「Ga-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

When a carbon fiber containing graphite is immersed in a high-temperature liquid Ga, the graphitization reaction of graphite crystals divided on the surface of the graphite fiber takes place to realize the joining of graphenes.例文帳に追加

高温の液体Ｇａ中にグラファイトを含有する炭素繊維を浸漬すると、炭素繊維の表面で分断していたグラファイト結晶に対するグラファイト化反応が進行し、グラフェン同士の接合が実現する。 - 特許庁

A map MAPc is created by using a catalyst bed temperature, which influences on activity of catalytic reaction, and an intake air volume GA as parameters, and the map MAPc is used for calculating a PM oxidative rate Vc (in S104).例文帳に追加

ＰＭ酸化速度Ｖｃを算出するために、触媒反応の活性に影響する触媒床温と共に吸入空気量ＧＡをパラメータとして作成したマップＭＡＰｃを用いている（Ｓ１０４）。 - 特許庁

A first generation unit 62 generates a processing coefficient sequence GA in which a coefficient value g[k] for each frequency is set so as to emphasize the localization component through subtraction processing including subtraction between the sum component M and the difference component S.例文帳に追加

第１生成部６２は、定位成分が強調されるように周波数毎の係数値ｇ[k]が設定された処理係数列ＧAを、和成分Ｍと差成分Ｓとの間の減算を含む減算処理で生成する。 - 特許庁

To attain excellent electrodeposition coating property by increasing the precision of current value and voltage value between a material to be coated and an electrode and predicting the electrodeposition coating property (the generation of pin holes, throwing power and film thickness in a galvannealed(GA) steel sheet).例文帳に追加

電着塗装において、被塗物の一部と電極との間の電流値、電圧値の精度を上げ、電着塗装性（ＧＡ鋼板のピンホール発生、つきまわり性、膜厚）を予測し、良好な電着塗装性を得る。 - 特許庁

The method for manufacturing the nitride semiconductor element comprises the step of forming a semiconductor layer containing at least one or more of elements selected from the group consisting of Al, Ga and In on the surface of a substrate by using a mask.例文帳に追加

基板表面に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの内の１以上の元素及び窒素を含む半導体層を、マスクを用いて形成することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

As its one mode, when the output of the oxygen sensor inverts (timing t3) in a situation that the intake air amount GA is smaller than a determination value β, a target air-fuel ratio (a rich air-fuel ratio) immediately before the inversion is maintained.例文帳に追加

その一態様として、吸入空気量ＧＡが判定値βよりも少ない状況下で酸素センサの出力が反転する（タイミングｔ３）と、その反転直前の目標空燃比（リッチ空燃比）を維持する。 - 特許庁

The light absorbing layer 3 is constituted of XYZ_2 (X is at least one element between Cu and Ag, Y is at least one element among B, In Ga and Al, and Z is at least one element among S, Se and Te).例文帳に追加

光吸収層３は、ＸＹＺ_２（Ｘ＝Ｃｕ、Ａｇのうち少なくとも１元素、Ｙ＝Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌのうち少なくとも１元素、Ｚ＝Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのうち少なくとも１元素）により構成される。 - 特許庁

One to less than 1,000 wt.ppm of at least one of Co and Zn, one to less than 1,000 wt.ppm and one to less than 400 wt.ppm of at least one of La, Y, Ga, Be, Ca and Eu are contained in high purity gold.例文帳に追加

高純度金にＣｏ，Ｚｎのうち少なくとも１種を１重量ppm 以上１０００重量ppm 未満、Ｍｎを１〜１０００重量ppm 、及びＬａ，Ｙ，Ｇａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｅｕのうち少なくとも１種を１〜４００重量ppm 含有させる。 - 特許庁

The oxide ion conductor is represented by the formula (1): La_10±_d(Si_6-xM_x)O_27 (wherein Ms are each identical to or different from each other and each represents Mg, Al, Sc, Ga, Y or In; d is 0.5; and 0<x≤0.9).例文帳に追加

下記一般式（１）；Ｌａ_10±_d（Ｓｉ_6-xＭ_x）Ｏ_27（１）（式中、Ｍは、同一若しくは異なって、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｇａ、Ｙ又はＩｎを表す。ｄは、０．５である。）で表され、０＜ｘ≦０．９の関係を満たすことを特徴とする。 - 特許庁

In details, throttle opening TA is maintained at full close at the early stage of start, and throttle opening TA is increased to make intake air quantity Ga of the engine 1 greater than the reference air quantity Gab after that.例文帳に追加

