「Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

It is a very graceful dance in which two gakunin (players) dance with their sleeve waving, and is well known for appearing in the scene of Momiji no Ga (The Autumn Excursion) in "Genji Monogatari" (The Tale of Genji). 例文帳に追加

二人の楽人がゆったりと袖を振りながら舞う非常に優美な舞で、源氏物語紅葉賀の場面に取り上げられたことで有名。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The Ga or the In irradiated to the plate 12 is bound with an oxygen on the surface of the plate 12 and evaporates.例文帳に追加

電磁鋼板１２に照射されたＧａ又はＩｎは電磁鋼板１２の表面の酸素と結合して、気化する。 - 特許庁

A part or the whole of the oxide layer contains any element of In, Ga, Zn, Sn, Sb, Ge or As.例文帳に追加

前記酸化物層の一部又は全部が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、又はＡｓのいずれかの元素を含有する。 - 特許庁

The conductive oxide contains In, Zn and Ga, and crystalline In_2Zn_4O_7.例文帳に追加

導電性酸化物は、Ｉｎ、ＺｎおよびＧａを含み、かつ結晶質Ｉｎ_２Ｚｎ_４Ｏ_７を含むことを特徴としている。 - 特許庁

To provide a novel In-Ga-Zn-based oxide useful as a semiconductor material etc., and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体材料等として有用な新規なＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The punishment of the perpetrators was decided, with Naritsune being exiled to Bicchu Province, and then to a remote island called Kikai ga-shima Island in Satsuma Province. 例文帳に追加

関係者の処罰が決まり、成経は備中国次いで遠く薩摩国鬼界ヶ島へ流されることになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Based on this experience, he later wrote a novel "Minami no shima ni yuki ga furu", in which he depicted soldiers who recalled their homeland upon watching 'snowfall' on stage. 例文帳に追加

舞台に降る「雪」に故国を見た兵士たちの姿を描いた記録は、小説『南の島に雪が降る』に結実する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On the way to the capital, they had a fight against local samurai warriors at the Kiyomi ga Seki checking station in Suruga Province, and the younger brothers were killed one after another. 例文帳に追加

途中、駿河国清見関で在地の武士と諍いになり、弟たちは次々と討ち死にしてしまった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

He was good at Kacho-ga, and the sketching guide to insects "Chuchijo" was valuable material in herbalism. 例文帳に追加

花鳥画を得意とし、特に虫類写生図譜『虫豸帖（ちゅうちじょう）』は本草学的にも貴重な資料となっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An acquisition means 11 successively acquires a plurality of original images Ga constituting the content by being arrayed in time series.例文帳に追加

取得手段１１は、時系列的に配列されてコンテンツを構成する複数の原画像Ｇａを順次に取得する。 - 特許庁

An inflow Gin of engine cooling water to the refrigerant heater 50 is limited to small inflow Ga in low load.例文帳に追加

低負荷時には、冷媒加熱器５０へのエンジン冷却水の流入量Ｇｉｎを、微小流入量Ｇａに制限する。 - 特許庁

In the sintered body, the quantity (mol) of Ti is 0.02-0.98 with respect to the total quantity (mol) of Ga and Ti.例文帳に追加

ＧａおよびＴｉの合計量（モル）に対し、Ｔｉの量（モル）が０．０２以上０．９８以下である前記の焼結体。 - 特許庁

The story borrowed motifs from a tradition of ONO no Komachi and an asaji ga yado (a squalid house covered with cogon) in "Ugetsu Monogatari (Tales of Moonlight and Rain)," written by Akinari UEDA. 例文帳に追加

ストーリーは小野小町の伝承と、上田秋成の雨月物語の中の浅茅が宿をモチーフにしている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

After the war, 'tokonoma' became less popular, since people remarkably started to lose interest in kakejiku of 'Nihon ga' (Japanese paintings), and the westernization of people's lifestyle, 例文帳に追加

戦後、日本画の掛軸離れが著しくなていったことと、生活の洋風化により「床の間」離れが目立った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Each of the electrodes 12 comprises a nickel alloy, containing at least one kind of element selected from among a first group comprising Ca, Sc, Ga, Ge, Ag, Rh and Ta in total, with a content of 0.001 mass% and higher and 3.0 mass% and lower.例文帳に追加

