Ga-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 876件
It not necessarily clear when the acceptance and production of Suiboku-ga began in Japan. 例文帳に追加
日本における水墨画の受容と制作がいつ頃始まったかは必ずしも明確ではない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Early Suiboku-ga in Japan began to be produced mainly by Ebusshi (artist who drew Buddhist paintings and colors Buddhist statues) and Zen priests. 例文帳に追加
日本の初期水墨画は絵仏師や禅僧が中心となって制作が始められた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The Kano-ha school integrated the tradition of Yamato-e and the technique and subject of Suiboku-ga (ink painting) in China. 例文帳に追加
狩野派は大和絵の伝統と、中国の水墨画の技法・主題を統合したと評される。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
However, these were more like 'manpitsu-ga' and it did not have the same meaning as 'manga' in the modern language. 例文帳に追加
ただしこれらはまだ「漫筆画」の意味に近く、現代語の「漫画」と同じ意味とは言えない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
At any time when the tagger is calling out the spell, 'Daruma-san ga koronda,' the players must freeze in place. 例文帳に追加
また、鬼が呪文を唱えているとき以外は他の参加者は身動きの一切を禁じられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Saiho-ji Temple Enma-do (official name is 'Gappo-ga-tsuji Enma-do Saiho-ji Temple') located in Naniwa Ward, Osaka City enshrines Enma. 例文帳に追加
大阪市浪速区には、閻魔を祀った西方寺閻魔堂(正式には「合邦辻閻魔堂西方寺」。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
It is said that the temple was built by Prince Shotoku and is the scene of 'Sesshu Gappo-ga-tsuji' (in Joruri (Japanese-type puppet play)). 例文帳に追加
創建は伝・聖徳太子)があり、浄瑠璃の「摂州合邦辻」の舞台にもなっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
In In-M-Zn-O, M means Ga, Al and Fe, and it may contain them.例文帳に追加
但し、In−M−Zn−Oにおいて、MはGa,Al,Feであり、これらを含んでいてもよいことを示す。 - 特許庁
In the general Formula (1) which is CsX:A, X represents Br or I and A represents Eu, In, Ga or Ce.例文帳に追加
一般式(1) CsX:A 式中、XはBr又はIを表し、AはEu,In,Ga又はCeを表す。 - 特許庁
The episode in which he coached Toshie KOBAYASHI in acting for "Watashi ga suteta onna" at home is especially famous. 例文帳に追加
とくに、『わたしが・棄てた・女』に出演する小林トシエを自宅において特訓したエピソードは有名である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
He demonstrated a unique flamboyant quality in his bijin-ga (pictures of beautiful women) by adding decorative elements found in hagoita battledores on top of the detailed portrayal of facial expressions. 例文帳に追加
顔貌描写に羽子板絵式の装飾味を持たせ、美人画にも独特のはれやかさを示した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The story is set in Kikai ga-shima Island, which is made more realistic by using a lot of Satsuma dialect in the dialogue of Chidori. 例文帳に追加
千鳥の台詞に薩摩弁を多用することで、鬼界ヶ島が舞台であることに現実味を持たせている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
To deposit a ZnO film in a state where Ga and Al in desired quantities are uniformly doped.例文帳に追加
所望とする量のGaやAlが、均一にドープされた状態にZnO膜が形成できるようにする。 - 特許庁
Nihon-ga is rarely taught in the ordinary art classes up to high school level, apart from in specialized art schools. 例文帳に追加
日本の、芸術系学科以外の高等学校までの美術(教科)では日本画を教えることはまずない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Therefore, the quantity of light emitted again to the surface GA to be read, of reflected light from the surface GA to be read can be smaller than the case in which the reflected light from the surface GA to be read is not transmitted through the inside of the light guide member 65.例文帳に追加
このため、被読取面GAからの反射光が導光部材65の内部を透過しない場合に比べて、被読取面GAで反射された反射光が再び被読取面GAに照射される光の光量を低減することができる。 - 特許庁
This spattering target for forming the transparent conductive film has an organization in which a Zn-Ga complex oxide surrounds a Zn-Ga alloy crystal particle having a composition which contains: 0.1 to 30% by mass of Ga; and the balance comprising Zn.例文帳に追加
