「Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

This raw material 1 is used for production of GaAs crystal by utilizing coagulation of a melt and houses As 12 in the interior of Ga 10 and 11.例文帳に追加

融液の凝固を利用してＧａＡｓ結晶を製造するために用いられる製造用原料１であって，Ｇａ１０，１１の内部にＡｓ１２を収納した。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an A15 compound superconductive wire rod, in which Sn, Ga or the like can be removed by oxidation from a matrix, and a critical current density J_c can be elevated.例文帳に追加

マトリックスからＳｎ、Ｇａ等を酸化除去し、臨界電流密度Ｊ_cを高めることのできるＡ１５化合物超伝導線材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The angle Ga of inclination of the side walls in the position of the half-value width of a recessed part G of the reflection layer 3 corresponding to the groove Tg of the substrate 1 is regulated to 15 to 80°.例文帳に追加

基板１のグルーブＴｇに対応する反射層３の窪み部Ｇの半値幅の位置における側壁の傾斜角Ｇａを１５°〜８０°に調整する。 - 特許庁

Pressure/temperature correlation diagrams PT1-PT3 are each determined in accordance with mixing ratio r =0.4, 0.7 and 0.95, that represents the amount ratio of metal Na to metal Ga.例文帳に追加

圧力／温度相関図ＰＴ１〜ＰＴ３は、金属Ｎａと金属Ｇａとの量比を示す混合比ｒ＝０．４，０．７，０．９５にそれぞれ対応して決定される。 - 特許庁

Thereby, air flow output GA in the period during which the half-clutch detection signal is applied is excluded from a target for calculating the amount of air integrated GASUM.例文帳に追加

これによって、半クラッチ検出信号が与えられる期間のエアフロ出力ＧＡは、積算空気量ＧＡＳＵＭを算出するための対象から除外される。 - 特許庁

To evade the occupancy of a selection pattern by a pattern composed of the same element and the occupancy of a pattern group and to prevent retrieval from being ended by a local solution in GA.例文帳に追加

ＧＡにおいて、同じ要素からなるパターンによる選択パターンの占有と、パターン集団の占有を回避し、検索が局所解で終了しないようにする。 - 特許庁

In a tread rubber G comprising a cap rubber layer G1 and a base rubber layer G2, the base rubber layer G2 is three-divided to a central rubber part GA and outer rubber parts GB.例文帳に追加

キャップゴム層Ｇ１とベースゴム層Ｇ２とからなるトレッドゴムＧにおいて、前記ベースゴム層Ｇ２を中央ゴム部ＧＡと外側ゴム部ＧＢとに３区分している。 - 特許庁

According to Heike-kindachi Soshi (a book on Taira clan nobles), his name was shown among participants with his 4 elder brothers at the 50th birthday celebration of the Cloistered Emperor Goshirakawa, 'Angen no ga (Celebration of Angen Year)' in March (lunar calendar) 1176. 例文帳に追加

平家公達草紙によると、安元2年（1176年）3月の後白河法皇50歳の祝賀の催し「安元の賀」に兄達四人と共に彼の名前が見られる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The protective layer 2 contains at least one selected from Cr-O, Zn-O, Ga-O, In-O, Sn-O, Sb-O, Bi-O, and Te-O.例文帳に追加

保護層２は、Ｃｒ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｉｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｓｂ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ及びＴｅ−Ｏから選ばれる少なくともいずれか１種を含む。 - 特許庁

The recording layer 3 contains at least one selected from Cr-O, Zn-O, Ga-O, In-O, Sn-O, Sb-O, Bi-O, and Te-O.例文帳に追加

記録層３は、Ｃｒ−Ｏ、Ｚｎ−Ｏ、Ｇａ−Ｏ、Ｉｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ、Ｓｂ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ及びＴｅ−Ｏから選ばれる少なくともいずれか１種を含む。 - 特許庁

An alloy selected from elements Ag, Ga and Se is made the main element of the recording material, while the material of the reflecting layer is constituted mainly of Ni, Zn, BiTe, SnTe, Sn, Si, In or Sb.例文帳に追加

記録材料の主元素をＡｇ, Ｇａ, Ｓｅの元素から選ばれる合金とし、反射層材料がＮｉ，Ｚｎ，ＢｉＴｅ，ＳｎＴｅ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｉｎ，またはＳｂを主成分とするように構成する。 - 特許庁

The M^2 may be also at least one selected from rare-earth elements In, Pd, Sb, Ti, As, Al and Ga, and the M^3 may be also at least one selected from Si, Ge, Ti, Mo, W, Pt and Zr.例文帳に追加

Ｍ^２は希土類元素、Ｉｎ，Ｐｄ，Ｓｂ，Ｔｉ，Ａｓ，Ａｌ，Ｇａの中から選ばれる少なくとも一種、Ｍ^３はＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一種からなるものであってもよい。 - 特許庁

