「Growth process」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The method is characterized as suppressing the growth of silicon single-crystal particles, by dividing the production process to form a polycrystalline silicon film 204 into a growing process of a first polycrystalline silicon film 204a and a growing production process of a second polycrystalline silicon film 204b.例文帳に追加

多結晶シリコン膜２０４を形成する工程を第１の多結晶シリコン膜２０４ａの成長工程と第２の多結晶シリコン膜２０４ｂの成長工程とに分け、シリコン単結晶粒の成長を抑えたことを特徴とする。 - 特許庁

In the deposit removal process, deposits P generated in a first growth process S1 are removed by performing mirror polishing, for example, on chamfered parts 10C of the silicon single crystal substrate 10.例文帳に追加

この堆積物除去工程では、シリコン単結晶基板１０の面取り部１０ｃを、例えば鏡面研磨することによって、第一の成長工程Ｓ１で生じた堆積物Ｐを除去する。 - 特許庁

To provide a production process of a mononuclear detergent particle group without requiring a drying process inhibiting the growth of particles with a sharp particle distribution and powder characteristics such as fluidity.例文帳に追加

乾燥工程が不要であり、粒子成長を抑制した、粒径分布がシャープでかつ流動性等の粉末特性の良好な単核性洗剤粒子群の製造方法を収率よく提供すること。 - 特許庁

An epitaxial growth device 1 comprises a process chamber 2, and a liner part 2A which forms a part of the side part of the process chamber 2 is provided with gas support openings 3a to 3e and gas exhaust opening 4 which each other.例文帳に追加

エピタキシャル成長装置１は処理チャンバ２を有し、この処理チャンバ２の側部の一部を形成するライナー部２Ａには、ガス供給口３ａ〜３ｅとガス排気口４とが対向して設けられている。 - 特許庁

In a process S111, after the high resistance silicon substrate is set in the growth furnace in the process S109, a group III nitride semiconductor film is grown on the Si substrate using the coated tool.例文帳に追加

工程Ｓ１０９で成長炉に高抵抗シリコン基板を設置した後に、工程Ｓ１１１では、コーティングを形成した治具を用いてＳｉ基板上にIII族窒化物系半導体膜を成長する。 - 特許庁

In the method for the production of a silicon epitaxially grown wafer, a flattening process by plasma etching of a silicon wafer 1 after primary polishing and a growth process of an epitaxial layer are successively performed.例文帳に追加

一次ポリッシング後のシリコンウェーハ１を、プラズマエッチングによる平坦化工程と、エピタキシャル層成長工程とを連続で行なうことを特徴とするシリコンエピタキシャル成長ウェーハの製造方法である。 - 特許庁

To provide a low sodium process cheese which inhibits the growth of heat-resistant bacteria remaining in the producing process and realizes the enhancement of preservability.例文帳に追加

本発明の目的は、低ナトリウムタイプのプロセスチーズにおいて製造工程で残存した耐熱性菌が増殖することを抑制し、保存性の向上した低ナトリウムタイプのプロセスチーズを提供することにある。 - 特許庁

This display device is made to have constitution in which the high speed of address discharge is attained by impressing thin with front pulses 105 at a voltage exceeding a discharge starting voltage to a scanning pulse 106 and by performing growth (Townsent's growth process) of space charge with the front pulses 105.例文帳に追加

走査パルス１０６の時間的前に細幅の前置パルス１０５を放電開始電圧を超えて印加し、前置パルス１０５で空間電荷の成長（タウンゼントの成長過程）を行って、アドレス放電を高速化する構成とした。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method, in an embedded growth process, capable of preventing the loss of the uniformity of the temperature in the growth space region by thermal radiation, to thereby prevent a crack of silicon carbide monocrystal.例文帳に追加

埋め込み成長において、熱輻射によって成長空間領域の均熱が保たれなくなることを防止し、ひいては炭化珪素単結晶の割れを防止することができる製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

In the production process, current block layers 17 and 18 are formed by epitaxial growth, following to formation of the ridge 1 excepting the upper surface of the ridge 1, the support layer 2 is formed by next epitaxial growth, and then the recess 2a is formed by etching.例文帳に追加