本発明の透明導電膜形成用スパッタリングターゲットは、Ga:0.1〜30質量%を含有し、残部がZnからなる組成を有するZn−Ga合金結晶粒をZn−Ga複合酸化物が包囲している組織を有する。 - 特許庁
This film-forming method comprises the steps of: setting a target 2 containing In, Ga and Zn; sputtering the target 2 in an atmospheric gas containing oxygen gas, nitrogen gas and an inert gas, while applying pulse voltage alternately to a plurality of cathodes 3 and 4; and thereby introducing nitrogen into an In-Ga-Zn-O film to form the p-type In-Ga-Zn-O film.例文帳に追加
In,Ga,及びZnを含むターゲット2を用い、酸素ガス,窒素ガス及び不活性ガスを含む雰囲気下で、複数のカソード3,4に交互にパルス電圧を印加してスパッタすることにより、In−Ga−Zn−O膜中に窒素を導入し、p型のIn−Ga−Zn−O膜を成膜する。 - 特許庁
Seiba ga haru no tatakai or Seiba ga haru kassen (Seiba ga haru Battle) was the battle fought between Daimyo (feudal lord) Yoshitaka OUCHI in the Chugoku District (western Honshu) and Daimyo Yoshiaki OTOMO in Bungo Province in May 1534 all over Mt. Omure in Bungo Province (present Yamaura, Yamaga-machi town, Kitsuki City, Oita Prefecture). 例文帳に追加
勢場ヶ原の戦い/勢場ヶ原合戦(せいばがはるのたたかい/せいばがはるかっせん)とは、中国地方の大名大内義隆と豊後の大名大友義鑑との間で天文(元号)3年(1534年)4月に、豊後大村山付近(現大分県杵築市山香町山浦近辺)で行われた合戦。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
In the laminate formation process, the Ga layer 8c is formed by electrolytic deposition in an ionic liquid in which a gallium salt is dissolved.例文帳に追加
積層体形成工程では、Ga層8cを、ガリウム塩を溶解したイオン液体中での電解析出により形成する。 - 特許庁
He was also skilled at painting with India ink in a manner similar to bunjin-ga (a style of painting that originated in China, in which intellectuals such as writers and other non-professional would try their hand), and he liked painting subjects ranging from orchids to Shikunshi (four plants with high virtue, namely orchid, bamboo, ume plum tree and chrysanthemum). 例文帳に追加
また文人画風の墨画も得意とし蘭をはじめ四君子を好んで描いた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
A distance between an electrode 2 provided in electron devices 1 and an electrode 4 provided in a packaging board 3 is bonded by a conductor 5 in which there are dispersed metallic particles 7 responding to the alloy with Ga at 100°C or less in a metal 6 containing Ga.例文帳に追加
電子デバイス部品1に設けた電極2と実装基板3に設けた電極4との間を、Gaを含む金属6中に100℃以下でGaと合金化反応する金属粒子7が分散した導体5で接合する。 - 特許庁
The plurality of groups GA to GE are arranged in a staggered manner so that the cross- sections defined as the estimating objects in the plurality of groups GA to GE are positioned on the same plane (a plane including a F-F line).例文帳に追加
そして、上記複数のグループGA〜GEの評価対象となる断面が同一平面(F−F線を含む平面)上に存在するように、複数のグループGA〜GEの位置をずらして配置する。 - 特許庁
While he was called Narabi-ga-oka daijin (minister) because he lived in a mountain villa at Narabi-ga-oka, Ukyo Heian-kyo (the western part of the ancient capital in current Kyoto), he was also called variously Hi daijin, Kitaoka daijin and Noji daijin. 例文帳に追加
平安京右京の双岡(ならびがおか、双ヶ丘)に山荘を営んだことから双岡大臣と称されたほか、比大臣、北岡大臣、野路大臣などと、幾通りもの呼び名をもって知られた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The oxide sintered compact comprises an indium element (In), a gallium element (Ga), a zinc element (Zn) and a tin (Sn) element, and comprises a compound expressed by Ga_2In_6Sn_2O_16 or (Ga, In)_2O_3.例文帳に追加
インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、亜鉛元素(Zn)及び錫元素(Sn)を含み、Ga_2In_6Sn_2O_16又は(Ga,In)_2O_3で表される化合物を含むこと特徴とする酸化物焼結体。 - 特許庁
A single crystal n-type ITO transparent electrode film 11 contains Ga as well as In, has a mole ratio of Ga/(In+Ga) of 0.08-0.5, and a thickness of 1.1-55 nm.例文帳に追加
単結晶n型ITO透明電極膜11はInだけでなくGaをも含有し、単結晶n型ITO透明電極膜(11)は、0.08以上0.5以下のGa/(In+Ga)のモル比を有し、単結晶n型ITO透明電極膜11は、1.1nm以上55nm以下の厚みを有する。 - 特許庁
