「Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

At the transporting step, a transporting speed of the receiving mold 20 is changed in the vicinity of a molding side part 34 of the molding mold 30, and the molten glass gob GA on the receiving surface 211 is slided to the molding surface 311 by an inertial force generated thereby.例文帳に追加

移送工程では、受け型２０の移動速度を成形型３０の成形側部３４近傍において変化させ、これにより生じる慣性力で受け面２１１上の溶融ガラス塊ＧＡを成形面３１１へとスライドさせる。 - 特許庁

The conductive material has transparency to visible light, is represented by chemical formula Ga_2-xM_xO_3(ZnO)_m (wherein m is a natural number; and M is an element capable of being substituted for Ga), and has a crystal structure shown in Fig.1.例文帳に追加

発明１は、可視光の透過性を有する導電性材料であって、化学式Ｇａ_２−ｘＭ_ｘＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは自然数。Ｍ：Ｇａに代替可能な元素）であらわされ、図１に示す結晶構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

To process and flatten the substrate surface of a Ga (gallium)-element containing compound semiconductor with high surface accuracy in a practical processing time, the compound semiconductor containing, e.g., GaN, GaAs, and GaP which have been increasingly demanded as materials of light emitting devices and electronic devices.例文帳に追加

発光デバイスや電子デバイスの材料として重要性が高まっているＧａＮ，ＧａＡｓ，ＧａＰ等のＧａ（ガリウム）元素を含有する化合物半導体の基板表面を、実用的な加工時間で、かつ表面精度高く平坦に加工できるようにする。 - 特許庁

The sputtering target has a composition that includes 20 to 40 at% Ga and 0.05 to 1 at% Na as metal components other than fluorine, with the remainder being Cu and unavoidable impurities, wherein Na is contained in the form of an NaF compound.例文帳に追加

スパッタリングターゲットのフッ素を除く金属成分としてＧａ：２０〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜１ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、ＮａはＮａＦ化合物の状態で含有されている。 - 特許庁

In a reaction vessel 101, a mixed liquid 102 of Ga as group III metal and Na as flux is filled, a heating device 106 is provided so as to control the temperature suitable for crystal growth, and nitrogen gas is used as raw material of nitrogen.例文帳に追加

反応容器１０１内には、III族金属としてのＧａとフラックスとしてのＮａの混合融液１０２があり、結晶成長可能な温度に制御できるように加熱装置１０６が具備され、窒素原料としては窒素ガスを用いている。 - 特許庁

This sputtering target includes a composition that includes 1-40 atom% of Ga and 0.05-2 atom% of Na as metal components other than Se, with the rest being Cu and unavoidable impurities, wherein Na is contained in the form of sodium selenide.例文帳に追加

スパッタリングターゲットのＳｅを除く金属成分として、Ｇａ：１〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｎａがセレン化ナトリウムの状態で含有されている。 - 特許庁

When a state of causing deviation between the estimated deposit amount PMsm and actual deposit amount of PM is PMsm≤BUpm (Yes in S122), the value of exhaust pressure difference ΔP/GA is compared with a correction execution reference value Dp for determination (S126).例文帳に追加

ＰＭの推定堆積量ＰＭｓｍと実堆積量とに乖離を生じた状態を、ＰＭｓｍ≦ＢＵｐｍである時（Ｓ１２２でＹＥＳ）に、排気圧力差ΔＰ／ＧＡの値を補正実行基準値Ｄｐと比較して判定している（Ｓ１２６）。 - 特許庁

An address marker AD for allocating order numbers and a 1st spot marker SP1 are arranged in the front of an intersection part K along guide lines GA, GB,... for guiding a traveling route and a 2nd spot marker SP2 is arranged on a position passing the intersection part K.例文帳に追加

走行経路を案内するガイドラインＧＡ、ＧＢ、・・にそって交差部Ｋの手前に順位番号を与えるアドレスマーカＡＤと第１のスポットマーカＳＰ１が配置され、交差部を通過した位置には第２のスポットマーカＳＰ２が配置される。 - 特許庁

