「Growth process」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a silicon single crystal production process which enables production of a silicon single crystal bar having high uniformity in interstitial oxygen concentration in the direction of the growth axis of the single crystal, in a high yield and with high productivity, in a transverse magnetic field-applied CZ(Czochralski) method, and also to provide a device for the production process.例文帳に追加

横磁場を印加するＣＺ法において、単結晶の成長軸方向の格子間酸素濃度の均一性が高い単結晶棒を高生産性、高歩留りで製造できるシリコン単結晶の製造方法と製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a microwave heating drying method by which coating film quality is improved by fully suppressing pinhole growth, smoothness of the coating film can be made very good, process time can be greatly shortened and drying of the coating film can be finished only by a process of microwave heating.例文帳に追加

ピンホール発生を十分に抑制して塗膜品質を向上し、塗膜の平滑性を極めて良好にでき、大幅に工程時間を短縮でき、マイクロ波加熱の工程だけで塗膜乾燥を完了できるマイクロ波加熱乾燥方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial growth method of semiconductor element in which a uniform shape can be formed epitaxially by preventing etching damage of a silicon peripheral insulation film being grown in the surface treatment process of a semiconductor substrate for SEG process.例文帳に追加

ＳＥＧ工程のための半導体基板の表面処理工程において成長させるシリコン周辺絶縁膜のエッチング損傷を防止することにより、均一な形状のエピチャネルを形成し得る半導体素子のエピチャネル形成方法を提供すること。 - 特許庁

The method for etching the surface of a seed crystal is characterized by including a process for introducing catalytic agents 6 and 76 into a crystal growth vessel 12 after housing a seed crystal 2 in a reaction chamber 11 and a process for raising the temperature in the reaction chamber 11.例文帳に追加

本種結晶表面のエッチング方法は、種結晶２を反応室１１内に格納した後、触媒剤６および７６を結晶成長容器１２に導入する工程、反応室１１内を昇温する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In this manufacturing method, as shown by Figure 1(a), a process for forming a step-difference pattern 2 on a surface of a semiconductor substrate 1, and a process for forming a CVD oxide film 10 whose film thickness d1 exceeds 1 μm on the step-difference pattern 2 by using a chemical vapor growth method, are performed.例文帳に追加

図１（ａ）に示すように、半導体基板１の表面に段差パターン２を形成する工程と、段差パターン２の上に化学気相成長法を用いて膜厚ｄ１が１μｍを超えるＣＶＤ酸化膜１０を形成する工程を行う。 - 特許庁

A method of manufacturing a metal oxide film on a substrate using the ALD method includes a process of bonding a monomolecular layer of not more than one gas metal compounds onto a growth substrate, and a process of converting the bonded metal compounds into metal oxides.例文帳に追加

ＡＬＤ法によって基板上に金属酸化物薄膜を製造する方法は、成長基板に約１つを超えない気体金属化合物の単分子層を結合させる工程と、結合した金属化合物を金属酸化物に変換する工程とを含む。 - 特許庁

The two-step process accurately controls the exothermicity of the reaction, which allows for a very accurate temperature control which controls the growth of the particles and results in obtaining UO_2 powder that is active.例文帳に追加

この２工程製法は反応の発熱度を正確に制御することによって、粒子の成長を制御して活性のUO_2粉末を得るのに必要な極めて正確な温度制御を可能にする。 - 特許庁

At first, in the first growth process, NH_3 and TMG are turned on (supplied) in the chamber of an MOCVD device and TMA is turned off (stopped) in order to grow an electron traveling layer (GaN layer).例文帳に追加

まず、第１成長工程においては、電子走行層（ＧａＮ層）を成長させるため、ＭＯＣＶＤ装置のチャンバ内に、ＮＨ_３とＴＭＧがオン（供給）され、ＴＭＡはオフ（停止）とされる。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a semiconductor device improved in yield, where a silicon epitaxial growth layer can be regulated in impurity concentration without using doping gas, such as PH3 or the like in a process where a silicon epitaxially grown layer is formed.例文帳に追加

