「Growth process」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A method of manufacturing a semiconductor substrate is used which includes a process of conducting the epitaxial growth of the SiC crystal layer on the 4H- or 6H-type c-surface SiC substrate having a tilt angle in the range between 1° to 6° using a proximity sublimation method having a tendency of step flow growth, and a process of growing a plurality of nitride semiconductor layers on the SiC crystal layer.例文帳に追加

１度から６度の範囲の傾斜角の４Ｈ型または６Ｈ型ｃ面ＳｉＣ基板上に、ステップフロー成長の傾向が大きい近接昇華法を用いてＳｉＣ結晶層のエピタキシャル成長を行う工程と、さらにその上に複数の窒化物半導体層を成長する工程とを含む半導体基板の製造方法を用いる。 - 特許庁

To provide a method for disposing of used activated charcoal having been used for an advanced water-purifying process by producing plant growth culture medium or soil amendment, using the used activated charcoal having been used for the advanced water-purifying process, which has no or a lower degree of defects which a conventional plant growth culture medium or a conventional soil amendment has.例文帳に追加

高度浄水処理工程に用いた使用済み活性炭を用いた、従来の植物育成培地または土壌改良資材がもつ欠点を有しないか、または欠点の程度が低くなった植物育成培地または土壌改良資材を作製し、もって高度浄水処理工程に用いた使用済み活性炭の処理に資すること。 - 特許庁

The substantially spherical nickel-cobalt compound hydroxide having an average particle size of 15-50 μm is obtained by the manufacturing method including a reaction process of obtaining nickel-cobalt hydroxide primary reaction particles in a reaction tank, and a growth process of obtaining nickel-cobalt composite hydroxide particles by further reacting the primary reaction particles in a growth tank.例文帳に追加

反応槽中でニッケル−コバルト水酸化物一次反応粒子を得る反応工程、成長槽中で該一次反応粒子を更に反応させることにより、ニッケル−コバルト複合水酸化物粒子を得る成長工程を含む製造方法により、略球状で平均粒径１５〜５０μｍであるニッケル−コバルト複合水酸化物を得る。 - 特許庁

The method comprises a process for providing a mass of cells containing at least one stem cell and obtained from a mammal, and a process for producing the clinically significant volume of neural progenitor cells by culturing at least one stem cell in a medium containing fibroblast growth factor-2 (FGF-2) and epidermal growth factor (EGF).例文帳に追加

この方法は：少なくとも１つの幹細胞を含む哺乳動物から得られる細胞の塊を提供する工程；および線維芽細胞増殖因子−２（ＦＧＦ−２）および上皮増殖因子（ＥＧＦ）を含む培地においてその少なくとも１つの幹細胞を培養して、臨床的に有意な容量の神経始原細胞を生産する工程、を包含する。 - 特許庁

To provide a production process by which cracks can surely be prevented from being caused in the crystal and the crystal quality can be maintained, in a cooling stage for the grown crystal after the growth of a compound semiconductor single crystal, and also to provide the device for the production process.例文帳に追加

結晶育成後の冷却工程において結晶にクラックが入る事態を確実に防止できると共に結晶品質を維持することのできる化合物半導体単結晶の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

A sputtering method is used as a nucleus sticking method when forming a detecting electrode composed of platinum on an outer wall of a base body via the nucleus sticking process for sticking a nucleus of platinum to the outer wall of the base body and a growth process for growing the stuck nucleus.例文帳に追加

基体の外壁に白金の核を付着させる核付け工程と、付着した核を成長させる成長工程とを経て、基体の外壁に白金からなる検出電極を形成する際、核付け工程としてスパッタ法を用いる。 - 特許庁

A heavily doped p-type compound semiconductor thin film is grown epitaxially by a mixing process for controlling complex reaction of an organic metal material in epitaxial growth of a compound semiconductor thin film multilayer wafer including PN heterojunction, and a heating process.例文帳に追加

PNヘテロ接合を含む化合物半導体薄膜積層ウエハの結晶成長における有機金属材料の鎖体反応を制御する混合工程と、加熱工程により高濃度のpタイプ化合物半導体薄膜の結晶成長させる。 - 特許庁