In Na and Ga mixed melting liquid 107 and on an Na and Ga mixed melting liquid surface 108, nitrogen gas or nitrogen components in the melting liquid supplied from the nitrogen gas and Ga are allowed to react so that continuous GaN crystals can grow, and that the crystal size can be made large.例文帳に追加
NaとGaの混合融液中107及び混合融液表面108で、窒素ガス或いは窒素ガスから供給された融液中の窒素成分とGaとが反応することで、継続的なGaN結晶が成長し、結晶サイズの大きなものを得ることが可能となる。 - 特許庁
The method and the system according to an embodiment of the invention may be used to form direct bandgap semiconducting binary compound epitaxial thin films, such as, for example, GaN, InN and AlN, and mixed alloys of these compounds, e.g., (In, Ga)N, (Al, Ga)N, (In, Ga, Al)N.例文帳に追加
本発明の実施形態の方法とシステムは、例えば、GaN、InNおよびAlN、ならびにこれらの化合物の混合合金、例えば、(In, Ga)N、(Al, Ga)N、(In, Ga, Al)Nのような直接の禁止帯半導体二元素化合物エピタキシャル薄膜形成のために用いられる。 - 特許庁
To provide a cutting method of Cu-Ga alloy, cutting (machining) even a Cu-Ga alloy lump, for example, comparatively large in a composition ratio of Ga manufactured by melting casting, in a desired shape without crazing, cracking and chipping it.例文帳に追加
例えば溶解鋳造によって製造されたGaの組成比が比較的大きいCu−Ga合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく切断して所望の形状に切断(加工)することができるCu−Ga合金の切断方法を提供する。 - 特許庁
The powder containing elements Cu, In, Ga and Se is characterized by containing a Cu-In-Ga-Se based compound and/or a Cu-In-Se based compound in an amount of ≥60 mass% in total.例文帳に追加
本発明は、Cu、In、GaおよびSeの元素を含有する粉末であって、Cu−In−Ga−Se系化合物および/またはCu−In−Se系化合物を、合計で60質量%以上含有することを特徴とする粉末である。 - 特許庁
An n-type ZnO layer 2 doped with Ga, a ZnO light emitting layer 3 which is doped with Ga and 10 μm in thickness, and a p-type ZnO layer 4 doped with N, are formed on a ZnO substrate 1.例文帳に追加
ZnO基板1上に、Gaをドープしたn型ZnO層2と、Gaをドープして厚さが10μmのZnO発光層3と、Nをドープしたp型ZnO層4を備える。 - 特許庁
A time-pitch analyzing section 81 chronologically continuously analyzes sound data which chronologically continue in each of predetermined-frequency bands, based on algorithm constructed by a GP or a GA.例文帳に追加
GPまたはGAにより構築されたアルゴリズムに基づいて、時間−音程解析部81は、時間的に連続する音声データを、所定の周波数帯域毎に時間的に連続して解析する。 - 特許庁
When the treated gas G2 is quenched, water vapor in the gas G2 is condensed to water and a large quantity of acidic gases GA is brought into contact / reaction with water to produce acid A.例文帳に追加
そして、この処理済ガスG2を急冷すると、当該ガスG2中の水蒸気が凝結して水となり、この水に多量の酸性ガスGAが接触・反応して酸Aが生成される。 - 特許庁
To provide a method for separately producing a hot-dip galvanized steel sheet (GI) and galvannealed steel sheet (GA) of high quality in the same bath without conditioning a hot-dipping bath, by using a Ni-pre-plating method.例文帳に追加
プレNi法により、溶融メッキ浴の浴調整なしに同一浴で、品質の良好な溶融亜鉛メッキ鋼板(GI)と合金化溶融亜鉛メッキ鋼板(GA)を造り分ける方法を提供する。 - 特許庁
The Cu-Ga based alloy powder includes, in atom%, not less than 25% and less than 40% of Ga, the balance comprising Cu and unavoidable impurities, wherein the powder has an oxygen content of 200 ppm or less.例文帳に追加
原子%で、Gaを25%以上、40%未満含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が200ppm以下としたCu−Ga系合金粉末。 - 特許庁
Metal Ga is used as a source material 28, and a nitrogen-containing gas such as NH_3 (ammonia) is introduced as a reactive gas G in a passage for Ga vapor via a gas introduction pipe 38.例文帳に追加
また、ソース物質28として金属Gaを用いると共に、ガス導入管38を介してGa蒸気の通路にNH_3(アンモニア)等の窒素含有ガスを反応ガスGとして導入する。 - 特許庁
In addition, there is no direct relationship between Suiboku-ga and the dharma of the Zen sect, and it seems that Suiboku-ga was accepted as a new foreign culture as well as the Zen sect style architecture. 例文帳に追加
なお、水墨画と禅宗の教義とには直接の関係はなく、水墨画は禅宗様の建築様式などと同様、外来の新しい文化として受容されたものと思われる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
Shigajiku' shows the state of 'unity of poetry, brushstroke, and painting' and refers to a vertically long Kakejiku hanging scroll on which Suiboku-ga is painted on the under side and a Chinese-style poem with related subject matter of Suiboku-ga is drawn in the head margin. 例文帳に追加