シリコンエピタキシャル成長層の形成においてＰＨ_３等のドーピングガスを用いることなく、シリコンエピタキシャル成長層の濃度を調整できる、歩留まりの良い半導体素子の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a unibody, multi-piece crucible for use in elemental purification, compounding, and growth of semiconductor crystals, e.g., in the process of molecular beam epitaxy (MBE) for melting silicon or the like at high temperature.例文帳に追加

半導体結晶の元素の精製、複合化および成長、例えば、高温でシリコン等を溶解する分子線エピタキ法（ＭＢＥ）において用いる一体もの、複数片のるつぼを提供する。 - 特許庁

The coco piece is excellent in water retention and air permeability, has richly nutritious ingredients essential for growth of lawn, and has no risk of getting mixed with seeds of weed and the like because the mat can be sterilized in its production process.例文帳に追加

ココピスは、保水性及び通気性に優れ、かつ、芝の生育に欠かせない栄養成分が豊富で、製造過程で殺菌処理できるから、雑草などの種子が混入するおそれがない。 - 特許庁

An aluminum alloy may be usable and a filler may preferably be included in the frictional agitation welding place in order to eliminate problems involved in the growth of a crystal grain and in the revolution process.例文帳に追加

アルミニウム合金が使われてもよく、結晶粒の成長および回転工程におけるそれと関連する問題を低減させるため、充填材が摩擦攪拌溶接箇所に含まれていてもよい。 - 特許庁

It was found that the anticancer agent containing cells obtained by the process consisting of the steps of (1) and (2) as an active ingredient inhibited angiogenesis peculiar to a cancer tissue and diminished the cancer growth. 例文帳に追加

本発明では、 (1)～(2)からなる工程により得られた細胞を有効成分として含有する抗癌剤により、癌組織特有の血管新生が抑制され、癌が縮小することを見出した。 - 特許庁

To provide a crystallizer for shortening the time required for crystallization by starting the crystal growth process at the point of time when a predetermined amount of a concentrated liquid is stored in a concentrated liquid storage chamber having a small volume.例文帳に追加

小容積の濃縮液収容室に所定量の濃縮液が溜まった時点から結晶成長プロセスを開始することにより晶析に要する時間を短縮できる、晶析装置提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SIMOX wafer forming a highly reliable BOX, without introducing the process of an ITOX processing or epitaxial growth or the like, by implantation of for a low dose oxygen ions.例文帳に追加

低ドーズ量の酸素イオン注入で、ＩＴＯＸ処理やエピタキシャル成長等の工程を導入することなく、信頼性の高いＢＯＸを形成できるＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The bonded metal compounds are converted into the metal oxides through contact with vapor of a reactive oxide source other than water, and the substrate is kept at a temperature of less than 190°C during such a growth process.例文帳に追加

結合した金属化合物は、水以外の反応性酸素源蒸気と接触することによって金属酸化物に変換され、基板は成長工程の間１９０℃未満の温度に保たれる。 - 特許庁

The positions and growth directions of the carbon nanotubes 1 to be synthesized starting at the exposed surfaces of the catalytic layers 4 are controlled by changing the positions and directions in the exposed surface formation process.例文帳に追加

触媒層４の露出面を形成する位置及び方向を変更することにより、この露出面を成長起点として合成されるカーボンナノチューブ１の位置及び成長方向を制御する。 - 特許庁

To provide a method for detecting an occurrence place of thrombus and for observing a process of the growth of the thrombus visually, and to provide a thrombus observation device using thereof.例文帳に追加

正確に血栓の発生個所を検知することができ、また、血栓が成長していく過程を視覚的に観察することができる方法及びこれを利用した血栓観察装置を提供する。 - 特許庁

A process to prevent growth and propagation by means of applying the fourth class ammonium compounds in effective dosages indicated in Claim 1 on the microbes selected from bacteria and fungi. 例文帳に追加

細菌及び真菌から選ばれる微生物に、有効量の請求項１に記載の第四級アンモニウム化合物を適用することよりなる、上記微生物の発育および増殖を阻止する方法。 - 特許庁

On the basis of these reports, we carried out a consultative mutual assessment process and developed a basket of policy options to achieve stronger, more sustainable and more balanced growth. 例文帳に追加

これらの報告を基礎として、我々は協力的な相互評価のプロセスを実施し、より強固で、より持続可能で、より均衡のとれた成長を達成するための一連の政策オプションを策定した。 - 財務省

