「Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

In electrolytic ion water 232 in which weakly acidic water or air is dissolved, the surface of the substrate 142 made of the compound semiconductor containing one of Ga, Al and In, and the surface of a polishing pad 242 having an electrically conductive member 264 in at least the portion of the surface contacting the substrate 142 are relatively moved in contact with each other to polish the surface of the substrate 142.例文帳に追加

弱酸性の水または空気が溶解した水、または電解イオン水２３２の中で、Ｇａ，Ａｌ及びＩｎのいずれかを含有する化合物半導体の基板１４２の表面と、表面の少なくとも基板１４２と接触する部位に導電性部材２６４を有する研磨パッド２４２の該表面とを互いに接触させつつ相対運動させて、基板１４２の表面を研磨する。 - 特許庁

The metal oxide particulates are expressed by a compositional formula of ABO_2 (A denotes a metal element Pd, Pt, Cu or Ag; and B denotes a metal element Co, Fe, Ni, Cr, Rh, Al, Ga, Sc, In or Tl), and have a mean particle diameter of ≤100 nm.例文帳に追加

組成式ＡＢＯ_２（Ａの金属元素Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ又はＡｇ、Ｂは金属元素Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ又はＴｌを示す。）で表される金属酸化物微粒子であって、平均粒径が１００ｎｍ以下である金属酸化物微粒子。 - 特許庁

The silver-palladium alloy for baking a dental ceramic material is produced by casting a dental prosthesis, and comprises, by weight, 20 to 30% Ag, 60 to 70% Pd, 6 to 8% In, 3 to 5% Ga and 0.1 to 6% Sn.例文帳に追加

本発明は、歯科補綴物を鋳造により作製する歯科用合金であって、Ａｇ：２０〜３０重量％，Ｐｄ：６０〜７０重量％，Ｉｎ：６〜８重量％，Ｇａ：３〜５重量％，Ｓｎ：０．１〜６重量％からなることを特長とする歯科陶材焼付用銀パラジウム合金である。 - 特許庁

A conductive mayenite type compound wherein a part of a free oxygen ion of a mayenite type compound wherein a part of Al is substituted with M (M is Ga or In) is substituted with an electron, and having an electron density of ≥1×10^15 cm^-3, having a high oxidation resistance and chemically stable is provided.例文帳に追加

Ａｌの一部がＭ（ＭはＧａまたはＩｎ）で置換されたマイエナイト型化合物のフリー酸素イオンの一部が電子で置換されており、１×１０^１５ｃｍ^−３以上の電子密度を有する、耐酸化性が高く化学的に安定した導電性マイエナイト型化合物を提供する。 - 特許庁

An active layer of a semiconductor laser element integrated with optical modulator uses an MQW layer containing a mixed crystal of our elements In, Ga, Al and As to increase the band offset ΔEc of the conductor over 75 meV and the band offset ΔEv of the valence band over 0 meV below 25 meV.例文帳に追加

光変調器集積半導体レーザ素子の活性層にＩｎ，Ｇａ，Ａｌ及びＡｓの４元混晶を含んだＭＱＷ層を用い、伝導帯のバンドオフセットΔＥｃを７５ｅｍＶよりも大きくし、かつ、価電子帯のバンドオフセットΔＥｖを０ｍｅＶより大きく２５ｍｅＶより小さくする。 - 特許庁

Alternatively, a metal foil to form the negative electrode current collector 21 is prepared separately from the first laminate, and a second laminate 2 is fabricated by forming an adhesive layer 40 composed of an element selected from Si, Al, Ga, Ge, In, Sn, Tl, and Pb on one face side of that metal foil by a vapor-phase method.例文帳に追加

一方、第一積層体１とは別個に、負極集電体２１となる金属箔を用意し、その金属箔の一面側に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＴｌおよびＰｂから選択される元素からなる接着層４０を気相法により形成して第二積層体２を作製する。 - 特許庁

The composite layer formed of the insulating layer and wiring layer includes the wiring (the wiring layer) formed by a printing method on curable insulating resin (the insulating layer) formed on the substrate by the printing method, wherein the wiring contains at least one or more elements out of Cu, Ag, Au, Al, Ni, Co, Pd, Sn, Pb, In, and Ga.例文帳に追加

基板上に印刷法により形成した硬化性絶縁樹脂（絶縁層）上に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｇａの内少なくともひとつ以上の元素を含む配線（配線層）を印刷法により形成した、絶縁層と配線層の複合層。 - 特許庁