Certainly this is a difficult process. But it is a process indispensable to foster market-oriented economies. In this context, it might be useful to learn from the experience of countries elsewhere that have achieved remarkable growth, including that of some Asian countries. 例文帳に追加

これはしばしば困難を伴うプロセスですが、市場経済の発達のためには避けることのできないものであり、目覚しい成長を実現しているアジア諸国を含め先行して改革を進めている国々の経験に学ぶことも必要でしょう。 - 財務省

The iron-nitride magnetic powder having an above characteristic is manufactured, by using a solution of hydrogen peroxide as oxidant for oxy-iron hydroxide growth process and fully adding the rare earth elements in a process for synthesizing oxy-iron hydroxide (material powder).例文帳に追加

上記の特性を有する窒化鉄系磁性粉末は、オキシ水酸化鉄（原料粉）を合成する工程で、オキシ水酸化鉄の成長過程に酸化剤として過酸化水素水を用い、かつ希土類元素を十分に添加する製法によって製造される。 - 特許庁

To provide a growth method of gallium nitride crystal for restricting crack in a working process for thin film formation and growing a gallium nitride crystal with a large thickness and to provide a gallium nitride crystal substrate, epitaxial wafer and a production process of the epitaxial wafer.例文帳に追加

薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the epitaxial wafer at least comprises a heat treatment process conducting heat treatment for a silicon single crystal in ingot state, a wafer processing process wherein the heat-treated ingot is sliced into wafers with mirror surface, and an epitaxial growth process wherein an epitaxial layer is formed on the wafers.例文帳に追加

エピタキシャルウエーハの製造方法であって、少なくとも、インゴット状態のシリコン単結晶に熱処理を行なう熱処理工程と、前記熱処理したインゴットを鏡面状のウエーハに加工するウエーハ加工工程と、前記ウエーハ上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁

The production method of a substrate for electric optical devices includes an amorphous layer formation process of forming an amorphous layer 9a on the base material 101, a crystalline nucleus production process of producing a crystalline nucleus in an amorphous layer 9a by heating treatment and a crystalline growth process of obtaining an electric conductive layer 9 by growing the produced crystalline nucleus by heating treatment.例文帳に追加

基材１０１上に非晶質層９ａを形成する非晶質層形成工程と、非晶質層９ａ中に加熱処理によって結晶核を生成させる結晶核生成工程と、生成した結晶核を加熱処理によって成長させて導電層９を得る結晶成長工程とを含む。 - 特許庁

The useful substance-containing and growth-stopped or -suppressed cereal seeds are preserved just as they are until the seeds are fed to a succeeding cooking process, and thereby an appropriate amount of the germinated cereal seeds can be supplied to the rice cooking process as the succeeding process in a mass of or in succession of a necessary amount thereof.例文帳に追加

有用な物質を含んで生長の停止または抑制された禾穀類種子は、次の炊飯工程に移るまでそのままの状態に保存されるため、適量の発芽した禾穀類種子を必要な量だけまとめて、または必要な量を連続して次工程である炊飯工程に供給していくことができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing an alignment mark used for overlapping in a manufacturing process from being deformed asymmetrically in a heat-treatment process, such as activation annealing treatment and epitaxial growth in a manufacturing process in the semiconductor device using SiC for a substrate.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣを基板に用いた半導体装置において、製造工程の重ね合わせに用いるアライメントマークが、製造工程中の活性化アニール処理やエピタキシャル成長などの熱処理工程で非対称に変形することを防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

As a result, in a cooling process after the crystal growth of SiC single crystal 4, even if the cap material 1b deforms according to the effect of the growth of SiC multicrystal on the cap material 1b, little effect is given to the pedestal 5 which is bonded to the cap material 1b through a joining member 6.例文帳に追加

このようにすれば、ＳｉＣ単結晶４の結晶成長後の冷却過程において蓋材１ｂにＳｉＣ多結晶が成長した影響で蓋材１ｂが変形したとしても、接合部材６を介して蓋材１ｂに貼り合わされた台座５にはその影響があまり伝わらない。 - 特許庁