Building on the success of the Toronto Summit, the Framework for Strong, Sustainable and Balanced Growth was refined, with the mutual assessment process carried out at country-level to tackle both short and medium term challenges. 例文帳に追加

トロント・サミットの成功の上に立ち、強固で持続可能かつ均衡ある成長のための枠組み（フレームワーク）は精緻化され、短期と中期の課題に取り組むため、国レベルでの相互評価プロセスを実施した。 - 財務省

To suppress the maintenance work, or to enhance the safety in the work, in a process of detoxifying the exhaust gas generated in a manufacturing device for a semiconductor or a liquid crystal module such as a film growth device, etc.例文帳に追加

成膜装置等の半導体あるいは液晶モジュールの製造装置において発生する排ガスの除害工程において、メインテナンス作業を抑制し、あるいはその作業の安全性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method by which the shape (morphology) of the growth surface of a diamond can be easily controlled when a diamond single crystal is grown on a diamond substrate by a microwave plasma CVD process.例文帳に追加

マイクロ波プラズマＣＶＤ法によってダイヤモンド基板上にダイヤモンド単結晶を成長させる際に、ダイヤモンドの成長面の形状（モフォロジー）を簡単に制御できる方法を提供する。 - 特許庁

A coil voltage (Vwc) is detected by a coil voltage detecting circuit 20 through the terminal of each work coil 11 while the single crystal growth process proceeds, and the detection result is fed back to a computer control part 18.例文帳に追加

単結晶育成プロセス実行中、コイル電圧検出回路２０は、ワークコイル１１の各コイル端子を通じてコイル電圧（Vwc）を検出し、この検出結果をコンピュータ制御部１８にフィードバックする。 - 特許庁

This environment hysteresis estimation display equipment is provided with a plant model which can change a state so as to show a growth process of a plant, an environment sensor for detecting an environmental state, a timer means, and a control unit.例文帳に追加

そして、評価結果を人が親しみ易い方法で表示することによって、好ましい環境状態の維持に一層の意欲を持たせることができる装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor element wherein the direction of crystal growth and the direction of carrier flow are unified in both a semiconductor element of vertical arrangement and a semiconductor element of horizontal arrangement.例文帳に追加

縦配置の半導体素子と横配置の半導体素子とのいずれにおいても結晶成長の方向とキャリアの流れる方向とが統一される半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for production of a sintered compact of diamond fine particles, suppressing abnormal growth of diamond in a sintering process of diamond fine particles by liquid phase sintering.例文帳に追加

液相焼結によるダイヤモンド微粒子の焼結工程におけるダイヤモンドの異常成長が効果的に抑制された、健全な微粒子ダイヤモンドの焼結体を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

This production process comprises performing crystal growth in a thermodynamically non-equilibrium state to deposit an oxide having a composition represented by the formula ({A1}1-XMgX){A2}O3 (wherein X>0), on a desired substrate.例文帳に追加

熱力学的に非平衡な状態で結晶成長を行う薄膜形成手法により、所望の基板上に({Ａ1}_１−ＸＭｇ_Ｘ){Ａ2}Ｏ_３（ただしＸ＞０）の組成をもつ酸化物を堆積させる。 - 特許庁

The growth method with regularity is executed in processes following the initial process where the predetermined number of screen cores are formed so that it is possible to maintain gradation or graininess equivalent to a conventional dither screen.例文帳に追加

所定数のスクリーン核が形成された初期過程後には規則性を持つ成長手法を実行することで、従来のディザスクリーン法と同等の階調性や粒状性を保つことができる。 - 特許庁

In the process, the creation of a mutually beneficial and organic international business network through direct investment by Japanese industry—which served as a driving force of economic growth in Asia—will serve as a key to that development.例文帳に追加

その際には、アジアでの発展戦略においても原動力となった我が国の産業による、直接投資等を通じた、互恵的かつ有機的な国際事業ネットワークの構築が発展の基軸となる。 - 経済産業省

In a process S106, a temperature of a growth furnace 10 is kept at a temperature T_W, and an In_XGa_1-XN well layer 25a is grown in a period of time t4 to t5 on the semi-polar main face 23a.例文帳に追加

