「Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

In the insulated gate transistor, desorption gas observed as a water molecule by a temperature rising desorption analysis (TDS measurement)is less than 1.4 molecules/nm^3 if an oxide containing at least one element of In, Ga, and Zn is used in an active layer 5.例文帳に追加

活性層にＩｎ、Ｇａ、Ｚｎの内、少なくとも1つを含む酸化物を用いる場合において、昇温脱離分析（ＴＤＳ測定）により水分子として観測される脱離ガスを１．４個／ｎｍ^３未満とする。 - 特許庁

In the producing method, the powdery Mn in the glowing vessel 50 is held in the glowing vessel 50 without scattering because of being added with the mixed melt of Na and Ga when sealing and vacuumizing the glowing vessel 50.例文帳に追加

この製造方法では、育成容器５０を密閉して真空引きするとき、育成容器５０内の粉末状のＭｎはＮａとＧａとの混合融液に添加されているため飛散することなく育成容器５０内にとどまる。 - 特許庁

The well layer is made of Zn, O, and another group VI element S, and is doped with B, Al, or Ga which is an n-type impurity element smaller than Zn in terms of ionic radius.例文帳に追加

井戸層は、Ｚｎと、Ｏと、Ｏ以外のＶＩ族元素であるＳとからなり、かつＺｎよりもイオン半径の小さいｎ型不純物元素である、Ｂ、Ａｌ、又はＧａがドーピングされている。 - 特許庁

Further, when at least one or more elements of P, Ga, and Ge are added, the oxidation of the solder alloy can be suppressed, and the dross produced in flow-soldering can be greatly suppressed.例文帳に追加

さらに、Ｐ、Ｇａ、Ｇｅの少なくとも一種以上が添加されると、はんだ合金の酸化が改善され、フローソルダリング時に発生するドロスを大幅に抑制することが可能となる。 - 特許庁

The copper powder for conductive paste contains, at the inside of each particle, Al, Mg, Ge and Ga by 0.1 to 10 atm%, and also comprises 0.1 to 10 atm% In.例文帳に追加

粒子内部にＡｌ、Ｍｇ、Ｇｅ及びＧａを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％、かつＩｎを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％含有する導電性ペースト用銅粉。 - 特許庁

The Li-β-alumina ceramic material contains in the crystal structure one or two or more elements selected from the group consisting of Mg, Zn, Ga, Ge, Zr, Sn and Hf.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｎ及びＨｆからなる群から選択される１種又は２種以上の元素を結晶構造内に有するＬｉ−β−アルミナ系セラミックス材料。 - 特許庁

In the method of manufacturing the thin film transistor, a gate electrode, a gate insulating film, and an active layer are formed on a substrate, and a Ga oxide film serving as a first protection layer is formed on the active layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜および活性層し、活性層上に第１の保護層となるＧａ酸化物膜を形成する。 - 特許庁

A precursor thin film is formed by alternately repeating a process for supplying In to a substrate and a process for supplying Cu and Ga at least for two times by using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法を用いて、基板にＩｎを供給する工程とＣｕおよびＧａを供給する工程をそれぞれ少なくとも２回以上交互に繰り返して前駆体薄膜を形成する。 - 特許庁

Here, the alloy layer 26 is formed so that film formation is performed on a first electrode layer 14 by spattering using only a Cu-In-Ga target (a CIG target) 24.例文帳に追加

ここで、該合金層２６は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲット（ＣＩＧターゲット）２４のみを用いるスパッタリングによって第１電極層１４上に成膜が行われることで設けられる。 - 特許庁

Moreover, the first group III-V compound semiconductor layer and the second group III-V compound semiconductor layer may contain at least one or more among (In, Ga, Al) and (As, P, N), respectively.例文帳に追加

また、第１のIII−V族化合物半導体層と第２のIII−V族化合物半導体層は（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）と（Ａｓ，Ｐ，Ｎ）のうち少なくともそれぞれ一つ以上含んでいても良い。 - 特許庁