In the production method of the silicon carbide single crystal, including a process for growing the silicon carbide single crystal ingot on a seed crystal, when the concentration of impurity in an atmospheric gas is changed during growth of the silicon carbide single crystal, temperature is controlled so that the growth temperature becomes constant.例文帳に追加

種結晶上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、炭化珪素単結晶成長中に雰囲気ガス中の不純物濃度を変化させる際に、成長温度が一定になるように温度制御する。 - 特許庁

The vertical drift layer 38 of such structure is formed by, for example, stacking an epitaxial growth layer while only a p-type impurity is inserted, and then diffusing the impurity fed in different stage into an epitaxial growth layer all at once in a thermal process.例文帳に追加

かかる構造の縦形ドリフト層３８は、例えば、ｐ型の不純物のみの導入を間挿しながらエピタキシャル成長層を積み増し形成した後、段違いに仕込んだ不純物を熱処理によりエピタキシャル成長層の中に一気に拡散させることで形成できる。 - 特許庁

To provide a plant growth analyzer with which growth information on respective plant samples can be obtained individually and at an always fixed position/angle while simultaneously cultivating a lot of plant samples in order to analyze the change in growing process taking account of long lapsed time of plants.例文帳に追加

長期間にわたる植物の時間経過をふまえた生育過程の変化を解析するために、多数の植物試料を同時に栽培しながら、個々の植物試料をそれぞれ単独で、かつ常に一定の位置・アングルで生育情報を取得する植物生育解析装置を提供する。 - 特許庁

To provide a new use as an inhibitor against vascularization, cell growth and cellular transfer of thymosinβ_10 protein, targeting an Ras signal transduction pathway playing an important role in the process of cell division, cell growth and blood vessel formation.例文帳に追加

細胞分裂、細胞増殖及び血管生成過程で重要な役割をするＲａｓ信号伝達経路を標的にするチモシンβ_１０（ｔｈｙｍｏｓｉｎβ_１０）タンパク質の血管新生、細胞増殖または細胞転移抑制剤としての新しい用途を提供する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a compound semiconductor board having pn junctions using an epitaxial growth method including a selective growth process, which method enables manufacturing of a compound semiconductor board providing compound semiconductor elements having electrical characteristics higher than that of conventional one.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体基板を、選択成長工程を含むエピタキシャル成長法により製造する方法において、従来より高い電気的特性を有する化合物半導体素子を与える化合物半導体基板を製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

Thermal stress can greatly be reduced by using a substrate whose thickness is a half or less than a half of that of an epitaxial growth layer at least at part of the zone where the substrate is in contact with the epitaxial growth layer on a different substrate, or by thinning the desired zone in advance in the thinning process.例文帳に追加

異種基板のエピタキシャル成長層に接する部分のうちの少なくとも一部について、エピタキシャル成長層の膜厚の１／２以下であるものを使用するか、予め薄層化工程にて当該所望部分を薄膜とすることで、熱応力を大幅に減じることができる。 - 特許庁

In the next process, an epitaxial growth layer 22 is formed by epitaxial-growing the Si layer on the surface of the Si layer 11a that has been exposed, and a source-drain region 23 is formed at an epitaxial growth layer 22.例文帳に追加

次いで、露出されたＳｉ層１１ａの表面上に、Ｓｉ層をエピタキシャル成長させてエピタキシャル成長層２２を形成するとともに、エピタキシャル成長層２２にソース・ドレイン領域２３を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 - 特許庁

To solve the limits or defects in a process for fabricating semiconductor quantum dots employing conventional MOVPE growth, and to attain semiconductor quantum dots having good optical characteristics, high surface density and high uniformity by MOVPE growth.例文帳に追加

従来のＭＯＶＰＥ成長を用いた半導体量子ドットの製造方法における限界あるいは欠点を解決するためになされたもので、良好な光学特性、高い面密度、高い均一性を兼ね備えた半導体量子ドットをＭＯＶＰＥ成長により実現することを目的とする。 - 特許庁