Preferably, the permanent magnet contains one kind or two or more kinds among 0.2-0.5% of Co, 0.05-0.5% of Nb, 0.01-0.5% of Al, 0.01-0.3% of Ga, 0.01-0.5% of Cu and 0.005-0.05% of P in wt.%.例文帳に追加

好ましくは質量百分率で０．２〜５．０％のＣｏ、０．０５〜０．５％のＮｂ、０．０１〜０．５％のＡｌ、０．０１〜０．３％のＧａ、０．０１〜０．５％のＣｕ、０．００５〜０．０５％のＰのうちの１種又は２種以上を含有する。 - 特許庁

To provide a growth method of a GaN crystal having low dislocation density and high crystallinity without adding impurities other than a raw material to a melt or without increasing the scale of a crystal growth device in a liquid phase method using a Ga melt.例文帳に追加

Ｇａ融液を用いる液相法において、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

Kokuzekomoku was a petition that Hirobumi ITO who was a governor of Hyogo Prefecture submitted it with three executives of Prefecture (Nobuyuki NAKAJIMA, Mitsuaki TANAKA, Noriyuki GA) and Finance officer/ judge, Munemitsu MUTSU who was in Osaka. 例文帳に追加

国是綱目（こくぜこうもく）は、明治2年（1869年）1月に当時の兵庫県知事であった伊藤博文が、県幹部3名（中島信行・田中光顕・何礼之）及び大阪に赴任中の会計官権判事の陸奥宗光とともに提出した建白書。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A white-color LED 1 each is apportioned to a plurality of groups against chromaticity coordinates of emission light, for instance, a total of five groups Ga, Gb, Gc, Gd, Ge whose chromaticity coordinates exist in areas near five chromaticity coordinates a to e.例文帳に追加

使用する白色ＬＥＤ１について放射光の色度座標を調べて複数のグループ、例えば、５つの色度座標ａ〜ｅにそれぞれ近い領域に色度座標が存在する合計５つのグループＧａ，Ｇｂ，Ｇｃ，Ｇｄ，Ｇｅに各白色ＬＥＤ１を振り分けておく。 - 特許庁

A bottom gate type thin film transistor is constituted which includes a semiconductor layer made of amorphous oxide containing In, Ga and Zn, and also has a source electrode or drain electrode formed before a source region or drain region when viewed from a gate electrode.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の手前側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるボトムゲート型薄膜トランジスタを構成する。 - 特許庁

The top gate type thin-film transistor includes the semiconductor layer comprising the amorphous oxide including In, Ga, and Zn, and includes the source electrode or the drain electrode at a side opposite to a source region or a drain region viewed from a gate electrode.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の向こう側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるトップゲート型薄膜トランジスタを構成する。 - 特許庁

The expression 'Roretsu-ga-mawaranai' has been used when trying to perform a number made for Ryosenpo with Rissenpo; the tone becomes strange and the notes become off-key (accordingly, when words cannot be continuously pronounced well in the context of a speech or a chant). 例文帳に追加

呂旋法を前提に作られた曲を律旋法で詠おうとすると調子がおかしくなることから、音の調子が合わない（転じて詠唱や講演でうまく言葉が続けて発音できない）ことを「呂律が回らない」と表現するようになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The first part of current flows through a large size induction coil (L50) and the first rectifier (Gm), while the second part of current is tapped before it flows the large induction coil in the input side and flows through the second rectifier (Ga).例文帳に追加

電流の第１の部分は、大きい誘導コイル（Ｌ５０）及び第１の整流器（Ｇｍ）を介し流され、電流の第２の部分は、入力側において大きい誘導コイルを通る前にタップされ第２の整流器（Ｇａ）を介し流される。 - 特許庁

An air flow meter output GAH is computed after correcting an air flow meter output GA multiplied by the pulsation/drift correcting coefficient K and the amount of intake air into the engine combustion chamber is detected in accordance with the air flow meter output GAH after the correction.例文帳に追加