A transmission line 2' as a phase circuit is formed at a predetermined position of a grounded electrode-forming section GA in a packaging substrate 6, and a chip antenna 1' is mounted on a grounded electrode non-forming section NGA.例文帳に追加

実装基板６の接地電極形成部ＧＡの所定箇所に位相回路としての伝送線路２′を形成し、接地電極非形成部ＮＧＡにチップアンテナ１′を実装する。 - 特許庁

This digital system is manufactured in which, for example, a programmable delay circuit can be inserted into the clock input part of a flip flop, and the delay time of the delay circuit can be retrieved by a genetic algorithm (GA).例文帳に追加

例えば、フリップフロップのクロック入力部にプログラマブル遅延回路が挿入され、この遅延回路の遅延時間が遺伝的アルゴリズム（ＧＡ）によって探索されるディジタルシステムを製造する。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 is grown on the surface of a GaAs substrate 1 by bringing a Ga molten liquid in which Si is doped as an impurity into contact with the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の表面に、不純物としてＳｉが添加されたＧａ融液を接触させることにより、ＧａＡｓ基板１の表面上にエピタキシャル層２を成長させる。 - 特許庁

Of all the books he wrote, the most famous is "Sayonara dake ga jinsei da: Eiga kantoku Kawashima Yuzo no shogai" ("Life is only a chorus of goodbyes: the life of director Yuzo KAWASHIMA," published by Nobel Shobo in 1968). 例文帳に追加

『サヨナラだけが人生だ　映画監督川島雄三の生涯』（ノーベル書房：昭和43年）この川島雄三の追悼録が、今村の著作の中でもっとも有名なものとされる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In an image extraction part 21, each time input for each line is present for the divided images A and B, image parts Ga and Gb of the overlap area of the divided images A and B are extracted.例文帳に追加

画像抽出部２１では、分割画像Ａ，Ｂについて１ラインごとの入力がある度に、分割画像ＡとＢとの重複領域の画像部分Ｇａ，Ｇｂを抽出する。 - 特許庁

A lifting body 36 is arranged via a lifting means 31 at a part facing visual observation inspection parts A and B, arranged on the side of a carrying passage in the carrying passage 1 of plate-like bodies Ga and Gb.例文帳に追加

板状体Ｇａ，Ｇｂの搬送経路１中で、搬送経路の側方に設けた目視検査部Ａ，Ｂに対向する部分に、昇降手段３１を介して昇降体３６を設けた。 - 特許庁

To provide an In-Ga-Zn based compound oxide sintered body with low specific resistance and capable of forming a thin film of high transmittance of the light, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In such a case, on respective pixel lines Sa to Si the images Ga and Gb caused by the fluctuation of the circumferential speed are canceled and consequently the image having nearly the same shape as a normal Gx is formed.例文帳に追加

この際に、各画素ラインＳａ〜Ｓｉには、周速変動で生じる画像ＧａとＧｂが相殺されて正規の画像Ｇｘとほぼ同じ形状の画像が形成される。 - 特許庁

About 600 mirrors from the end of the Heian through until the Edo period were excavated from a pond commonly known as 'Kagami-ga-ike Pond' in the Mt. Haguro, one of Dewa sanzan (three mountains of Dewa) (Yamagata Prefecture) (Tsuruoka City, Yamagata Prefecture). 例文帳に追加

出羽三山のひとつ羽黒山(山形県)（山形県鶴岡市）の通称「鏡ヶ池」からは、平安時代末期から江戸時代のものまで600面におよぶ鏡が出土している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Video signals outputted from the four pixels provided with the color filters R, B, Ga, Gb are sent in parallel to A/D conversion units 4a-4d and outputted as digital signals.例文帳に追加

そして、色フィルタＲ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｂが設けられた４画素から出力される映像信号を並列的にＡ／Ｄ変換部４ａ〜４ｄに送出し、デジタル信号として出力する。 - 特許庁