The semiconductor layer 102 may be sufficed by being constituted of a compound semiconductor including at least one of In and Ga, and at least As and Sb such as Al_zIn_xGa_1-x-zAs_1-ySb_y (where 0≤x≤0.2, 0.3≤y≤1, 0≤z≤1, 0≤x+z≤1).例文帳に追加

なお、半導体層１０２は、ＩｎおよびＧａの少なくとも一方とＡｓ，Ｓｂとを少なくとも備える化合物半導体から構成されていればよく、Ａｌ_zＩｎ_xＧａ_1-x-zＡｓ_1-yＳｂ_y（０≦ｘ≦０．２，０．３≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，０≦ｘ＋ｚ≦１）から構成されていればよい。 - 特許庁

The metal salt of 8-quinolinol or an 8-quinolinol derivative is formed by coordinating, such metals as selected from among Cu, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Yt, La, Pb, Sb, Bi, Cr, Mo, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Ce, and Pr.例文帳に追加

８−キノリノール又は８−キノリノール誘導体の金属塩は、Ｃｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｙｔ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｅ及びＰｒからなる群から選ばれる金属が配位することによって形成される。 - 特許庁

By adding Bi (bismuth), Ga (gallium) and In (indium) as low melting point metal elements to a Zn (zinc) alloy and Zn for die casting comprising Al (aluminum), Cu (copper), Mg (manganese) or the like, the hardness of the Zn alloy and Zn for die casting is increased, and the mechanical properties thereof are improved.例文帳に追加

Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｍｇ（マグネシウム）等を含有するダイカスト用Ｚｎ（亜鉛）合金およびＺｎ（亜鉛）に、低融点金属元素であるＢｉ（ビスマス）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）を添加することにより、ダイカスト用Ｚｎ合金およびＺｎの硬度を上昇させ、機械的性質を向上させる。 - 特許庁

The filling auxiliary member 14 is a protruded member for pushing the rubbery elastic material Ga in a region where the filling with a material is insufficient at the time of molding of the annular member Wa and attached so as to inclined toward the lower sides of the molding plate 11 and the annular reference member Q.例文帳に追加

充填補助部材１４は、環状部材Ｗａの成形時に材料の充填に不十分な部位に、前記ゴム状弾性材料Ｇａを押し込む突起状の部材であり、成形プレート１１と円環状基準部材Ｑの下部側に向かって傾斜させて取付けてある。 - 特許庁

This alkaline battery comprises crosslinked polymer A, whose main constituent monomer unit is (meth)acrylic acid (salt), of which the gelling agent has a gel (GA) viscosity ratio (N1/N60) of 0.7 to 1.3 and the content of components soluble in a 37 wt.% aqueous solution of potassium hydroxide is not more than 30 wt.%.例文帳に追加

（メタ）アクリル酸（塩）を主構成単量体単位とする架橋重合体（Ａ）からなり、ゲル（ＧＡ）の粘度比（Ｎ１／Ｎ６０）が０．７〜１．３、及び３７重量％水酸化カリウム水溶液への可溶性成分量が３０重量％以下であるアルカリ電池用ゲル化剤及びアルカリ電池。 - 特許庁

When PM accumulation quantity PMsm in the exhaust emission control mechanism is a threshold A or less (S120:YES), a differential pressure reference value Dp and a value of (differential pressure ΔP(pressure difference between an exhaust gas upstream side and an exhaust gas downstream side of the exhaust emission control mechanism)/suction air quantity Ga) are compared (S130).例文帳に追加

排気浄化機構におけるＰＭ堆積量ＰＭｓｍが閾値Ａ以下であるときには（Ｓ１２０：ＹＥＳ）、「圧力差ΔＰ（排気浄化機構の排気上流側と排気下流側との圧力差）／吸入空気量Ｇａ」の値と差圧基準値Ｄｐとを比較する（Ｓ１３０）。 - 特許庁

In the method comprising a step wherein a semiconductor layer composed of a group III nitride compound semiconductor containing Ga as a group III element is formed on a substrate 11 by sputtering, when the semiconductor layer is formed, the sputtering is performed while supplying nitrogen and argon into a chamber which is used for the sputtering.例文帳に追加