そして、エアフロメータ出力ＧＡにこの脈動・偏流補正係数Ｋを乗算して補正後エアフロメータ出力ＧＡＨを算出し、この補正後エアフロメータ出力ＧＡＨに基づいて機関燃焼室に吸入される空気量を検出する。 - 特許庁

The low melting point alloy contains 20-55 wt.% Sn, 40-55 wt.% In, 0.05-1.5 wt.% Ga, 0.05-26 wt.% Bi, 0.05-1.2 wt.% Zn, 0.05-1.5 wt.% Ag and 0.05-1.0 wt.% Sb.例文帳に追加

Ｓｎが２０〜５５重量％、Ｉｎが４０〜５５重量％、Ｇａが０．０５〜１．５重量％、Ｂｉが０．０５〜２６重量％、Ｚｎが０．０５〜１．２重量％、Ａｇが０．０５〜１．５重量％、Ｓｂが０．０５〜１．０重量％含まれる低融点合金。 - 特許庁

The solar battery 10 consists of a transparent conductive substrate 1, a p-layer 2 made of Cu_2O and an amorphous In-Ga-Zn-O n-layer 3 formed on the substrate 1 by sputtering, and a metallic electrode 4 provided on the n-layer 3.例文帳に追加

太陽電池１０は、透明導電性基板１と、基板１上にスパッタリングによって形成された、Ｃｕ_２Ｏよりなるｐ層２及びアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏｎ層３と、このｎ層３上に設けられた金属電極４とからなる。 - 特許庁

The cathode catalyst for the fuel cell consists of an alloy which contains at least one element of the platinum group and at least one element selected from the group consisting of B, C, Be, Si, P, S, Ga, As and Se and the crystal structure of which is in an amorphous state.例文帳に追加

少なくとも一つの白金族元素と、Ｂ、Ｃ、Ｂｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｇａ、Ａｓ及びＳｅからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素とを含み、その結晶構造が非晶質状態である合金からなる燃料電池用カソード電極触媒。 - 特許庁

According to this invention, since a reaction to change the hydroxyl group in the Ga oxide film 108 into water can be accelerated by heat treatment and thereby the hydroxyl group can be removed, the Schottky electrode 111 having almost ideal characteristics can be obtained.例文帳に追加

この発明によれば、Ｇａ酸化膜１０８内の水酸基が水に変化する反応を加熱処理によって促進させることができ、これにより水酸基を取り除くことができるので、理想的な特性に近いショットキー電極１１１を得ることができる。 - 特許庁

The first electrode is a transparent thin film formed of an oxide containing at least one of In, Ga, and Zn, and the transparent thin film includes a low-resistance portion subjected to hydrogenation treatment or energy-irradiation treatment and a high-resistance portion.例文帳に追加

第１の電極は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを少なくとも１つ以上含む酸化物からなる透明薄膜であり、前記透明薄膜は水素添加処理又はエネルギー照射処理が施された低抵抗部と、高抵抗部とが形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The sputtering target contains an oxide of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), and contains a homologous structured compound expressed as InGaO_3 (ZnO)_m (where m represents an integer of 1-20), and a spinel structured compound expressed as ZnGa_2O_4.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）で表されるホモロガス構造化合物及びＺｎＧａ_２Ｏ_４で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。 - 特許庁

Those are compared respectively with a target spring constant K_0 and a target attenuation coefficient C_0; and each deviation (▵K, ▵C) are input in a controller 7d, assist gain Ga and damping gain Gd as control parameters are optimized and EPS is controlled by them.例文帳に追加

それらを目標ばね定数Ｋｏ及び目標減衰係数Ｃｏとそれぞれ比較し、各偏差（ΔＫ、ΔＣ）をコントローラ７ｄに入力し、制御パラメータとしてのアシストゲインＧａ及びダンピングゲインＧｄの最適化を行い、それによりＥＳＰを制御する。 - 特許庁