その作製工程は、リッジ１形成後の結晶成長によりリッジ１の上面以外に電流ブロック層１７、１８が積層され、次の結晶成長によりサポート層２が積層され、凹部２ａがエッチングにより形成される。 - 特許庁

The process device 1 is a vacuum device, such as a vapor deposition device, a molecular beam epitaxial device or an ion beam sputtering device, or a thin-film growth device, such as an organic-metal gas-phase growth device or a liquid phase epitaxial device, or a surface treatment device, etc.例文帳に追加

プロセス装置１は、蒸着装置、分子ビームエピタキシャル装置、イオンビームスパッタ装置等の真空装置や、有機金属気相成長装置、液相エピタキシャル装置等の薄膜成長装置、表面加工装置等である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing metal/carbon nanotube composite using electroplating in order to solve problems remaining in growth form at the time of high temperature growth taking place through the conventional chemical vapor deposition process.例文帳に追加

従来の化学気相蒸着方法を通じてなされる高温成長の際の成長形態に残存する問題を解決するために、電気メッキ方法を利用する金属／炭素ナノチューブ複合材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

It is will be shown in this chapter that globalization in this country is the key to economic growth. After looking back on the growth process from the country's past, a general view of a strategy to respond to the new world economic framework is given.例文帳に追加

本節では、我が国のグローバル化が経済成長の鍵であることをみてきたが、以下では我が国の過去からの成長過程を振り返った上で、新たな世界経済構造へ対応していくための戦略について概観する。 - 経済産業省

To provide a method for growing a silicon single crystal, by which fracture and rupture of a silicon single crystal can be prevented even if dislocation generation occur in the growth process of a straight body part.例文帳に追加

直胴部の育成過程で有転位化が生じても、シリコン単結晶の破断や破裂を防止できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To disclose a process adapted for rapid growth of a high-quality group III-V based compound semiconductor in an MOCVD reacting furnace with a cold wall.例文帳に追加

コールドウォールを用いるＭＯＣＶＤ反応炉中で、高品質の３−５族系化合物半導体を高速成長させることができるようにすること。 - 特許庁

In the growth process, the pulling speed after the pass of the seeding part 17a through the encapsulant 16 is set at 5 to 15 mm/h or lower.例文帳に追加

また、成長過程において前記種付け部１７ａが前記液体封止剤１６中を通過した後の引上速度は、５mm／ｈ以上、１５mm／ｈ以下とする。 - 特許庁

Irrespective of the mechanisms used, an approximately synchronous process of growth/decomposition of an oxide yields a structure in which holes are arranged at a substantially regular interval.例文帳に追加

使用する機構に関わらず、酸化物成長／分解のほぼ同時の処理は、実質的に規則的な間隔で孔を配置する構造の形成をもたらす。 - 特許庁

For system reliability based on the probability dimension of gains and risks, the risk management control part 50 monitors risks and determines a cyclic growth process.例文帳に追加

システムの信頼性をゲインとリスクとを確率次元で捉えて、リスクマネジメント制御部５０がリスク判定を行なったり循環成長プロセスを決定する。 - 特許庁

By that, in a plating process, the growth of a plating film as the external electrode 3 is substantially stopped or delayed at the part of the step 12.例文帳に追加

それによって、めっき工程において、段差１２の部分で外部電極３となるめっき膜の成長を実質的に停止または遅延させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a dielectric ceramic composition which is microfine, has high crystallinity, and moreover can suppress the grain growth in a firing process.例文帳に追加

微細で、かつ、結晶性が高く、しかも、焼成工程における粒成長を抑制することが可能な誘電体磁器組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁

Even with a CVD process at low temperature, the growth of a nitride thin film 24 can be started at once after cleaning, and a barrier film 33 of good quality can be also formed.例文帳に追加

低温のＣＶＤプロセスでも、クリーニング後、直ちに窒化物薄膜２４の成長が開始でき、品質のよいバリア膜３３を形成することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a nitride semiconductor substrate suppressible of a fissure or crack in a thick film layer in the growth process of the thick film layer.例文帳に追加

