「Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Emperor Juntoku helped his father defeat the Kamakura government, but he was then sent to Sado ga-shima Island; the Emperor Tsuchimikado also went to Tosa Province by his own will, although he was not involved in the incident. 例文帳に追加

父の倒幕計画に協力した順徳上皇は佐渡島に流され、関与しなかった土御門上皇も自ら望んで土佐国に遷った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Now, 'the battlefield of the Seiba ga haru Battle' remains in Yamaga-machi town, Kitsuki City, and tombstones of those including Ujinao YOSHIHIRO and Chikamasa SODA can be found on the top of Mt. Omure. 例文帳に追加

現在、杵築市山香町に「勢場ヶ原古戦場」が残っているほか、大村山山頂には吉弘氏直、寒田親将などの墓石がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A mixed melt 103 comprising Ga as a group III metal and Na as an alkali metal is received in a mixed melt holding container 102.例文帳に追加

混合融液保持容器１０２には、III族金属としてのＧａとアルカリ金属としてのＮａとから構成される混合融液１０３が収容されている。 - 特許庁

Through combination of these features, the inventive clip can be used in a fragile substrate (e.g. a Ga-As substrate) which is damaged by other clip.例文帳に追加

この特徴の組み合わせによって、他のクリップによって損傷されやすい脆い基板（たとえば、Ｇａ−Ａｓ）に本発明のクリップを使用することができる。 - 特許庁

To improve the distribution of resistivity in the direction of the pulling axis of a Ga-doped silicon single crystal and to produce a silicon single crystal having a uniform resistivity.例文帳に追加

Ｇａがドープされたシリコン単結晶の引き上げ軸方向の抵抗率分布を改善し、均一な抵抗率を有するシリコン単結晶を製造する。 - 特許庁

A growth temperature of the aluminum nitride crystal is set in the range of ≥1,000°C and ≤1,500°C, to thereby decompose GaN into metal Ga and nitrogen gas.例文帳に追加

窒化アルミニウム結晶の育成温度を１０００℃以上１５００℃以下の範囲とすることにより、ＧａＮを金属Ｇａと窒素ガスに分解させる。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor which is free of damage to a semiconductor layer made of amorphous oxide containing In, Ga and Zn, and has a small off current.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層にダメージを与えず、また、オフ電流の小さい薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

A calculation means 12 calculates an image characteristic value Ng from pixel values of a plurality of pixels included in the original images Ga acquired by the acquisition means 11.例文帳に追加

算定手段１２は、取得手段１１が取得した原画像Ｇａに含まれる複数の画素の画素値から画像特性値Ｎgを算定する。 - 特許庁

The light absorbing layer 16 of the chalcopyrite-type solar cell 10 is formed by having an alloy layer 26 formed by making a Cu-In-Ga alloy selenium.例文帳に追加

カルコパイライト型太陽電池１０の光吸収層１６は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金からなる合金層２６をセレン化することで形成される。 - 特許庁

The oxide sputtering target is a sintered compound target used when forming a film by sputtering the amorphous oxide film containing at least In, Zn, and Ga.例文帳に追加

酸化物スパッタリングターゲットは、少なくともＩｎ、Ｚｎ、Ｇａを含むアモルファス酸化物膜をスパッタリング成膜する際に用いられる焼結体ターゲットである。 - 特許庁

Normally, the way of reading 'Takamagahara,' which uses case particle 'ga,' is common, but it is said that this way of reading spread quite recently in the history. 例文帳に追加

通常は、「たかまがはら」という格助詞【が】を用いた読み方が一般的であるが、この読み方が広まったのは歴史的には新しいとされている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The expression of Suiboku-ga in China had developed from the end of the Tang Period to the Godai-Jikkoku Period and Sung (Dynasty) (from the end of the 9th century to the 10th century). 例文帳に追加

中国における水墨画表現は唐時代末から、五代十国時代～宋(王朝)時代初め（9世紀末～10世紀）にかけて発達した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Actually, Sada's lyrics includes 'Shoronagashi ga hanayakani' (spectacular Shoronagashi), and also his group's first album "Wasuremono" contains "Shoronagashi" which includes the sounds of firecrackers during its lead-in. 例文帳に追加

