぐ」、「縁起が良い」、「縁起が悪い」などと言う。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a method of forming an (Al, Ga, In)N thin film on a Ga-face c-plane (Al, Ga, In)N substrate using a c-plane surface with a miscut toward the m-direction at least 0.35°.例文帳に追加

ｍ方向に向かうミスカットが少なくとも０．３５度であるｃ面表面を用いて、Ｇａ面ｃ面（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ基板上に（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a Cu-Ga alloy sputtering target which has high Ga concentration and in which cracks, abnormal discharge, and generation of particles are suppressed.例文帳に追加

高Ｇａ濃度を有し、割れや異常放電、パーティクルが発生が抑制されたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。 - 特許庁

In the first raction unit 20, a Ga metal of a group III metal and a chloride HCl react to generate a GaCl_3 gas as a reaction product.例文帳に追加

第１の反応部２０において、III族金属のGaメタルと、塩化物のHClとが反応し、反応生成物としてGaCl_3ガスが生じる。 - 特許庁

Masakata excelled in calligraphic works and paintings such as Sansui-ga (Chinese-style landscape painting) and Kacho-ga (painting of flowers and birds), and the range of his cultural performance broadened to Igo (board game of capturing territory) and green tea ceremony. 例文帳に追加

正賢自身は山水画や花鳥画など書画に優れ、囲碁や煎茶道などにもその芸域が及んだ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

NON-POLAR (A1, B, In, Ga)N QUANTUM WELL, HETEROSTRUCTURE MATERIAL, AND DEVICE例文帳に追加

非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス - 特許庁

It could be said that Suiboku-ga of Japan was in full flower during the Muromachi Period. 例文帳に追加

室町時代は日本水墨画の全盛期と言ってよいであろう。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Nishiki-ga Hyakuji Shinbun': Nishiki-e-shinbun which had the widest circulation in Osaka. 例文帳に追加

「錦画百事新聞」-大阪で最も多数発行された錦絵新聞。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

METHOD FOR PRODUCING In-Ga-Zn-BASED COMPOSITE OXIDE SINTERED COMPACT例文帳に追加

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法 - 特許庁

The content of Ga in the low-melting alloy consisting of Bi, Pb, In, Sn, Ga, etc., is made to 0.1-2.0 wt.%.例文帳に追加

Ｂｉ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇａ等からなる低融点合金中のＧａの含有率を０．１重量％以上、２．０重量％以下とする。 - 特許庁

In 1961, he wrote the novel entitled "Nankai no shibai ni yuki ga furu" (Snowfalls in the drama of southern sea) for the magazine "Bungei Shunju". 例文帳に追加

1961年に『文藝春秋(雑誌)』で「南海の芝居に雪が降る」を執筆。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

a style of Chinese painting in which mountains and water are painted in pale tones, called 'nansou-ga' 例文帳に追加

南宗画という,主として淡彩の山水画を描く中国絵画の様式 - EDR日英対訳辞書

The metal material is a Ga-based alloy which is in a paste state at a temperature of the melting point of the Ga-based alloy or above, the Ga-based alloy comprising at least a Ga-based liquid metal in a liquid state at room temperature and an alkali metal or an alkaline earth metal and having an electron injection function.例文帳に追加

融点以上の温度でペースト状態となるＧａ系合金であって、常温で液体のＧａ系液体金属と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とを少なくとも含んでなり、電子注入機能を有することを特徴とする。 - 特許庁

The metal material is a Ga-base alloy which is in a paste state at a temperature of the melting point of the Ga-base alloy or above, the Ga-base alloy comprising at least a Ga-base liquid metal in a liquid state at room temperature and an alkali metal or an alkaline earth metal and having an electron injection function.例文帳に追加

融点以上の温度でペースト状態となるＧａ系合金であって、常温で液体のＧａ系液体金属と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とを少なくとも含んでなり、電子注入機能を有することを特徴とする。 - 特許庁

By using a sputtering target composed of an ITO sintered compact composed substantially of indium, tin, gallium and oxygen and contg. gallium of 0.1 to 5.0 atomic % by the ratio of Ga/(In+Sn+Ga), an ITO thin film contg. gallium of 0.1 to 5.0 atomic % by the ratio of Ga/(In+Sn+Ga) is formed.例文帳に追加

