「Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A phosphor layer of this plasma display panel is formed by attaching at least one of metal oxide fine particles containing at least one of Al, Zn, In, Ga, Ge, and Bi and diamond fine particles as modifying material for improving luminance on a surface of a phosphor particle or by mixing with the phosphor particle in a matrix of the phosphor layer.例文帳に追加

Ａｌ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｇａ，ＧｅおよびＢｉの少なくとも一種を含む金属酸化物微粒子、およびダイヤモンド微粒子から選ばれる少なくとも一つを輝度改善修飾材料として蛍光体粒子の表面に付着させるか、もしくは蛍光体層のマトリックス中に蛍光体粒子と共に混在させて、プラズマディスプレイパネルの蛍光体層を構成する。 - 特許庁

To provide glass which has excellent water resistance, is less liable to crystalize even in sealing or subsequent heat treatment, achieves a low sealing temperature and a desired expansion coefficient, and is suitable for sealing or the like with a Tg of 450°C or lower, without containing oxides of Pb, Ge, Ga, etc., or a halogen component such as fluorine, or without containing oxides of Sn and Cu in large quantities.例文帳に追加

Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の膨張係数を実現でき、Ｔｇが４５０℃以下の封着等に適したガラスを提供する。 - 特許庁

The first grid part GA having a gauge resistance Rga is arranged at a first predetermined distance DA in the longitudinal direction from one end LE of the gauge base 11 in longitudinal direction, and the second grid part GB having a gauge resistance Rgb is arranged at a second predetermined distance DB from the one end LE longer than the first predetermined distance DA.例文帳に追加

ゲージベース１１の長手方向の一端ＬＥから長手方向について第１の所定距離ＤＡに配置されるゲージ抵抗Ｒｇａの第１のグリッド部ＧＡ、並びに一端ＬＥから第１の所定距離ＤＡよりも長い第２の所定距離ＤＢに配置されるゲージ抵抗Ｒｇｂの第２のグリッド部ＧＢを有する。 - 特許庁

p-GaN11 is grown in condition that the surface potential (relative to the electron) at a growth surface 13 drops and the energy band is bent largely, so as to make p-GaN11 which has ionized Ga voids 14 in the vicinity of the growth surface 13, and a metal is accumulated on the growth face 13 to constitute a low-resistance ohmic electrode.例文帳に追加

成長表面１３における（電子に対する）表面電位が下がり、エネルギーバンドが大きく曲がっている状態でｐ-ＧａＮ１１を成長させ、成長表面１３の近傍にイオン化したＧａ空孔１４を有するｐ-ＧａＮ１１とし、成長表面１３に金属を堆積して低抵抗なオーミック電極を構成する。 - 特許庁

When displaying a text in classical Chinese, in accordance with display setting data for setting "display" or "non-display" of the respective Chinese characters and their attached information, a regular text (classical Chinese) displaying screen Ga for displaying the Chinese characters and their attached information together, and an unmarked text displaying screen Gb for displaying only the Chinese characters and not their attached information, are switchably displayed.例文帳に追加

漢文テキストを表示する際には、各漢字およびその付属情報の表示／非表示を設定する表示設定データに従い、各漢字とその付属情報を併せて表示する本文（漢文）表示画面Ｇａまたは各漢字だけでその付属情報を表示しない白文表示画面Ｇｂを切り替え自在に表示させる。 - 特許庁

The oxynitride includes Zn and at least one element selected from In, Ga, Sn, Mg, Si, Ge, Y, Ti, Mo, W and Al, wherein an atomic composition ratio of N in the oxynitride, which is expressed by N/(N+O), is 7 atom% to 80 atom%.例文帳に追加

金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌから選択される少なくとも１つの元素と、Ｚｎと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のＮ／（Ｎ＋Ｏ）で表されるＮの原子組成比率が、７原子％以上８０原子％以下であることを特徴とする酸窒化物半導体。 - 特許庁

Each of first and second flow path plates Ga and Gb as arbitrary two sheets of flow path plates adjoining in a layering direction of a plate layered body S has an escape groove 18 capable of avoiding contact with protrusions 17, at regions opposed to the protrusions (burr and deformity) 17 protruded in the layering direction of the plate layered body S.例文帳に追加