Since a fixed negative charge layer in high density by the ionized Ga voids 14 exists, the curvature of energy band becomes large, the Schottky barrier becomes thin, and the ohmic property is materialized.例文帳に追加

イオン化したＧａ空孔１４による高密度の固定負電荷層が存在するため、エネルギーバンドの曲率が大きくなり、ショットキー障壁が薄くなって、オーミック特性が実現する。 - 特許庁

Optimal talent mix education combination calculation (step 22) is performed with genetic algorithm(GA) so as to minimize the cost, and stored in an optimal talent mix education planning database 12.例文帳に追加

コストが最小になるように、遺伝的アルゴリズム（ＧＡ）による最適人材ミックス育成組み合わせ計算（ステップ２２）を行い、最適人材ミックス育成計画データベース１２に格納する。 - 特許庁

The conductive paste for solar cell electrodes contains an organic binder, a solvent, conductive particles, glass frits, and a compound containing Al, Ga, In, or Tl.例文帳に追加

有機バインダと、溶剤と、導電性粒子と、ガラスフリットと、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ又はＴｌを含む化合物とを含有する、ことを特徴とする太陽電池電極用導電性ペーストである。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device made from (Al, Ga, In)N-based materials has an active region 3 for light emission including InGaN quantum dots or InGaN quantum wires.例文帳に追加

（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料系によって作製された半導体発光デバイスは、ＩｎＧａＮ量子ドットまたはＩｎＧａＮ量子細線を含む、発光のための活性領域３を有している。 - 特許庁

However, these works painted with homogeneous Sumi lines with no thick or thin nor contrasting density, are usually called 'Hakubyo plain sketches' or 'Hakuga (painting drawn only by Japanese ink lines)' and are not included in the category of 'Suiboku-ga.' 例文帳に追加

しかし、これらのような肥痩や濃淡のない均質な墨線で描かれた作品は「白描」（はくびょう）ないし「白画」といい、「水墨画」の範疇には含めないのが普通である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

One of the reasons for the flourishing Suiboku-ga at this time is that Zen priests were actively interacting between Japan and China and new style paintings in Sung and Yuan were brought to Japan. 例文帳に追加

水墨画がこの頃盛んになった要因としては、日本と中国の間で禅僧の往来が盛んになり、宋・元の新様式の絵画が日本にもたらされたことが挙げられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Hama no masago to goemon ga, uta ni nokoseshi nusutto no, tane wa tsukinee shichirigahama, sono shiranami no yobataraki, izen o iyaa enoshimade, nenkizutome no chigogafuchi (As Goemon ISHIKAWA's death poem says, there are innumerable thieves in this world like sand of Shichirigahama beach, and I am one of the thefts who once was a page boy working as apprentice at Enoshima Island.) 例文帳に追加

浜の真砂と石川五右衛門が、歌に残せし盗人の、種は尽きねえ七里ヶ浜、その白浪の夜働き、以前を言やあ江ノ島で、年季勤めの稚児ヶ淵、 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To accurately expose a second pattern in alignment by compensating the error of a first exposure and the distortion of a printed board when the first exposure is a D/D system and a second exposure is a GA system.例文帳に追加

第１露光がＤ／Ｄ方式で、第２露光がＧＡ方式の場合に、第１露光の誤差とプリント基板の歪みを補償して第２パターンを精度良くアライメントにて露光させる。 - 特許庁

Thus, input picture data G can easily converted into output picture data Ga which is gradation-converted by the gradation conversion curve that is set in the LUT conversion part 26.例文帳に追加

これにより、入力画像データＧをＬＵＴ変換部２６に設定されている階調変換カーブで階調変換した出力画像データＧａに簡易に変換することができる。 - 特許庁

A high quality wafer includes Al_xGa_yIn_zN (in the formula, 0<y≤1 and x+y+z=1) characterized by the root square average surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 on the Ga side of the wafer.例文帳に追加

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^2面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。 - 特許庁

In the case of one gage method, a constant current is sent in a route: an amplifier AMP2→a switch element Sa for selective scanning→a connection terminal Ta→a strain gage Ga→a connection terminal Tc→a switch element Sc'→a switch element SW2→a resistance Rb.例文帳に追加

