「Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The ultraviolet excitation phosphor, the electron beam excitation phosphor and the collision excitation type phosphor are each characterized in that the matrix material obtained by adding gallium (Ga) as a constituent element to lanthanum trioxide (La_2O_3) includes at least bismuth (Bi) as an activator.例文帳に追加

構成元素として酸化ランタン（Ｌａ_２Ｏ_３）にガリウム（Ｇａ）を添加した母体材料に、付活剤として少なくともビスマス（Ｂｉ）を含有することを特徴とする紫外線励起、電子線励起及び衝突励起型蛍光体にある。 - 特許庁

The method of manufacturing the silicon crystal is that after adding Ga and phosphorus into the silicon molten liquid in the crucible by Bridgeman method, silicon polycrystal is grown by pulling down the crucible out of heating region.例文帳に追加

シリコン結晶の製造方法において、ブリッジマン法により、Ｇａとリンをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記ルツボを加熱領域から引き下げることによってシリコン多結晶を育成するシリコン結晶の製造方法。 - 特許庁

A semiconductor thin film crystal is grown on the semiconductor substrate 3 by laser abrading the ZnO sintered compact mixed with a donor impurity Ga in a form of Ga_2O_3, and non doped ZnO single crystal by excimer laser light 8.例文帳に追加

ドナー不純物であるＧａをＧａ_２Ｏ_３の形で添加したＺｎＯ焼結体と、ノンドープＺｎＯ単結晶とをエキシマレーザ光８でレーザアブレーションして、半導体基板３上に半導体薄膜結晶を成長させる。 - 特許庁

In the Genroku era, Yuzensai, who was then a painter of brilliant and colorful Kacho-ga and portraits, hit on while studying dyestuff the idea of hand-written dyeing that employs the technique of painting and completed the original model of Yuzen-zome (one of the dyeing process). 例文帳に追加

元禄時代、華やかで色鮮やかな花鳥画や人物画を描く扇絵師であった友禅斎は、染料の研究中絵を書く要領で手書き染色をする事を考案し、友禅染の原型を完成させた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The laminated electrode structure of Au/Mo/Pd/Pd-Ga is formed on the p-type group-III nitride semiconductor contact layer by laminating metal layers in the sequence of Pd and Mo, then executing the heat treatment, and thereafter sequentially laminating Mo and Au.例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体コンタクト層上に、Ｐｄ、Ｍｏの順に金属層を積層し、熱処理を施し、その後にＭｏ、Ａｕを順次積層して、Ａｕ／Ｍｏ／Ｐｄ／Ｐｄ−Ｇａ積層電極構造を形成する。 - 特許庁

Further the method of manufacturing silicon crystal is that after adding Ga and B into silicon molten liquid in the crucible by Bridgeman method, a silicon multicrystal rod is grown by pulling down the crucible out of heating region.例文帳に追加

および、シリコン結晶の製造方法において、ブリッジマン法により、ＧａとＢをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記ルツボを加熱領域から引き下げることによってシリコン多結晶棒を育成するシリコン結晶の製造方法。 - 特許庁

Then, the supply of the material source of O is stopped, and the material source of the n-type dopant Ga is supplied additionally, thus doping the p- and n-type dopant in the semiconductor layer as a p-type ZnO layer 2a (b).例文帳に追加

そして、Ｏの材料源の供給を止め、ｎ形ドーパントであるＧａの材料源をさらに供給することによりｐ形ドーパントおよびｎ形ドーパントを前記半導体層にドーピングし、ｐ形ＺｎＯ層２ａとする（ｂ）。 - 特許庁

A high quality wafer including Al_xGa_yIn_zN, wherein 0<y≤1 and x+y+z=1, with a root mean square surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 area on its Ga-side.例文帳に追加

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。 - 特許庁

A light-emitting layer 5 is formed of a nitride semiconductor, which includes at least one element among Al, Ga, and In, and which includes, as an additive element, at least one kind of element selected from among rare earth elements and transition metal elements.例文帳に追加

発光層５は、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの少なくとも一種を含み、希土類元素及び遷移金属元素から選ばれる少なくとも一種の元素を添加元素として含有した窒化物半導体から構成する。 - 特許庁