実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、ガリウムをＧａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の比で０．１〜５．０原子％含有するＩＴＯ焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて、ガリウムをＧａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の比で０．１〜５．０原子％含有するＩＴＯ薄膜を形成する。 - 特許庁

FREE-STANDING (AL, GA, IN)N AND PARTING METHOD FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎおよびそれを形成するための分割方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF Cu-In-Ga TERNARY SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET例文帳に追加

Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

Shoden-ji Temple Hojo Shoheki-ga (Wall painting in the abbot's chamber of Shoden-ji-Temple) (Shoden-ji Temple, Kyoto) Important Cultural Property 例文帳に追加

正伝寺方丈障壁画（京都・正伝寺）重要文化財 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

IN-GA-ZN OXIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME例文帳に追加

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁

After that the Ceremony of Interment was held on 17, the body was buried in the Toshima ga Oka Mausoleum. 例文帳に追加

超えて17日に斂葬の儀が行われ、豊島ヶ岡御陵に埋葬された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In-Ga-Zn OXIDE, OXIDE SINTERED COMPACT, AND SPUTTERING TARGET例文帳に追加

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、酸化物焼結体、及びスパッタリングターゲット - 特許庁

People were busy in preparing for momiji no ga held at the Suzakuin residence. 例文帳に追加

世間は朱雀院で開かれる紅葉賀に向けての準備でかまびすしい。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In Ming, Suiboku-Zatsu-ga, on which Kaki (flowering plants), fruits, vegetables, and fish were also painted. 例文帳に追加

明代には花卉、果物、野菜、魚などを描く水墨雑画も描かれた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A substrate 1, on which a Mo film is formed, is placed into a film-forming chamber 3, and sputterings of an In-Ga-Se target 21 and a Cu target 23 are carried out at a substrate temperature of approximately 150°C-450°C.例文帳に追加

成膜室３にMo膜が形成された基板１が入れられIn-Ga-Seターゲット21およびCuターゲット23のスパッタを、基板温度約１５０℃〜４５０℃で行う。 - 特許庁

Disclosed is an oxide comprising an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn), and comprising an oxide crystal phase expressed by (Ga, In)_2O_3.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、（Ｇａ,Ｉｎ）_２Ｏ_３で表される酸化物結晶相を含む酸化物を提供する。 - 特許庁

While Suiboku-ga in China originated from pursuit of realism autonomously, Suiboku-ga in Japan began from the acceptance of Chinese paintings. 例文帳に追加

中国の水墨画が写実表現の追求から自発的に始まったものであるのに対し、日本の水墨画は中国画の受容から始まったものである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An upward/downward slope premised on a normal run is determined in a relationship between a suction air amount Ga and a vehicle speed SPD (Steps 128, 138).例文帳に追加

吸入空気量Gaと車速SPDとの関係より、定常走行を前提とした登降坂判定を行う（ステップ１２８，１３８）。 - 特許庁

A Cu-Ga alloy in which the compsn. of Ga is controlled to 15 to 70 wt.% is cast by a melting method.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇａ合金であってそのＧａの組成を１５重量％乃至７０重量％として溶解法により鋳造した。 - 特許庁

In the Buddhist painting of the Takuma group around the end of the 12th century a touch of Suiboku-ga is already seen, but full-scale Suiboku-ga appeared around the end of the 13th century, which was almost four centuries later from the beginning of Suiboku-ga in China. 例文帳に追加

すでに12世紀末頃の詫磨派の仏画に水墨画風の筆法が見られるが、本格的な水墨画作品が現れるのは13世紀末頃で、中国での水墨画発祥からは4世紀近くを経ていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It was established as a technique for Sansui-ga (landscapes painting) in China in the latter part of Tang, and in Song, Suiboku-ga of Shikunshi (four plants of high virtue) (pine, bamboo, plum, and chrysanthemum) were painted by bunjin-kanryo (government officials of letters). 例文帳に追加

中国で唐代後半に山水画の技法として成立し、宋代には、文人官僚の余技としての、四君子（松竹梅菊）の水墨画が行われた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide: a Cu-In-Ga-Se based powder which contains Cu, In, Ga and Se and is free from occurrence of cracks during sintering or process; and a sintered body and a sputtering target, each of which uses the Cu-In-Ga-Se based powder.例文帳に追加

焼結時や加工時に割れの発生しないＣｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅを含有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ系粉末、およびこれを用いた焼結体およびスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。 - 特許庁