１ゲージ法の場合、増幅器ＡＭＰ２→選択走査用のスイッチ素子Ｓａ→接続端子Ｔａ→ひずみゲージＧａ→接続端子Ｔｃ→スイッチ素子Ｓｃ′→スイッチ素子ＳＷ２→抵抗Ｒｂの経路で定電流を流す。 - 特許庁

Combined addition of Ga+In or Sn+In is applied to a Pd-Ag-Au-Cu-based alloy to lower the melting point of the alloy and regulate a thermal expansion coefficient to <14.9×10^-6K^-1.例文帳に追加

Ｐｄ−Ａｇ−Ａｕ−Ｃｕ系合金にＧａ＋ＩｎもしくはＳｎ＋Ｉｎの複合添加を行うことにより合金の融点を下げ、かつ熱膨張係数が１４．９×１０^−６Ｋ^−１未満とする。 - 特許庁

In this write-once type optical recording medium, on which information is recorded through light irradiation, its recording layer has Te, at least one element selected from the group consisting of {Al, Ga and In} and Zr.例文帳に追加

光を照射することにより情報を記録するライトワンス型光記録媒体であって、その記録層は、Ｔｅと、｛Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ｝の中から選ばれた少なくとも１つの元素Ｍ_1 と、Ｚｒとを有する。 - 特許庁

Two or more profile lines differed in length are set in a prediction subject area GA where the ground is predicted to be unstable, electrodes 1 are set on both sides thereof, and the ground potential difference is measured between the electrodes 1 and 1, respectively.例文帳に追加

地盤が不安定になると予想される予測対象領域Ｇ_Ａに、互いに長さの異なる複数の測線を設定してその両端に電極１を設置し、各電極１，１間で地電位差を測定する。 - 特許庁

Since the final alloy layer 9 of the Ga-Au alloy and the In-Au alloy is solid at room temperature, a liquid part is not present in the joining structure, making handling easy.例文帳に追加

また、最終的に構成されるＧａ−Ａｕ合金とＩｎ−Ａｕ合金の合金層９が常温個体のものであるため、接合構造中に液状の部分が残らず、取り扱い易いものとすることが可能である。 - 特許庁

To make high-quality correction of a defect possible even in a fine region where an etching gas or a source gas of a light-shielding film can not be efficiently supplied, without causing decrease in transmittance due to a Ga stain or changes in physical properties due to changes in the element content of the light-shielding film.例文帳に追加

エッチングガスや遮光膜原料ガスを効率的に供給できない微細領域でもＧａステインによる透過率の低下や遮光膜の元素含有量の変化による物性の変化が起こらない高品位な欠陥修正を可能にする。 - 特許庁

An HEMT1 is provided with a channel layer 119 made of group III nitride, essentially containing Ga and a pair of n-type doped electron supply layers 110 that are arranged on both sides of the channel layer 119 in the layer- thickness direction, are larger in conductor bottom energy than the channel layers 119, and are made of group III nitride essentially containing Ga.例文帳に追加

ＨＥＭＴ１は、Ｇａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物からなるチャネル層１１９と、該チャネル層１１９の層厚方向両側に配置されるとともに、それぞれチャネル層１１９よりも伝導体底エネルギーが高く、かつＧａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物により構成され、ｎ型にドープされた１対の電子供給層１１０を有することを特徴とする。 - 特許庁

When the total amount of all the atoms other than oxygen atoms contained in the protective layer 2 is taken as 100 atom%, the total amount of atoms of Cr, Zn, Ga, In, Sn, Sb, Bi, and Te in the protective layer 2 is at least 70 atom%.例文帳に追加

保護層２に含まれる酸素原子以外の全原子の合計を１００原子％とした場合に、保護層２におけるＣｒ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ及びＴｅの原子数割合の合計は、７０原子％以上である。 - 特許庁