工程Ｓ１０６では、成長炉１０の温度を温度Ｔ_Ｗに保ち、半極性主面２３ａ上に時刻ｔ４〜ｔ５の期間でＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ井戸層２５ａを成長する。 - 特許庁

In the process of their growth, from foundation through research and development to commercialization, university-originated ventures encounter three major challenges: acquisition and development of people, financing, and development of marketing channels. 例文帳に追加

大学発ベンチャーが起業から研究開発、さらには製品化を図るといった一連の成長過程で直面する主たる課題は、人材の確保・育成、資金調達、販路開拓の３点である。 - 経済産業省

This process of growth displayed a character different from that of East Asian countries up to now in that India rapidly expanded its presence in such high technology fields as software and IT services.例文帳に追加

その成長過程は、ソフトウエアやIT サービス事業といった最先端分野での存在感を急速に増大させるなど、これまでの東アジア諸国の経済成長とは異なる様相を見せている面もある。 - 経済産業省

The method for manufacturing the fluoride crystal has a pretreatment process step of melting a fluoride raw material mixed with a scavenger under evacuation, then cooling the raw material to solidify the fluoride raw material and a crystal growth process step of growing the fluoride raw material to the fluoride crystal after the pretreatment process step described above.例文帳に追加

本発明のフッ化物結晶の製造方法は、排気しながらスカベンジャーが混合されたフッ化物原料を融解した後、冷却して該フッ化物原料を固体化する前処理工程と、該前処理工程の後、該前処理工程を終えたフッ化物原料をフッ化物結晶に成長させる結晶成長工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The crystal growth method includes: a process for growing a ZnO monocrystal buffer layer on the substrate in a condition that zinc (Zn) is rich or oxygen (O) is rich; a process for carrying out the surface flattening of the ZnO monocrystal buffer layer; and a process for growing a monocrystal ZnO layer on the ZnO monocrystal buffer layer carried out with the surface flattening.例文帳に追加

基板上に、亜鉛（Ｚｎ）リッチもしくは酸素（Ｏ）リッチの条件にてＺｎＯ単結晶バッファー層を成長する工程と、前記ＺｎＯ単結晶バッファー層の表面平坦化処理を実施する工程と、前記表面平坦化処理を施したＺｎＯ単結晶バッファー層上に単結晶ＺｎＯ層を成長する工程とを含む。 - 特許庁

The method includes an amorphous layer forming process forming an amorphous layer 9a on a substrate 101, a crystal nucleus forming process generating crystal nucleuses in the amorphous layer 9a under a heat treatment of 140 to 160°C , and a crystal growth process obtaining a conductive layer 9 by growing the crystal nucleuses generated under a heat treatment of 70 to 90°C.例文帳に追加

基材１０１上に非晶質層９ａを形成する非晶質層形成工程と、１４０〜１６０℃にて加熱処理し、非晶質層９ａ中に結晶核を生成させる結晶核生成工程と、７０〜９０℃にて加熱処理し、生成した結晶核を成長させて導電層９を得る結晶成長工程とを含む。 - 特許庁

Accordingly, even if the peeling 40 of interlayer film is generated due to weakness in the strength of close contact with a stopper material 13 of the low-k film 14 and damage 30 by the dicing process not only in the assembling process but also in the processes after the assembling process, growth of peeling 40 of the interlayer film can be prevented with the reinforcing pattern 20.例文帳に追加

これにより、アセンブリ時のみでなく、組み立て工程以降において、ｌｏｗ−ｋ膜１４のストッパー材１３との密着強度の弱さやダイシングによるダメージ３０に起因する層間膜剥がれ４０が発生したとしても、補強パターン２０によって層間膜剥がれ４０が進行するのをくい止めることが可能な構成となっている。 - 特許庁

To provide a clean unit-process device fusion system capable of easily achieving not only dehumidification and oxidation prevention but also dust-proofing and dust removal at low cost for a load lock used in taking samples in and out of a process device such as a vacuum device or a thin-film growth device, so that the load lock can easily be placed on a series of production process lines.例文帳に追加

真空装置や薄膜成長装置等のプロセス装置において、試料の出し入れに用いるロードロックに、水分除去および酸化防止のみならず、防塵および脱塵を、低コストで簡便に実行することができ、一連の生産プロセスラインに容易に乗せることができるクリーンユニット−プロセス装置融合システムを提供する。 - 特許庁