A potential of the connection terminal Ta to which one end of the strain gage Ga is connected is extracted by an amplifier AMP4, and an error voltage portion in the ON-state resistance of the switch element Sc' and the switch element SW2 is extracted by an amplifier AMP5.例文帳に追加

ひずみゲージＧａの一端が接続される接続端子Ｔａの電位を増幅器ＡＭＰ４で抽出し、スイッチ素子Ｓｃ′とスイッチ素子ＳＷ２のオン抵抗における誤差電圧分を増幅器ＡＭＰ５で抽出する。 - 特許庁

A planning processing monitoring part 13 always monitors the arithmetic processing of the BBM and GA in the optimal water operation planning part 12, and outputs the arithmetic result of the method whose arithmetic operation is ended first as an optimal planned value.例文帳に追加

計画処理監視部１３は、最適水運用計画部１２内でのＢＢＭ及びＧＡの演算処理を常時監視し、先に演算を終了した方の手法の演算結果を最適計画値として出力させる。 - 特許庁

There is provided an alloy for a seed layer of a magnetic recording medium as a perpendicular magnetic recording medium which is an Ni-based alloy and contains one kind or two or more kinds among Sn, In, Ga, Ge, and Si by 0.5-20 at.% or more and Ni for the rest.例文帳に追加

Ｎｉ系合金であって、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｉの１種又は２種以上をａｔ．％で０．５〜２０％含有し、残部がＮｉからなる垂直磁気記録媒体におけることを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。 - 特許庁

To provide a method for forming a free-standing (Al, Ga, In)N article which is of superior morphological character, and suitable for use as a substrate, e.g. for fabrication of microelectronic and/or optoelectronic devices and device precursor structures.例文帳に追加

非常に優れた形態的特徴を有し、例えばマイクロエレクトロニクスおよび／またはオプトエレクトロニクスデバイスおよびデバイス前駆体構造体を製作するための基板として使用される（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品の製造方法を提供する。 - 特許庁

A local group LG composed of players belonging to the same team is generated in each parlor, and next, the local groups LG are combined by team to generate groups G (a group Ga of a team A and a group Gb of a team B) of the teams.例文帳に追加

また、店舗毎に、所属軍が同じプレーヤから構成されるローカルグループＬＧが生成され、次いで、軍毎にローカルグループＬＧを組み合わせて該軍のグループＧ（Ａ軍のグループＧａ及びＢ軍のグループＧｂ）が生成される。 - 特許庁

An Au film 2 is deposited on an MgO (100) substrate 1, and a Ga converging ion beam 50 nm in beam diameter is applied to the section, where a junction is desired to be formed, to form an irradiated region 3 on the surface of the substrate, and then the Au film 2 is removed.例文帳に追加

ＭgＯ(１００)基板１上にＡu薄膜２を蒸着し、接合を形成したい位置にビーム径５０nｍのＧa収束イオンビームを照射して基板表面に照射領域３を形成し、Ａu薄膜２を除去する。 - 特許庁

Regarding the kanji character for "Ryo," the old-style character is also commonly used for Ryoma partly because Ryotaro SHIBA used the old style in his novel "Ryoma ga Yuku" and the old-style character was selected as a "Kanji Designated for Everyday Use" although Ryoma himself never used the old-style character. 例文帳に追加

なお、「竜」は「龍」の異体字（「竜」は「龍」の古体字）で、龍馬自身は「竜」の字体を使ったことがないが、司馬遼太郎の「竜馬がゆく」で使われたことや、「竜」が常用漢字に採用されたこともあり、慣用化されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The semiconductor device contains group III oxide having a composition expressed by formula: A_2O_3, wherein A includes a mixed crystal semiconductor thin film made by solving at least two elements selected from In, Ga, Al, and B with thin-film technique.例文帳に追加

Ａ_２Ｏ_３なる構成を有するIII族酸化物を含む半導体素子において、薄膜技術を用いてＡの元素がＩｎ、Ｇａ、アルミニウムＡｌ、ボロンＢの少なくとも二つを固溶させた混晶半導体薄膜を有するようにした。 - 特許庁

