「Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Kodana no koshita no koke ni komiso ga koaru zo, koshakushi komotte kosukutte koyokose (there is a little bean paste in a little tub a little under a little shelf, hold a little of a little dipper to dip a little of it and give me a little). 例文帳に追加

小棚の小下の小桶に小味噌が小有るぞ、小杓子小持って小掬って小寄こせ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The patter is believed to have been derived from 'Shi-ga-tsuyo-katta' in their Edo accent, which can be heard as 'Shigatsu-yokka (April 8),' which is Buddha's birthday. 例文帳に追加

江戸っ子訛りで「しがつよかった（火が強かった）」＝「四月八日だ」＝釈迦の誕生日、というつながりで成立したとされる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

POWDER, SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET, EACH CONTAINING ELEMENTS Cu, In, Ga AND Se, AND METHOD FOR PRODUCING THE POWDER例文帳に追加

Ｃｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅの元素を含有する粉末、焼結体およびスパッタリングターゲット、並びに上記粉末の製造方法 - 特許庁

This is because the Ga people believe the spirits of the dead go into the afterlife with the same social status they had in this world.例文帳に追加

これは，ガ族の人々が，死者たちの魂は現世と同じ社会的身分を持って来世へ旅立つと信じているからです。 - 浜島書店 Catch a Wave

The thin film transistor uses an oxide thin film in which gallium is dissolved in indium oxide as a solid solution; the atomic ratio Ga/(Ga+In) is 0.001 to 0.12; the content of indium and gallium to the whole metal atom is ≥80 atom%; and the oxide thin film has a bixbyite structure of In_2O_3.例文帳に追加

ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

A first magnetic sensor 14a arranged in a narrow gap Ga and a second magnetic sensor 14b arranged in a wide gap Gb are different in the magnetic flux density and sensitivity.例文帳に追加

狭ギャップＧａに配置される第１磁気センサ１４ａと、広ギャップＧｂに配置される第２磁気センサ１４ｂとでは、磁束密度が異なり感度が違っている。 - 特許庁

Ca to Cc are driving circuits which drive each light emitting element, Ca is wired to a light emitting element groups in Ga zone, Cb to those in Gb zone, and Cc to those in Gc zone.例文帳に追加

Ｃａ〜Ｃｃは各発光素子を駆動する駆動回路で、ＣａはＧａの区域、ＣｂはＧｂの区域、ＣｃはＧｃの区域の発光素子グループと結線される。 - 特許庁

The aluminum alloy for conduction has a composition comprising at least one kind of element selected from Ag, Mn, Sn, Zn, Cu, Ga, Ge, Li, Mg, Si, Th, Ti, V and Zr in the ratio of 0.3 to 10.0 wt.%, and the balance Al as the main component with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明に係る導電用アルミニウム合金は、 Ag,Mn,Sn,Zn,Cu,Ga,Ge,Li,Mg,Si,Th,Ti,V,Zrから選択される少なくとも１種の元素を0.3〜10.0重量％の割合で含有し、 残部が主成分であるAlと不可避不純物、で構成されるものである。 - 特許庁

This single crystal is substantially constituted of Ca, Nb, Ga and O, has a Garnet structure and the composition ratio of Ca, Nb and Ga, in molar ratio, is Ca:Nb:Ga=37.7-39.1:20.2-21.6:40.7-42.1.例文帳に追加

Ｃａ、Ｎｂ、Ｇａ及びＯから実質的に構成され且つガーネット構造を有する単結晶であって、Ｃａ、Ｎｂ及びＧａの組成比がモル比で表してＣａ：Ｎｂ：Ｇａ＝３７．７〜３９．１：２０．２〜２１．６：４０．７〜４２．１である単結晶。 - 特許庁

In the oxide phosphor which has Ce as a light-emitting element, comprises Gd, Al, Ga, and O, and is composed of a host crystal mainly having a garnet structure, the Fe content is set at 35 wt. ppm or less, preferably 30 wt. ppm or less on the basis of the weight of the phosphor.例文帳に追加

Ceを発光元素とし、Gd、Al、Ga、Oを含み、主にガーネット構造の母体結晶からなる酸化物蛍光体において、Feの含有量を、蛍光体重量に対して35重量ppm以下、好ましくは30重量ppm以下とする。 - 特許庁

To provide a polycrystalline Ni-Mn-Ga series shape memory alloy in which brittleness can be improved without damaging the shape memorizing effect characteristic of an Ni-Mn Ga series alloy, to provide its production method.例文帳に追加

多結晶体であって、Ｎｉ−Ｍｎ−Ｇａ系合金の本来的な形状記憶効果を損なわずに脆さの改善を行うことができるＮｉ−Ｍｎ−Ｇａ系形状記憶合金とその製造方法とを提供すること。 - 特許庁

