「Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing a fluorescent material for use in a scintillator which uses Ce as a light-emitting element and has a garnet structure containing Gd, Ga, Al and O, is characterized by using as an Al raw material an alumina powder which is heat-treated in vacuum.例文帳に追加

Ｃｅを発光元素とし、Ｇｄ、Ｇａ、Ａｌ、Ｏを含有するガーネット構造のシンチレータ用の蛍光材料の製造方法であって、Ａｌ素原料に真空中で熱処理したアルミナ粉末を用いることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a transistor using an oxide layer containing Zn, while not containing rare metals, such as In and Ga, and to stabilize electrical properties by reducing an off-state current in the transistor that uses the oxide layer containing the Zn.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａなどのレアメタルを含まず、Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタを提供し、Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタにおいて、オフ電流を低減し、電気特性を安定させることを課題の一とする。 - 特許庁

Furthermore, in the electronic document production system, an anti-alias layer LA is generated which is a layer having a binarized image GA produced on the basis of the edge image, and being superimposed on the character image layer LC in a translucent state.例文帳に追加

また、電子文書生成システムは、当該エッジ画像に基づいて生成された二値化画像ＧＡを有するレイヤであって、文字画像レイヤＬＣに半透過状態で重畳されるレイヤであるアンチエイリアスレイヤＬＡを生成する。 - 特許庁

Thus, when the molten glass lump GA is arranged on the receiving surface 31 and molded by pressing with the receiving surface 31 and the molding surface 33, a gas in places surrounded by the receiving surface 31 and the molding surface 33 is escaped in the fine pores.例文帳に追加

これにより、溶融ガラス塊ＧＡを受け面３１に配置し、受け面３１及び成形面３３で押圧して成形するときに、受け面３１及び成形面３３で囲まれる箇所の気体が細孔へと逃避する。 - 特許庁

The gas diffusing layers 5 have channel regions GA overlapping the channels 23, 33, 25, or 35 and channel wall regions WA overlapping parallel channel walls 29 and 39 in the laminating direction in the fuel cell system 100.例文帳に追加

ガス拡散層５は、燃料電池１００の積層方向に沿って見たときに、流路溝２３，３３，２５，３５と重なる流路溝領域ＧＡと、並列流路隔壁２９，３９と重なる流路壁領域ＷＡとを有する。 - 特許庁

In this display device, a switching part driving circuit 5 which drives a data line selecting TFT (thin film transistor) by outputting a data line selection signal to gate lines Ga, Gb is mounted in a gate line driving circuit 2 which drives gate lines GL1 to GLM being scanning lines.例文帳に追加

データ線選択信号をゲート線Ｇａ・Ｇｂに出力してデータ線選択ＴＦＴを駆動するスイッチ部駆動回路５は、走査線であるゲート線ＧＬ１〜ＧＬＭを駆動するゲート線駆動回路２に搭載されている。 - 特許庁

A light source 21 is arranged on the upstream side in the running direction of the web 13 while a CCD camera 22 is arranged on the downstream side in the running direction of the web 13 and image processing is performed to measure the gap Ga between the slot die 10 and the web 13 to positionally adjust the slot die 10.例文帳に追加

ウエブ１３の走行方向上流側に光源２１、下流側にＣＣＤカメラ２２を設置し、画像処理を実施してスロットダイ１０とウェブ１３との隙間Ｇａを計測し、スロットダイ１０の位置調整を行った。 - 特許庁

A Ga impurity level in the doped region of the light emitting layer 3 is excited by exciton emission that is preferentially generated in the non-doped region to induce emission of light through an impurity level for carrying out multiple emission of light.例文帳に追加

このノンドープ領域に優先的に生成される励起子発光によって、発光層３のドープ領域のＧａ不純物準位を励起し、不純物準位を介した発光を誘導して、多段階発光を行なう。 - 特許庁

When a user uses the remote controller 300 and displays a screen for setting image quality on the television 100, the user operates the numeric key corresponding to each of three kana characters of "ga", "shi", and "tsu" each in Japanese, each once, only three times in total.例文帳に追加

ユーザがリモコン３００を使用して、テレビ１００に画質の設定を行う画面を表示する場合、ユーザは「が」、「し」、および「つ」の３つの仮名文字のそれぞれに対応する数字キーをそれぞれ１回、合計３回だけ操作する。 - 特許庁

