| 意味 | 例文 |
Growth processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 696件
A manufacturing method for a semiconductor device is provided with the process of forming the amorphous silicon on a gate insulating film, the process of introducing acceptor impurities to be the acceptors and crystal growth suppression impurities suppressing the growth of the crystal to the amorphous silicon and the process of crystallizing the amorphous silicon and forming p-type polycrystalline silicon.例文帳に追加
前記ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコンを形成する工程と、前記アモルファスシリコンに、アクセプタとなるアクセプタ化不純物と、結晶粒の成長を抑制する結晶成長抑制不純物を導入する工程と、前記アモルファスシリコンを結晶化させ、前記p型多結晶シリコンを形成する工程とを含む。 - 特許庁
The stain growth-preventing method for the gas phase part in the oil quenching column includes a heat recovery process in a middle shelf of the column, and allows the presence of an effective amount of a polymerization inhibitor for preventing growth of the stain in a condensate of a process steam in the gas phase part of the oil quenching column in the process for manufacturing the olefins.例文帳に追加
塔中段に熱回収プロセスを有する、オレフィン類製造プロセスのオイルクエンチ塔の気相部において、プロセス蒸気の凝縮液中に汚れの成長を防止するための有効量の重合禁止剤を存在させることを特徴とするオイルクエンチ塔気相部の汚れ成長防止方法。 - 特許庁
To provide a uniform transportation reaction tube of raw material gas for semiconductor wafer vapor-phase growth, capable of uniformly supplying a raw material gas to the surface of a semiconductor wafer in a vapor-phase growth process of semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体ウェハの気相成長工程において、原料ガスを半導体ウェハの表面へ均一に供給できる、半導体ウェハ気相成長用の原料ガス均一輸送反応管を提供する。 - 特許庁
In a vapor-phase growth process, by supplying monosilane gas at a level not lower than 550°C to less than 750°C to the principal surface of the silicon substrate W in the reaction vessel, the silicon epitaxial layer is formed in vapor phase growth.例文帳に追加
反応容器内のシリコン基板Wの主表面上に、550℃以上750℃未満でモノシランガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程を行う。 - 特許庁
A method of manufacturing a semiconductor device includes a vapor phase growth process of carrying out vapor phase growth of a semiconductor growing layer of a nitride in the trench 42 of a semiconductor base layer 10 of a nitride having the trench 42 formed at a surface layer portion.例文帳に追加
表層部にトレンチ42が形成されている窒化物の半導体下地層10のトレンチ42内に、窒化物の半導体成長層を気相成長させる気相成長工程を備えている。 - 特許庁
The ring is fitted to a neck part between a pineapple being in process of growth and its top leaves, so that the ring cannot be detached from the neck part because of following growth of the pineapple and top leaves.例文帳に追加
成長過程のパイナップルとその頂頭葉との間の首部にリングを嵌挿しておき、その後のパイナップルと頂頭葉の成長によって、リングが首部から離脱不能な状態にする。 - 特許庁
To give a process to incorporate a grain growth inhibitor, in a cobalt/tungsten carbide composite, which minimizes grain growth, so as to form a finer grain structure, and further minimizes the oxygen sensitivity thereof.例文帳に追加
コバルト/炭化タングステン複合体において、粒子成長を抑制して一層微粒な微細構造をもつと共に、酸素に対する敏感性を低下する、粒子成長阻止剤の配合方法を与える。 - 特許庁
Continued to the etching process, growth gas, etching gas, doping gas and carrier gas are supplied into the furnace to make epitaxial growth of a second conductive type semiconductor 6 in the trench 4 and fill up the trench 4.例文帳に追加
このエッチング工程に連続して、炉内に、成長ガス、エッチングガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを供給して、トレンチ4内に第2導電型の半導体6をエピタキシャル成長させ、トレンチ4を埋める。 - 特許庁