To simplify a compost making process and to improve function as fertilizer, by allowing a growth promoting substance contained in young bamboo and the coats of bamboo shoots to contribute largely to plant growth and utilizing grown bamboo, which is not usable as fertilizer as it is, as a starting material of compost.例文帳に追加

若竹や筍皮に含まれる成長促進物質を植物の成長に大きく寄与させると共に、そのままでは肥料として使用できない親竹は堆肥の原料として利用することにより、堆肥化工程の簡素化、肥料としての機能向上を図る。 - 特許庁

This method for detecting snake growth of a single crystal is one for detecting the snake growth of crystal happening in the process of growing a single crystal 12 which comprises the steps of charging a silicon raw material into a crucible 1 to melt it, dipping a seed crystal 15 in the molten liquid and pulling it up while rotating.例文帳に追加

単結晶くねり成長検出方法は、坩堝１内にシリコン原料を充填して溶解し、その溶融液に種結晶１５を浸漬して回転させながら引上げて単結晶１２を成長させる際に生じる結晶くねり成長を検出する方法である。 - 特許庁

To provide a manufacturing process of a multilayer ceramic capacitor which does not cause short-circuit defects, resulting from abnormal growth of grains at sintering, even if a dielectric layer is made thin.例文帳に追加

誘電体層を薄膜化しても焼成時に異常粒成長によるショート不良を引き起こさない積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which comprises a process of manufacturing a silicon nitride film, allows the maintenance frequency to be possibly lessened, and can suppress or prevent the growth of particles.例文帳に追加

メンテナンス頻度をなるべく小さくできると共にパーティクルの発生も抑制または防止できる窒化シリコン膜の製造工程を備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After an epitaxial growth process is carried out, line widths Dx and Dy become nearly equal to each other or approximate Dx=Dy, and the sensitivity difference becomes small when the pattern is detected, so that alignment operation can be improved in alignment accuracy.例文帳に追加

エピタキシャル成長後の線幅は、（ｂ）に示すように、ＤＸ＝ＤＹに近くなり、パターン検出の際の感度の違いが小さくなり、位置合せの精度を向上させることができる。 - 特許庁

During the growth of the compound semiconductor thin film, when the amount of the p-type impurities implanted into the compound semiconductor thin film is increased, the proper heat treatment temperature is lowered in an activating process.例文帳に追加

また、化合物半導体薄膜の成長時、化合物半導体薄膜に注入されたｐ型不純物の量が増加すると、活性化工程の適正熱処理温度が低くなる。 - 特許庁

The participation of various growth factors are recognizable during the onset process and, accordingly, the animal is extremely useful also as a drug efficacy evaluation model for the development of a drug targeting these factors.例文帳に追加

また、その発症過程において種々の成長因子の関与が認められるので、それらの因子をターゲットとした薬剤開発における薬効評価モデルとしても極めて有用である。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing a crystal having a structure with which a high quality single crystal is stably obtained by a simple process, in a growth apparatus of a single crystal by a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法による単結晶の成長装置において、簡便な方法で、高品質な単結晶を安定して得ることができる構造の結晶製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a process for producing a group III nitride semiconductor substrate in which array-like cracking is reduced in the surface of a nitride epitaxial layer formed on the surface of a low temperature growth buffer layer.例文帳に追加

低温成長バッファ層上に形成される窒化物エピタキシャル層の表面において、アレイ状クラックの発生が低減されるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Under the Japan's initiative for this year's APEC process, a medium and long-term growth strategy for the entire Asia-Pacific region will be formulated, so as to promote regional economic integration. 例文帳に追加

今年のAPECでは、我が国のイニシアティブの下、アジア太平洋地域全体の中長期的な成長戦略を策定し、地域経済統合を推進していくことを目指しています。 - 財務省

To provide a method for manufacturing a nitride based semiconductor light-emitting element, having a process for growing an In-containing layer at a growth temperature, which is higher than a conventional manner, while suppressing peel off of indium.例文帳に追加

インジウムの脱離を抑制しつつ従来より高い成長温度でＩｎ含有層を成長させる工程を有する、窒化物系半導体発光素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a folding process for the preparation of biologically active, dimeric, TGF-β(transforming growth factor type β)-like protein in a detergent-free folding buffer.例文帳に追加