In Miyagi Prefecture, two brands of 'Shiramatsu ga Monaka Honpo Ltd.' and 'Kotobuki Sanshokumonaka Honpo.,ltd' headquartered in Sendai City are famous specialties, and both (especially the former) focus on advertising such as commercial films on local televisions and outdoor advertisement. 例文帳に追加

宮城県では、仙台市に本店のある「白松がモナカ」「寿の三色最中」の2ブランドが名物で、両者とも（特に前者は）当該地域のテレビCMだけでなく屋外広告なども盛んに行っているほど広告に力を入れている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The perpendicular magnetic recording medium contains magnetic crystal particles and a base material surrounding the magnetic crystal particles, and the base material contains an element selected from Zn, Cd, Al, Ga and In, and a component selected from P, As, Sb, S, Se, and Te.例文帳に追加

磁性結晶粒子と、この磁性結晶粒子を取り囲む母材とを有し、母材は、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎから選択される元素と、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅから選択される成分を含有する。 - 特許庁

In the gas diffusing layers 5, the channel regions GA attain greater ability to diffuse gas than that of the channel wall regions WA with diffusion suppressing parts 6 provided to the channel wall regions WA.例文帳に追加

ガス拡散層５は、流路溝領域ＧＡに、拡散抑制部６が設けられることにより、流路溝領域ＧＡの方が流路壁領域ＷＡよりガス拡散性が高くなっている。 - 特許庁

In the calculating section 4, a controller 4-1 generates a solution by selectively causing a local searching approach device 4-2, a GA parameter processor 4-3, or stochastic searching device 4-4 to execute.例文帳に追加

問題モデル計算部４では、コントローラ４−１が局所探索手法器４−２、ＧＡパラメータ処理器４−３、または確率的探索器４−４を、適宜、選択しながら実行させ、解の生成を行う。 - 特許庁

A reducing agent is added from a reducing agent supply nozzle 25 in response to an adding quantity and an adding interval set based on the increased actual exhaust gas flow rate Ga and the NOx reducing catalyst bed temperature.例文帳に追加

また、増大された実排気ガス流量ＧａとＮＯｘ還元触媒床温に基づいて設定される添加量、添加間隔にしたがって還元剤供給ノズル２５から還元剤が添加される。 - 特許庁

The eyeground images 212a, 212b and the tomograms Ga, Gb obtained on the first and second inspection days and hours respectively are stored in an image storage part 212.例文帳に追加

第１の検査日時に取得された眼底画像２１２ａ及び断層画像Ｇａと、第２の検査日時に取得された眼底画像２１２ｂ及び断層画像Ｇｂは、画像記憶部２１２に記憶される。 - 特許庁

To adjust specific resistance of a sputtering target comprising In, Ga and Zn to 2.0×10^-2 Ωcm or less so as to enable formation of a Zn_xGa_yIn_zO_(x+3y/2+3z/2) thin film by DC sputtering.例文帳に追加

Ｚｎ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＯ_（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）薄膜をＤＣスパッタリングで作製可能なようにＩｎとＧａとＺｎと酸素とからなるスパッタリングターゲットの比抵抗を２．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下にすること。 - 特許庁

A sputtering target contains oxides of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), and contains a compound expressed as ZnGa_2O_4 and a compound expressed as InGaZnO_4.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＺｎＧａ_２Ｏ_４で表される化合物及びＩｎＧａＺｎＯ_４で表される化合物含むスパッタリングターゲット。 - 特許庁

Thus, the clathrate compound in which Ga is exchanged for Al represents better number values as to a Seebeck coefficient, a specific resistance and a performance index (ZT) than the Ba_8Ga_16Sn_30 thermoelectric conversion material.例文帳に追加

このように、ＧａをＡｌで置換したクラスレート化合物は、ゼーベック係数、比抵抗、および性能指数（ＺＴ）についてＢａ_８Ｇａ_１６Ｓｎ_３０熱電変換材料よりも良い数値を示す。 - 特許庁

In a period during which a half-clutch detection signal transmitted from a half-clutch detection section 300 is applied, an integration section 402 interrupts integration of an air flow output GA, and a timer section 404 interrupts time measurement.例文帳に追加

半クラッチ検出部３００からの半クラッチ検出信号が与えられる期間において、積算部４０２はエアフロ出力ＧＡの積算を中断し、タイマ部４０４は時間計測を中断する。 - 特許庁