実は、さだも歌詞の中で「精霊流しが華やかに」と書いており、グレープのデビューアルバム『わすれもの』では『精霊流し』の導入部に爆竹の音が入っている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As In raw material, a trymethyl compound is used, as the Ga raw material and Al raw material, a tryethyl compound is used and as the As raw material, AsH_3 is used.例文帳に追加

Ｉｎ原料にはトリメチル化合物を用い、Ｇａ原料およびＡｌ原料にはトリエチル化合物を用い、Ａｓ原料にはＡｓＨ_3を用いる。 - 特許庁

Element X represents one or two and more out of Ge, Ga, In, Si, Pb and Zn, and element Z represents one or two and more out of Al, Sn and Cr.例文帳に追加

元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上、元素ＺはＡｌ、Ｓｎ、Ｃｒのうち１種または２種以上である。 - 特許庁

In the amorphous oxide semiconductor in which the composition ratios of In, Ga and Zn are expressed by In_xGa_yZn_z, its density (mass per unit volume) is not less than 0.94×(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z).例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの組成比がＩｎ_ｘＧａ_ｙＺｎ_ｚで示されるアモルファス酸化物半導体において、その密度（単位体積あたりの質量）が０．９４×(７．１２１ｘ＋５．９４１ｙ＋５．６７５ｚ)／(ｘ＋ｙ＋ｚ)以上である。 - 特許庁

The zinc-oxide-based target includes zinc oxide as a main component, and both elements of titanium (Ti) and gallium (Ga), in which the titanium content is in a range of 1.1 at% or more and the gallium content is in a range of 4.5 at% or more.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とし、チタン（Ｔｉ）及びガリウム（Ｇａ）の両元素を含有し、両元素がチタン１．１ａｔ％以上又はガリウム４．５ａｔ％以上の範囲で含有されている。 - 特許庁

A protein code area is discovered by using the facts that GA appears in the leading 2 bases of codon with the highest frequency (N1), that TG appears with the lowest frequency (N3), that TG appears in the tail 2 bases with the highest frequency (N4), and that the GA appears with the lowest frequency (N2).例文帳に追加

タンパク質コード領域を発見するため、コドンの先頭２塩基にはＧＡがもっとも高い頻度（Ｎ１）で出現し、ＴＧがもっとも低い頻度（Ｎ３）で出現し、後尾２塩基にはＴＧがもっとも高い頻度（Ｎ４）で出現し、ＧＡがもっとも低い頻度（Ｎ２）で出現することを利用する。 - 特許庁

In the case of ΔP/GA≥Dp (Yes in S128), a state of having deviation between the estimated deposit amount PMsm and the actual deposit amount is determined, and PMsm is increase-corrected with an increase correction amount PMadd (S132) obtained from an increase correction amount map MAPadd(ΔP/GA) (S134).例文帳に追加

そしてΔＰ／ＧＡ≧Ｄｐである場合には（Ｓ１２８でＹＥＳ）、推定堆積量ＰＭｓｍと実堆積量とに乖離を生じた状態であるとして、増加補正量マップＭＡＰａｄｄ（ΔＰ／ＧＡ）から求めた増加補正量ＰＭａｄｄ（Ｓ１３２）にてＰＭｓｍを増加補正している（Ｓ１３４）。 - 特許庁

Additionally, the worked surface Wa is polished and worked by the working surface Ga under a state causing a flow of pressure fluid in the grinding cavity through the pores and the worked surface Wa is polished and worked by the working surface Ga under a state of causing a flow of negative pressure fluid in the grinding cavity through the pores.例文帳に追加

さらに、気孔を介して研磨空隙内に加圧流体の流れを発生させた状態のもとで被加工面Ｗａを加工面Ｇａにより研磨加工し、気孔を介して研磨空隙内に負圧流体の流れを発生させた状態のもとで被加工面Ｗａを加工面Ｇａにより研磨加工する。 - 特許庁