On a generation picture for the growth program displayed on a CRT 2, the step of a process for inputting the data and growth conditions of this step and a step before comparison are displayed as two pictures.例文帳に追加
CRT・2に表示される成長プログラムの生成画面には、データを入力するプロセスのステップと、このステップと比較する前のステップの成長条件が2つの画面でそれぞれ表示されている。 - 特許庁
To provide a process for manufacturing an organic fertilizer which can easily culture bacteria having plant growth-activating effect in large amounts and can compost an organic waste in large amounts and economically as a fertilizer having plant growth-activating effect.例文帳に追加
枯草効果を有するバクテリアの大量培養が容易で、有機性廃棄物を枯草効果を有する肥料として大量かつ経済的に堆肥化できる有機肥料の製造方法を提供する。 - 特許庁
To perform crystal growth without using any elaborated growth material such as a material fabricated correspondingly to the shape of a crucible, in the growth process for an at least ternary compound semiconductor crystal, using a zone method.例文帳に追加
結晶成長方法に関し、ゾーン法を適用して三元以上の化合物半導体結晶を成長させるに際し、るつぼの形状に合わせて加工した材料など面倒な成長材料を用いることなく結晶成長を行うことができるようにする。 - 特許庁
Before performing a lateral growth process, in order to prevent the growth of gallium nitride from a groove bottom from interfering with the lateral growth into at least one groove of the gallium nitride side wall of at least one pillar of growing, the sapphire bottom portion and the gallium nitride top portion are masked.例文帳に追加
横方向成長工程を行う前に、溝底からの窒化ガリウムの成長が少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁の少なくとも一つの溝内への横方向成長と干渉するのを防止するために、サファイア底および窒化ガリウム頂部をマスクする。 - 特許庁
To provide a system and a method each for analyzing plant growth through which changes in shape during a plant growth process can be measured and memorized as image information in high precision through highly precise measurement, and the growth of the plants can be analyzed through analysis of the obtained image.例文帳に追加
植物の成育過程における形状の変化を高精度な計測を高精度に画像情報に記憶することを可能とする画像取得装置と、取得した画像を解析し、植物の成育を解析するための解析方法を提供すること。 - 特許庁
A test lot P is selected from a batch A which finished a process 2, an epitaxial growth process and the test lot P is subjected to a process 3 to a final inspection process precedent to other lots of the batch A, and a finished product of a semiconductor laser device is manufactured.例文帳に追加
エピタキシャル成長工程である工程2を終えたバッチAから、先行ロットPを選択し、この先行ロットPを、バッチAの他のロットに先行して工程3から最終検査工程までを進ませて、半導体レーザ装置の完成品を製作する。 - 特許庁
To provide mushroom cultivation equipment enabling favorable maintenance of growth environment such as inner temperature, humidity and/or ventilation during mushroom cultivation process in a marine container, applicable to severe environment corresponding to the cultivation process or growth condition, and improving yield of the mushroom.例文帳に追加
海上コンテナ内での茸栽培行程における内部の温度や湿度、換気等の生育環境の維持を良好に行うことができ、栽培行程や生育状況に応じた厳しい環境に対応することができ、収量性を向上することができる。 - 特許庁
It includes measurement of a thickness A of the semiconductor wafer before the epitaxial growth process, measurement of a thickness B of the epitaxial wafer obtained after the epitaxial growth process and calculation of the thickness of the epitaxial layer as a difference (B-A) between the thickness B and the thickness A.例文帳に追加
エピタキシャル成長工程前に半導体ウェーハの厚みAを測定すること、エピタキシャル成長工程後に得られたエピタキシャルウェーハの厚みBを測定すること、前記厚みBと厚みAとの差分(B−A)として、エピタキシャル層の厚みを算出することを含む。 - 特許庁