Provided are a treatment method including the dosing of a therapeutically effective amount of glatiramer acetate (GA) in form of a submicron emulsion or a nano-emulsion together with a proteosome-based composition, and usage of the composition containing the glatiramer acetate.例文帳に追加

プロテオソームベースの組成物と共に治療有効量の（サブミクロンのエマルジョンまたはナノエマルジョンである）酢酸グラチラマー（ＧＡ）を投与する工程を含む、および該ＧＡ含有組成物の使用。 - 特許庁

After a channel protective layer is formed over an oxide semiconductor film containing In, Ga and Zn, a film having n-type conductivity and a conductive film are formed, and a resist mask is formed over the conductive film.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜上にチャネル保護層を形成した後、ｎ型の導電型を有する膜と、導電膜を成膜し、導電膜上にレジストマスクを形成する。 - 特許庁

The adsorbent is a metal hydroxide/zeolite composite comprising a metal hydroxide (A) containing at least one metal selected from Cu, Au, Mg, Ca, Zn, Sr, Cd, Ba, Al, Ti, Ga, In, Tl, Pb, V, Bi, Cr, Mn, Fe, Co and Ni and a zeolite (B).例文帳に追加

Ｃｕ，Ａｕ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃｄ，Ｂａ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｖ，Ｂｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中の少なくとも１種の金属含有の金属水酸化物（Ａ）とゼオライト（Ｂ）を含有することを特徴とする金属水酸化物／ゼオライト複合体。 - 特許庁

The substrate for forming the film is constituted of a solid solution single crystal in which at least one kind selected from Ga, Ti and Nb is added to a (Cr_xAl_1-x)_2O_3 (wherein, 0≤x≤1) single crystal.例文帳に追加

本発明の膜形成用基板は、（Ｃｒ_xＡｌ_1-x）_2Ｏ_3（０≦ｘ≦１）単結晶にＧａ、ＴｉおよびＮｂから選ばれる少なくとも１種が添加された固溶体単結晶から構成されている。 - 特許庁

The oxide phosphor is an oxide phosphor containing Ce as a luminescent element and comprising a matrix crystal mainly consisting of a garnet structure and containing at least Gd, Al, Ca, and O and containing Na in an amount of 500 wt. ppm based on the weight of the oxide phosphor.例文帳に追加

Ceを発光元素とし、少なくともGd、Al、Ga、Oを含んだ、主にガーネット構造の母体結晶からなる酸化物蛍光体であり、Naを酸化物蛍光体重量に対して500wtppm以下含有する。 - 特許庁

Ga holes are generated by using the SiO2 film in a crystal under the film, and diffused into a quantum well active layer to make it disordered, by the process a window-structure region 112 is formed.例文帳に追加

このＳｉＯ_2膜により直下の結晶にＧａ空孔を生じさせ、これを量子井戸活性層１０３に拡散させて無秩序化させることにより窓構造領域１１２を形成する。 - 特許庁

A correlation calculation section 42 calculates a correlation value CB between each reference line GB of the reference matrix MB arranged in a time point and each similarity line GA of the similarity degree matrix MA, for each time point of the time axis T.例文帳に追加

相関算定部４２は、時間軸Ｔの各時点について、当該時点に配置した基準マトリクスＭBの各基準線ＧBと類似度マトリクスＭAの各類似線分ＧAとの相関値ＣBを算定する。 - 特許庁

To achieve a III-V nitride semiconductor thin film of good quality in which the surface of an Si substrate does not deteriorate and the throughput does not lower even if Ga or N radicals are generated from matters adhering to the inside of a furnace.例文帳に追加

炉内付着物からＧａやＮラジカルの発生が起こってもＳｉ基板表面を劣化させず、さらにはスループットを落すことなく良質なIII−Ｖ族窒化物半導体薄膜を実現すること。 - 特許庁

Further, in the case of |GF-GR|<A, the rear wheel side presumption lateral acceleration GR is compared with the front/rear wheel average presumption lateral acceleration GA, and any larger value is set as presumption lateral acceleration Gy (S7).例文帳に追加

そして、｜ＧＦ−ＧＲ｜＜Ａの場合、後輪側推定横加速度ＧＲと前後輪平均推定横加速度ＧＡとを比較し、何れか大きい値を推定横加速度Ｇｙとして設定する（Ｓ７）。 - 特許庁