より詳しくは、始動初期におけるスロットル開度ＴＡを全閉に維持し、それ以降にエンジン１の吸入空気量Ｇａが基準空気量Ｇａｂよりも多くなるようにスロットル開度ＴＡを増加させる。 - 特許庁

The method for growing the n-type silicon single crystal of P-dope by CZ method is characterized by using a raw material melt having at least one of Ga, In or Al initially added as the secondary dopant to P as a main dopant.例文帳に追加

ＣＺ法によりＰドープのｎ型シリコン単結晶を育成する際に、主ドーパントであるＰに対する副ドーパントとしてＧａ、Ｉｎ又はＡｌの少なくとも１種を初期添加した原料融液を使用する。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of forming a film sufficiently containing Se by sputtering as a laminated film for forming a Cu-In-Ga-Se quaternary alloy film, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金膜を形成するための積層膜として、スパッタ法により十分にＳｅを含有した膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

During this period, the residence near the Saru-ga-tsuji Crossroads was confiscated in order to expand the Kyoto Imperial Palace, and Imperial Prince Takahito had to move to the family's secondary residence called the Ebisugawa Villa, whose site is currently used for Kyoto City Dohda Senior High School of Arts. 例文帳に追加

この期間中、猿ヶ辻の邸宅は京都御所拡張のために召し上げられ、幟仁親王は現在の京都市立銅駝美術工芸高等学校の場所にあった宮家の夷川別邸に転居した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In one embodiment, sodium tetraborate is reduced to sodium and boron by at least one among a hydrocarbon, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a metal hydride, Al, Ga, Si or P.例文帳に追加

本発明の一態様においては、四ホウ酸ナトリウムは、炭化水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、金属水素化物、Ａｌ、Ｇａ、ＳｉまたはＰの少なくとも一つによりナトリウムとホウ素に還元される。 - 特許庁

Besides, there is also a question why 'shikago' (four villages) was written as 'shikankau,' but about this question, Takashi KAMEI of Hitotsubashi University has expressed the view that 'n' was a light nasal sound which preceded 'ga' sound in those days. 例文帳に追加

また、「四箇郷」をなぜ「シカンカウ」と表記したのかという疑問も存在するが、この点に関しては一橋大学の亀井孝が、「ン」は当時の発音における「ガ音」に先行する軽鼻音であるとの見解を示している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a focused ion beam device capable of converging the beam diameter to a desired value using a gas ion source as an ion source and capable of responding to wide applications of same level as in the case using a Ga liquid metal ion source as the ion source.例文帳に追加

イオン源としてガスイオン源を用いていながら、ビーム径を所望値にまで絞ることができ、イオン源としてＧａ液体金属イオン源を用いた場合と同程度の幅広いアプリケーションに対応できる。 - 特許庁

The amorphous optical semiconductor containing 1 to 50 atom% hydrogen, at least one or more elements of Al, Ga and In, nitrogen and ≤15 atom% each of oxygen and carbon is suitably used.例文帳に追加

また、１原子％以上５０原子％以下の水素と、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの一つ以上の元素と、チッ素元素とを含み、酸素と炭素が各々１５原子％以下である非晶質光半導体が好適である。 - 特許庁

The shikishi were originally at Nanshu-ji Temple in Izumi Province, but Sanekatsu obtained 12 of them from Mitsuhiro KARASUMARU via Sogan KOGETSU and made them into a book, adding kinji senmen-ga (gold-background picture) that depicted the meanings of the poems to each piece. 例文帳に追加

色紙はもと和泉国南宗寺に存したが、将監がその内の12枚を江月宗玩を介して烏丸光広から入手し、1枚ごとにその歌意を描いた金地扇面画を添えて帖に仕立てた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In a first step, a vapor deposition method with a polycrystalline sintered body having an IGZO-based composition as a target is used to form, on a substrate 12, a thin film 10A comprising an amorphous oxide semiconductor containing at least one element in a group comprising In, Ga, and Zn.例文帳に追加

第１工程として、基板１２上に、ＩＧＺＯ系の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとした気相成膜法を用いて、ＩｎとＧａとＺｎからなる群のうち少なくとも１つの元素を含有する非晶質酸化物半導体からなる薄膜１０Ａを成膜する。 - 特許庁