Hydrogen chloride is introduced into a reaction vessel 106 in which the compound semiconductor monocrystal substrate 4 and Ga are arranged, the moisture concentration in hydrogen chloride introduced into the reaction vessel 106 is regulated to be ≤10 ppm at all times and the Ga- containing compound semiconductor layer is grown by hydride vapor phase growth is grown.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板４とＧａとを配置した反応容器１０６内に塩化水素を導入するとともに、該反応容器１０６内に導入される塩化水素中の水分濃度を常時１０ｐｐｍ以下に規制しつつ、Ｇａ含有化合物半導体層をハイドライド気相成長法により成長させる。 - 特許庁

A three-dimensional image processing part reads out, from a character storing part, a plurality grouped objects Ga to Gc into which objects for displaying individual patterns are grouped, and arranges the grouped objects Ga to Gc in sequence outside a display area set in a world coordinate system or positions without projection on a projection plane TM.例文帳に追加

３次元画像処理部は、単一の図柄を表示するためのオブジェクトをグループ化した複数個のグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをキャラクタ記憶部から読み出し、それらグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをワールド座標系に設定された表示領域外すなわち投影平面ＴＭに投影されない位置に順次配置する。 - 特許庁

The Cu-Ga alloy powders are subjected to heat treatment in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 250-1,000°C, and the heat-treated Cu-Ga alloy powders are sintered by a hot-press method in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 250-1,000°C and a pressing pressure of 5-30 MPa.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度で熱処理し、熱処理したＣｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度と、５ＭＰａ〜３０ＭＰａのプレス圧力とでホットプレス法により焼結する。 - 特許庁

Mixed powder including Cu powder and Ga mixed at a mass ratio of 85:15 to 55:45, and having an oxygen content of ≤0.2 wt.% is alloyed in an atmosphere of an oxygen partial pressure of ≤20 Pa, and the resulting Cu-Ga alloy powder is sintered by a hot pressing method.例文帳に追加

Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合され、酸素含有量が０．２ｗｔ％以下である混合粉末を酸素分圧が２０Ｐａ以下の雰囲気中で合金化し、得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末をホットプレス法により焼結する。 - 特許庁

The nitride semiconductor device comprises: well layers composed of a nitride semiconductor containing In and Ga: barrier layers composed of the nitride semiconductor including Al and Ga with a higher band-gap energy than that of the well layers, which sandwiches the well layer: and thin film layers each provided between the well layer and the barrier layer.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、ＩｎとＧａを含む窒化物半導体からなる井戸層と、井戸層を挟み、井戸層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＡｌとＧａを含む窒化物半導体からなる障壁層と、井戸層と障壁層との間に設けられた薄膜層とを備えている。 - 特許庁

In preparing a catalyst comprising a combination represented by general formula Cu/Zn/M (wherein, M is at least one kind of a metal selected from the group consisting of Al, Cr, Ga, Fe, Mn, Ce, Pd and Au), the spherical fine particle catalyst precursor is prepared using a precipitative sedimentation method.例文帳に追加

一般式：Cu/Zn/M(但し、M は任意成分であり、Al, Cr, Ga, Fe, Mn, Ce, Pd及びAuからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属）からなる組み合わせの触媒を調製するに当たり、尿素を用いた析出沈殿法による球状微粒子触媒前駆体を調製する。 - 特許庁

This manufacturing method is a method to make a single crystal having a garnet structure substantially comprising Ca, Nb, Ga, and O by Czochralski method, and the composition ratio of Ca, Nb, and Ga is Ca:Nb:Ga=37.7-39.1:20.2-21.6:40.7-42.1 in molar ratio.例文帳に追加

Ｃａ、Ｎｂ、Ｇａ及びＯから実質的に構成され且つガーネット構造を有する単結晶をチョコラルスキー法によって製造する方法であって、Ｃａ、Ｎｂ及びＧａの組成比がモル比で表してＣａ：Ｎｂ：Ｇａ＝３７．７〜３９．１：２０．２〜２１．６：４０．７〜４２．１となるように用いる。 - 特許庁

A group III nitride ground layer 2 and a group III nitride layer 3 containing at least Ga are sequentially laminated on a prescribed base material 1, and a group III nitride intermediate layer formed at 600-950°C and containing Ga is included in the group III nitride layer 3 to produce an epitaxial substrate 10.例文帳に追加