First, in each grace note candidate Na, a note interval (non-generating sound time) ga is searched on the front and rear of the note satisfying a prescribed note proximate condition (proximate note).例文帳に追加

まず、各装飾音候補Ｎａについて、音符間隔（無発音時間）ｇａが所定の音符隣接条件を満足する音符（隣接音符）を前方及び後方に探査する。 - 特許庁

A lift moving means 41 and a reversal moving means 51 are provided to the part opposed to a visual inspection part B in a feed route 1 of a plate member Ga by a feed device 10.例文帳に追加

搬送装置10による板状体Ｇａの搬送経路１中で、目視検査部Ｂに対向する部分に、昇降動手段41と反転動手段51を設けた。 - 特許庁

A second generation unit 64 generates a processing coefficient sequence GB in which the distribution of coefficient values g[k] is leveled as compared with the processing coefficient sequence GA when no localization component exists.例文帳に追加

第２生成部６４は、定位成分が存在しない場合の処理係数列ＧAと比較して各係数値ｇ[k]の分布が平準な処理係数列ＧBを生成する。 - 特許庁

To provide a method for reducing processing damage in slicing semiconductor crystals such as hard-brittle Ga-containing nitride crystal.例文帳に追加

半導体結晶等、特に硬脆性のＧａ含有窒化物結晶などの半導体結晶等をスライスする際の加工ダメージを低減させる手法を提供すること。 - 特許庁

A novelist Ryotaro SHIBA described Itagaki with such expressions as "Itagaki was far from suitable as a civil officer, (...) no occupation but being a soldier fits him" in his novel "Tobu ga gotoku." 例文帳に追加

作家の司馬遼太郎は「翔ぶが如く」の中で「板垣に文官など務まるはずがなく(中略)軍人以外にどういう仕事も適していない」などと評している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide an oxide for a sputtering target comprising an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn), comprising a new oxide crystal phase, and having satisfactory appearance.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、新規酸化物結晶相を含む、外観が良好なスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。 - 特許庁

The non-polar (1120)a-plane GaN layer includes a template for producing the non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well, the heterostructure material, and the device.例文帳に追加

これらの非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層は、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを製造するためのテンプレートを備える。 - 特許庁

In photographing at night, a non-lighted image Ga picked up with flashlight off and a lighted image Gb picked up with flashlight on, which have the same composition, are consecutively acquired by a digital camera.例文帳に追加

夜間撮影において、同一の構図でフラッシュを発光させない非発光画像Ｇａと、フラッシュを発光させる発光画像Ｇｂとをデジタルカメラで連続して取得する。 - 特許庁

To provide a scheduling device which makes an optimum solution search using GA effectively function under certain specific conditions wherein respective operations are in the same rank.例文帳に追加

各々の作業の並びが同じである特定の条件下でＧＡを用いた最適解探索が有効に機能するスケジューリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In detailed words, the layer is irradiated with laser light once and, when an interface to a sapphire substrate of the GaN layer becomes gallium (Ga), it is irradiated with laser light again through the sapphire substrate.例文帳に追加

詳しくは、レーザ光を１回照射してＧａＮ層のサファイア基板との界面がガリウム（Ｇａ）となったところに、再度サファイア基板越しにレーザ光を照射する。 - 特許庁

The modern general phrases like 'Shusse ga hayai' meaning 'rise by leaps and bounds' and 'Risshin shusse' meaning 'succeed in life' originated from the fact that the priests from court noble families were promoted fast. 例文帳に追加

現在、世間一般で「出世が早い」、「立身出世」などと言われるのは、この公卿出身の僧侶の昇進が早かったところから言われるようになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The majority of the paintings depict people, but those kept by Shitenno-ji Temple are unusual in that they are Kacho-ga (paintings of flowers and birds), providing valuable data. 例文帳に追加

表現対象としては、人物が大部分であるが、四天王寺所蔵のものには花鳥画が例外的に散見され、その伝統の上でも貴重な資料となっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Cu-Ga alloy powders are directly formed by stirring Cu powders in a mixed gas atmosphere including hydrogen gas at a temperature of 150-300°C, mixing Ga at a ratio of 10-45 mass% with the stirred Cu powders, and stirring the mixed powders in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 30-300°C.例文帳に追加

Ｃｕ粉末を、水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で１５０℃〜３００℃の温度で撹拌し、撹拌したＣｕ粉末に、Ｇａを１０質量％〜４５質量％の割合で配合した混合粉末を、真空又は不活性雰囲気中で３０℃〜３００℃の温度で攪拌することにより、直接、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を形成する。 - 特許庁