He also showed talent as a playwright of Kyogen, composing 'Oni ga Yado' (literally, 'Inn of an Ogre') and attempting a re-composition of 'Tanuki no Haratsuzumi' (a story of a raccoon dog and a huntsman, commonly known as "Hikone Danuki," or "A Raccoon Dog in Hikone), which had been a haikyoku (a Noh song no longer performed). 例文帳に追加

また、新作狂言「鬼ヶ宿」の制作や、廃曲となっていた「狸の腹鼓」の復曲（いわゆる「彦根狸」）を試みるなど、狂言作者としての才能も持っていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

At least one group III element selected from Ga, Al and In, at least one of an alkali metal and an alkaline earth metal, and a melt containing nitrogen are first prepared.例文帳に追加

まず、Ｇａ、ＡｌおよびＩｎからなる群から選択される少なくとも一つのIII族元素と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方と、窒素とを含む融液を準備する。 - 特許庁

This phosphor material is obtained by using a material obtained by doping ZnS with at least one ion among Y, La, Sc, Al, Ga and In ions, as a preform and activating the preform with Ce ion which is an activating agent.例文帳に追加

Ｙ，Ｌａ、Ｓｃ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎイオンのうち少なくとも１つのイオンををＺｎＳにドープしたものを母材として用い、この母材に付活剤であるＣｅイオンを付活させた蛍光体。 - 特許庁

Shui shu (abridged form of Shui wakashu) in general has a plain and graceful style, and includes many poems for formal occasions such as ga no uta (poems for congratulations), byobu uta (poems matching with a painting on the byobu, folding screen), and poems for uta awase (poetry competition), and especially includes excellent ones of love, eight of which were selected for Ogura Hyakunin Isshu (the Ogura One Hundred Poets, One Poem Each). 例文帳に追加

『拾遺集』は総じて平明優美な歌風で、賀歌・屏風歌・歌合など晴れの歌が多いが、殊に恋歌はすぐれ、小倉百人一首に8首も採られている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The first line was 'Toki wa Ima Ame ga Shita-shiru Satsuki kana' (It is May, a rainy season) composed by Mitsuhide AKECHI; the second 'Minakami masaru Niwa no Natsuyama' (river flow flashes in the garden on summer mountain) composed by Itokuin Gyoyu; and the third 'Hana otsuru Ike no nagare wo Sekitomete' (falling flowers keep back the flow of the pond) composed by Joha SATOMURA. 例文帳に追加

発句は光秀の「ときは今あめが下しる五月かな」、脇は威徳院行祐の「水上まさる庭の夏山」、第三は里村紹巴の「花落つる池の流をせきとめて」。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The first and second heat-resistance reinforcing layers are each formed of a layer using selenium as a main body and containing 10-40 wt.% in total of one or more constituents out of As, Ge and Ga.例文帳に追加

第１、第２の耐熱強化層は、セレンを主体とし、Ａｓ、Ｇｅ、Ｇａのうち少なくとも一以上の成分を総量で１０重量パーセント以上４０重量パーセント以下含有する層とする。 - 特許庁

Air and fuel of quantities corresponding to an operating condition are injected and supplied into the cylinder via a two fluid injector 3 in a compression stroke, and combustible gas mixture layer Ga of theoretical air fuel ratio is formed in burned gas Gb in the cylinder and is ignited and burns.例文帳に追加

圧縮行程中に２流体噴射弁３を介して運転状態に応じた量の空気と燃料とを筒内に噴射供給し、筒内既燃ガスＧｂ中に理論空燃比の可燃混合気層Ｇａを形成し、これを着火燃焼させる。 - 特許庁

In a semiconductor device including an Al_xGa_yIn_1-x-yN layer and an (Al, Ga, In)N quantum dot located on the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer, the ratio of indium in the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer is not zero (1-x-y≠0).例文帳に追加

Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層と、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層の上に配置された（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ量子ドットと、を備えた半導体デバイスにおいて、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層におけるインジウム比率がゼロではない（１−ｘ−ｙ≠０）。 - 特許庁

The method of preestimating the catalytic activity of the Ga-Al type denitration catalyst to be used in a reaction of converting a nitrogen oxide into nitrogen and water by way of causing a hydrocarbon as a reducing agent to react with the nitrogen oxide includes a process of measuring the amount of hydrogen consumed per mole of Ga upon reducing the denitration catalyst in a hydrogen-containing atmosphere.例文帳に追加