電極12は、Ca,Sc,Ga,Ge,Ag,Rh,及びTaからなる第1のグループから選ばれた少なくとも1種の元素を合計で0.001質量％以上3.0質量％以下含有し、残部がNi及び不純物からNi合金で構成する。 - 特許庁

During cooling of the structure 15 and 17 produced in this way, the Li(Al, Ga)O_x substrate 7 completely or largely flakes off the III-N layers 15, or residues 7' can be removed if necessary, by using etching liquid, such as aqua regia.例文帳に追加

このようにして製造された層１５、１７の冷却中、Li(Al, Ga)O_X基板７は全てあるいは大部分がIII-N層１５から脱落し、必要ならば、王水などのエッチング液により残留物７’を除去する。 - 特許庁

On the other hand, when it is decided that the GA value is abnormal by the GA parity deciding part 2, the BAR address selector 4 sets a sub-address value preliminarily prepared in the sub-address setting circuit 3 as a BAR value.例文帳に追加

一方、ＧＡパリティ判定部２によりＧＡ値が異常であると判定された場合は、ＢＡＲアドレス選択器４においてサブアドレス設定回路３に予め用意されるサブアドレス値をＢＡＲ値として設定する。 - 特許庁

Wire electrical discharge machining is carried out on the Cu-Ga alloy lump along its overall length by relatively moving the Cu-Ga alloy lump which is a machining object 15 and a wire 12 in a direction where they cross with each other.例文帳に追加

加工対象物１５であるＣｕ−Ｇａ合金塊とワイヤー１２とを互いに交わる方向に相対移動させ、Ｃｕ−Ｇａ合金塊に対してその全長にわたってワイヤー放電加工を行う。 - 特許庁

A Cu-Ga alloy lump as an object 13 to be machined and a blade 11 are relatively moved in a direction intersecting with each other, and the Cu-Ga alloy lump is subjected to blade-saw machining over its entire length.例文帳に追加

加工対象物１３であるＣｕ−Ｇａ合金塊とブレード１１とを互いに交わる方向に相対移動させ、Ｃｕ−Ｇａ合金塊に対してその全長にわたってブレードソー加工を行う。 - 特許庁

In the nitrogen-doped MgZnO layer next to the undoped MgZnO layer, the density of diffused Ga abruptly decreases toward a surface side and the Ga is not diffused to the upper layer of the nitrogen-doped MgZnO layer.例文帳に追加

アンドープＭｇＺｎＯ層の次の窒素ドープＭｇＺｎＯ層で、拡散してきたＧａの濃度が表面側になるにつれて、急激に減少しており、この窒素ドープＭｇＺｎＯ層の上層にＧａは拡散していない。 - 特許庁

An oxide sintered body is characterized in that gallium is solid-solved in indium oxide, the atomic ratio of Ga/(Ga+In) is 0.05-0.08, the content ratio of indium and gallium to the total metal atoms is ≥80 atom%, and the oxide sintered body has an In_2O_3 bixbyite structure.例文帳に追加

ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．０５〜０．０８であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有することを特徴とする酸化物焼結体。 - 特許庁

A gate electrode GA of a MOSQA for a peripheral circuit is configured with the same gate electrode structure as that of a nonvolatile memory cell having a two-layer gate electrode structure, and a contact hole SC for connecting conductive films 4 and 6 constituting the gate electrode GA is arranged at a position at which it overlaps in the plane with an active region LA in a plane of the gate electrode GA.例文帳に追加

２層ゲート電極構造の不揮発性メモリセルと同じゲート電極構造によって周辺回路用のＭＯＳＱＡのゲート電極ＧＡを構成し、そのゲート電極ＧＡを構成する導体膜４，６間を接続するコンタクトホールＳＣを、そのゲート電極ＧＡの平面内において活性領域ＬＡと平面的に重なる位置に配置した。 - 特許庁

The gate electrode GA of MOSQA for a peripheral circuit is constituted by the same gate electrode structure as a nonvolatile memory cell of a two-layer gate electrode structure, and a contact hole SC connecting between conductive films 4 and 6 which constitute the gate electrode GA is arranged in a position where it flatly overlaps an active area LA in the plane of the gate electrode GA.例文帳に追加

２層ゲート電極構造の不揮発性メモリセルと同じゲート電極構造によって周辺回路用のＭＯＳＱＡのゲート電極ＧＡを構成し、そのゲート電極ＧＡを構成する導体膜４，６間を接続するコンタクトホールＳＣを、そのゲート電極ＧＡの平面内において活性領域ＬＡと平面的に重なる位置に配置した。 - 特許庁