プレート積層体Ｓの積層方向に隣接する任意の２枚の流路プレートである第１及び第２の流路プレートＧａ、Ｇｂのそれぞれが、プレート積層体Ｓの積層方向に突出した突状部（バリ、変形）１７に対向する領域に、突状部１７との当接を回避し得る逃げ溝１８を有するように構成する。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a high-quality gallium nitride semiconductor substrate while suppressing crystal degradation caused by the reaction of Ga and Si and suppressing occurrence of cracking caused by the difference in thermal expansion coefficients of GaN and Si in the process of forming a thick film gallium nitride semiconductor layer on a Si(111) face by using a vapor phase growth method.例文帳に追加

Ｓｉ（１１１）面上に気相成長法を利用して、厚膜の窒化ガリウム系半導体層を形成する際、ＧａとＳｉに因る反応に起因する結晶劣化、ＧａＮとＳｉの熱膨張係数差に起因するクラッキング発生を抑制し、良質な窒化ガリウム系半導体基板の作製を可能とする作製方法の提供。 - 特許庁

In a p-type GaN semiconductor thin-film electrode for ohmic contact including a first electrode layer and a second electrode layer laminated in order on a p-type GaN semiconductor layer, the first electrode layer may include a Ni, Cu or Co-based alloy or solid solution which can form p-type thermoelectric oxide, or Ni oxide in which at least any one component selected from Al, Ga and In is doped.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ半導体層上に順次に積層された第１電極層および第２電極層を含むｐ型ＧａＮ半導体のオーム接触用薄膜電極の、前記第１電極層は、ｐ型熱電酸化物を形成できるＮｉ、ＣｕもしくはＣｏ系の合金または固溶体を含むか、またはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうち選択された少なくとも何れか一つの成分がドーピングされたＮｉ酸化物を含みうる。 - 特許庁

The method of growing Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) crystal includes: preparing a foundation substrate 10; and bringing a solution 7 prepared by dissolving 5 nitrogen in a Ga-molten liquid 3 containing Al into contact with the foundation substrate 10 to grow at least one layer of Al_xGa_1-xN crystal 20 on the foundation substrate 10.例文帳に追加

本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法は、下地基板１０を準備する工程と、Ａｌを含有したＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を下地基板１０に接触させて、下地基板１０上に少なくとも１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 - 特許庁

The sintered oxide is obtained by mixing a zinc oxide, a tin oxide, and an oxide of at least one metal (metal M) selected from a group composed of Al, Hf, Ni, Si, Ga, In, and Ta and sintering the mixture, the sintered oxide having a Vickers hardness of 400 Hv or higher.例文帳に追加

本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、ビッカース硬度が４００Ｈｖ以上である。 - 特許庁

An In-Ga-Zn-O-based film is so formed as to have an incubation state exhibiting an electron beam diffraction pattern different from a conventionally known amorphous state that a halo shape pattern appears, and from a conventionally known crystal state that a spot appears clearly, and the film is used as a channel formation region of a channel etched thin film transistor.例文帳に追加

ハロー状のパターンが現れる従来公知のアモルファス状態とも異なり、スポットが明確に現れる従来公知の結晶状態とも異なる電子線回折パターンを示すインキュベーション状態を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系膜を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタのチャネル形成領域として用いる。 - 特許庁

There is provided the amorphous oxide semiconductor material including an amorphous oxide semiconductor including In, Ga and Zn, wherein when In:Ga:Zn=a:b:c denotes an element composition ratio of the oxide semiconductor, the element composition ratio is defined by the range of a+b=2 and b<2 and c<4b-3.2 and c>-5b+8 and 1≤c≤2.例文帳に追加

Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体からなり、前記酸化物半導体の元素組成比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃとした場合、前記元素組成比が、ａ＋ｂ＝２、かつｂ＜２、ｃ＜４ｂ−３．２、かつｃ＞−５ｂ＋８、かつ１≦ｃ≦２の範囲で規定される非晶質酸化物半導体材料とする。 - 特許庁