「詩画軸」とは、「詩・書・画一体」の境地を表わしたもので、縦に長い掛軸の画面の下部に水墨画を描き、上部の余白に、画題に関連した漢詩を書いたものである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
While oil painting, which was introduced to Japan in the Meiji period, is called Yo-ga (foreign style painting), Nihon-ga refers to paintings which utilize traditional Japanese techniques and styles and rather than being reliant on oil paint. 例文帳に追加
明治時代に日本に導入された油絵を「洋画」と呼ぶのに対して、油彩に依らず、それまでの日本の伝統的な技法や様式の上に育てられた絵画を指す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The words in the first vocal section is a waka poem 'Shiho no yama sashide no iso ni sumu chidori, kimiga miyo oba yachiyo tozo naku' (しほの山さしでの磯にすむ千鳥 君が御代をば八千代とぞ鳴く) taken from Ga no bu (the Ga [celebration] section) of "Kokin Wakashu." 例文帳に追加
前唄は『古今和歌集』賀の部より採った和歌「しほの山さしでの磯にすむ千鳥君が御代をば八千代とぞ鳴く」が歌詞として節付けされている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
To provide a manufacturing method for a compound semiconductor thin film where a uniformity in a Ga distribution in the direction of a film thickness is appropriate or the Ga distribution in the direction of the film thickness can be arbitrarily controlled in the compound semiconductor thin film that comprises a group IB element, a group IIIB element, and a group VIB element and contains In and Ga as the group IIIB element.例文帳に追加
IB族元素、IIIB族元素およびVIB族元素から成り、IIIB族元素としてInとGaを含む化合物半導体薄膜において、その膜厚方向のGa分布の均一性が良好であるか、または膜厚方向のGa分布を任意に制御することができる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
At the same time, from the age of 13, he learned Kacho-ga (painting of flowers and birds) from Kaizan KUROYAMA, a Nanga painter (an original style of painting in the Edo period which had a great deal of influence from the Chinese Nanga style) in the Sakura Domain. 例文帳に追加
そのかたわら、13歳の頃から佐倉藩の南画家・黒沼槐山に花鳥画を学んだ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The metal oxide catalyst is characterized in that the metal ions of the metal oxide catalyst are ions of In, Ga, Al, B, Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Sb, Bi, W, Mo or Cr, or combination of these metals.例文帳に追加
金属イオンは、In,Ga,Al,B,Si,Ge,Sn,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Sb,Bi,W,Mo,Cr、または、これらの組み合わせであることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a Ga compound-doped polycrystalline silicon, in which the accuracy of the measurement and the workability of Ga doping are improved and to provide the Ga compound-doped polycrystalline silicon hardly causing photo-degradation and having high conversion efficiency stably.例文帳に追加
Gaドープの計測の正確性および作業性を向上させたGa化合物ドープ多結晶シリコンの製造方法と、光劣化が生じにくく、高い変換効率が安定的に得られるGa化合物ドープ多結晶シリコンとを提供するものである。 - 特許庁
Under such condition, an eximer laser is emitted to a target 13 comprising Ga or In metal.例文帳に追加
このような条件下で、Ga又はIn金属からなるターゲット13に対してエキシマレーザを出射する。 - 特許庁
In this configuration, the reflected light from the surface GA to be read is transmitted through the inside of the light guide member 65.例文帳に追加
この構成によれば、被読取面GAからの反射光は導光部材65の内部を透過する。 - 特許庁
In addition, the amount of intake air is set to an amount of air GaA by correcting an amount of intake air Ga by a reduction (ΔGa).例文帳に追加
さらに、吸入空気量Gaを減量(ΔGa)して空気量GaAに設定する。 - 特許庁
The thermoelectric conversion material consists of a composite oxide comprising Zn, Ga and In.例文帳に追加
Zn、GaおよびInを含有する複合酸化物からなることを特徴とする熱電変換材料。 - 特許庁
From a paste of the chalcogen compound powder, a thin film containing Cu, In, Ga and Se and having a low resistance can be obtained.例文帳に追加
カルコゲン化合物粉のペーストによりCu・In・Ga・Seを含み低抵抗の薄膜を得られる。 - 特許庁
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