This semiconductor comprises (Al, Ga, In) N compound semiconductor layer grown on a substrate, and an electrode formed of at least one metal selected from a group comprising Pt, Pd and Au, or an alloy of them on the semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に成長された（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体層と、半導体層上にPt、Pd及びAuを含む群から選ばれた少なくとも一つの金属、あるいは、それらの合金で形成された電極とを含む。 - 特許庁

His famous haiku include 'Furu ike ya/kawazu tobikomu/mizu no oto' (Ah! The ancient pond, as a frog takes the plunge, sound of the water) (An autograph tanzaku (long, narrow card on which Japanese poems are written vertically) exists in Kakimori Bunko (a museum - library for the Kakimori Collection)), 'Ara umi ya/Sado ni yokotau/ama no gawa' (Turbulent sea, above Sado, stretches the Milky Way), 'Natsu-kusa ya/tsuwamono-domo ga/yume no ato' (Mounds of summer grass - the place where noble soldiers one time dreamed a dream). 例文帳に追加

「古池や蛙飛込む水の音」（柿衞文庫に直筆の短冊が現存する）、「荒海や佐渡に横たふ天の河」、「夏草や兵（つはもの）どもが夢のあと」などが有名である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The Nihon-ga which Okakura intended to foster was not just preserving traditional Japanese technique and style, but also brought in some necessary western techniques aiming to create Japanese drawings which could hold their own against western paintings. 例文帳に追加

岡倉らが東京美術学校、日本美術院で育てようとした日本画は旧来の技法や様式を守るだけのものではなく、西洋画から採り入れるものを採り、それと対抗できるような日本の絵画であった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

For instance, the uta-e depicting a torikabuto (a traditional hat worn when playing gagaku (ancient Japanese court dance and music)), a kaendaiko (a large drum decorated with flames), and Japanese maple leaves suggests the scene where the hero of "Genji Monogatari" performed an elegant dance "Seigaiha" (Blue Ocean Wave) donning a torikabuto under Japanese maple trees, which appears in the chapter of 'Koyo-no-ga' (An Autumn Excursion). 例文帳に追加

例えば、雅楽に用いる鳥兜と火炎太鼓に紅葉を添えたものは、源氏物語「紅葉の賀」で主人公が紅葉の下で鳥兜をかぶる優美な舞青海波を舞った場面を表す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A catalytic noble metal is directly supported on the surface of a ceramic body in which the second component comprising a compound or a complex compound of W, Co, Ti, Fe, Ga, Nb, or the like having a d- or f-orbit as an electron orbit is dispersed in the first component such as cordierite constituting substrate ceramics.例文帳に追加

基材セラミックを構成するコーディエライト等の第一成分に、電子軌道にｄまたはｆ軌道を有するＷ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｂ等の元素の化合物または複合化合物からなる第二成分を分散させたセラミック体の表面に、触媒貴金属を直接担持する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, the surfaces of source and drain electrode layers are subjected to sputtering treatment with plasma and an oxide semiconductor layer containing In, Ga, and Zn is formed successively over the source and drain electrode layers without exposure of the source and drain electrode layers 117a, 117b to air.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層の表面をプラズマでスパッタリング処理し、当該ソース電極層及びドレイン電極層を大気にさらすことなく、当該ソース電極層及びドレイン電極層上に連続してＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁

Further, by adding Ga, the effect of improving the elongation properties in the solder joint is imparted together and thus, the material is made usable for the power module or the like to be used for the on-vehicle device in which durability of the soldered part is thought as important from a use environment accompanied with a severe temperature change.例文帳に追加

また、更にＧａを加えることにより、はんだ接合部の伸び性向上効果を併せて有することで過酷な温度変化を伴う使用環境からはんだ付け部の耐久性が重視される車載用のパワーデバイスに用いられるパワーモジュール等に使用が可能となる。 - 特許庁

The production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell containing Cu, at least one kind of element selected from a group of In, Ga, and Al, and Se includes a step for depositing an In-Cu alloy film by sputtering.例文帳に追加

Ｃｕと；Ｉｎ、Ｇａ、およびＡｌよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ｓｅを含む化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法であって、スパッタリングによってＩｎ−Ｃｕ合金膜を成膜する工程を含むところに特徴がある。 - 特許庁