A semiconductor laser having the end face window structure is manufactured on a portion of the n-type GaN substrate 11 that is not covered with the insulating film mask 16 by growing a GaN based semiconductor layer 25 containing an active layer 19 comprising the nitride based III-V compound semiconductor containing In and Ga.例文帳に追加

この絶縁膜マスク１６で覆われていない部分のｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させることにより、端面窓構造を有する半導体レーザを製造する。 - 特許庁

When automatic recovery conditions are satisfied in the middle of the engine stopping period (time t1-t3) and automatic recovery is determined (time t5), intake air quantity Ga of the engine 1 is maintained at reference air quantity Gab or less at an early stage of start until engine speed NE rises to reference engine speed NEb (time t5-t6).例文帳に追加

停止途中期間（時間ｔ１〜ｔ３）に自動復帰条件が成立することで自動復帰判定がなされた場合（時間ｔ５）、エンジン回転数ＮＥが基準回転数ＮＥｂに上昇するまでの始動初期（時間ｔ５〜ｔ６）においては、エンジン１の吸入空気量Ｇａが基準空気量Ｇａｂ以下に維持する。 - 特許庁

The ultraviolet photodetector has the ultraviolet photoreceiving element provided with the photo-semiconductor layer containing at least one or more kind(s) of element(s) selected from the group comprising Al, Ga and In, and nitrogen, and the electrode, on the substrate, and the photodetector is provided with a light transmitting member for making light incident into the photo-semiconductor layer.例文帳に追加

また、基板上に、少なくとも、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる１種以上の元素と、窒素とを含む光半導体層、並びに電極を設けてなる紫外線受光素子を有し、前記光半導体層に光を入射する光伝送部材を備えてなる紫外線受光器である。 - 特許庁

An electronic control unit 60 detects that there occurs an abnormality so that the opening degree of the PCV valve 36 is smaller than the predetermined opening degree, if an air intake amount GA regulated by the feedback control is larger than an assumed upper limit amount when the internal combustion engine 10 is in the idling state.例文帳に追加

電子制御装置６０は、内燃機関１０のアイドル運転状態において、フィードバック制御により調整される吸気量ＧＡが想定される上限量よりも多いことを条件に、ＰＣＶバルブ３６の開度が所定開度よりも小さい状態である異常が生じている旨を検知する。 - 特許庁

An electrode film of low resistor which is mainly composed of TISi_2 is formed by the occurrence of a TiSi_2 part 12 by the reaction with the Si and Ti, a TiN part 13 by the reaction with the Ti and the AlGaN, a nitrogen vacancy 14, and a metallic part of group III with Ga and Al having lost nitrogen in the ohmic contact forming region 11.例文帳に追加

コンタクト形成領域１１内で、ＳｉとＴｉとの反応によるＴｉＳｉ_２部分１２、ＴｉとＡｌＧａＮとの反応によるＴｉＮ部分１３、および窒素空孔１４、窒素を失ったＧａとＡｌのＩＩＩ 族金属部分が発生して、ＴｉＳｉ_２を主体とする低抵抗の電極膜が形成される。 - 特許庁

The armor which 2-year-old Yoshiie wore, 'Genta ga Ubuginu' (the baby clothes of Genta), and the katana (Japanese sword) called 'Hige kiri' (beard cutter) that was named for cutting off the bearded heads of a thousand prisoners, became treasures passed down to the Kawachi-Genji clan heir, and there is an anecdote in the "Heiji Monogatari" (The Tale of Heiji) that Yoritomo MINAMOTO used it during the Heiji no ran (Heiji Rebellion). 例文帳に追加

義家が2歳のときに用いた「源太が産衣」という鎧と、生け捕った敵千人の首を髭ごと切ったことから「髭切」と名付けられた刀は、河内源氏嫡子に伝えられる宝となり、後の平治の乱では源頼朝が用いたという逸話が鎌倉時代初期の『平治物語』にある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The measured ground potential difference data are recorded every fixed time by a data logger 2, and transmitted to a personal computer 7 set in an observation station or the like through a data transmitting means 3, where necessary processing such as noise removal or the like is performed to evaluate a collapse or breakage precursory phenomenon of the ground of the area GA.例文帳に追加