When the estimated deposit amount of PM is PMsm≤BUpm (Yes in S122), a correction execution reference value Dp is obtained from a correction execution reference value map MAPdp(GA) (S126) to determine the value of exhaust pressure difference ΔP/GA (S128).例文帳に追加

ＰＭの推定堆積量ＰＭｓｍ≦ＢＵｐｍである時（Ｓ１２２でＹＥＳ）に、補正実行基準値Ｄｐを補正実行基準値マップＭＡＰｄｐ（ＧＡ）から求め（Ｓ１２６）、排気圧力差ΔＰ／ＧＡの値を判定している（Ｓ１２８）。 - 特許庁

In chemical formula (1), M is at least one element selected from Al, Ga, In, Mg, Zn, Li, Na, K, Gd, Y and La; and x meets the relationship: 0≤x≤1.例文帳に追加

ここで、ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｇｄ、Ｙ、およびＬａから選ばれた少なくとも１つの元素であり、０≦ｘ≦１である。 - 特許庁

In this case, the concentration of Zn is lower than those of In and M (M is one or a plurality of elements selected from Fe, Ga, Ni, and Al).例文帳に追加

この場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素）よりも低くする。 - 特許庁

Since the droplets 14 exist on the layer 12, the percentage composition of Ga and Al in the undoped AlGaN layer 16 fluctuates and spatial fluctuations occur in band gaps.例文帳に追加

ドロップレット１４の存在により、アンドープＡｌＧａＮ層１６中のＧａとＡｌの組成比が変動し、バンドギャップに空間的ゆらぎが生じる。 - 特許庁

A solid Ga source 8 is provided in the low temperature zone T_1, and a seed crystal of GaN or a substrate 13 of a GaN single crystal is provided in the high temperature zone T_2.例文帳に追加

低温領域Ｔ_1に固体のＧａ源８、高温領域Ｔ_2にＧａＮの種結晶またはＧａＮ単結晶の基板１３をそれぞれ設置する。 - 特許庁

A boat for growth wherein a prescribed number of semiconductor wafers are arranged statically so as to face upward is dipped in Ga melt in a quartz cassette 5 whose temperature is increased up to almost 1000°C.例文帳に追加

所定数の半導体ウエハを上向きに静置した成長用ボ−トを、１０００℃程度に昇温した石英カセット内のＧａメルト中に浸漬する。 - 特許庁

Asaji-ga-Yado' (A squalid house covered with cogon), a story in "Ugetsu monogatari" (Tale of Rainy Moon, tales of ghosts) written by Akinari UEDA, is set in Mama and based on the legend of Tekona. 例文帳に追加

上田秋成による『雨月物語』の一編「浅茅が宿」は同じく下総葛飾の真間を舞台とし、手児奈の伝説をベースとしている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Keisen TOMITA, "Ujigawa no Maki - Ujibashi, Fushimi" (宇治川之巻－宇治橋・伏見) (Sceneries of Uji-gawa River: Uji-bashi Bridge, Fushimi) 1915, "Kumo ga Batake no Shika" (雲ヶ畑の鹿) (Deer in Kumogabatake) 1930, "Secchu Jika" (雪中鹿) (Deer in Snow) 1930, "Densho Bato" (伝書鳩) (Carrier Pigeon) 1934, "Otsue Emaki" (大津絵絵巻) (Picture Scroll of Folk Art) 例文帳に追加

冨田渓仙―『宇治川之巻－宇治橋・伏見』1915、『雲ヶ畑の鹿』1930、『雪中鹿』1930、『伝書鳩』、1934『大津絵絵巻』 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In "Ryoma ga iku" (Ryoma goes) by Ryotaro SHIBA, there is a description in which Ryoma SAKAMOTO's wife Oryo plays (Mostly because of this book, gekkin is well-known today). 例文帳に追加

司馬遼太郎の竜馬がゆくの中で、坂本竜馬の妻・お龍がつま弾く描写がある（現在の知名度の高さはそれによるところが大きい）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the case when it is judged to be in the accelerating state, correction of air flow meter output GA is actually prohibited by making a pulsation correction coefficient K [1.0].例文帳に追加

加速状態にあると判断された場合には、脈動補正係数Ｋを「１．０」とすることで実質的にはエアフロメータ出力ＧＡの補正を禁止する。 - 特許庁

The manufacturing method has a step of receiving the molten glass gob GA into the recessed surface 11 so that the upper end part 114 of the second surface 112 is positioned below the widest part S where the width in the horizontal direction in the molten glass gob GA is widest.例文帳に追加

本発明の製造方法は、溶融ガラス塊ＧＡのうち水平方向に関する幅が最も大きい最広部Ｓの下方に、第２面１１２の上端部１１４が位置するように、溶融ガラス塊ＧＡを凹面１１に受ける工程を有する。 - 特許庁