厚膜層の成長過程で厚膜層にヒビやクラックが発生することを抑制可能な窒化物半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the process for obtaining the inclusion body-free recombinant protein, a target protein is introduced into a host cell, and its expression is induced by leading the host cell into induction phase and regulating its growth rate.例文帳に追加

目的とするタンパク質を導入した宿主細胞を、誘導成長期に誘導し、生育速度を抑制して誘導発現を行う方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element manufacturing method which makes it possible to separate a growth substrate, without using an LLO process, but in a simpler and easier way.例文帳に追加

ＬＬＯ法によらず、より簡便な方法で成長用基板の剥離を行うことが可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the process of growth, the dot-like mark (M') changes to the mark (M) having a poly-pyramidal shape containing a clear ridge indicating the orientation of the same crystal axis as that of the wafer.例文帳に追加

この成長の過程で前記ドット状マーク（Ｍ′）はウェハと同一の結晶軸方位を示す明確な稜線をもつ多角錐形状に変化する。 - 特許庁

To improve a yield in a method of manufacturing a semiconductor element that includes a process of peeling a substrate for growth with a void-containing layer as a peel boundary surface.例文帳に追加

空洞含有層を剥離境界面として成長用基板を剥離する工程を含む半導体素子の製造方法において、歩留り向上を図る。 - 特許庁

For a thickened piezoelectric film, a growth time can be extended or a film formation process can be repeated until a desired film thickness is achieved.例文帳に追加

より厚い圧電膜に対しては、成長時間を長くすることができ、あるいは、所望の膜厚に達するまで膜形成プロセスを反復することができる。 - 特許庁

In this manufacturing process, typically, deposition/growth of a dielectric material is excellently controllable, so that a field plate operation can be strictly controlled.例文帳に追加

本製造プロセスは、誘電性材料の堆積／成長が、典型的には、非常によく制御できるプロセスなので、フィールドプレート動作を厳しく制御できる。 - 特許庁

To provide a method which comparatively simplifies or shortens a crystal growth process of a semiconductor than usual during manufacturing a void-less and good quality semiconductor crystal.例文帳に追加

ボイドのない良質な半導体結晶を製造する際の半導体の結晶成長工程を従来よりも簡素化させたり、短期化させたりすること。 - 特許庁

Our Framework for Strong, Sustainable and Balanced Growth is not a point in time exercise, but a dynamic process to adjust to developments. 例文帳に追加

我々の強固で持続可能な均衡ある成長のための枠組み（フレームワーク）は，一時点の取組ではなく，状況の進展に合わせた動学的なプロセスである。 - 財務省

As a result of the thin barium-doped layer and the reduced bubble growth, the inner surface of the crucible is uniformly minimally textured during a CZ process.例文帳に追加

バリウムドープされた薄い層及び減少した気泡成長の結果として、るつぼの内側表面は、ＣＺ工程の間に、均一に最小限に組織化される。 - 特許庁

To provide a method of measuring the diameter of a single crystal, by which the diameter of the single crystal can be measured with a good accuracy over whole growth process of the single crystal by using one camera, and the cost reduction can be realized.例文帳に追加

１つのカメラで単結晶成長の全行程にわたって精度よく直径測定を行うことができると共に低コスト化を図る。 - 特許庁

To provide a process cartridge which maintains stable image characteristics through duration by inhibiting the growth of a flaw while retaining moderate abrasion property.例文帳に追加

適度な磨耗性を維持しつつ、傷の成長を抑制することで耐久を通じて安定した画像特性を維持するプロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

To eliminate foreign matters on a photomask, without inducing the generation of foreign matters having growth potential in a purge process, prior to loading of the photomask to an exposure apparatus.例文帳に追加

フォトマスクを露光装置に装填する前のパージ作業時に、成長性の異物の発生を誘発することなくフォトマスク上の異物を除去する。 - 特許庁

To provide a method for growing an aluminum nitride crystal and a crystal growth device capable of growing a high-quality aluminum nitride crystal in a simple process.例文帳に追加