Based on the amount (passage air intake amount GA) of air passing through the upstream side of a connection portion of the fresh air guide passage in the air intake passage, a throttle opening TA, and an air intake pressure PM, an estimated PCV flow rate MP is calculated (S102 and S103).例文帳に追加

吸気通路における新気導入通路の接続部分より上流側部分を通過する空気の量（通路吸気量ＧＡ）とスロットル開度ＴＡと吸気圧力ＰＭとに基づいて推定ＰＣＶ流量ＭＰを算出する（Ｓ１０２，Ｓ１０３）。 - 特許庁

The Zn solder alloy, which contains 1-7 wt.% of Al, 0.5-6 wt.% of Mg, 0.1-20 wt.% of Ga, and 0.001-0.5 wt.% of P and is composed of the balance Zn and inevitable impurities, is used in the high-temperature brazing filler metal.例文帳に追加

本発明による高温ろう材は、Ａｌを１〜７重量％、Ｍｇを０．５〜６重量％、Ｇａを０．１〜２０重量％およびＰを０．００１〜０．５重量％含み、残部がＺｎおよび不可避不純物からなるＺｎ系はんだ合金を用いる。 - 特許庁

In the arrangement, an edge 6a of each top plate 6 projects from an inner surface of the raceway 3, and a gap Ga between the edge 6a and an outer periphery of a roller 7 is smaller than a gap Gb between the inner surface of the raceway 3 and the outer periphery of the roller 7.例文帳に追加

各上板６のエッジ６ａは軸受溝３の内部表面から突出し、エッジ６ａとロール７外周との間の間隙Ｇａが、軸受溝３の内部表面とロール７外周との間の間隙Ｇｂよりも小さくなる配置となっている。 - 特許庁

Thus, texture data quantity is compressed and registered and registration performance to a memory is improved in the case of registering texture data with the memory between the system 20 and the accelerator (GA) 40 provided with the memory internally storing texture data for graphic display acceleration.例文帳に追加

これにより、図形処理システム20と、描画の高速化用にテクスチャデータを内部に保持するメモリを備えるグラフィックスアクセラレータ(ＧＡ)40との間において、メモリへのテクスチャデータの登録の際に、テクスチャデータ量を圧縮して登録させ、メモリへの登録性能を向上させる。 - 特許庁

This ultraviolet photodetector has an ultraviolet photoreceiving element provided with a photo-semiconductor layer containing at least one or more kind(s) of element(s) selected from the group of Al, Ga and In, and nitrogen, and an electrode, on a substrate, and an end face of the substrate is a photoreceiving face.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる１種以上の元素と、窒素とを含む光半導体層、並びに電極を設けてなる紫外線受光素子を有し、前記基板の端面が受光面である紫外線受光器である。 - 特許庁

Even if the tip of this tooth 14 runs against near the point Ga on the tooth tip face 27 of another tooth 24 of the gear 21 when the rack is sliding, a locked condition will never be generated because the tooth tip faces do not bear each other, and meshing will accordingly be generated easily in the event of such collision.例文帳に追加

ラック１の摺動時にその歯１４の歯先が、歯車２１の歯２４の歯先面２７のうちの点Ｇａ近傍に衝突しても、互いの歯先面が担がないのでロック状態とならず、したがってこのような衝突時にはその分噛合いやすい。 - 特許庁

The purification filter comprises a whisker formed on a raw material substrate made of an alloy or a ceramic containing Mn, Al, Cr, In, Ag, Ga, Sn, Cu, Sc, Ge, Ti, Si, and the like.例文帳に追加

原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターであって、 上記原料基体が、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＳｉなどを含む合金やセラミックスより成る原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターである。 - 特許庁

An optical semiconductor device includes: a Ge layer 2; a first GaAs layer 3 which is formed on the Ge layer 2 and in which an As site of GaAs is partially substituted with Ga; and an active layer 4, containing GaAs, formed above the first GaAs layer 3.例文帳に追加