基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。 - 特許庁

An ignitability parameter IG indicating the ignitability of fuel in a combustion chamber is calculated according to a cylinder pressure PCYL, a cylinder gas temperature TCYL, an engine speed NE, a total fuel injection quantity QIT, a combustion chamber wall surface temperature TWALL, and an intake air flow rate GA.例文帳に追加

筒内圧ＰＣＹＬ、筒内ガス温度ＴＣＹＬ、エンジン回転数ＮＥ、総燃料噴射量ＱＩＴ、燃焼室壁面温度ＴＷＡＬＬ、及び吸入空気流量ＧＡに応じて、燃焼室内の燃料の着火性を示す着火性パラメータＩＧを算出する。 - 特許庁

The main of a composite oxide sintered compact for forming the transparent thin film is the crystal of a compound which contains an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn) and whose formula is denoted as In_2Ga_2ZnO_7.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である透明薄膜形成用の複合酸化物焼結体及び前記複合酸化物焼結体から作製されている透明薄膜形成用材料。 - 特許庁

The method of manufacturing the silicon crystal is that after adding Ga and B into silicon molten liquid in a crucible by the Czochralski method, the silicon crystal is grown by making a seed crystal contact with the silicon molten liquid and pulling it up while revolving it.例文帳に追加

ならびに、シリコン結晶の製造方法において、チョクラルスキー法により、ＧａとＢをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記シリコン融液に種結晶を接触させ、これを回転しながら引き上げることによってシリコン単結晶を育成するシリコン結晶の製造方法。 - 特許庁

In a reaction chamber 101, a cubic III nitride crystal composed of a group III metallic element (for example, gallium(Ga)) and nitride elements is grown from a material 102, containing an alkali metal and at least the group III metallic element and another material 103, containing at least nitrogen element.例文帳に追加

反応容器１０１内で、アルカリ金属および少なくともIII族金属元素(例えば、Ｇａ(ガリウム))を含む物質（１０２）と少なくとも窒素元素を含む物質（１０３）とから、III族金属元素と窒素元素とにより構成される立方晶系のIII族窒化物を結晶成長させる。 - 特許庁

The catalyst contains a Ce-Ga-Mn-Fe composite oxide comprising a solid solution keeping a fluorite type structure which contains cerium, gallium, manganese and iron, and in which at least a part of at least one selected from a group comprising the gallium, the manganese and the iron is replaced with a part of the cerium.例文帳に追加

触媒は、セリウムとガリウムとマンガンと鉄とを含有し、該ガリウム、該マンガン及び該鉄から成る群より選ばれた少なくとも１種の少なくとも一部が該セリウムの一部と置換し、蛍石型構造を保っている固溶体からなるＣｅ−Ｇａ−Ｍｎ−Ｆｅ複合酸化物を含有する。 - 特許庁

It is preferable that the negative electrode 4 has at least one kind of a first negative electrode active material selected from a group of In, Ga, and Sn, and at least one kind of a second negative electrode active material selected from a group of C, Si, Zn, and Al.例文帳に追加

また、負極４は、Ｉｎ、ＧａおよびＳｎよりなる群から選択される少なくとも１種からなる第１の負極活物質と、Ｃ、Ｓｉ、ＺｎおよびＡｌよりなる群から選択される少なくとも１種からなる第２の負極活物質とを有するのが好ましい。 - 特許庁

When the arithmetic processing of neither the BBM nor GA is not ended in a valid period, the planning processing monitoring part 13 interrupts the two processing, and compares the values of the target functions just before the processing is interrupted, and outputs the lower value as the optimal planned value.例文帳に追加

また、計画処理監視手部１３は、ＢＢＭ及びＧＡの演算処理が予め定められた有効期間内に終了しない場合は、２つの処理を中断し、中断直前の目的関数の値を比較し、値の低い方を最適計画値として出力させる。 - 特許庁

The La.Sr.Ga.Mg.Ox-based sintered body contains at least one selected from Ga and In, a transition metal element of Group I of Periodic Table, a divalent metal element, or trivalent metal element at the amount of 1 to 6 parts by weight relative to 100 parts by weight of a La.Sr.Ga.Mg.Ox- based oxide.例文帳に追加

ランタンガレート系酸化物１００重量部に対して、ＧａとＩｎのうち少なくとも１種、第一系列主要遷移金属元素、二価金属元素、または三価金属元素を、酸化物換算で１重量部以上６重量部以下含有することを特徴とするランタンガレート系焼結体。 - 特許庁