As the application solution for oxide thin film formation, a solution is used which contains at least two or more kinds of β-diketone complex of single metal constituted of β-diketone complex of single metal of In, Ga, Al or Zn and having ≥10 carbon atoms in one ligand and represented by formula (I).例文帳に追加

式（Ｉ）に示すβ−ジケトン錯体であって配位子１つの炭素数が１０以上のＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｚｎの単一金属のβ−ジケトン錯体から構成される単一金属のβ−ジケトン錯体を、少なくとも２種以上を含む溶液を塗布溶液に用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device composed of a nitride semiconductor including at least one of Al, Ga, and In capable of reducing the dislocation density in an epitaxial-grown semiconductor layer and of being used as a practical device such as FET or HEMT.例文帳に追加

Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの少なくとも一つを含む窒化物半導体からなる、エピタキシャル成長させた半導体層中の転位密度を低減し、ＦＥＴやＨＥＭＴなどの実用デバイスとして使用することのできる、前記窒化物半導体からなる半導体素子を提供する。 - 特許庁

According to 'KANZE Kojiro Nobumitsu ga zo-san' (inscription to the portrait of Kojiro Nobumitsu KANZE) and "Yoza yakusha mokuroku" (Catalog of Actors of the Four Troupes) written by KEIJO Shurin (abbot of Nanzen-ji Temple in Kyoto), when the 15-year-old Nobumitsu took part in a Sarugaku performed before Emperor Gohanazono, the Emperor gave Nobumitsu a fan to honor his performance through Yoshimasa ASHIKAGA who watched Sarugaku with the Emperor. 例文帳に追加

景徐周鱗の書いた「観世小次郎信光画像讃」や『四座役者目録』などよると、15歳の時後花園天皇の御前での猿楽に参加し,天皇の扇を同席した足利義政の手添えで授けられるという栄誉を受けたという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In this ultraviolet sensor, a plurality of ultraviolet detecting elements having at least an ultraviolet ray transmitting electrode transmitting ultraviolet ray, an optical semiconductor layer containing at least one element selected from the group consisting of Al, Ga and In, and a counter electrode, are arrayed.例文帳に追加

少なくとも、紫外線を透過する紫外線透過電極と、Ａｌ、Ｇａ、及び、Ｉｎからなる群より選ばれる１以上の元素及び窒素を含有する光半導体層と、対向電極と、を有する紫外線検出素子が複数個配列されてなることを特徴とする紫外線センサーである。 - 特許庁

In the transferring step, the molten glass lump GA on the reception surface 211 is transferred to the molding surface 311 while keeping a state being in contact with the molding surface 311 by rotating the reception mold 20 or the reception mold 20 and the molding mold 30 while the reception mold 20 and the molding mold 30 are approaching each other.例文帳に追加

移送工程では、受け型２０及び成形型３０を互いに近接しつつ、受け型２０、又は受け型２０及び成形型３０を回転することで、受け面２１１上の溶融ガラス塊ＧＡを、成形面３１１に接触する状態を維持しつつ成形面３１１へと移す。 - 特許庁

The substrate 6 is heated up to a temperature equal to or higher than the boiling temperature of chloride of a group III element (Ga) contained in the substrate 6, and at the same time, the radical generated in plasma of a plasma generator (electrode section 81) is brought into contact with the surface of the substrate 6, thereby processing its surface.例文帳に追加

上記基板６を、その基板６に含まれるIII族元素(Ｇa)の塩化物の沸点以上の温度に加熱し、同時に、プラズマ生成部(電極部８１)のプラズマ中で生成されたラジカルを基板６の表面に接触させることにより、基板６の表面を加工する。 - 特許庁

The charging member includes a surface layer, and at least the most outer surface portion of the surface layer contains oxygen and at least one metallic element selected out of a group composed of Ga and In and the oxygen content contained in at least the most outer surface portion of the surface layer is ≥15 atom%.例文帳に追加

表面層を有し、該表面層の少なくとも最表面部に、酸素と、金属元素としてＧａ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも１つを含み、前記表面層の少なくとも最表面部に含まれる前記酸素の含有量が１５原子％以上である。 - 特許庁