光半導体素子を、Ｇｅ層２と、Ｇｅ層２上に形成され、ＧａＡｓのＡｓサイトの一部がＧａで置換されている第１ＧａＡｓ層３と、第１ＧａＡｓ層３の上方に形成されたＧａＡｓを含む活性層４とを備えるものとする。 - 特許庁

A compound semiconductor multilayer thin film is formed into a structure, wherein an InSb buffer layer 2 doped with one of Al, Be, Zn, Mg, O and Ga as impurities and an undoped, Te-doped or Se-doped InSb active layer 3 are deposited in order on a semiinsulative GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上に、不純物としてＡｌ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、ＯまたはＧａの一つをドーピングしたＩｎＳｂバッファ層２と、アンドープまたはＴｅドープまたはＳｅドープのＩｎＳｂ活性層３とを順次堆積させた構造とする。 - 特許庁

To provide a method of forming a III-V compound semiconductor layer capable of reducing a hydrogen concentration in a III-V compound semiconductor crystal containing Ga (group III) and arsenic and nitrogen (group V) and reducing pile-up on a regrowth interface as well.例文帳に追加

本発明によれば、Ｇａ（III族）とヒ素、窒素（Ｖ族）とを含むIII−Ｖ化合物半導体結晶中の水素濃度を低減可能であり、再成長界面におけるパイルアップも低減可能な、III−Ｖ化合物半導体層を形成する方法が提供される。 - 特許庁

Thus, the generation of a Ga defect can be controlled in the sub-emitter layer 45, and the semiconductor wafer 1 can be manufactured so that a bipolar semiconductor element with a hetero joint can be manufactured without reducing a current amplification factor of β.例文帳に追加

これによりサブエミッタ層４５におけるＧａ欠陥の発生を制御することができ、この結果、電流増幅率βを低下させることのないヘテロ接合バイポーラ半導体素子の製作を可能とするように半導体ウェーハ１を製造することができる。 - 特許庁

The founder of the sect, Kukai (774-835) was born at Byobu-ga-ura Sanuki-no-kuni (讃岐国屏風浦) (current Zentsu-ji City, Kagawa Prefecture); and as a thinker, writer and talented calligrapher from among the Sanpitsu (the three great calligraphers of history), as well as a Buddhist, he had a strong influence on Japanese culture in later years. 例文帳に追加

宗祖・空海（774-835年）は、讃岐国屏風浦（現・香川県善通寺市）の出身で、仏教者であるとともに思想家、著述家、また「三筆」の1人に数えられる能書家として、後の日本文化に多大な影響を与えた人物である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The pneumatic tire is lined with an inner liner layer 8 for preventing air permeation and has main grooves 9 extending in a circumferential direction of the tire on the outer circumference of a tread 1, wherein the thickness Gt of inner liner layers 8t in regions corresponding to the main grooves 9 is greater than the thickness Ga of the inner liner layer 8 not in that regions.例文帳に追加

タイヤの内側に空気透過防止用のインナーライナー層８を内貼りし、トレッド１の外周にタイヤ周方向に延長する主溝９を配置した空気入りタイヤにおいて、主溝９に対応する領域のインナーライナー層８ｔの厚さＧｔを、この領域以外のインナーライナー層８の厚さＧａよりも大きくしたことを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing an oxide sintered compact is characterized in that raw material powder comprising one or more metallic elements selected from Zn, Sn, In, Ga and Ti and in which a part of the metallic element includes oxide solid-solution substituted with a metallic element having a valence higher than that of the metallic elements is subjected to electrifying sintering in such a manner that DC pulse current is made to flow under pressure.例文帳に追加

Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ及びＴｉから選択される１又は２以上の金属元素を含有し、金属元素の一部が、金属元素の価数よりも高い金属元素で置換固溶されている酸化物を含む原料粉末を、加圧下で直流パルス電流を通電して通電焼結させることを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。 - 特許庁