This is the metal halide lamp in which in a light-emitting tube provided with a pair of electrodes, at least halides of Na (sodium), Sc (scandium), and Ga (gallium) as the main light-emitting material are sealed together with a rare gas, and which substantially contains no mercury.例文帳に追加

一対の電極を具えた発光管の内部に、希ガスと共に主たる発光物質として少なくとも、Na（ナトリウム）のハロゲン化物と、Sc（スカンジウム）のハロゲン化物と、Ga（ガリウム）のハロゲン化物を封入し、実質的に水銀を含まない構成のメタルハライドランプとする。 - 特許庁

In the method for preparing the oxidation catalyst, the precursor of the Ce-Ga composite oxide containing a manganese nitrate or an iron nitrate, after being exposed to a solution in which alkaline metal ions are dissolved, is dried and baked to form the Ce-Ga composite oxide.例文帳に追加

酸化触媒の製造方法は、Ｍｎ硝酸塩又はＦｅ硝酸塩を含むＣｅ−Ｇａ複合酸化物の前駆体を、アルカリ金属イオンが溶解した溶液に曝し、次いで、乾燥及び焼成することにより、上記Ｃｅ−Ｇａ複合酸化物を形成する。 - 特許庁

The nano structure has the pattern with a depth of ≥2 μm formed on the surface of the substrate including Si, Ga or In is included in the surface of the pattern, and the maximum value of the concentration of the Ga or In is positioned within 50 nm from the surface of the pattern in the depth direction of the substrate.例文帳に追加

Ｓｉを含む基板の表面に形成された、深さが２μｍ以上のパターンを有するナノ構造体であって、前記パターンの表面にＧａ又はＩｎを含み、該Ｇａ又はＩｎの濃度の最大値が前記基板の深さ方向に前記パターンの表面より５０ｎｍ以内に位置しているナノ構造体を構成する。 - 特許庁

A precursor thin film 20 in which a first layer 21 containing In, a second layer 22 containing Cu and Ga and a third layer 23 containing Cu are laminated successively is formed on a substrate 10 by using a sputtering method, and a Cu (In, Ga) Se2 thin film is formed by thermally treating the precursor thin film 20 in an atmosphere comprising Se.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて、Ｉｎを含む第１層２１と、ＣｕおよびＧａを含む第２層２２と、Ｃｕを含む第３層２３とが順次積層してなる前駆体薄膜２０を基板１０上に形成した後、Ｓｅを含む雰囲気中で前記前駆体薄膜２０を熱処理して、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_2薄膜を形成する。 - 特許庁

In the wafer 10, intervals d1-d3 of the modified region R in respective groups of modified regions Ga-Gc differ, an interval d1 in the group of modified regions Ga on the lowest layer is maximized, and an interval d3 in the group of modified regions Gc on the highest layer is minimized (d1>d2>d3).例文帳に追加

ウェハ１０では、各改質領域群Ｇａ〜Ｇｃにおける改質領域Ｒの間隔ｄ１〜ｄ３が異なり、最下層の改質領域群Ｇａの間隔ｄ１が最も大きくなり、最上層の改質領域群Ｇｃの間隔ｄ３が最も小さくなるように設定されている（ｄ１＞ｄ２＞ｄ３）。 - 特許庁

The method for growing a GaN crystal (5) comprises dissolving high pressure nitrogen-containing gas (4) in a Ga solvent (3) to grow the crystal in a region on the surface of a substrate (2) in contact with the Ga solvent, wherein the GaN crystal is grown in an environment where the pressure of the nitrogen-containing gas varies within a range from 0.1 to 20%.例文帳に追加

高圧の窒素含有ガス（４）をＧａ溶媒（３）に溶解させ、基板（２）表面上でＧａ溶媒が接する領域にＧａＮ結晶（５）を成長させる方法において、窒素含有ガスの圧力が０．１〜２０％の範囲内で変動する環境下でＧａＮ結晶を成長させることを特徴としている。 - 特許庁

The target containing In, Zn, and Ga as its constituent has a relative density of 75% or higher and a resistivity ρ of 50 Ωcm or less.例文帳に追加

このターゲットは、その組成にＩｎ、Ｚｎ、Ｇａを含み、相対密度が７５％以上、且つ抵抗値ρが５０Ωｃｍ以下である。 - 特許庁

Each of active layers 3a, 3b, and 3c has composition ratio between In and Ga so that blue, green, and red light is emitted respectively.例文帳に追加

各活性層３ａ，３ｂ，３ｃはそれぞれ青色、緑色、赤色の光を発光するようにＩｎとＧａの組成比を設定してある。 - 特許庁

An antenna element 31 is disposed at a position away from a ground area GA as far as possible in a non-ground area UA by surface mount.例文帳に追加