The element further comprises a nitride semiconductor layer group constituted of, for example, a conductive layer 3 or the like containing at least one selected from the group consisting of Al, Ga and In on the layer 2 in addition to performing function as an element.例文帳に追加

そして、下地層２上に、素子としての機能を果たし、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの少なくとも一つを含む、例えば導電層３などから構成される窒化物半導体層群を形成する。 - 特許庁

The gate electrode G has a first part Ga extending in a first direction on the first gate insulating film, and a second part Gb extending from the first part in a second direction different from the first direction.例文帳に追加

ゲート電極Ｇは、第１ゲート絶縁膜の上で第１方向に延在する第１部分Ｇａと、第１部分から第１方向と異なる第２方向に延在する第２部分Ｇｂと、を具備する。 - 特許庁

To form homogenous crystal film by controlling the distribution of composition in the vapor growth method of compound semiconductor, containing In and As and also at lest either of Ga or Al.例文帳に追加

ＩｎおよびＡｓを含むとともにＧａあるいはＡｌの少なくとも一方を含む化合物半導体の気相成長方法において、組成分布を抑制して均質な結晶膜を形成させる。 - 特許庁

Since 'KANZE Kojiro Nobumitsu ga zo-san,' which was written in his later years, described the roots of the Kanze family as well as his own life in detail, this book has been considered source materials about the Kanze family up to the present. 例文帳に追加

また晩年に書かれた「観世小次郎信光画像讃」ではその生涯とともに、観世家の出自が詳しく語られ、近代に至るまで観世家を語る上での基礎資料として認知されていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

His unconventional character an eccentricities were described in "Warera ga fukyo no shi" (Our Wacky Teacher), by Koji AOYAMA, one of Doi's former students at the Third High School; in it, Doi was described under the pseudonym "Kazuma TOKI," but all other proper names used, except for the names of his family members, were real names. 例文帳に追加

またその奇人・奇行ぶりは、三高での教え子だった青山光二の、『われらが風狂の師』に、土岐数馬として、しかし、家族の名前以外の固有名はそのままに描かれている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The A/D conversion is performed after subtracting correction signals (GD, GA) set so that the output signal of the imaging device (3) is settled in the dynamic range of an A/D converter (5) from an imaging signal (IN).例文帳に追加

撮像素子（３）の出力信号がＡ／Ｄ変換器（５）のダイナミックレンジ内に収まるように設定した補正信号（ＧＤ、ＧＡ）を撮像信号（ＩＮ）から差し引いてからＡ／Ｄ変換する。 - 特許庁

A switch element contact-connects the control terminal Ga to the second voltage line in a first contact state and contact-connects the signal node Na to the second voltage line in a second contact state.例文帳に追加

スイッチ部品は、第１接点状態において制御端子Ｇａを第２電圧ラインに接点接続し、第２接点状態において信号ノードＮａを第２電圧ラインに接点接続する。 - 特許庁

The element further comprises a nitride semiconductor layer group constituted of, for example, a conductive layer 3 or the like containing at least one selected from among a group, consisting of Al, Ga and In on the layer 2 in addition to performing function as an element.例文帳に追加

そして、下地層２上に、素子としての機能を果たし、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの少なくとも一つを含む、例えば導電層３などから構成される窒化物半導体層群を形成する。 - 特許庁

Further, annealing processing is carried out to form an interface bond state in which the Ga-N bond is dominant in a nitriding layer 5, thereby the interface level density can be made to be much lower.例文帳に追加

また、アニール処理することにより、窒化処理層５においてＧａ−Ｎ結合が支配的となった界面結合状態を形成し、界面準位密度を一段と低減させることができる。 - 特許庁

There is provided a thin film transistor including an oxide, as an active material layer, comprising elements In, Ga and Zn in the ranges of atomic ratios of the following regions 1, 2 or 3, and has an electron field-effect mobility of 25 cm^2/Vs or greater.例文帳に追加

元素Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを下記領域１、２又は３の原子比の範囲で含む酸化物を活性層とし、電界効果移動度が２５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。 - 特許庁

A turning body 48 capable of turning freely around a shaft axis 47A in the lateral direction crossing the direction A of conveyance path orthogonally is provided, and a holding means 60 for the plate-like bodies Ga, Gb is provided in the turning body 48.例文帳に追加

搬送経路方向Ａに対して直交状の横方向軸心４７Ａの周りに回動自在な回動体４８を設け、回動体４８に板状体Ｇａ，Ｇｂの保持手段６０を設けた。 - 特許庁

In the substrate (17), glass (1) where an Mo conductive film (2) is formed on the top is used, and an In layer (3) and a Cu-Ga layer (4) are alternately repeated on the glass (1) to form the precursor thin film (5).例文帳に追加