To provide a CIGS thin film solar cell which can maximize an optical and/or electric conversion rate of a solar cell such that a CIGS thin film is manufactured through a process of printing an ink containing nanoparticles without requirement of vacuum processing or complex equipment and a Cu/(In+Ga) ratio and a Ga/(In+Ga) ratio of the CIGS thin film can be easily regulated.例文帳に追加

太陽電池における光・電変換率の最大化を実現するＣＩＧＳ薄膜太陽電池において、真空工程や複雑な装備の必要なしに、ナノ粒子インクの印刷工程だけでＣＩＧＳ薄膜を製造し、ＣＩＧＳ薄膜のＣｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比率及びＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比率を自在に調節できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing a Ga-containing nitride semiconductor with high productivity in which, by preventing the accompanying adhesion of a Ga-containing nitride to portions other than a substrate in a growth chamber of a vapor phase deposition apparatus, particularly the accompanying adhesion of the Ga-containing nitride when thick film formation is desired, various problems due to the adhesion is solved, without inhibiting the growth of the Ga-containing nitride semiconductor onto the substrate.例文帳に追加

気相成長装置の成長室内の基板以外の部分へのＧａ含有窒化物の随伴的な付着、特に厚膜形成を行いたい場合の当該Ｇａ含有窒化物の随伴的な付着を防止することにより当該付着による様々な問題を解消し、且つ基板上へのＧａ含有窒化物半導体の成長が阻害されることなく、生産性が高いＧａ含有窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

It is presumed that the composition ratio x causes the difference in optimum growth temperature, depending on the difference in surface diffusion distance between Al and Ga.例文帳に追加

組成比ｘによって最適な成長温度が相違するのは、ＡｌとＧａとの表面拡散距離の相違によるものと推定される。 - 特許庁

The grouped objects Ga to Gc are moved in a grouped object unit so as to pass in the display area, according to movement information.例文帳に追加

そして、移動用情報に基づいて表示領域内を通過するように、グループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをグループ化オブジェクト単位で移動させる。 - 特許庁

To provide a sputtering target composed of Cu-In-Ga-Se four-element based alloy in which the composition segregation is considerably less, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

組成偏析の極めて少ないＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The metal material contains at least one selected from a group (A) of Ga, In, Pb, Bi, Cd, Mg, Zn, Ag, Au, each element in an amount of 0.01 to 1 mass%.例文帳に追加

（Ａ）Ｇａ，Ｉｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ａｇ，Ａｕの群から選ばれる少なくとも１種を、１種あたり０．０１質量％以上１質量％以下含有する。 - 特許庁

Nakademo Toji no Rashomon niwa, Ibaragidoji ga udekuri gongo tsukande omusharu, kano Raiko no hizamoto sarazu (among all, at Rajomon Gate of Toji Temple, Ibaraki Doji [a character in Demon Legend of Mt.Oe] is holding 902 ml of boiled chestnuts; never leaving Raiko's [a character in Demon Legend of Mt.Oe] side). 例文帳に追加

中でも東寺の羅城門には、茨木童子が腕栗五合掴んでおむしゃる、彼の源頼光の膝元去らず。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a method for producing an In-Ga-Zn-based composite oxide sintered compact where the In-Ga-Zn-based composite oxide sintered compact composed mainly of the crystal of a compound denoted as In_2Ga_2ZnO_7 is obtained as an IGZO sintered compact.例文帳に追加

ＩＧＺＯ焼結体として、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である複合酸化物焼結体を得ることができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The oxide sintered body which is made of indium oxide whose crystal structure is substantially a bixbyite structure, has a gallium atom solid-dissolved in the indium oxide and has an atomic ratio Ga/(Ga+In) of 0.10 to 0.15, is used as a target material for sputtering.例文帳に追加

結晶構造が、実質的にビックスバイト構造を示す酸化インジウムからなり、前記酸化インジウムにガリウム原子が固溶しており、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．１０〜０．１５である酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲット材とする。 - 特許庁

This controller performs air-fuel ratio control (sub feedback control) aiming at a theoretical air-fuel ratio based on the output Voxs of the oxygen concentration sensor since the entry of air due to leakage in the oxygen concentration sensor on the downstream side of the catalyst cannot occur in a high load (Ga>A) (SUB=1).例文帳に追加