測定された地電位差データは、データロガー２によって一定時間毎に記録され、観測基地等に設置されたパーソナルコンピュータ７にデータ送信手段３を介して送信され、ここでノイズの除去等、必要な処理が行われ、予測対象領域Ｇ_Ａの地盤の崩壊又は破壊前兆現象を評価する。 - 特許庁

On a projection plane P substantially perpendicular to the central axial line of the cylinder, axial lines Ha-Hh of injection holes of the main fuel injection valve 10 extend outward in the radial direction from the main fuel injection valve 10 and intersect an inner wall surface 5a of a concave groove so as to form main fuel collision points Ga-Gh.例文帳に追加

シリンダ中心軸線にほぼ垂直な投影面Ｐ上において、主燃料噴射弁１０の噴孔軸線Ｈａ−Ｈｈは主燃料噴射弁１０から半径方向外向きに放射状に延び、凹溝内壁面５ａと交差してそれぞれ主燃料衝突点Ｇａ−Ｇｈを形成する。 - 特許庁

Since the point Ga where the gravity center is projected is located in the center of the region surrounded by the plurality of external connection pads 5, when centrifugal force acts, stress can be suppressed to act disproportionately to a portion of the external connection pads 5, the connection reliablity to the external electric circuit can be made high.例文帳に追加

重心を投影した点Ｇａが複数の外部接続パッド５で囲まれた領域の中央に位置しているので、遠心力が作用したときに、一部の外部接続パッド５に応力が偏って作用することを抑えることができ、外部電気回路に対する接続信頼性を高くすることができる。 - 特許庁

In the formula, R is one kind or more of element selected from lathanoid series of Pr-Lu, Y or Sc, X is one kind or more of group VIII element of Ni, Pd and Pt, Z is one kind or more of group IIIB element of B, Al or Ga.例文帳に追加

ただし、式中、ＲはＰｒ〜Ｌｕまでのランタノイド系列及び、Ｙ或いはＳｃより選ばれる１種又は２種以上の元素、ＸはＮｉ、Ｐｄ、Ｐｔよりなる１種又は２種以上のＶＩＩＩ族元素、ＺはＢ、Ａｌ或いはＧａよりなる１種又は２種以上のＩＩＩＢ族元素を示している。 - 特許庁

In an advertisement effect check system, a register terminal 7 is connected to a host device 19 for managing the terminal 7 so as to communicate with each other and advertisement effect of an advertisement target commodity Ga selected from a plurality of commodities G is inspected by using commodity code information C for specifying the names and prices of the commodities G.例文帳に追加

広告効果検査システムは、レジ端末７とレジ端末７を管理するホスト装置１９とが相互に交信可能に接続され、商品Ｇの商品名及び価格を特定する商品コード情報Ｃを用いて、商品Ｇの中から選ばれた広告対象商品Ｇａの広告効果を検査する。 - 特許庁

The garnet-type crystal for a scintillator contains Gd, Al and O as essential components, and Ce as an emission component, and further contains at least one selected from Ga, Sc, Y, Yb and Lu, and has absorptivity to light of 550 nm in wavelength of ≤0.03 mm^-1.例文帳に追加

ＧｄとＡｌとＯとを必須成分とし、Ｃｅを発光成分とするシンチレータ用ガーネット型結晶であって、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも１種をさらに含み、波長５５０ｎｍの光に対する吸光係数が０．０３ｍｍ^−１以下である、シンチレータ用ガーネット型結晶。 - 特許庁

In an interactive optimization part 310, a response degree computing part 342 inputting a control coefficient of the interactive optimization part 310 for outputting a response degree is used, and an optimal solution for the response degree computing part 342 is searched by GA while the response degree of the response degree computing part 342 is repeatedly evaluated by interactive evolution.例文帳に追加

対話型最適化部３１０については、対話型最適化部３１０の制御係数を入力としてレスポンス度を出力するレスポンス度算出部３４２を用いて、レスポンス度算出部３４２のレスポンス度を対話型評価により繰り返し評価しながら、レスポンス度算出部３４２の最適解をＧＡにより探索する。 - 特許庁