所定の基材１上において、III族窒化物下地層２と、少なくともＧａを含むIII族窒化物層３とを順次に積層し、III族窒化物層３中に６００℃〜９５０℃で形成されるとともにＧａを含むIII族窒化物中間層を介在させてエピタキシャル基板１０を作製する。 - 特許庁

In the field emission electron source composed of ZnO protrusion form material, by containing Ga for Ga mol% ratio of 0.02 to 0.4 mol% to Zn, the field electron emission element which consumes the lower electric power and has the longer repetition lifetime can be obtained.例文帳に追加

ＺｎＯ突起形状物からなる電界放出電子源において、ＺｎＯ突起形状物中にＧａを、Ｚｎに対するＧａモル％比で０．０２モル％から０．４モル％含むことで、低消費電力で繰り返し寿命の長い電界放出型電子放出素子を得る。 - 特許庁

A search means 13 searches the stereoscopic processing parameter of the specific original image Ga from the project file Fp on the basis of comparison results, after comparing the image characteristic value Ng calculated by the calculation means 12 about the specific original image Ga with each image characteristic value Nf stored in the storage device 21.例文帳に追加

検索手段１３は、算定手段１２が特定の原画像Ｇａについて算定した画像特性値Ｎgと記憶装置２１に記憶された各画像特性値Ｎfとを対比し、この対比の結果に基づいて特定の原画像Ｇａの立体化パラメータをプロジェクトファイルＦpから検索する。 - 特許庁

A nitride semiconductor device is provided with a well layer consisting of a nitride semiconductor containing In and Ga, a barrier layer consisting of nitride semiconductor which sandwiches the well layer, and contains Al and Ga with larger band gap energy than the well layer; and a thin film layer formed between the well layer and the barrier layer.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、ＩｎとＧａを含む窒化物半導体からなる井戸層と、井戸層を挟み、井戸層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＡｌとＧａを含む窒化物半導体からなる障壁層と、井戸層と障壁層との間に設けられた薄膜層とを備えている。 - 特許庁

The Cu-Ga based alloy sputtering target material includes, in atom%, not less than 25% and less than 40% of Ga, the balance comprising Cu and unavoidable impurities, wherein the sputtering target material has an oxygen content of less than 250 ppm and a grain size of more than 10 μm and not more than 100 μm.例文帳に追加

また、原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２５０ｐｐｍ未満、かつ結晶粒径が１０μｍを超え、１００μｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金スパッタリングターゲット材。 - 特許庁

The standard sample is produced by steps of: forming an ion implantation layer 2 by ion-implanting In or Ga to a silicon substrate 1; and forming a redistribution layer 4 by accumulating ion-implanted In or Ga in a neighborhood of the surface of the silicon substrate 1 by irradiating the silicon substrate 1 with an oxygen ion 3.例文帳に追加

本標準試料は、シリコン基板１にＩｎ又はＧａをイオン注入してイオン注入層２を形成する工程と、シリコン基板１に酸素イオン３を照射して、イオン注入された前記Ｉｎ又はＧａをシリコン基板１の表面近傍に集積させて再分布層４を形成する工程とを有することで製造される。 - 特許庁

To provide a production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell in which formation of a discontinuous layer (insular In film) can be prevented when a pure In film is deposited by sputtering, and oxidation of Ga can preferably be minimized when a CIGS based light absorption layer, or the like, containing Ga is produced.例文帳に追加

スパッタリング法によって純Ｉｎ膜を成膜したときにおける不連続層生成（島状Ｉｎ膜の形成）を防止でき、好ましくはＧａを含むＣＩＧＳ系光吸収層などを製造する場合には、Ｇａの酸化を抑制することが可能な化合物薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the initial crack forming step, at a longitudinal end Ga of the glass film G, an initial crack group Cg is formed by assembling and arranging a plurality of initial cracks C in a width direction.例文帳に追加

初期クラック形成工程では、ガラスフィルムＧの長手方向端部Ｇａに、複数の初期クラックＣを幅方向に集合して配置させてなる初期クラック群Ｃｇを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GI superior in the adhesiveness and uniformity of a plated film, and further a GA which does not cause alloying ununiformity and is superior in powdering resistance.例文帳に追加