この装置は、高負荷時（Ga＞A）では、触媒下流の酸素濃度センサ内部での漏れによる空気進入が発生し得ないから同酸素濃度センサ出力Voxsに基づく理論空燃比を目標とする空燃比制御（サブフィードバック制御）を行う（SUB=1）。 - 特許庁

To provide a process for producing III-N layer, wherein III denotes at least one element from group III of the periodic table selected from among Al, Ga and In, having suitable properties which is substantially free of impurities from uncontrolled incorporation, and to provide a free-standing III-N substrate.例文帳に追加

実質的に非制御下の混入による不純物を実質的に含まず、好適な特性を備えるIII-N層（IIIが周期表第III族の、Al、GaおよびInから選択される少なくとも一元素を示す）の製造方法および自立III-N基板を提供する。 - 特許庁

In a low load and low speed range where engine speed NE of the internal combustion engine is not greater than a given engine speed NE0 (Step 200) and an intake air quantity Ga is not greater than a given quantity Ga0 (Step 204), the solenoid-driven valve is driven in a braking drive mode (Step 206).例文帳に追加

内燃機関の回転数NEが所定回転数NE_０以下であり（ステップ２００）、かつ、吸入空気量Gaが所定量Ga_０以下である（ステップ２０４）低負荷低回転領域では、制動駆動モードで電磁駆動弁を駆動する（ステップ２０６）。 - 特許庁

The metal which becomes liquid at room temperature is preferably Ga or a Ga-In alloy, its content is 3-10 wt.%, and the metal which becomes liquid at room temperature is a solid solution in which particles of the metal which becomes liquid at room temperature are present between Sn particles.例文帳に追加

常温で液体になる金属はＧａ又はＧａ−Ｉｎ合金であることが好ましく、その含有量は３乃至１０重量％であり、更にＳｎ粒子の間に常温で液体になる金属粒子が存在する固溶体である。 - 特許庁

The total amount of Mn, Mg, Cr, Ti, B, V and Ga in the unavoidable impurities is desirably controlled to 50 ppm or less.例文帳に追加

不回避不純物中におけるＭｎ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｂ、Ｖ、Ｇａの総和量を５０ｐｐｍ以下とするのが望ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high purity Ga-sputtering target in which impurities such as oxygen are removed.例文帳に追加

酸素等からなる不純物を除去した、純度の高いＧａスパッタターゲットの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This is because the Ga people believe the spirits of the deceased go to the afterlife with the same social status they had in this world. 例文帳に追加

これは，ガ族の人々は死者の魂が現世と同じ社会的身分を持って来世へ旅立つと信じているからです。 - 浜島書店 Catch a Wave

The etching stopper layer is constituted by an amorphous oxide containing In, Ga, and An with a Zn concentration lower than 20%.例文帳に追加

エッチングストッパ層はＺｎ濃度が２０％未満のＩｎ、ＧａおよびＺｎを含むアモルファス酸化物で構成されている。 - 特許庁

The group IIIA elements are preferably Al, Ga and In and the group VA elements are preferably nitrogen.例文帳に追加

前記周期律表におけるIIIＡ族元素が、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎであり、前記ＶＡ族元素が窒素である態様が好ましい。 - 特許庁

A gallate composite oxide of perofskite structure ABO_3-δ, including Ga in a B site is used as a solid electrolyte.例文帳に追加

固体電解質として、ペロブスカイト型構造ＡＢＯ３−δを示し、ＢサイトにＧａを含むガレート複合酸化物を用いる。 - 特許庁

In the device 1, a gap Ga is formed between the screw 5 and the nut 35 at the edge part 13 of the screw 5.例文帳に追加

フォーカス調整装置１は、リードスクリュー５の先端部１３にリードスクリュー５とナット３５と間に空隙Ｇａを形成する。 - 特許庁

This CMP method is applied usefully in order to emphasize the crystal defect on the Ga side of the Al_xGa_yIn_zN wafer.例文帳に追加

このＣＭＰ方法はＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 - 特許庁

A crucible 10 holding a mixed melt 290 of Na metal and Ga metal is disposed in an internal reaction vessel 20.例文帳に追加

金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液２９０を保持する坩堝１０は、内部反応容器２０内に配置される。 - 特許庁