「Growth process」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

this process, called metabolism, makes energy and the materials needed for growth, reproduction, and maintaining health. 例文帳に追加

このプロセスは代謝と呼ばれ、成長、生殖、健康維持に必要なエネルギーと物質は代謝によって生成される。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

The plant growth culture medium or the soil amendment includes the used activated charcoal having been used for the advanced water-purifying process.例文帳に追加

高度浄水処理に用いられた使用済み活性炭を含む、植物育成培地または土壌改良資材。 - 特許庁

Since the user foresees the growth success image as the image of the growth, when in success, through the process of the STEP S1, he remembers the growth success image and compares it with the displayed image to judge whether the growth is proper or not.例文帳に追加

このとき、ユーザはステップＳ１での処理により、育成を成功した場合の画像である育成成功画像を予め知っていることから、この育成成功画像を思い出して表示された画像とを比較することにより、育成が適正に行われているか否かを判断することができる。 - 特許庁

Moreover, this method has the advantage that the process of the loading of the sapphire substrate into a reactor, the growth of the GaN intermediate layer, the growth of the GaN thick film and the discharge of the GaN thick film from the reactor after the growth can continuously performed.例文帳に追加

またこの方法は、反応器内にサファイア基板の装着からＧａＮ中間層の成長、ＧａＮ厚膜の成長、成長後反応器からＧａＮ厚膜を取り出す工程が連続的になされる利点もある。 - 特許庁

To provide an in-situ growth method of a polycrystalline thin film permitting the growth of a polycrystalline Si thin film without a separate post-annealing process and dehydrogenation process by using a catalytic chemical vapor deposition apparatus.例文帳に追加

触媒化学気相蒸着装置を利用して別途の後熱処理工程及び脱水素工程なしにも多結晶質Ｓｉ薄膜の成長が可能になるようにした多結晶質薄膜のインサイチュー成長方法を提供する。 - 特許庁

A practical form of a process of forming a lowresistivity III-V element nitride (e.g. GaN) p-type layer is that hydrogen supply sources (typically, NH_3) in an epitaxial growth chamber are all eliminated in a cooling process after growth.例文帳に追加

低抵抗率のIII−Ｖ族窒化物（例えば、ＧａＮ）ｐ型層を形成するプロセスの１つの実施形態が、成長後の冷却プロセスの間に、エピタキシャル成長チャンバ内の水素の全ての供給源（典型的には、ＮＨ_3）を取り除く。 - 特許庁

In a process S107, an AlN coating is formed on a jig by supplying an organic Al raw material and NH_3 to the growth furnace before a high resistance silicon substrate is set in the growth furnace.例文帳に追加

工程Ｓ１０７では、成長炉に高抵抗シリコン基板を設置する前に有機Ａｌ原料およびＮＨ_３を成長炉に供給して、治具上にＡｌＮコーティングを形成する。 - 特許庁

In a fourth process, by performing a molecular beam epitaxial growth method using a solid growth material, a group III-V compound semiconductor crystal 5 is selectively grown at part of the dimple 4.例文帳に追加

第４工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み４の部分にIII−Ｖ族化合物半導体結晶５を選択成長させる。 - 特許庁

In a process S2, the group III organic metal matter is stopped from being supplied into the vapor phase growth apparatus 11 at the time t1 to finish the growth of the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

工程Ｓ２では、時刻ｔ１においてIII族有機金属物質を気相成長装置１１へ供給することを停止して、III族窒化物半導体の成長を終了する。 - 特許庁

To provide a sapphire substrate for epitaxial growth which reduces the strain imposed on a single crystal substrate in an epitaxial growth process, even when a thin thickness single crystal substrate is used.例文帳に追加

厚みの薄い単結晶基板を用いた場合でも、エピタキシャル成長工程での単結晶基板にかかる歪みを抑えることができる、エピタキシャル成長用サファイヤ基板を提供すること。 - 特許庁

It is pointed out that generally in developing countries, disparities grow initially in the process of economic growth and shrink as the fruits of growth spread over the whole society.例文帳に追加

一般に途上国の経済成長においては、当初、格差は拡大するが、やがて成長の果実が全体に行きわたるようになれば、格差は低下していくことが指摘されている。 - 経済産業省

Finally, both TMG and TMA are turned on, and a second growth process of growing the barrier layer (AlGaN layer) is performed.例文帳に追加

次に、ＴＭＧと共にＴＭＡをオンとし、バリア層（ＡｌＧａＮ層）を成長させる第２成長工程を行う。 - 特許庁

As a result, estimation of crystal growth wherein a forming process of polycrystal in the silicon film is reflected more precisely is enabled.例文帳に追加

シリコン膜中における多結晶の生成過程をより精密に反映した結晶成長の評価が可能になる。 - 特許庁

BARRIER COVERING AND METHOD FOR STACKING BARRIER COVERING ON PLASTIC MATERIAL BY HIGH OUTPUT PLASMA CHEMICAL GAS PHASE GROWTH PROCESS例文帳に追加