Furthermore, the quantity of raw materials to be supplied per unit time is modulated, so that the quantity of Ga source (TMGa) to be supplied per unit time, illustrated in Fig.(A), synchronously changes with an inverse phase to the quantity of In source (TMIn) to be supplied per unit time, illustrated in Fig.(B).例文帳に追加

また、図２(Ａ)に示すＧａ源(ＴＭＧａ)の単位時間当たりの供給量は、図２(Ｂ)に示すIｎ源(ＴＭIｎ)の単位時間当たりの供給量に対して逆位相で同期して変化するように、原料の単位時間当たりの供給量の変調を行っている。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor giving no damage to a semiconductor layer in a process for making conductivity of the semiconductor layer comprising an amorphous oxide including In, Ga, and Zn high, and in an etching process of a source electrode and a drain electrode, and to provide a liquid crystal display using the same.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層の高導電率化工程やソース電極及びドレイン電極のエッチング工程において、半導体層にダメージを与えないような薄膜トランジスタ及びこれを用いた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A cylindrical toner recovery roll 23 is rotated in contiguity with and in opposition to a photosensitive drum 9 and a developing sleeve 21, and a DC voltage with the same polarity as the charge polarity of toner is applied to the toner recovery roll 23 to thereby electrostatically attach scattered reversely charged toner to the cylindrical surface thereof in a developing area GA.例文帳に追加

感光ドラム９及び現像スリーブ２１に近接対向させて、円筒状のトナー回収ロール２３を回転させ、トナーの帯電極性と同極性の直流電圧を印加して、現像領域ＧＡにおいて飛散した反転帯電トナーを円筒面に静電的に付着させる。 - 特許庁

An IGZO layer is formed on a substrate by vapor-depositing ions including In, Ga, and Zn from a first target, and the compositional ratio of In of the IGZO layer is turned to be 45 to 80 atomic% by vapor-depositing the ions including In from a second target.例文帳に追加

第１ターゲットからＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むイオンが蒸着されて基板上にＩＧＺＯ層が形成されるようにして、第２ターゲットからＩｎを含むイオンが蒸着されて前記ＩＧＺＯ層のＩｎの組成比が４５ないし８０ａｔ％になるようにする。 - 特許庁

In a mercury-free ceramic metal halide lamp (1), any one of halides of Zn, Al, Ga, In, and Sn is encapsulated, and a temperature difference between an upper part and a lower part of the light-emitting tube surface is restricted to 200°C or lower by disposing a center of electrodes in a lower side of a center of a light-emitting part.例文帳に追加

無水銀セラミックメタルハライドランプ（１）には、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎのいずれかのハロゲン化物が封入され、電極間中心を発光部中心よりも下側に配置することにより、発光管表面温度の上部温度と下部温度の差を２００℃以下に抑制する。 - 特許庁

This exhaust emission purifying catalyst is constituted by supporting a noble metal (at least one of Pt, Pd, Rh, Ir or the like) on a metal composite oxide carrier containing at least one of Al, Ga, In and Sn, W and Zr and characterized in that the non-monocline/monocline ratio in a ZrO2 crystal system is 1 or more.例文帳に追加

Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｎのうちの少なくとも１種とＷおよびＺｒを含みかつＺｒＯ_2の結晶系における単斜晶以外／単斜晶の比が１以上である金属複合酸化物担体に、貴金属（Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ等のうちの少なくとも１種）が担持されてなる排ガス浄化用触媒。 - 特許庁

It is thought that the term 'Nihon-ga' used by Fenollosa for the first time did not simply refer to all drawings existing in Japan prior to the arrival of western oil painting, but more specifically to the style which had roots in China and the Korean Peninsula but was developed independently and matured in Japan. 例文帳に追加

フェノロサが最初に使った「日本画」という言葉は、西洋から渡来した油彩画に対して、それまでに日本にあった図画全般を単に指すものではなく、中国や朝鮮半島に由来しながらも、日本の中で熟成、独自に発展した様式について言っているものであろう。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In this sprinkler head, as the low-melting point alloy of the thermosensitive material used for the thermosensitive decomposition part, an alloy consisting of at least two metals selected from Sn, Bi, In, Zn, Ga and Ag, and Pb and Cd are not contained in this low-melting point alloy.例文帳に追加

本発明のスプリンクラーヘッドは、感熱分解部分に使用する感熱材料の低融点合金がＳｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ａｇから選ばれた二種以上の金属からなる合金を使用し、該低融点合金中にはＰｂやＣｄが全く含まれていない。 - 特許庁