The metal salt of an 8-quinolinol derivative is formed by coordination with a metal selected from the group consisting of Cu, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Yt, La, Pb, Sb, Bi, Cr, Mo, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Ce, and Pr.例文帳に追加

８−キノリノール誘導体の金属塩は、Ｃｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｙｔ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｅ及びＰｒからなる群から選ばれる金属が配位することによって形成される。 - 特許庁

One of a compound including indium, a compound including tin and a compound including tantalum is included in a compound oxide represented by LiNi_1-xM_xO_2 (M is a metallic element selected from Co, Mn, Fe, Cu, Zn, Mg, Ti, Al and Ga, and 0.2>x≥0).例文帳に追加

ＬｉＮｉ_1-xＭ_xＯ_2（但し、ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、ＡｌおよびＧａからなる群より選ばれた少なくとも１種以上の金属元素で、０．２＞ｘ≧０）で表される複合酸化物に、インジウムを含む化合物、スズを含む化合物およびタンタルを含む化合物のいずれかが含まれる。 - 特許庁

The addition of low-quantity Ga allows the liquidus temperatures of both Au and Sn to be fairly lowered for the purpose of lowering a melting point (lowering it by 10°C or more, by approximately 27°C under normal conditions, in comparison with Au-Sn eutectic solder) and reinforcing the temperature sensitivity of the creep resistance of the solder.例文帳に追加

少量のＧａを添加することで、ＡｕおよびＳｎ双方の液相線温度を相当に下げ、したがって融点を下げる（共晶Ａｕ—Ｓｎはんだよりも少なくとも１０℃、通常約２７℃下がる）とともに、はんだの耐クリープ性の温度敏感性も強化する。 - 特許庁

Final power relay signals and the AC output signals of the fixing power relay 31 are compared in a correct/error detection circuit 44, the compared result is inputted to a GA 33 and the correct/error and matching/ non-matching of fixing power relay control signals (instructions) and the actual AC output signals are confirmed.例文帳に追加

最終的なパワーリレー信号と、定着パワーリレー３１のＡＣ出力信号を正誤検知回路４４で比較し、比較結果をＧＡ３３に入力させ、定着パワーリレー制御信号（命令）と実際のＡＣ出力信号との正誤及び一致、不一致を確認する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises an inverted staggered (bottom-gate structure) thin film transistor which includes an oxide semiconductor film including In, Ga, and Zn as a semiconductor layer, and a buffer layer including a metal oxide layer between the semiconductor layer, and a source electrode layer and a drain electrode layer.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes an inverted staggered (bottom gate structure) thin-film transistor, where an oxide semiconductor film including In, Ga, and Zn is used as a semiconductor layer, and a buffer layer formed using a metal oxide layer is provided between the semiconductor layer and source and drain electrode layers.例文帳に追加

半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられた逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。 - 特許庁

When the purity of Na is 99%; the purity of Ga is 99.9999%; the purity of nitrogen gas is 99.999%; and the material of the mixed melt holding container 102 is a BN as a sintered compact, a solid substance 110 has a shape with a hole 111 perforated in a part thereof.例文帳に追加

ここで、Ｎａの純度が９９％、Ｇａの純度が９９．９９９９％、窒素ガスの純度が９９．９９９％、混合融液保持容器１０２の材質が焼結体のＢＮの場合には、固体物１１０は一部に穴１１１が開いたような形状となる。 - 特許庁

The system comprises a mobile information terminal Ha with a browser function; a computer Ea with a server function; a storage means Eb for storing data on the management of the conveying in and out of materials and equipment and lifting; a computer Fa with a browser function; and a mobile information terminal Ga with a browser function.例文帳に追加

Ｈａは、プラウザ機能付の携帯型情報端末、Ｅａはサーバー機能を有するコンピュータ、Ｅｂは資機材の搬出入・揚重管理データを記憶する記憶手段、Ｆａはプラウザ機能付のコンピュータ、Ｇａはプラウザ機能付の携帯型情報端末である。 - 特許庁

The method of manufacturing silicon crystal is that after adding Ga and phosphorus into silicon molten liquid in a crucible by Czochralski method, a silicon single crystal is grown by making a seed crystal contact with silicon molten liquid and pulling it up while revolving it.例文帳に追加