界面活性剤非含有フォルディングバッファーの中での生物学的に活性な二量体型の TGF−β（β型トランスフォーミング増殖因子）様タンパク質の製造のためのフォルディングプロセスの提供。 - 特許庁

At a stage (time t_1) wherein crystal growth is completed after an upper DBR layer is formed, supply of TMA, TMG and DMZ is stopped and a process temperature begins to be lowered.例文帳に追加

上部ＤＢＲ層を形成したのち、結晶成長を完了した段階（時刻ｔ_1）で、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＤＭＺの供給を停止すると共に、プロセス温度の降下を開始する。 - 特許庁

The preferred passaging technique ensures that the virus remains in a logarithmic growth phase substantially throughout the process, which minimizes the time required to achieve attenuation.例文帳に追加

好ましい継代技術は、実質的にプロセスの始めから終わりまでの間、弱毒化を達成するために必要な時間を最小化する対数増殖期をウイルスが維持することを確実にする。 - 特許庁

To provide an exhaust processor which can exhaust and process two or more gasses effectively; to provide a growth equipment having the exhaust processor which can use plural kinds of gasses.例文帳に追加

２種以上のガスを効果的に排気処理することができる排気処理装置、およびこの排気処理装置を備え、複数種類のガスを使用することが可能な成長装置を提供する。 - 特許庁

To reduce surface defect by reducing the density of dislocation of a crystal layer in a process for forming a crystal layer of a nitride semiconductor using a lateral growth technology of seed crystal.例文帳に追加

種結晶による横方向成長技術を用いて窒化物半導体の結晶層を形成する工程において、結晶層の転位密度を低減し、表面欠陥を少なくする。 - 特許庁

Under a thermal process in a nitrogen atmosphere at 900°C, a non-single crystal silicon film is made into single crystal, by epitaxial growth from the main surface of a substrate 1, forming an epitaxial silicon film 85.例文帳に追加

９００℃の窒素雰囲気下で熱処理を行うことで、非単結晶シリコン膜を基板１主面からのエピタキシャル成長によって単結晶化し、エピタキシャルシリコン膜８５を形成する。 - 特許庁

In the process of the economic growth achieved in the late 2000s, two problems (1) deterioration in employment environment and (2) decline in competitiveness of export industry were corrected and concerns over the hollowing-out were swept away.例文帳に追加

2000年代後半の経済成長の過程で、（1）雇用環境の悪化と（2）輸出産業の競争力の低下という二つの問題は改善し、空洞化の懸念は払拭されている。 - 経済産業省

To provide a method of manufacturing semiconductor crystal by which a large-area GaN crystal can be manufactured and various problems caused by ELO growth using an ordinary mask layer can be avoided, and then, the manufacturing process of the GaN crystal can be simplified.例文帳に追加

大面積のＧａＮ結晶を得ること、及び通常のマスク層を用いるＥＬＯ成長に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。 - 特許庁

Japan's economy has been slowly moving into the recovery process thanks to the economic stimulus measures etc.; however, it is necessary to further diversify the international relationship for its steady economic growth.例文帳に追加

我が国経済は、景気対策の効果等もあり、徐々に回復過程に入ってきているが、安定的な成長を実現するには対外関係の更なる多様化が不可欠である。 - 経済産業省

The global economy is at a turning point since the U.S. economy, which led global economic growth and promoted economic development in emerging economies throughout the globalization process, is in the correction phase.例文帳に追加

これまで経済成長を牽引し、グローバル化によって新興国の経済発展を促してきた米国経済が調整局面に入ったことで、世界経済は大きな転機を迎えている。 - 経済産業省

During the period from the post-war restoration process to the first half of the high growth period in Japan, economic development had the highest priority, which focuses on developing an infrastructure for the existing coastal industrial regions.例文帳に追加

戦後の復興過程から高度成長期前半まで、我が国では経済発展が最優先の課題とされ、既存の臨海工業地帯の基盤整備に重点が置かれていた。 - 経済産業省