Also, as the manufacturing method, the surface of the substrate including Si is irradiated with converged Ga ions or In ions, the Ga ions or In ions are implanted while shaving the surface of the substrate, a layer including the Ga or In is formed on the surface of the substrate, and dry etching is performed using the layer including the Ga or In as an etching mask.例文帳に追加

また、その製造方法として、前記Ｓｉを含む基板の表面に集束したＧａイオン又はＩｎイオンを照射して、該基板の表面を削りながらＧａイオン又はＩｎイオンを注入し、該基板の表面にＧａ又はＩｎを含む層を形成し、これをエッチングマスクとしてドライエッチングする方法を構成する。 - 特許庁

This transparent conductive film is substantially made of In, Sn, Ga, and O with resistivity of less than 250 μΩ.cm and the maximum vertical interval of surface unevenness (Z-max)/film thickness (t) of less than 10%, and it is preferable that Ga, In, and Sn are included in this film at an atomic ratio Ga/(In+Sn+Ga) of 2-9%.例文帳に追加

実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、かつ表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）／膜厚（ｔ）が１０％以下であることを特徴とする透明導電膜であり、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比が２〜９％の割合で含有されていることが好ましい。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET OF CU-IN-GA-SE-BASED QUATERNARY ALLOY例文帳に追加

Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

The pellet contains either or both elements of Ga and In.例文帳に追加

このペレットはＧａ又はＩｎのいずれか一方又はその双方の元素を含む。 - 特許庁

The zinc oxide transparent conductive film in some embodiment is substantially composed of zinc, gallium, tin and oxygen, and in which the gallium is comprised in the proportion of >1 to <8% in the atomic ratio of Ga/(Zn+Ga+Sn) and also the tin is comprised in the proportion of >0.1 to <1% in the atomic ratio of Sn/(Zn+Ga+Sn).例文帳に追加

本発明のある態様の酸化亜鉛系透明導電膜は、実質的に亜鉛、ガリウム、スズおよび酸素からなり、ガリウムをＧａ／（Ｚｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）の原子比で１％を超え８％未満の割合で含有し、且つスズをＳｎ／（Ｚｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）の原子比で０．１％を超え１％未満の割合で含有する。 - 特許庁

When the SiC single crystal is grown, along with nitrogen (N) that serve as a donor element for achieving an n-type semiconductor, gallium (Ga) is added so that N (amount) and Ga (amount), which are amounts of N and Ga elements expressed in atm, respectively, satisfy the relation: N (amount)>Ga (amount).例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。 - 特許庁

In the configuration, even if the water level Ga of the sewage system G fluctuates, the gas-sampling section 5 always samples the gas near the surface of the water level Ga.例文帳に追加

このような構成により、下水道Ｇの水面Ｇａが変動しても、ガス採取部５は常に水面Ｇａの表面のガスを採取する。 - 特許庁

The optical semiconductor contains a hydrogen, Ga and a nitrogen in which a ratio of the number of Ga atoms to the number of nitrogen atoms is 1:0.5 to 1:2.例文帳に追加

水素を含みＧａ原子の原子数とチッ素原子の原子数との比が１：０．５〜１：２であることを特徴とする光半導体である。 - 特許庁

The electro-optical panel 10 is fixed to the support 30 in the state that it is inserted in the groove Ga.例文帳に追加

電気光学パネル１０は溝部Ｇaに嵌め込まれた状態で支持体３０に固定される。 - 特許庁

A solar cell includes an n-layer containing In, Ga, Zn and O, and an atomic content of each of In, Ga, and Zn is 10 atom% or more, when a total number of In, Ga and Zn atoms in the n-layer is assumed as 100 atom%.例文帳に追加

本発明は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯを含有するｎ層を備え、このｎ層中のＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数を１００原子％とした場合、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの含有量がいずれも１０原子％以上である太陽電池である。 - 特許庁

A sputtering target contains In, Ga and Zn, and consists of an oxide sintered body having a structure in which a contained amount of the In is larger than that in a periphery, and a structure in which a contained amount of the Ga and the Zn is larger than that in a periphery.例文帳に追加

Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 - 特許庁

In-Ga-Zn-Sn-BASED OXIDE SINTERED COMPACT, AND TARGET FOR PHYSICAL FILM DEPOSITION例文帳に追加

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｓｎ系酸化物焼結体、及び物理成膜用ターゲット - 特許庁