To provide a semiconductor oxide of thin-film transistor that is excellent in switching characteristic and stress resistance of a thin-film transistor of In-Zn-O excluding Ga and particularly that has a small threshold voltage variation before and after positive bias stress application and is excellent in stability.例文帳に追加

Ｇａを含まないＩｎ−Ｚｎ−Ｏの酸化物半導体を備えた薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特に正バイアスストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。 - 特許庁

Accordingly, an In material gas contained in the material gas supplied from the material gas supply section 104 contacts, for example, the metal Ga heated at 50°C by passing through the gallium arranging section 105, and then, is supplied to the surface of a substrate W.例文帳に追加

従って、原料ガス供給部１０４より供給される原料ガスに含まれているＩｎ原料ガスは、ガリウム配置部１０５を通過することで、例えば５０℃に加熱された金属Ｇａに接触し、この後、基板Ｗの表面に供給されることになる。 - 特許庁

In the case of ΔP/GA≥Dp (Yes in S126), the estimated deposit amount PMsm is converted into the value of an increase conversion amount UPpm (S130), so that the estimated deposit amount PMsm can be brought close to or coincide with the actual deposit amount.例文帳に追加

そしてΔＰ／ＧＡ≧Ｄｐである場合には（Ｓ１２６でＹＥＳ）、推定堆積量ＰＭｓｍを増加変換量ＵＰｐｍの値に変換している（Ｓ１３０）ので、推定堆積量ＰＭｓｍを実堆積量に近づけること、あるいは一致させることができる。 - 特許庁

The holding surface 6 of the cutting blade 10 established in the base member 2 is prepared with an inclination angle θ1 in a direction which gradually separates from the first guide surface 3 toward the other side Gd from the one side Ga of the glass substrate G to the first guide surface 3.例文帳に追加

ベース部材２に設けた切断刃１０の保持面６は、第１の案内面３に対して、ガラス基板Ｇの一面Ｇａから他面Ｇｄに向かって、第１の案内面３から漸次離れる方向の傾斜角度θ１をもって設けられている。 - 特許庁

The copper alloy material has a composition comprising, by mass, 0.05 to 0.3 mass% Zr, and comprising one or more kinds selected from Mg, Ti, Zn, Ga, Y, Nb, Mo, Ag, In and Sn by 0.01 to 0.3 mass% in total, and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

銅合金材は、Ｚｒを０．０５〜０．３質量％含有し、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎの中から選択した１種以上を総量で０．０１〜０．３質量％含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁

The manufacturing method includes an embedding step to form a buried layer 14 by achieving the growth of semiconductor crystal containing In or Ga as a group III element while supplying oxygen in a step region M1 present on the (100) surface of group III-V compound semiconductor crystal.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の（１００）面上に存在する段差領域Ｍ１を、酸素を供給しながらＩＩＩ族元素としてＩｎ又はＧａを含む半導体結晶を成長させて埋込層１４を形成する埋込工程を含む。 - 特許庁

To provide a copper gallium alloy suitable for a hardly cracked sputtering target material, by reducing a dispersion of a gallium concentration in an inside of an alloy ingot, even in the copper-gallium alloy ingot having a relatively high composition ratio of Ga manufactured, for example, by melting and casting.例文帳に追加

例えば溶解鋳造によって製造されたＧａの組成比が比較的大きい銅ガリウム合金塊であっても、合金塊内部でのＧａ濃度のばらつきを少なくして、ひび割れしにくいスパッタリングターゲット材に適した銅ガリウム合金を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the insulated gate transistor whose the active layer is comprised of the oxide containing at least one element of In, Ga and Zn, the desorption gas observed as the water molecule by the temperature rising desorption analysis is 1.4 molecules/nm^3 or less.例文帳に追加

活性層がＩｎ、Ｇａ、Ｚｎの内、少なくとも1つを含む酸化物である絶縁ゲート型トランジスタの製造方法において、活性層の成膜後の、昇温脱離分析により水分子として観測される脱離ガスを１．４個／ｎｍ^３以下とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing a p-type semiconductor crystal by subjecting the semiconductor crystal to donor acceptor simultaneous doping, the semiconductor crystal (for example, ZnO) is supplied intermittently with donor impurities (for example, Ga), in the manufacturing process of the p-type semiconductor crystal.例文帳に追加