バリア被覆および高出力プラズマ化学気相成長法によってプラスチック物体上にバリア被覆を堆積する方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal having high uniformity, while preventing the change of its composition through the crystal growth process.例文帳に追加

結晶成長過程における組成変化を防止し、均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ALD (atomic layer growth) method and to provide a reactor for forming a high quality ALD layer in the state of an optimized process.例文帳に追加

ＡＬＤ法と、最適化されたプロセス状態で高品質ＡＬＤ層を形成するためのリアクタを提供する。 - 特許庁

Furthermore, the resin layers contain conductive particles and the carbon nanotube is made by a chemical vapor growth process.例文帳に追加

さらに、樹脂層が導電性粒子を含有し、カーボンナノチューブが化学的気相成長法によって作製されている。 - 特許庁

METHOD OF EXCLUDING GROWTH OF OXIDE IN SHALLOW TRENCH ISOLATING MEMBER IN PERIODS FOLLOWING CMOS OXIDATION TREATMENT PROCESS例文帳に追加

後続のＣＭＯＳ酸化処理工程の期間中浅いトレンチ分離体の中で酸化物成長を排除する方法 - 特許庁

At 4-5 days during the culture process, the growth factor, the cell migration/scattering factor and the anti-integrin β-1 antibody are supplemented.例文帳に追加

培養過程の４〜５日に、増殖因子、細胞遊走／散乱因子及び抗−インテグリンβ１抗体を補足する。 - 特許庁

grow, progress, unfold, or evolve through a process of evolution, natural growth, differentiation, or a conducive environment 例文帳に追加

進化、自然の成長、分化、あるいは伝導性のある環境の過程を通じて、成長し、進歩し、展開し、または発展する - 日本語WordNet

A sapphire substrate 11 having C face as a main face is introduced into a metal organic vapor phase epitaxial growth(MOVPE) furnace in the process shown in Fig. 1 (a).例文帳に追加

図１（ａ）に示す工程で、Ｃ面を主面とするサファイア基板１１をＭＯＶＰＥ炉内に導入する。 - 特許庁

We will also grant political support to the Growth Strategy deliberating process toward the APEC Economic Leaders’ Meeting in Yokohama. 例文帳に追加

我々はまた、横浜のＡＰＥＣ首脳会合に向け、成長戦略の検討プロセスに対して政治的支持を与える。 - 経済産業省

To provide a CMOS image sensor in which the dead zone and the dark current characteristics can be enhanced simultaneously using a selective epitaxial growth process, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

選択的なエピタキシャル成長工程を用いてデッドゾーンと暗電流の特性を同時に向上させることのできるＣＭＯＳイメージセンサとその製造方法を提供する。 - 特許庁

The luminous diode manufacturing method includes the steps of providing a substrate; making a first epitaxial layer grow on the substrate under a first growth condition; making a process changeover layer grow on the first epitaxial layer under a second growth condition; and making a second epitaxial layer grow on the process switchover layer under a third growth condition.例文帳に追加

この製造方法は、基板を提供し、第一成長条件の下で前記基板上に第一エピタキシー層を成長させ、第二成長条件の下で前記第一エピタキシー層上にプロセス転換層を成長させ、第三成長条件の下で前記プロセス転換層上に第二エピタキシー層を成長させるステップを含む。 - 特許庁

A substrate for epitaxial growth is used, the substrate not degrading by roughening over a surface roughness of 10 nm during a temperature-rise process up to a growth temperature when a nitride-based compound semiconductor layer is directly epitaxially grown at a growth temperature of 900°C to 1,050°C.例文帳に追加

９００℃〜１０５０℃の成長温度で窒化物系化合物半導体層を直接エピタキシャル成長させる際に、成長温度までの昇温プロセスにおいて表面粗さが１０ｎｍを超えて劣化しないエピタキシャル成長用基板を用いる。 - 特許庁

The process of forming the through dislocation blocking layer alternately repeats a first step and a second step of performing the growth of the semiconductor film at mutually different growth rates, under a normal pressure and a temperature atmosphere lower than the growth temperature of a device function layer.例文帳に追加

貫通転位遮断層を形成する工程は、常圧且つデバイス機能層の成長温度よりも低い温度雰囲気の下、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。 - 特許庁

To prevent abnormal growth that occurs during second epitaxial growth by removing failure when substrate cleaning before the second epitaxial growth, during a manufacturing process of a compound dual wavelength laser product including two laser structures within a single chip.例文帳に追加

１チップ内に二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザ製品の製造過程における二回目のエピタキシャル成長前の基板洗浄における不具合を除去し、二回目のエピタキシャル成長時に発生する異常成長を防止する。 - 特許庁

In the method for cultivating fruit bodies of mushroom, a cultivation cycle comprising a cultivation temperature process under different temperature conditions is repeated in at least one of a culture medium culturing process, a germination process and a growth process.例文帳に追加