アンテナ素子３１は、非グランド領域ＵＡ内でグランド領域ＧＡから極力離れた位置に表面実装により配設される。 - 特許庁

The anode catalyst is provided with platinum, and at least one kind of temper metals selected from zinc (Zn), gallium (Ga) and indium (In).例文帳に追加

白金と、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）から選ばれる少なくとも１種の添加金属と、を備えるアノード触媒を用いる。 - 特許庁

The metal 21 is preferably a metal element of Ga, In, Zn, Cd, Sn, Pb or Bi or an alloy thereof.例文帳に追加

また、金属２１がＧａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉの金属元素、及びこれらの金属元素の合金であることが好ましい。 - 特許庁

It is preferable that Sb/(Ba+Ga+Sn+Sb), which is an atomic ratio of Sb in the clathrate compound, is larger than 0 and smaller than or equal to 0.06.例文帳に追加

本発明のクラスレート化合物におけるＳｂの原子比率であるＳｂ／（Ｂａ＋Ｇａ＋Ｓｎ＋Ｓｂ）は、０より大きく、０．０６以下であることが好ましい。 - 特許庁

Using the mask 20a, on the InP layer 24, a group III-V compound semiconductor layer 26a including Ga, In, and As is formed.例文帳に追加

マスク２０ａを用いて、ＩｎＰ層２４上にＧａ、Ｉｎ、及びＡｓを含むIII−Ｖ族化合物半導体層２６ａを形成する。 - 特許庁

The foreign atoms are exemplified by Al, Zr, Zn, Ti, P, Cr, V, Sc, Ga, In, Fe, Ag, Sc, Mn, Co, Ni, and Cu.例文帳に追加

異種原子としては、Ａｌ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｐ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｃ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕが挙げられる。 - 特許庁

Jutaro widely appears in many fiction works including 'Ryoma ga yuku' (a novel) by Ryotaro SHIBA and 'Ryoma ni omakase !' (a TV drama) scripted by Koki MITANI. 例文帳に追加

創作作品では、司馬遼太郎作「竜馬がゆく」から三谷幸喜の「竜馬におまかせ!」まで幅広いところで出現している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A standard sample having a known In or Ga concentration distribution is prepared according to the irradiation angle and irradiation energy of the oxygen ion 3.例文帳に追加

酸素イオン３の照射角及び照射エネルギーにより、既知のＩｎ又はＧａ濃度分布を有する標準試料が作製される。 - 特許庁

To provide a method for forming a non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well, heterostructure material, and a nitride semiconductor device.例文帳に追加

非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。 - 特許庁

An Sn-Ga alloy having a composition having the atomicity % of Sn of 15% or less is housed in a heated tank 4.例文帳に追加

加熱されたタンク４内には、Ｓｎの原子数％が１５％以下の組成を有するＳｎ−Ｇａ系合金が収納されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an oxide monocrystal cheap and good in quality by using metal Ga without breaking Pt crucible.例文帳に追加

金属Ｇａを用いて、白金るつぼを破損させることなく、安価で良好な酸化物単結晶の作製方法を提供する。 - 特許庁

The word 'Nihon-ga' was adopted from the translation of the term 'Japanese painting' for the first time when Fenollosa gave his lecture on "The New Theory of Art" at the Dragon Pond Society (Ryuchikai) in 1882. 例文帳に追加

フェノロサが1882年に龍池会で行った講演『美術真説』で使ったJapanesepaintingの翻訳が「日本画」という言葉の初出である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The concentration of Ga, when it is contained, is 5 to 10,000 ppm, and that of In, when it is contained, is 5 to 10,000 ppm.例文帳に追加

またＧａを含むときＧａの濃度は５〜１００００ｐｐｍであり、Ｉｎを含むときＩｎの濃度が５〜１００００ｐｐｍである。 - 特許庁

The actual deviation Da between the actual gap Ga and reference gap GR in the entire coating application region is calculated by a controller 15 prior to starting the coating application.例文帳に追加

塗布開始前に、全塗布領域における実ギャップＧａと基準ギャップＧ_Rの実偏差Ｄａを制御装置１５で演算する。 - 特許庁

In the Heusler-type Ni-Co-Ga or Co-Ni-Ga magnetic shape memory alloy, high crystal anisotropy is provided and high-frequency low-energy grain boundary is formed and martensitic phase transformation is induced by magnetic fields.例文帳に追加

高い結晶異方性を有し、かつ、高頻度の低エネルギー粒界が形成されていて、磁場によりマルテンサイト相変態が誘起されることを特徴とするホイスラー型Ｎｉ−Ｃｏ−Ｇａ系Ｃｏ−Ｎｉ−Ｇａ系の磁性形状記憶合金。 - 特許庁