This exhaust emission control device 1 has a plurality of purification catalysts 2, 3 arranged in an upstream and a downstream of an exhaust passage 100 of an internal combustion engine 100, cross section area of the purification catalyst 2 in the upstream side can be varied in relation to flow of exhaust gas GA.例文帳に追加

内燃機関１００の排気通路１０６に前後して複数の浄化触媒２，３を配置している排気浄化装置１であって、排気ガスＧＡの流れに対して、上流側の浄化触媒２の横断面積を可変とした。 - 特許庁

Further, the method for producing the sputtering target includes: a step of hot-pressing a powder mixture of Na_2S powder and Cu-Ga alloy powder or a powder mixture of Na_2S powder, Cu-Ga alloy powder and pure Cu powder in vacuum or an inert gas atmosphere; or a step of sintering the powder mixture according to a hot isostatic pressing method.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、Ｎａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末との混合粉末、又はＮａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末と純Ｃｕ粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程、または、熱間静水圧法で焼結する工程を有している。 - 特許庁

The tillage controller controls the driving of a lift control hydraulic cylinder to change a control gain Ga in response to control information corresponding to the target tillage depth RD0, calculate the tillage depth RD of the rotary tiller from the control gain Ga and the detection value θof the rear cover sensor, and then match the tillage depth RD with the target tillage depth RD0.例文帳に追加

耕耘制御コントローラは、目標耕耘深さＲＤ０に対応する制御情報に応じて制御ゲインＧａを変更し、該制御ゲインＧａとリヤカバーセンサの検出値θとからロータリ耕耘機の耕耘深さＲＤを算出し、この耕耘深さＲＤが目標耕耘深さＲＤ０となるように昇降制御油圧シリンダの駆動を制御する。 - 特許庁

While manufacturing a bulged product by applying bulge forming on a GA steel sheet using a press forming apparatus equipped with a punch and a die, at least in a part of stroke zone from starting of contact of the punch with the GA steel sheet till reaching the bottom dead point, speed of punch is maintained at the same as just before the contact or increased following the punch stroke.例文帳に追加

パンチとダイを備えるプレス成形装置を用いてＧＡ鋼板を張出し成形することによって張出し成形品を製造する際に、パンチとＧＡ鋼板とが接触を開始してから下死点までの間の少なくとも一部の領域では、直前のパンチ速度を維持し、または成形ストロークとともにパンチ成形速度を増大するようにする。 - 特許庁

However, in art history, 'Suigoku-ga' refers not only to paintings in one color with Sumi, but also in Chinese style that include contrasting density, bleeding, and thin spots, and as to the paintings in Japan, it usually refers to those produced after the Kamakura Period. 例文帳に追加

しかし、美術史で「水墨画」という場合には、単に墨一色で描かれた絵画ということではなく、墨色の濃淡、にじみ、かすれ、などを表現の要素とした中国風の描法によるものを指し、日本の作品については、おおむね鎌倉時代以降のものを指すのが通常である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In that case, the term 'Nihon-ga' is used loosely and it is unclear whether it refers to those drawings having origins in China or the Korean peninsula but with themes and styles that have Japanese characteristics, or those drawings in general which originated in Japan before the arrival of the oil painting technique. 例文帳に追加

その場合、中国や朝鮮半島に由来しながらも主題や様式において日本的特徴を持つものを意味するのか、あるいは油彩技法が到来する以前に日本で制作された図画一般まで指すのか、定義があいまいなまま使われることも多い。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In this manufacturing method of the ferromagnetic particles, an M_2(CO)_8 (in this case, M is a magnetic metal or alloy) gas is introduced, and a Ga^+ ion beam is applied to the gas by scanning, thus manufacturing the particles made of M.例文帳に追加

チェンバー内にＭ_2（ＣＯ）_8（Ｍは磁性金属または合金）ガスを導入し、該ガスにＧａ^+イオンビームをスキャンしながら照射することによりＭからなるパーティクルを作製することを特徴とする強磁性パーティクルの作製方法。 - 特許庁