本発明は、メッキ皮膜の密着性および均一性に優れたＧＩ、およびさらに合金化ムラが生じず耐パウダリング性に優れたＧＡの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A display driving circuit 35 applies either on-voltage or off-voltage on the liquid crystal device 324 in each of a plurality of sub-fields SF in each field F, according to a grayscale data GA.例文帳に追加

表示駆動回路３５は、オン電圧およびオフ電圧の何れかを各フィールドＦ内の複数のサブフィールドＳFの各々にて階調データＧAに応じて液晶素子３２４に印加する。 - 特許庁

Preferably, the aluminum foil comprises 1 to 20 ppm Zn and 1 to 50 ppm Zr, and in which the total content of Mn, Mg, Cr, Ti, B, V and Ga in the inevitable impurities is controlled to ≤10 ppm.例文帳に追加

好適には、Ｚｎ：１〜２０ｐｐｍ、Ｚｒ：１〜５０ｐｐｍを含有し、不可避不純物中のＭｎ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｂ、Ｖ、Ｇａの総和量を１０ｐｐｍ以下とする。 - 特許庁

To provide a sintered compact which is usable for a sputtering target having a unitary crystal structure as a principal component in the region where the content of Ga is lower compared with the content of In.例文帳に追加

Ｇａの含有量がＩｎの含有量に比べ低い領域において、単一の結晶構造を主成分として有するスパッタリングターゲットに使用できる焼結体を提供する。 - 特許庁

In the process shown in (i), the three-dimensional microfabrication structure is fabricated on which a dent is formed by performing etching and by detaching Ga preferably from the exposed portion of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

（ｉ）に示す工程では、エッチング処理を行って、ＧａＡｓ基板１の露出部分からＧａを優先的に剥離させることで窪み等が形成された三次元微細構造を作製する。 - 特許庁

Intake air quantity Ga is adjusted by adjusting a throttle valve opening in an approximation range value in which fuel injection time approximates target value TAU1 next.例文帳に追加

次に、燃料噴射時間ＴＡＵがその目標値ＴＡＵ１に近似する近似領域値となるようにスロットル開度を調整することで吸入空気量Ｇａを調整する。 - 特許庁

He was born in Arakawago, Kajisho, Senami County (瀬波郡加治庄荒川郷), Echigo Province in the Hokuriku-do region, on the opposite shore of the east coast of Sado ga shima Island (Sado Province) associated with Nichiren, the founder of the Hokke sect. 例文帳に追加

宗門の高祖（宗祖）日蓮有縁の地佐渡ヶ島（佐渡国）の東岸、北陸道の越後国瀬波郡加治庄荒川郷（現在の新潟県胎内市）にて生誕。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a crystal growth method of a group III-V compound semiconductor, in which crystallinity is high and light emitting efficiency is improved, containing at least gallium (Ga), indium (In), nitrogen (N), and arsenic (As).例文帳に追加

結晶性に優れ、発光効率が向上した、少なくともガリウム(Ｇａ)、インジウム(Ｉｎ)、窒素(Ｎ)、砒素(Ａｓ)を含むIII−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a biodegradable aliphatic polyester carbonate uses at least one metallic compound selected from Ga, Mn, Co, Mg, In, and Ti compounds as a catalyst in reacting the aliphatic polyester oligomer with the carbonate compound.例文帳に追加

脂肪族ポリエステルオリゴマーとカーボネート化合物を反応させる際、触媒としてＧａ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｍｇ，Ｉｎ，及びＴｉ化合物から選ばれる少なくとも１種の金属化合物を使用する。 - 特許庁

A composition of the III group (Ga and In) of a GaInAsN well layer 12 in a quantum well structure is set to be substantially equal to that of the group III of a GaInAsP barrier layer 11.例文帳に追加

量子井戸構造中のＧａＩｎＡｓＮ井戸層１２のＩＩＩ族（ＧａとＩｎ）組成とＧａＩｎＡｓＰ障壁層１１のＩＩＩ族組成が、ほぼ等しくなるように設定する。 - 特許庁