高い品質の窒化アルミニウム結晶を簡略な工程で成長可能な窒化アルミニウム結晶の成長方法および結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

A silicon carbide single crystal having no process modified layer in the growth face side opposing to the sublimation source material 40 is used as the seed crystal 50.例文帳に追加

種結晶５０として、昇華用原料４０に略対向する成長面側に加工変質層を有しない炭化ケイ素単結晶を用いる。 - 特許庁

When polycrystalline silicon 5 is grown on the porous silicon layer by epitaxial process, it is made to grow more rapidly than the growth of single-crystal silicon.例文帳に追加

多孔質シリコン層上にエピタキシャル工程で多結晶シリコンを成長させる場合、単結晶シリコンを成長させる時より速く成長される。 - 特許庁

To provide a crystal growth method that enables to expand a process window for growing a group III-V compound semiconductor including nitrogen as a group V.例文帳に追加

Ｖ族として窒素を含むIII−Ｖ化合物半導体を成長するためのプロセスウインドウを広げることが可能な結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus that can improve manufacturing yield by removing a film adhered to a susceptor during an SiC epitaxial growth process.例文帳に追加

ＳｉＣエピタキシャル成長過程でサセプタに付着した膜を除去し、製造歩留まりを向上させることのできる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

The global economy up to now has in its growth process experienced such various fluctuations in the macroeconomic variables as volatile changes in prices and large fluctuations in business cycle.例文帳に追加

これまで世界経済は、その成長過程で、物価の乱高下や大きな景気変動などといった様々なマクロ経済環境の変動を経験してきた。 - 経済産業省

Within the economic growth process, fixed capital is accumulated through household savings and by companies and governments using those savings to make investments.例文帳に追加

経済成長の過程では、貯蓄を行う家計や、そうした貯蓄を活用して企業や政府が投資を行うことにより、固定資本が蓄積されていく。 - 経済産業省

Within the service trade, software service exports such as call centers, software design, and business process outsourcing have achieved high growth rates averaging over 40% since 2000.例文帳に追加

サービス貿易の中でも、コールセンター、ソフトウェアデザイン、ビジネス・プロセス・アウトソーシング等のソフトウェアサービス輸出は、2000年以降、平均40％を超える高成長を実現している。 - 経済産業省

This method of manufacturing a semiconductor device includes: a film formation process of forming an epitaxial layer 2 on a semiconductor substrate 1 by an epitaxial growth method; a process of forming semiconductor elements 3 in the epitaxial layer 2; and a removal process of removing the semiconductor substrate 1 to leave only the epitaxial layer.例文帳に追加

エピタキシャル成長法により半導体基板１にエピタキシャル層２を設ける成膜工程と、前記エピタキシャル層２に半導体素子３を設ける工程と、前記半導体基板１を除去して、前記エピタキシャル層のみを残す除去工程とを備える。 - 特許庁

To prevent the solidification at the outer peripheral part from being earlier than that at the inside of a crystal, and to inhibit the generation of polycrystals caused by accumulation of dislocations at the inside during growth of the crystal by uniformizing the temperature distribution in the radial direction of the growth interface, in a semiconductor crystal growth process based on a VB method or a VGF method.例文帳に追加

ＶＢ法又はＶＧＦ法による半導体結晶成長方法において、成長界面の径方向の温度分布を均一にすることで、結晶内部に対し外周部が早く固化することを防ぎ、成長途中で転位が内部に集積し多結晶化するのを防止可能にする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus of manufacturing a semiconductor light emitting device which reduce the variance of irradiation of a laser light and entirely and uniformly form an isolation layer for isolating a growth substrate by reducing the warpage of a large-area wafer (growth substrate and supporting substrate), as a part of a process of removing the growth substrate for the large-area wafer.例文帳に追加

大面積ウェハ（成長用基板および支持基板）の成長用基板除去プロセスの一環として、該ウェハの反りを低減することで、レーザ光の照射むらを低減し、成長用基板を分離するための分離層を全面均一に形成できる半導体発光素子の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