The growth method of the nitride semiconductor layer comprises (a) a process for forming a first crystalline nitride semiconductor layer on the substrate, (b) a process for forming a nitride semiconductor buffer layer on the first crystalline nitride semiconductor layer and (c) a process for removing the obtained nitride semiconductor buffer layer and forming a second crystalline nitride semiconductor layer.例文帳に追加

（ａ）基板の上に、第１の結晶質窒化物半導体層を形成する工程と、（ｂ）該第１の結晶質窒化物半導体層上に、窒化物半導体バッファ層を形成する工程と、（ｃ）得られた窒化物半導体バッファ層を除去するとともに、第２の結晶質窒化物半導体層を形成する工程とを含む窒化物半導体層の成長方法。 - 特許庁

When a dielectric thin film is formed on a substrate by a chemical vapor growth method, a method of manufacturing a semiconductor device comprises the process for depositing a part of the dielectric thin film on the substrate, the process for heat-treating this dielectric thin film and moreover, the process for depositing the dielectric thin film at a deposition rate higher than that of the dielectric thin film.例文帳に追加

基板上に、化学気相成長法により誘電体薄膜を形成するときに、基板上に誘電体薄膜の一部を堆積する工程と、この誘電体薄膜を熱処理する工程と、さらに上記誘電体薄膜の堆積速度より速い堆積速度で、誘電体薄膜の堆積を行う工程を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The crystal is prepared by a method comprising a raw material-blending process of blending raw materials in such a manner that Ti has a greater molar ratio relative to Ba, and a crystal growth process of growing a crystal of BaTiO_3 by the flux method using KF as a flux.例文帳に追加

この結晶は、Ｂａに対するＴｉのモル比が大きくなるように原料を配合する原料配合工程と、ＫＦを融剤としたフラックス法によりＢａＴｉＯ_３結晶を成長させようとする結晶成長工程と、を経ることにより得ることができる。 - 特許庁

In the epitaxial growth of a III-V group compound semiconductor thin film laminate wafer using an organic metallic material, the semiconductor thin film is epitaxially grown at a low temperature by a highly efficient V group material decomposition process by the mutual chemical reaction process of ammonia and triethylamine (ETA).例文帳に追加

有機金属材料を用いたIII-V族化合物半導体薄膜積層ウエハのエピタキシャル結晶成長において、アンモニアとトリエチルアミン(TEA)の相互化学反応工程により高効率なV族材料の分解工程により半導体薄膜を低温度で結晶成長させる。 - 特許庁

To efficiently suppress production of malodorous substances by subjecting paper mill waste water discharged from a pulping process and/or a paper making process to air bubbling treatment just before flocculation precipitation treatment to suppress growth of anaerobic bacteria during the flocculation precipitation treatment.例文帳に追加

本発明はパルプ化工程及び又は抄紙工程より排出される製紙工場排水を凝集沈殿処理する直前にエアバブリング処理し、凝集沈殿処理中に発生する嫌気性菌の発生を抑えることにより悪臭物質発生の抑制を効率よく行なう事を目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a process of growing a group III-V compound semiconductor layer including nitrogen on a substrate by an MBE method and a process of growing the group III-V compound semiconductor layer including phosphor on the nitrogen-containing semiconductor layer by a chloride vapor growth method.例文帳に追加

基板上に、窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を、ＭＢＥ法により成長する工程と、その窒素含有半導体層上に、燐を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を、塩化物気相成長法により成長する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The bioremediation method for oil-contaminated soil includes: a process of monitoring the concentration of polycyclic aromatic hydrocarbon dioxynase gene in the oil-contaminated soil; and a process of adding a growth promoter of microorganisms to the soil such that the concentration of the gene becomes a specific concentration.例文帳に追加

油汚染土壌中の多環芳香族炭化水素ジオキシナーゼ遺伝子の濃度をモニタリングする工程、及び、上記遺伝子の濃度を特定の範囲となるように、上記土壌に微生物の成長促進剤を添加する工程、を含むことを特徴とする油汚染土壌のバイオレメディエーション方法。 - 特許庁