基板（１７）は表面にＭｏ導電膜（２）を形成したガラス（１）を用い、その上にＩｎ層（３）とＣｕ−Ｇａ層（４）とが交互に繰り返して前駆体薄膜（５）を形成している。 - 特許庁

In 1894, She compiled her letters she had written during staying in Japan for one year and published the book titled "A Japanese Interior" (Japanese title was "Kazoku-jogakko-kyoshi ga mita Meiji Nihon no Uchigawa" [A Interior of Japan of the Meiji period that a teacher of Kazoku Jogakko had seen]); and it produced a sensation. 例文帳に追加

来日中の1年間の手紙をまとめたものを1894年『日本の内側』（日本語訳題『華族女学校教師が見た明治日本の内側』）として出版し反響を呼ぶ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In addition, in the growth suppression layer of the electrode orientation, etc., at least one material selected from Ga, Mo, W, Ta, Si, Ti, Cr, Ni-Cr, nitrides or acid nitrides of these materials is used.例文帳に追加

また、該電極配向等成長抑制層は、Ｇａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｒ及びこれら材料の窒化物又は酸窒化物から選ばれる少なくとも一つの材料を使用することを特徴とする。 - 特許庁

However, after the release of Shinobu ORIKUCHI's thesis, "Haha ga kuni he/ Tokoyo he" (published in 1920), it does not a mere world of the dead, but a Utopia which is considered to exist over the sea or in the sea when you mentioned especially 'Tokoyo.' 例文帳に追加

しかし、折口信夫の論文『妣が国へ・常世へ』（1920年に発表）以降、特に「常世」と言った場合、単なる死者の国ではなく、海の彼方・または海中にあるとされる理想郷である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

During the radiation of ultraviolet rays, a stage 76 is kept in a standstill state at the original position in a Y direction and ultraviolet rays are irradiated concentratedly or locally onto the surface of the right-side end part Ga of the substrate.例文帳に追加

この紫外線照射中は、ステージ７６がＹ方向原点位置で静止したままであり、紫外線は基板右側端部Ｇaの表面に集中的または局所的に入射する。 - 特許庁

An electronic control device 61 defines a relation between suction air quantity GA to an engine 11 and temperature (catalyst temperature) of a exhaust system component (exhaust emission control catalyst 27) beforehand, calculates a value following catalyst temperature defined by suction air quantity GA after change and the relation mentioned above with response delay by gradual change process and calculates estimated catalyst temperature based on the value during transient period in which suction air quantity GA changes.例文帳に追加

電子制御装置６１は、エンジン１１への吸入空気量ＧＡと排気系部品（排気浄化触媒２７）の温度（触媒温度）との関係を予め定めておき、吸入空気量ＧＡが変化する過渡時には、その変化後の吸入空気量ＧＡと上記関係とから求まる触媒温度に応答遅れを有して追従する値を徐変処理により算出し、この値に基づき推定触媒温度を算出する。 - 特許庁

A group III nitride ground layer 2 and a group III nitride layer 3 containing at least Ga are successively laminated on a prescribed base material 1, and a group III nitride intermediate layer formed at 600-950°C and containing Ga is included in the group III nitride layer 3 to produce an epitaxial substrate 10.例文帳に追加

所定の基材１上において、ＩＩＩ族窒化物下地層２と、少なくともＧａを含むＩＩＩ族窒化物層３とを順次に積層し、ＩＩＩ族窒化物層３中に６００℃〜９５０℃で形成されるとともにＧａを含むＩＩＩ族窒化物中間層を介在させてエピタキシャル基板１０を作製する。 - 特許庁

The process for producing the sputtering target comprises the steps of: forming a molded object comprising a mixed powder composed of an NaF powder and a Cu-Ga powder or a mixed powder composed of an NaF powder, a Cu-Ga powder and a Cu powder; and sintering the molded object in a vacuum atmosphere, an inert gas atmosphere or a reductive atmosphere.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、ＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末との混合粉末、又はＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末とＣｕ粉末との混合粉末からなる成形体を形成し、その後、真空、不活性ガスまたは還元雰囲気中で焼結する工程を有している。 - 特許庁

The nitride crystal is produced by inserting an introducing pipe 6, to which gaseous nitrogen is fed, into Ga molten liquid 4, then cracking the gaseous nitrogen in the introducing pipe 6 by the cracking action caused by a high frequency oscillating solenoid coil 5 and sending the formed nitrogen radical into the Ga molten liquid 4.例文帳に追加

窒素ガスを送り込まれる導入管６をＧａ融液４の中に挿入し、高周波発振ソレノイドコイル５からのクラッキング作用によって導入管６内の窒素ガスをクラッキングし、これにより発生する窒素ラジカルをＧａ融液４の中に送り込むことによって窒化物結晶を製造する。 - 特許庁