As for the device, the device used for the flattening process by plasma etching and the device for the epitaxial layer growth process and accompanying devices are housed in one vacuum chamber.例文帳に追加
また、本発明の装置は、プラズマエッチングによる平坦化工程と、エピタキシャル層成長工程およびそれに付随する装置とを同一の真空室に収納してなるものである。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser device and its manufacturing method which can prevent cracks from occurring in a semiconductor laser element portion in a separation process or other process of a growth substrate.例文帳に追加
成長基板の剥離工程などにおいて半導体レーザ素子部にクラックが発生するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Throughout the TICAD process, Japan has insisted that two points are essential to Africa's sustainable growth. One is the ownership by African countries of their development process. The other is the partnership of the international community. 例文帳に追加
我が国は、TICADプロセスの中でアフリカの持続的な成長のためにはアフリカ自身のオーナーシップと国際社会のパートナーシップが重要であると一貫して主張してきました。 - 財務省
To provide a method for producing a vapor growth carbon fiber, capable of being applied to an industrial production, and hardly requiring a high-temperature process, and a difficult process such as special safety measures.例文帳に追加
工業的生産に適用可能で、高温のプロセスや、特別な安全対策など困難なプロセスを必要としない気相成長炭素繊維の製造方法を提供する。 - 特許庁
A high electron mobility InP thin film is grown epitaxially by a material supply process for suppressing intermediate reaction in epitaxial growth of a compound semiconductor thin film multilayer wafer, a thermal decomposition process, and a chemical reaction process.例文帳に追加
化合物半導体薄膜積層ウエハのエピタキシャル結晶成長における中間反応を抑制する原料供給工程と、熱分解工程、化学反応工程により、高い電子移動度のInP薄膜を結晶成長させる。 - 特許庁
The use of the historical defect list enables to obtain accurately within a short period of time, a selection of each manufacturing process with defects, a variation of defects in the manufacturing process, and the analysis result of a growth process and the like.例文帳に追加
従って、かかる欠陥来歴リストを用いることにより、欠陥の発生した製造工程毎の選別や製造プロセスでの欠陥の変化,成長過程などの解析結果を短時間でかつ正確に得ることが可能となる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a single crystal having high quality and high uniformity while preventing changes in the composition during a process of crystal growth.例文帳に追加
結晶成長過程における組成変化を防止し、高品質かつ均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁
A judgement means (processor 14) monitors the change of the slime growth data in every actual water line process and judges whether abnormality occurs or not.例文帳に追加
判定手段(プロセッサ14)は、スライム成長データの推移を実水系プロセス毎に監視し、異常が発生したか否かを判定する。 - 特許庁
To prevent the abnormal growth of a film generated in a film formation process after plasma treatment for improving an adhesion with a foundation film.例文帳に追加
下地膜との密着性を上げるためのプラズマ処理後に行われる成膜過程において発生する膜の異常成長を防止する。 - 特許庁
An example of such a variable may be a change speed of components (such as generation rate, cell growth speed, etc.) of the batch process.例文帳に追加
このような変数の例としては、バッチプロセスの構成成分(例えば、生成速度、細胞成長速度等)の変化速度であってもよい。 - 特許庁
In a growth process of a single crystal film, when the cooling speed is gradually increased, a gradient in the Bi concentration is formed in the single crystal film 44.例文帳に追加
単結晶膜の育成過程において、冷却速度を次第に速くすると、単結晶膜44内のBi濃度に勾配がつく。 - 特許庁
To provide a method and a unit which enables an innovative growth of components used in a development of an application and a process in which modelling is carried out.例文帳に追加
モデリングされたアプリケーション及びプロセスの開発において使用されるコンポーネントの革新的発展を可能にする方法および装置。 - 特許庁