To provide an inexpensive method for producing an indium target, which makes less indium oxide enter into an inner layer of a hot metal, and is suitable particularly for use in forming an indium film which is a light absorption layer formed of a stacked Cu-Ga/In precursor for a thin-film solar cell.例文帳に追加

溶湯内層への酸化インジウムの取り込みが少なく、取り分け薄膜太陽電池薄膜太陽電池のＣｕ−Ｇａ／Ｉｎの積層プリカーサー光吸収層であるインジウム膜成膜用として適したインジウムターゲットの安価な製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a thin film transistor wherein a thin film comprising an oxide semiconductor containing at least one element in a group comprising In, Ga, and Zn can have a high TFT characteristic, and also to provide a method for manufacturing a polycrystalline oxide semiconductor thin film, and a method for manufacturing a thin film transistor.例文帳に追加

ＩｎとＧａとＺｎからなる群のうち少なくとも１つの元素を含有する酸化物半導体からなる薄膜が、高いＴＦＴ特性を有することが可能な薄膜トランジスタ、多結晶酸化物半導体薄膜の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A matrix generation section 26 generates a similarity degree matrix MA in which a similar line GA corresponding to a region where a similarity degree SM of a feature amount F between a sound signal V and a time difference attached sound signal V is high, is arranged in a plane including a time axis T and a time difference axis D.例文帳に追加

マトリクス生成部２６は、音響信号Ｖと時間差を付与した音響信号Ｖとで特徴量Ｆの類似度ＳMが高い領域に対応した類似線分ＧAを、時間軸Ｔと時間差軸Ｄとを含む平面に配置した類似度マトリクスＭAを生成する。 - 特許庁

Typical examples of these include Tsutsuji-ga-saki Castle (Yamanashi Prefecture) of the Takeda clan in the Kai Province and Ichijodani Asakura Clan Ruins (Fukui Prefecture) in the Echizen Province; Ichijodani Castle had a residence and their castle town within the valley and defend themselves making the castle on the peak of the mountain as their base when enemies attacked them. 例文帳に追加

典型例は、甲斐国武田氏の躑躅ヶ崎館（山梨県）や越前国朝倉氏の一乗谷朝倉氏遺跡（福井県）などがあり、一乗谷城は谷間に城下町と居館としての館を築き、有事に際しては山頂に築かれた城郭を拠点として防衛にあたった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Nihon-ga may have been a product of a nationalistic feeling of crisis due to the rapid influx of western culture under the Meiji government's westernization policy combined with an affinity felt in the encounter with Fenollosa who sought to create a foothold in America to counter the dominance of European culture. 例文帳に追加

日本画の誕生は、明治政府の欧化政策のもとでの西洋文化の急速な流入に対する国粋主義的な危機感と、当時のアメリカ合衆国でヨーロッパ由来の文化との対抗軸を模索していたフェノロサとの出会いと共感が造り出したものかもしれない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The GaSb-based phase changing type recording film with a low melting point comprising an Sb-based alloy comprising 5-20% Ga in terms of atomic%, in addition, less than 5 to <20% In, and remaining part being Sb and inevitable impurities, and the target for forming the GaSb-based phase changing type recording film by sputtering, are provided.例文帳に追加

原子％でＧａ：５〜２０％を含有し、さらにＩｎ：５〜２０％未満を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなるするＳｂ基合金からなる融点の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜、並びにこのＧａＳｂ系相変化型記録膜をスパッタリングにより形成するためのターゲット。 - 特許庁

In the memorial record he created about and in memory of his mentor, Yuzo KAWASHIMA, entitled "Sayonara dake ga jinsei da: Eiga kantoku Kawashima Yuzo no shogai" (Life is only a chorus of goodbyes: the life of director Yuzo KAWASHIMA), he chronicled Kawashima's life using a documentary style; in it, he recounted how Kawashima kept working right on to the end, filming on location without breathing a single word to anyone that he was suffering from Lou Gehrig's disease. 例文帳に追加