In the gallium nitride semiconductor crystal 2, the growth surface becomes a nonpolar surface instead of an N (nitrogen) polar surface and a Ga polar surface, thus reducing the magnitude of an electric field due to the spontaneous polarization and the piezo polarization generated on the interface of p-side GaN/AlGaN and hence avoiding carrier depletion.例文帳に追加

これらの窒化ガリウム半導体結晶２は、その成長表面がＮ（窒素）極性面やＧａ極性面ではなく、無極性面となるので、ｐ側のＧａＮ／ＡｌＧａＮの界面で発生する自発分極やピエゾ分極による電界の大きさを小さくすることができ、キャリア空乏化を回避することができる。 - 特許庁

To provide an Sb based solder alloy essentially consisting of Sn and solving both the problem of defects caused by the yellowing and the reduction of metallic luster upon the formation of a solder ball or the formation of a solder bump and the problem in the reduction of solderability caused by the addition of Ga and P elements, and to provide a solder ball.例文帳に追加

本発明の目的は、Ｓｎを主体とし、はんだボール形成時やはんだバンプ形成時の黄化や金属光沢の低下に起因した不良の問題と、これらの元素の添加によるはんだ付け性低下の問題の双方を解決するＳｎ系はんだ合金ならびにはんだボールを提供することにある。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device includes at least a substrate, an active layer composed of a nitride semiconductor mainly containing In and Ga, a p-electrode, and an n-electrode, wherein at least one of the p-electrode and the n-electrode is electrically divided into two or more regions.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子は、少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有する窒化物半導体からなる活性層、ｐ電極およびｎ電極を含むものであって、ｐ電極およびｎ電極の少なくとも一方が電気的に２領域以上に分離されていることを特徴としている。 - 特許庁

The phrase 'shiraha no ya ga tatsu' which means to be selected among people originates from the tale which has been transmitted in various parts of Japan, that is, 'an arrow is shot as a sign on the roof of the house of which daughter becomes a victim of god or a monster,' so that it does not have a good meaning originally and shows the spiritual aspect of Yumiya. 例文帳に追加

望まれて抜擢されるという意味の「白羽の矢が立つ」とは、元は「神や物の怪の生け贄となる娘の選択の明示として、その娘の家の屋根に矢が立つ（刺さる）」という、日本各地で伝承される話から来ており、本来は良い意味ではなく、心霊現象としての弓矢を現してる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As New Year's movies to be released on the New Year's Eve, the company distributed "Seishun no Hika"(Elegy of Adolescence) directed by Bansho KANAMORI to the Narukofuji-kan theater and also went as far as to distribute a double feature of "Gion Jowa Tsubomi no Mama"(Love story in Gion, a budding woman) also directed by Kanamori and "Otoko ga Tsuma wo Erabutoki" (When a man choose his wife) directed by Shusei GOTO to the 'Asakusa Opera-kan Theater' which had been built after reconstruction of Asakusa area. 例文帳に追加

年末12月31日公開の正月映画として、金森万象監督の『青春の悲歌』を「成子不二館」に、おなじく金森監督の『祇園情話蕾のまゝ』と後藤秋声監督の『男が妻を選ぶ時』の2本立て番組を復興後の浅草に建った「浅草オペラ館」にきっちり供給した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The light-emitting layer 103 includes a three-dimensional compound ABC_2 (wherein A=Cu or Ag, B=Al, Ga or In, and C=S, Se or Te) which is called the chalcopyrite.例文帳に追加

基板１００上に、第１の電極１０１、第１の絶縁層１０２、発光層１０３、第２の絶縁層１０４、第２の電極１０５を有し、発光層１０３は、カルコパイライトと呼ばれる三元化合物ＡＢＣ_２（但し、Ａ＝Ｃｕ、またはＡｇ、Ｂ＝Ａｌ、Ｇａ、またはＩｎ、Ｃ＝Ｓ、Ｓｅ、またはＴｅ）を含む発光素子を提供する。 - 特許庁

For example, the red phosphor of formula (1) is produced by mixing a sulfide of Ca and/or Sr, a fluoride of at least one kind of element selected from the group consisting of Al, Ga and In, sulfur and a europium fluoride and subjecting the mixture to classifying and then calcining in an inert gas atmosphere.例文帳に追加