To provide a folding process for producing biologically active, dimeric TGF-β (Transformation Growth Factor type β)-like protein.例文帳に追加
生物学的に活性な二量体型の TGF−β(β型トランスフォーミング増殖因子)様タンパク質の製造のためのフォルディングプロセスの提供。 - 特許庁
After this process, cleaning in pure water is performed for at least five minutes, and after drying, second formation of an epitaxial growth film 4 is executed.例文帳に追加
この処理後、純水洗浄を5分以上実施し、乾燥処理した後、二回目のエピタキシャル成長膜4の形成を実施する。 - 特許庁
Thereby, the efficient way up to a rooting induction process and the growth of the healthy seedlings are aimed at so as to make the transfer to the rooting and acclimatization processes easy.例文帳に追加
これにより、発根誘導工程までの効率化と健全な苗の育成をはかり、発根、順化工程への移行を容易にする。 - 特許庁
To provide a process for preparing low melt and ultra low melt toners that allows for controlled particle growth and shape, and provides high yields.例文帳に追加
粒子成長および形状が制御可能な、収率の高い低融解および超低融解トナー製造方法を提供する。 - 特許庁
In such an epitaxial growth process, lattice defects are formed previously by adding oxygen to a silicon film being oxidized.例文帳に追加
このようなエピタキシャル成長過程において、酸化させるシリコン膜に酸素を含有させることにより、予め格子欠陥を形成させる。 - 特許庁
The second getter layer 22 is formed through an ion implantation process carried out between epitaxial growth processes which are performed in two steps.例文帳に追加
この第2のゲッタ層22は、2段階で行われるエピタキシャル成長工程の中間でイオン注入工程によって形成される。 - 特許庁
The high molecular compound acts so as to suppress sintering and grain growth of the carbonate powder of the A element in the calcining process.例文帳に追加
有機高分子化合物は、仮焼工程でのA元素の炭酸塩粉末の焼結および粒成長を抑制するように作用する。 - 特許庁
To prevent a trench aperture part from being closed, by preventing polycrystal from growing in a process for embedding trenches by epitaxial growth.例文帳に追加
トレンチをエピタキシャル成長によって埋め込む工程で、多結晶が生成しないようにして、トレンチ開口部を塞がないようにする。 - 特許庁
The mask 6a is formed of inorganic materials so as to be made resistant to a growth temperature in the process for forming Ga_1-XAlXN layers 8, 10, 12, and 14.例文帳に追加
マスク6aは無機材料からなるので、Ga_1-XAl_XN層8、10、12、14の形成工程における成長温度にも耐える。 - 特許庁
A boat 1 (the holder for liquid phase growth) is used for in a liquid phase epitaxial growth process comprising bringing a growth liquid 5 into contact with the main surface of a semiconductor substrate 2 and forming an epitaxial layer on the main surface of the semiconductor substrate 2, and the base body 1a of the boat 1 is made of graphite.例文帳に追加
ボート1(液相成長用治具)は、半導体基板2の主表面に成長溶液5を接触させ半導体基板2の主表面にエピタキシャル層を形成する液相エピタキシャル成長に用いられ、基体1aが主にグラファイトにてなる液相成長用治具である。 - 特許庁
The U.S. economy is demonstrating its resilience, posting a real GDP growth rate of 4.4% year-on-year in 2004, the strongest growth since 1999 (4.5%). In the process of domestic demand-led growth, however, the twin deficits—the budget deficit and current account deficit—are continuing to expand in the U.S.例文帳に追加
米国の2004年の実質GDP成長率は前年比4.4%と1999年(同4.5%)以来の高い伸びとなり、その強靱性を示している。しかしながら、内需主導による成長の過程で、米国では財政赤字と経常収支赤字という双子の赤字が拡大を続けている。 - 経済産業省
The method of forming metal wiring induces abnormal particle growth by rapidly removing dispersant for inducing the growth of metallic nanoparticles, at a temperature at which the growth drive force of the metallic nanoparticles is high, in the process of firing the metallic nanoparticles.例文帳に追加
本発明による金属配線の形成方法は、金属ナノ粒子の焼成過程において金属ナノ粒子の成長を誘導することができる分散剤を、金属ナノ粒子の成長駆動力が高い温度で迅速に除去して非正常粒子成長を誘導する。 - 特許庁