The In-Ga-Zn based compound oxide sintered body contains a first phase formed of ZnGa_2O_4 crystal, and a second phase formed of an In_2O_3 crystal, and the total phase area ratio of the first and second phases to the entire phase in an optional section of the sintered body is ≥70% and ≤100%.例文帳に追加

本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａ_2Ｏ_4結晶で形成される第１相と、Ｉｎ_2Ｏ_3結晶で形成される第２相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相および第２相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。 - 特許庁

The In-Ga-Zn-O-based oxide semiconductor layer includes structure including a crystal grain expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m=1) in amorphous structure expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m>0).例文帳に追加

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層は、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表される非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む構造を有する。 - 特許庁

In the exhaust sensor provided in an exhaust pipe of an internal combustion engine, a heater control device of the exhaust sensor controlling a current-carrying condition of the heater permits current-carry of the heater under a condition where a state that intake air quantity GA of the internal combustion engine is criterion value GAst or more continues for a predetermined period of time.例文帳に追加

内燃機関の排気管に設けられた排気センサについて、そのヒータの通電状態を制御する排気センサのヒータ制御装置は、内燃機関の吸入空気量ＧＡが判定値ＧＡｓｔ以上である状態が所定期間継続したことを条件にヒータの通電を許可する。 - 特許庁

On the n-type GaN substrate 11 in which the groove 16 is formed, a GaN-based semiconductor layer 25 which includes an active layer 19 formed of a nitride-based III-V group compound semiconductor including In and Ga is grown to manufacturer a GaN-based semiconductor laser having the end surface window structure.例文帳に追加

この溝１６が形成されたｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させることにより、端面窓構造を有するＧａＮ系半導体レーザを製造する。 - 特許庁

A low-resistance n-type AlN crystal is obtained by substituting a part of Al atoms in an AlN crystal with group IIIa elements (such as Sc, Y and La) or/and group IIIb elements (such as B, Ga and In), and substituting one adjoining nitrogen (N) atom with an oxygen (O) atom to form a shallow impurity level.例文帳に追加

本発明によれば、ＡｌＮ結晶のＡｌ原子の一部を、IIIａ族元素（Ｓｃ,Ｙ,Ｌａ等）又は／及びIIIｂ族元素（Ｂ,Ｇａ,Ｉｎ等）で置換し、隣接する窒素（Ｎ）１原子を酸素（Ｏ）原子で置換することにより、浅い不純物準位が形成され、低抵抗ｎ型ＡｌＮ結晶を得ることができる。 - 特許庁

A vapor concentration correcting coefficient FGPG at fuel injection time TAU is calculated on the basis of changes in an air/fuel ratio if gas in the air chamber 46 is purged toward an intake passage 50 of an internal combustion engine, with keeping an engine speed NE and intake air amount Ga of the internal combustion engine 20 at a constant value.例文帳に追加

内燃機関２０の機関回転数ＮＥおよび吸入空気量Ｇａを共に一定値に維持した状態で、空気室４６内のガスを内燃機関の吸気通路５０に向けてパージした場合の空燃比の変化に基づいて、燃料噴射時間ＴＡＵにおけるベーパ濃度補正係数ＦＧＰＧを算出する。 - 特許庁

The permanent magnet comprises MnBi powder and Sm_2Fe_17-xM_xN_y based magnet powder (wherein, M denotes at least one or more kinds selected from Mn, Co, Zr, Al, Ga, Ta, Nb and Ti), and in which the content of the MnBi lies in the range of 8 to 50 mass% of total weight.例文帳に追加

永久磁石は、ＭｎＢｉ粉末とＳｍ_２Ｆｅ_１７−ｘＭ_ｘＮ_ｙ系磁石粉末（但し、ＭはＭｎ，Ｃｏ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｇａ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉの内から選ばれる、少なくとも一種類以上，ｘ＝０〜３，ｙ＝１〜４）を含み、前記ＭｎＢｉの含有量が総重量の８質量％以上、５０質量％以下の範囲である。 - 特許庁