窒素酸化物に炭化水素を還元剤として作用させることによって、当該窒素酸化物を窒素及び水に変換する反応に用いるためのＧａ−Ａｌ系脱硝触媒の触媒活性を予測する方法であって、前記脱硝触媒を水素含有雰囲気において還元した際のＧａ１ｍｏｌ当たりの水素消費量を測定する工程、を備えた、脱硝触媒の触媒活性の予測方法。 - 特許庁

When Ga is contained in the oxide, the number of Ga atoms is set to be smaller than the number of N atoms.例文帳に追加

電界効果型トランジスタであって、 前記電界効果型トランジスタの活性層がＩｎと、Ｚｎと、Ｎと、Ｏと、を含むアモルファス酸化物からなり、前記アモルファス酸化物中の前記Ｎの前記ＮとＯに対する原子組成比率が０．０１原子％以上３原子％以下であり、かつ、前記酸化物はＧａを含まないか、Ｇａを含む場合には、前記酸化物に含まれるＮの原子数よりも少なくする。 - 特許庁

This microcrystalline compound optical semiconductor includes a microcrystalline compound of 50% or more in its structure, which contains hydrogen, Ga, and a nitrogen element in a range from 0.5 atom% or more to 40 atom% or less, and the size of microcrystal is 0.1 μm or larger to 100 μm or smaller.例文帳に追加

０．５原子％以上４０原子％以下の水素とＧａとチッ素元素とを含有する微結晶化合物を構造内に５０％以上有し、微結晶の大きさが０．１μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor layer uses an oxide semiconductor film containing In, Ga, and Zn, and comprises an inverted stagger type (bottom gate structure) thin-film transistor, in which a buffer layer is formed among the semiconductor layer, a source electrode layer, and a drain electrode layer.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

The well layer 106 is mixed with an appropriate quantity of crystallized In as a group III element whose covalent bond radius is larger than Ga, so that the crystallinity of the semiconductor laser device 100 becomes superior, and an oscillation threshold current is reduced, resulting in improving light emission efficiency.例文帳に追加

この井戸層１０６には、Ｇａよりも共有結合半径が大きなＩＩＩ族元素であるＩｎが適量混晶化されているので、結晶性に優れたものになって、発振閾値電流が低減し、発光効率が向上する。 - 特許庁

The Ag alloy for dental casting has a composition comprising, by mass, 10 to 30% In, 0.1 to 5% Zn, 0.1 to 5% Ga, 0.1 to 5% Pd, and Ru and/or Ir by 0.01 to 0.5% in total, and the balance Ag with inevitable impurities.例文帳に追加

質量％で、Ｉｎ：１０〜３０％、Ｚｎ：０．１〜５％、Ｇａ：０．１〜５％、Ｐｄ：０．１〜５％、Ｒｕおよび／またはＩｒ：合計で０．０１〜０．５％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる歯科鋳造用Ａｇ合金である。 - 特許庁

The above composite oxide contains at least one kind of an additive metal selected from the group consisting of Sc, Cr, B, Fe, Ga, In, Lu, Nb and Si with the amount of 0.01 mol% or more and 0.25 mol% or less in terms of an element.例文帳に追加

前記複合酸化物は、Ｓｃ、Ｃｒ、Ｂ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｕ、ＮｂおよびＳｉからなる群から選択される少なくとも一種の添加金属を、元素量で０．０１モル％以上０．２５モル％以下の量で含有することを特徴とする。 - 特許庁

Or, as in an expression 'muri ga tatatte' (overwork torments a person), the word "tataru" is used to express the principle of indirect causality in which an indirect impact of a cause works adversely, rather than a direct damage done by the cause. 例文帳に追加

あるいは、「無理が祟って」などの表現にみられるように、原因が直接的に被害を与えるというよりも、どちらかというと間接的な影響が不幸な方向に働くといった、不完全な因果律を表現する場合に用いられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The semiconductor device includes a staggered (a top gate structure) thin-film transistor in which an oxide semiconductor film containing In, Ga, and Zn is used as a semiconductor layer and a buffer layer is provided between the semiconductor layer and a source and drain electrode layers.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型（トップゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