シリコン結晶の製造方法において、チョクラルスキー法により、Ｇａとリンをルツボ内のシリコン融液に添加した後、前記シリコン融液に種結晶を接触させ、これを回転しながら引き上げることによってシリコン単結晶を育成するシリコン結晶の製造方法。 - 特許庁

In a so-called flux method where GaN crystals are grown by supplying nitrogen (N) from the vapor phase to a molten liquid of gallium (Ga) alloyed with another metal, the GaN crystal with a low impurity concentration is stably produced by using gold (Au) as the flux.例文帳に追加

ガリウム（Ｇａ）と他の金属を合金化した融液に、気相から窒素（Ｎ）を供給することによってＧａＮ結晶を成長させる、所謂フラックス法において、フラックスとして金（Ａｕ）を用いることにより、不純物濃度が低いＧａＮ結晶を安定して作製する。 - 特許庁

The mixture metal hydroxide contains nickel hydroxide as base material, and brucite structure of 12-30 atom % contains at least one of trivalent metals selected from the group consisting of Co, Fe, Al, Ga, In, Sc and Y relatively to a metal compound including nickel.例文帳に追加

主成分としての水酸化ニッケルと、ニッケルを含む金属成分の和に対して１２〜３０原子％の量のＣｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ及びＬａよりなる群から選ばれる少なくとも１種の三価金属を含有する水滑石構造を有する混合金属水酸化物。 - 特許庁

Kakusan (later called Tenshin) OKAKURA, who worked as a interpreter and assistant for Fenollosa, was much encouraged by this experience and established The Tokyo Art School (later Tokyo Art University) in 1889 which did not teach western painting but had only a Nihon-ga faculty with teachers including Gaho HASHIMOTO. 例文帳に追加

フェノロサの通訳を勤めており助手であった岡倉覚三（のちの天心）らはこれに大きく力づけられ、1889年に東京美術学校（後の東京藝術大学）を開くと、西洋画の教育を排し、絵画としては橋本雅邦らを教師として日本画科をのみ設けた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The device has a feature of having a Mg_zZn_1-zO (0≤z<1) film electrode doped with Ga or B in the device.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、ｎ型ＧａＮ系半導体層とｐ型ＧａＮ系半導体層とで挟まれたＧａＮ系半導体からなる発光層を含む半導体発光素子であって、Ｇａ又はＢがドープされたＭｇ_ｚＺｎ_１−ｚＯ（０≦ｚ＜１）電極膜を備える半導体発光素子である。 - 特許庁

The method of manufacturing the continuous wave semiconductor laser diode of the N (Al, Ga, In) material system comprises a step of continuously growing a primary cladding region 4, a primary light guide region 5, an active region 6, a secondary light guide region 7 and a secondary cladding region 8.例文帳に追加

（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料系の連続波半導体レーザダイオードを製造する方法は、第１のクラッド領域（４）、第１の光ガイド領域（５）、活性領域（６）、第２の光ガイド領域（７）および第２のクラッド領域（８）を連続して成長させるステップを包含する。 - 特許庁

The garnet is a substitution garnet crystal with the general expression of A3B5O12, where A is a trivalent element such as Bi, Y, or La, B is a trivalent element such as Fe, Al, Ga, Sc, or In, or part of the constituent elements of which other than oxygen is substituted with one element or more with the equivalent valence.例文帳に追加

但し、Ａ_3 Ｂ_5 Ｏ_12におけるＡは、Ｂｉ，Ｙ，Ｌａ等の３価の価数である元素、Ｂは、Ｆｅ，Ａｌ，Ｇａ，Ｓｃ，Ｉｎ等の３価の価数の元素であり、又は酸素以外の構成元素の一部を等価的な価数を有する１以上の元素で置き換えた置換型ガーネット結晶物。 - 特許庁

In the formulae, the element A is one or more elements selected from among alkali metals and alkaline earth metals; the element M is B, Na, Mg, Al, K, Ca, Sc, Ti, V, Zn, Ga, Sr, Y, Zr, Nb, Ba, La, Hf or Ta other than the element A; and the element B is a tri- or tetravalent element.例文帳に追加

なお、元素Ａはアルカリ金属およびアルカリ土類金属の１種以上の元素で、元素Ｍは元素Ａ以外のＢ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａで、Ｂ元素は３価又は４価の元素である。 - 特許庁