半導体結晶にドナー・アクセプタ同時ドーピングを行ってp型半導体結晶を製造する方法において、上記p型半導体結晶の製造過程において、上記半導体結晶（たとえば、ＺｎＯ）にドナー不純物（たとえば、Ｇａ）を断続的に供給する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor that uses an oxide semiconductor film containing indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), in which contact resistance of a source electrode layer or drain electrode layer is reduced, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

A source region improved in conductivity is formed by irradiating a semiconductor layer formed of amorphous oxide containing In, Ga and Zn with an ultraviolet ray, and auxiliary capacitance lines are formed between pixel electrodes and the source electrode through an insulating layer.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層に紫外線を照射することにより高導電率化されたソース領域を構成し、補助容量線を画素電極とソース領域との間にそれぞれ絶縁層を介して形成する。 - 特許庁

In this semiconductor element, a compound semiconductor layer containing nitride based compound semiconductor composed of at least one element selected out of at least Al, Ga and In, and nitrogen element is formed as a window layer on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に、少なくともＡｌ，Ｇａ及びＩｎから選択される１以上の元素と窒素元素とからなる窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層を窓層として形成したことを特徴とする半導体素子である。 - 特許庁

Famous ones are the Hollyhock of Aoi festival mentioned above, kokoroba (artificial flowers) of a plum blossom and Ground Pine worn on the headdress by Omi (officials serving for Shinto rites), Hollyhock and Moonflower (also Chinese bellflower) worn by sumo wrestlers at Sumai no sechie (the Imperial ceremony of Sumo wrestling), and scarlet maple and Chrysanthemum (utsuroi-giku (reverse chrysanthemum)) in "Momiji no Ga (The Autumn Excursion)" in the Tale of Genji, though this is a fiction. 例文帳に追加

有名なものには先に述べた葵祭の葵、小忌の人が冠に飾る心葉（梅）と日陰葛、相撲節会の力士が飾る葵とユウガオ（キキョウも用いる）、フィクションだが源氏物語「紅葉賀」の紅葉と菊（移菊）などがある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a low-cost ferromagnetic shape-memory alloy which is excellent in magnetic properties and processibility and is suitable as a magnetic field-sensitive actuator or a sensor utilizing magnetism.例文帳に追加

Gaを20〜32原子％，Feを15〜45原子％含有し、かつCo，MnおよびAlの中から選ばれる１種または２種以上を含有し、残部がNiおよび不可避的不純物からなり、かつGa，Fe，Co，Mn，Al，Niが下記の(1)式で表わされる組成バランスを持つ組成と、ｂｃｃ基規則構造のオーステナイト相からなる単相組織またはｂｃｃ基規則構造のオーステナイト相とｆｃｃ構造の不規則相とからなる２相組織と、を有する強磁性形状記憶合金である。 - 特許庁

By using amorphous In-Ga-Zn-O as the n-layer 3; occurrence of discontinuation, a void or the like can be prevented on a joint interface between the n-layer 3 and the p-layer 2, thereby forming a good joint interface.例文帳に追加

ｎ層３としてアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを用いることから、ｎ層３とｐ層２との接合界面に不連続性やボイド等が発生することが防止され、良好な接合界面が形成される。 - 特許庁

It is preferable that low melting point metal is alloy of at least two types of metal selected from In, Bi, Pb, Sn, Cd, Ga, Sb and that solid lubricant is at least one type selected from MoS_2, WS_2, graphite, hBN.例文帳に追加

前記低融点合金は、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｓｂ、の少なくとも２種以上から選ばれた合金であり、前記固体潤滑剤が、ＭｏＳ_２ 、ＷＳ_２ 、黒鉛、ｈＢＮの少なくとも一種からなることが好ましい。 - 特許庁

A high quality wafer comprises Al_xGa_yIn_zN (wherein 0<y≤1 and x+y+z=1) and is characterized by a root mean square surface roughness of less than 1 nm in a 10×10 μm^2 area at its Ga-side.例文帳に追加

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。 - 特許庁

In the central rubber part GA, tangent loss tanδA is made to 2.5 times of tangent loss tanδB of the outer rubber part GB and complex modulus of elasticity E^*A is made to 0.6 times of complex modulus of elasticity E^*B of the outer rubber part GB.例文帳に追加

中央ゴム部ＧＡは、その正接損失 tanδＡを、外側ゴム部ＧＢの正接損失 tanδＢの２．５倍以上とし、しかもその複素弾性率Ｅ^* Ａを、外側ゴム部ＧＢの複素弾性率Ｅ^* Ｂの０．６倍以下とした。 - 特許庁