彼の師匠川島雄三についての追悼録、『サヨナラだけが人生だ映画監督川島雄三の生涯』では、川島の生涯を実証的に取り上げ、川島が筋萎縮性側索硬化症に侵されながらそれを一切他言せず、最後まで映画製作の現場に立っていたことを取り上げた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The Ouchi camp spied out the Otomo camp and embarrassed them, confused the Otomo camp by sending false reports to them -- Then, by taking the advice of Tomoyasu SADA, jito (Steward) in Usa-gun County and the head of the Sada clan, the Ouchi clan went over Sada, and in the early morning on May 28, 1534, went through to the Seiba ga haru field and made a surprise attack on the Otomo camp hidden in Mt. Omure. 例文帳に追加

大内軍は間者を用いて大友軍の動きを調べ、動向を手の内にしたり、虚報を流して大友軍を翻弄したうえ、宇佐郡地頭の佐田氏の主、佐田朝泰の進言を容れ、佐田越えののち4月6日早朝、勢場ヶ原に抜け、大村山に籠もる大友軍の奇襲を図った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The Kawabata Art School (Kawabata ga gakko), a private art school established in Koishikawa, Tokyo in 1909, gathered young people who admired art from all over Japan even after the death of the founder Gyokusho KAWABATA in 1913, and turned out many talented people as well as painters until its abolishment during the Greater East Asia War. 例文帳に追加

「川端画学校」は明治42年に東京小石川に設立された私立の画塾ではあるが、大正2年に創設者の川端玉章が逝去したのちも、芸術にあこがれる若者を各地から集めて、大東亜戦争さなかの廃校に至るまで、画家のみならず多くの才能を輩出した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A second air-fuel ratio value AFRex indicating the air-fuel ratio in the cylinder is calculated according to a detected oxygen concentration OXYC in exhaust gases (S11), and a first air-fuel ratio value AFRcal indicating the air-fuel ratio in the cylinder is calculated according to the detected intake air flow GA and fuel injection amount TOUT (S12).例文帳に追加

検出される排気中の酸素濃度ＯＸＹＣに応じて気筒内空燃比を示す第２空燃比値ＡＦＲｅｘが算出され（Ｓ１１）、検出される吸入空気流量ＧＡ及び燃料噴射量ＴＯＵＴに応じて、気筒内空燃比を示す第１空燃比値ＡＦＲｃａｌが算出される（Ｓ１２）。 - 特許庁

In joining the element substrate 10 and sealing member 20 in the outer circumference side seal region 10c with a first sealing material 91 containing the gap material 95 in the organic EL device 100, a gap Ga between the element substrate 10 and the sealing member 20 in a region planarly overlapping with the pixel region 10a is larger than a particle diameter of the gap material 95.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１００において、外周側シール領域１０ｃで素子基板１０と封止部材２０とを、ギャップ材９５を含有する第１シール材９１によって接合するにあたって、画素領域１０ａと平面的に重なる領域における素子基板１０と封止部材２０との間隔Ｇａを、ギャップ材９５の粒径より大にしてある。 - 特許庁

The hot water reservoir facility in the rock for reserving hot water in a tunnel-formed reservoir 1 provided in the rock G and discharging the hot water from the reservoir 1 to use for generation of electrical energy is formed with slits 2 of a predetermined depth for releasing the thermal stress at predetermined intervals in an axial direction of the reservoir 1 on a rock Ga on a surface of the reservoir 1.例文帳に追加

岩盤Ｇ内に設けたトンネル状の貯槽１に熱水を貯蔵し、その貯槽１から熱水を払い出して発電等に利用する岩盤内熱水貯蔵施設であって、貯槽１の表層部の岩盤Ｇａに熱応力を解放するための所定深さのスリット２を貯槽１の軸方向に所定間隔おきに形成する。 - 特許庁

After the nitriding process ends, the temperature is lowered to 900°C and a GaN buffer layer is grown for about 5 minutes in supplying a carrier gas substantially consisting only of H2, a GaCl gas which is a reaction product of Ga and HCl and an NH3 gas.例文帳に追加

窒化工程終了後に９００℃まで降温して、実質的にＨ2のみからなるキャリアガスと、ＧａとＨＣｌの反応生成物であるＧａＣｌガスと、ＮＨ3ガスとを供給しながら、ＧａＮバッファー層を約５分間成長させた。 - 特許庁