The conductive film, the film having the n-type conductivity, and the oxide semiconductor film containing In, Ga and Zn are etched using the channel protective layer and gate insulating films as etching stoppers with the resist mask, so that source and drain electrode layers, a buffer layer, and a semiconductor layer are formed.例文帳に追加

このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 - 特許庁

Even if the output of an inverter circuit 1 varies and voltage fluctuation value occurs, variation in voltages generated at a secondary side coil connected in parallel is suppressed for improved uniformity in parallel outputs on the secondary side, since primary side coils 42 and 43 (242 and 243) of two transformers GA and GB are connected in series, thanks to the DC/DC converter.例文帳に追加

このＤＣ／ＤＣコンバータによれば、インバータ回路１の出力がばらつき、その電圧値に変動等があった場合においても、２つのトランスＧＡ、ＧＢが備える１次側のコイル４２，４３（２４２，２４３）が互いに直列に接続されているため、並列接続された２次側コイルで発生する電圧ばらつきを抑制することができ、２次側の並列出力の均一性を向上させることができる。 - 特許庁

In a flame sensor that uses a photodetector constituted of an Al-Ga-N based semiconductor material and detects light emitted by a flame, a film for preventing the reflection of light in an ultraviolet-ray region is provided at a side where the light enters in a photodetector PS, and the photodetector PS with the reflection prevention film is provided in a sealing member C for airtightly sealing against the outside.例文帳に追加

火炎から発する光をＡｌ−Ｇａ−Ｎ系の半導体材料で構成される受光素子を用いて検出するように構成された火炎センサにおいて、受光素子ＰＳにおける入光側に、紫外線領域の光の反射を防止する反射防止膜が備えられ、その反射防止膜を備えた受光素子ＰＳが、外部に対して気密状に封止する封止部材Ｃ内に設けられている。 - 特許庁

In the method for producing the ZnTe-based compound semiconductor single crystal or an at least ternary ZnTe-based compound semiconductor single crystal containing ZnTe, at least one element selected from the group 3B elements in the Periodic Table, such as Al, Ga or In, or halogen elements, such as Cl, Br or I, is added as an impurity during the growth of the single crystal.例文帳に追加

ＺｎＴｅあるいはＺｎＴｅを含む三元以上のＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の製造方法において、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ等の周期表３Ｂ族元素のいずれか一種類以上の元素またはＣｌ，Ｂｒ，Ｉ等のハロゲン元素のいずれか一種類以上の元素を不純物として結晶育成中に添加するようにした。 - 特許庁

To provide a sealing glass which excels in water resistance, is hard to crystallize in sealing time or also in heat treatment after that, can realize a low sealing temperature and a desired thermal expansion coefficient, and has a high transmittance of visible light, even not including the oxides of Pb, Ge, Ga or the like, or halogen components such as fluorine, or even not including the oxides of Sn and Cu so much.例文帳に追加

Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の熱膨張係数を実現でき、可視光の透過率が高い封止用ガラスを提供すること。 - 特許庁

In the method for producing the metal oxide particulates, a metal complex solution containing an A element complex containing the metal element A (A denotes a metal element Pd, Pt, Cu or Ag) and a B element complex containing the metal element B (B denotes a metal element Co, Fe, Ni, Cr, Rh, Al, Ga, Sc, In or Tl) is irradiated with a laser.例文帳に追加

金属元素Ａ（Ａは金属元素Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ又はＡｇを示す。）を含むＡ元素錯体と金属元素Ｂ（Ｂは金属元素Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ又はＴｌを示す。）を含むＢ元素錯体とを含む金属錯体溶液に、レーザー照射する金属酸化物微粒子の製造方法。 - 特許庁

When hypoid gear reduction units having one to three stages (or more than four stages) are contained in the series of hypoid gear reduction units, output shafts 23 are common to all of the respective hypoid gear reduction units GA, GB, GC while using different gear boxes 21A, 21B, 21C, respectively, in order to reduce the stock of components as small as possible.例文帳に追加

ハイポイド減速装置のシリーズの中に１段〜３段型（それ以上も可）のハイポイド減速装置を含める場合に、各ハイポイド減速装置ＧＡ、ＧＢ、ＧＣの間で、歯車箱２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃは互いに異なったものを用いながらも、それに取り付ける出力軸２３は全て共通化して、部品の在庫負担を極力減らした。 - 特許庁