To obtain a reliability growth model decided at an initial stage of a test process in a software test process evaluation system using a reliability growth model obtained by modeling a relation between evaluation quantity to software of an evaluation object and a fault discovered for the evaluation quantity.例文帳に追加
評価対象のソフトウェアに対する評価の量とその評価量に対して発見される障害の関係をモデル化した信頼度成長モデルを用いるソフトウェアのテストプロセス評価方式において、テストプロセスの初期段階で確定した信頼度成長モデルが得られるようにする。 - 特許庁
A liquid phase growing device 1 has a reaction pipe 3, a gas supply part 2 for making a process gas containing an impurity flow out into a growth reaction chamber 9 and a buffle 4 formed with a hole 10 for regulating the flow rate of the process gas G in the growth reaction chamber 9.例文帳に追加
本発明の液相成長装置1は、反応管3と、不純物を含むプロセスガスGを成長反応室9内に流出させるガス供給部2と、プロセスガスGの成長反応室9内における流量を規制する通口10が形成されているバッフル4とを有する。 - 特許庁
A first buffer layer 32 composed of amorphous A1N is grown on the (100) face of an Si substrate 31 by a first buffer-layer growth process, and a second buffer layer 33 composed of A1N as a single crystal is grown on the layer 32 by a second buffer-layer growth process.例文帳に追加
第1バッファ層成長工程によって、Si基板31の(100)面上にアモルファスのAlNからなる第1バッファ層32を成長させた後、第2バッファ層成長工程で、第1バッファ層32の上に単結晶のAlNからなる第2バッファ層33を成長させる。 - 特許庁
Subsequently, a Ta film 111 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the film 110, a Cu film 112 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the Ta film 111, and then a Cu film 113 is deposited by electroplating on a surface of the Cu film 112.例文帳に追加
次にTiN膜110表面に物理的気層成長法によりTa膜111を堆積し、次にTa膜111表面に物理的気層成長法によりCu膜112を堆積した後に、電解メッキ法によりCu膜112の表面にCu113膜を堆積する。 - 特許庁
Since the annealing of the quantum well structure 25 and thermal cleaning prior to the growth of the second conductivity group III-V compound semiconductor region 29 are executed in the organometallic vapor growth furnace 11, a process is simplified.例文帳に追加
有機金属気相成長炉11において、量子井戸構造25のアニールと、第2導電型III−V化合物半導体領域29の成長に先立つ熱クリーニングとを行うので、工程を簡素化できる。 - 特許庁
Langerhans' islet is cultured in a culture blood serum (rat/ human) medium in which a radical scavenger, a growth factor, a matrix material, a nerve growth factor, a cell migration/scattering factor and anti-integrin β-1 antibody are added in a culture process.例文帳に追加
ランゲルハンス島の場合はラジカルスカベンジャー、増殖因子、マトリックス材料、神経増殖因子、細胞遊走/散乱因子及び抗インテグリンβ1抗体を培養過程に補足した培養血清(ラット/ヒト)培地で行う。 - 特許庁
In the growth process, the pulling speed till the pass of the seeding part 17a through the liquid encapsulant 16 is set at 5 mm/h or lower.例文帳に追加
この成長過程において前記種付け部17aが前記液体封止剤16中を通過するまでの引上速度は、5mm/h以下とする。 - 特許庁
To prevent data whose evaluation prediction is erroneous from being integrated into learning data in the process of the learning data growth of a bootstrapping method.例文帳に追加
ブートストラッピング手法の学習データ成長の過程において、評価予測が誤っているデータが学習データに組み込まれることを回避する。 - 特許庁
In a process S111, the temperature is changed from the temperature T1 to T2 (T1<T2), while supplying TMIn and NH_3 to the growth furnace.例文帳に追加
工程S111では、TMIn及びNH_3を成長炉に供給しながら温度T1からT2(T1<T2)に温度を変更する。 - 特許庁
To provide a rare earth sintered magnet satisfying both suppression in grain growth and densification by shortening the sintering time, and to provide its production process and system.例文帳に追加
焼結時間を短縮し、結晶粒成長の抑制と高密度化を両立し、さらには酸素量を低減して高磁化を達成する。 - 特許庁
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