（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，Ａ，Ｆ ……(１)、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，Ｒｂ，Ｆ ……(２)、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，Ａ，Ｒｂ，Ｆ ……(３)（ＡはＡｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される少なくとも１種で、０．０１〜５モル％、Ｒｂを０．０１〜２モル％含有する。）例えば、式(１)の赤色蛍光体は、Ｃａ及び／又はＳｒの硫化物、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される少なくとも１種のフッ化物、イオウとフッ化ユーロピウムを混合、分級し不活性ガス雰囲気下で焼成することにより製造される。 - 特許庁

During the work processing, in a condition that at least more than two work clamping devices continue to clamp the work, a processed work Ga is clamped by other clamping device at one end of the carriage base and carried out to a product transfer device 73 installed on the lower part of one end of the carriage base by being extended in the Y-axis direction without interrupting the work processing.例文帳に追加

このワーク加工中に、少なくとも２個以上のワーククランプ装置によるワーククランプを続行している状態でキャリッジベースの一端側の他のワーククランプ装置により加工済みワークＧａをクランプし、ワーク加工を中断することなく加工済みワークをキャリッジベースの一端側の下方にＹ軸方向に延伸して設けた製品搬送装置７３へ搬出する。 - 特許庁

The In-Ga-Zn based composite oxide sintered compact includes: a first phase formed by ZnGaO_2.5 crystals; a second phase formed by InGaO_3 crystals; and a third phase formed by In_2O_3 crystals, and the total phase area ratio of the first phase, the second phase and the third phase to all the phases in the optional cross section of the sintered compact is 70 to 100%.例文帳に追加

本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａＯ_2.5結晶で形成される第１相と、ＩｎＧａＯ_3結晶で形成される第２相と、Ｉｎ_2Ｏ_3結晶で形成される第３相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相、第２相および第３相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。 - 特許庁

This fluoride glass matrix preferably contains ions selected from zirconium ion, alkali ions and alkaline earth ions and also, at least 5 mol% of fluoride ion of the matrix is substituted by bromide ion and/or chloride ion, and further, at least 0.01 mol% of a cation(s) selected from transition metal ions, rare earth metal ions, In+, Ga+, Tl+ and Pb+, exists in the matrix.例文帳に追加

該ガラスマトリックスは好ましくはジルコニウムイオンならびにアルカリイオン及びアルカリ土類イオンから成る群より選ばれるイオンを含有し、少なくとも５モル％のフルオリドイオンはブロミド及び／又はクロリドイオンにより置き換えられており、少なくとも０．０１モル％の遷移金属イオン、希土類金属イオン、Ｉｎ^+、Ｇａ^+、Ｔｌ^+及びＰｂ^2+から成る群より選ばれるカチオンが存在する。 - 特許庁

The silver alloy sputtering target for forming a conductive film comprises a silver alloy having a composition comprising 0.1-1.5 mass% Ga and/or Sn in total and the balance being Ag and inevitable impurities, wherein the average grain size of the silver alloy crystal grains is 120-400 μm and the variation in the crystal grain size is within ≤20% of the average grain size.例文帳に追加

導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｓｎの内の１種または２種を合計で０．１〜１．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜４００μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 - 特許庁

The sputtering target contains in atomic%, Ge of 27-45%, Sb of 5-20%, and further contains one or two or more of B, Al, C, Si and rare earth elements of 0.5-8% in total, and further contains Ga of 0.5-8%, and the remainder has the composition composed of Te and unavoidable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：２７〜４５％、Ｓｂ：５〜２０％を含有し、さらにＢ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉおよび希土類元素の内の１種または２種以上を合計で０．５〜８％を含有し、さらにＧａ：０．５〜８％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする相変化記録膜およびその相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The light control device includes a thin film transistor; and a light control element including an electrode 104 electrically connected to the thin film transistor, in which a semiconductor region 102 of the thin film transistor and a pixel electrode 104 are composed of the same semiconductor layer, and the same semiconductor layer is an amorphous oxide layer including at least one of In, Ga, and Zn.例文帳に追加

薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続される電極１０４を有する光制御素子と、を備えた光制御装置であって、薄膜トランジスタの半導体領域１０２と画素電極１０４とが同一の半導体層からなり、同一の半導体層はＩｎ，Ｇａ，Ｚｎから選択される元素の少なくとも一つを含む酸化物からなる非晶質層である。 - 特許庁

The light-emitting element 100 has a stuck structure in which the first main surface of the second sticking layer 90 composed of the semiconductor or metal is stuck to the second main surface of the first sticking layer 40, having the light-emitting layer 24 and composed of the III-V compound semiconductor via a metallic sticking layer 11 containing In or Ga as the main component.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部２４を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層４０の第二主表面に、半導体又は金属からなる第二被貼り合わせ層９０の第一主表面が、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層１１を介して貼り合わされた貼り合わせ構造部を有してなる。 - 特許庁

In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体を成長する方法では、第１の原料ガス（Ｎソース）、第２の原料ガス（Ａｓソース）および第３の原料ガス（Ｇａソース、Ｉｎソース）を用いて、ヒ素およびリン（Ｖ族構成元素）を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素（Ｖ族構成元素）を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体を成長する。 - 特許庁

After this, Saigo, Murata, and Shinzo MORIYAMA went to Kyoto to investigate the situation in each domain before the troops led by Hisamitsu SHIMAZU departed, which made Hisamitsu suspect that their actions had instigated Izumi MAKI and Shinshichi ARIMA to raise an army in Kyoto (Teradaya-sodo [oppression of Sonjo group]); after being called back from Kyoto, Saigo was sent into exile to Tokuno-shima Island (and changed to Oki-no-erabujima Island by the second order) and Murata to Kikai-jima Island (not Satuma-iojima Island [Kikai-ga-shima Island]). 例文帳に追加

この後に島津久光進発に先立って上京した西郷・村田・森山新蔵は諸藩の情勢を探っていたが、真木和泉・有馬新七らの京都挙兵（寺田屋騒動）を煽動したと久光から疑われ、呼び戻されて西郷は徳之島（再命で沖永良部島へ変更）へ、村田は喜界島（薩摩硫黄島（鬼界ヶ島）ではない）へ遠島された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This invention provides: the cathode catalyst for a fuel cell which contains one kind of metal selected from the group consisting of In and Ga, and Ru-Ch supported on the metal, and is characterized in that Ch is one kind of element selected from the group consisting of S, Se and Te; the membrane-electrode assembly for a fuel cell; and the fuel cell system each including the cathode catalyst.例文帳に追加

本発明によれば、Ｉｎ及びＧａからなる群より選択される一種の金属と、金属に担持されるＲｕ−Ｃｈと、を含み、Ｃｈは、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅからなる群より選択される一種の元素であることを特徴とする燃料電池用カソード触媒と、このカソード触媒を含む燃料電池用膜電極接合体、及び燃料電池システムが提供される。 - 特許庁

In an optimization system calculating the optimum solution suited to evaluation conditions for which a plurality of conditions are combined by using the genetic algorithm, a GA engine 1 outputting the candidates of the solution suited to individually set evaluation conditions as evolution individual groups PGn (n=1 to N) on the basis of the genetic algorithm is provided in a plurality of stages from a low order to a high order.例文帳に追加

複数の条件が組み合わさった評価条件に適合した最適解を遺伝的アルゴリズムを用いて算出する最適化システムにおいて、遺伝的アルゴリズムに基づいて、個別に設定された評価条件に適合した解の候補を進化個体群ＰＧn（n＝1〜N）として出力するＧＡエンジン１が、下位から上位に亘って複数段設けられている。 - 特許庁

The lead-free solder has improved solder joining characteristics of joining strength, fluidity of solder, anti-oxidizing effect or the like by totally containing 0.001-1 wt.% of at least one or more elements selected from Ni, Ge, Ga, Al and Si, so that the solder joining excellent in the solder characteristics and having the high reliability is provided.例文帳に追加

更に、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ａｌ、及びＳｉから選ばれる少なくとも一種類以上を合計で０．００１〜１重量％含有することにより、接合強度向上、はんだの流動性向上、酸化防止効果向上等のはんだ接合特性の向上を有して、はんだ特性に優れ、高い信頼性を有するはんだ接合の提供を可能とする。 - 特許庁