培養基の培養工程、芽出し工程、および生育工程のうち、１工程あるいは２工程以上の工程において、異なる温度条件による栽培温度工程を有する栽培サイクルを繰り返し実施することによりキノコを栽培する。 - 特許庁

A mixed gas of an inert gas and gaseous fluorine or carbon fluoride is used as a gas scavenger in at least one process of a purification process, a growth process and an annealing process for producing the fluoride crystal.例文帳に追加

そこで、本発明では、フッ化物の結晶製造の精製工程及び成長工程及びアニール工程の内の一つ以上の工程で用いる気体スカベンジャとして不活性ガスとフッ素あるいはフッ化炭素の混合気体を用いる構成とした。 - 特許庁

Also, the growth under a humidifying condition within 110 to 120% relative humidity range as a first half period of a growing process, and the growth under a humidifying condition within 90 to 105% relative humidity range as a second half period of the growing process are exemplified.例文帳に追加

また更に、前期生育工程として相対湿度１１０〜１２０％の範囲内の加湿条件下での生育、後期生育工程として相対湿度９０〜１０５％の範囲内の加湿条件下での生育を行うことが例示される。 - 特許庁

This high speed chemical vapor phase growth method of copper thin film consists of a process of vaporizing the first copper precursor at the first temperature, a process of vaporizing the second copper precursor at the second temperature, a process of introducing the vapor generated by the first and second precursors into a chemical vapor growth chamber and a process of depositing the copper metallic thin film on the substrate.例文帳に追加

銅薄膜の高速化学的気相成長法であって、第１の温度で第１の銅プリカーサを気化する工程と、第２の温度で第２の銅プリカーサを気化する工程と、第１および第２のプリカーサ由来の蒸気を化学的気相成長チャンバ中へ導入する工程と、基板上に銅金属薄膜を堆積する工程とを包含する、方法。 - 特許庁

To provide a single crystal growth device capable of stably producing a single crystal having excellent quality by, in the process of single crystal growth, allowing the central-symmetric natural convection of a melt and thereby inhibiting variation in temperature of the melt at the growth interface, and also to provide a single crystal growth method using the device.例文帳に追加

単結晶育成中に、融液の自然対流が中心対称性を得られるようにして、結晶の成長界面における融液の温度変動を抑制することにより、優れた品質の単結晶を安定して育成することができる単結晶育成装置と、それを用いた育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an LEC process compound semiconductor single crystal capable of preventing the occurrence of a crack in a processing process and the occurrence of a slip in an epitaxial growth process by stably and effectively removing the internal strain.例文帳に追加

安定かつ効果的に内部歪みを除去して、加工工程でのクラックの発生及びエピ工程でのスリップの発生を防止できるＬＥＣ法化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, by performing the heat treatment at 1,050-1,150°C, grain growth of the noble metal at heat treatment process can be especially suppressed.例文帳に追加

そして1050〜1150℃で熱処理することにより、熱処理工程における貴金属の粒成長を特に抑制することができる。 - 特許庁

In a process S113, the temperature is changed from the temperature T2 to T1, while supplying TMIn and NH_3 to the growth furnace.例文帳に追加

工程Ｓ１１３では、ＴＭＩｎ及びＮＨ_３を成長炉に供給しながら温度Ｔ２からＴ１に温度を変更する。 - 特許庁

To provide a fingerprint authentication system capable of preventing deterioration of authentication accuracy for a child in a growth process.例文帳に追加

成長期にある子供の指紋認証の本人の認証精度を劣化させることのない指紋認証システムを提供する。 - 特許庁

The protein is proved to have a role related to cell growth in a specific organ or tissue formation process.例文帳に追加

当該タンパク質は、特定の器官または組織の形成過程において、細胞増殖に関連する役割を持つことが判明した。 - 特許庁

To provide a process for forming an organic optical single crystal having a desirable shape at the point of crystal growth.例文帳に追加

結晶育成の時点で、所望の形状の有機光学単結晶を形成させ得る方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To form a film of high quality by improving dispersion in film thickness uniformity in a selective growth process in a batch type processing device.例文帳に追加

バッチ式処理装置における選択成長プロセスでの膜厚均一性のばらつきを改善し、高品質な膜を形成する。 - 特許庁

We recognize that the process to ensure more balanced global growth must be undertaken in an orderly manner. 例文帳に追加

我々は、より均衡ある世界経済の成長を確保するためのプロセスは秩序立てて行われる必要があることを認識する。 - 財務省

To form a first P type well region at a deep part of a substrate without being affected by the high temperature treatment of epitaxial growth process.例文帳に追加

エピタキシャル成長工程の高温処理の影響を受けることなく基板深部の第１Ｐ型ウエル領域を形成する。 - 特許庁

This high-purity trialkylaluminum thus obtained can be used as a raw material for producing highly functional compound semiconductors by e.g. epitaxial growth process.例文帳に追加

該化合物は、例えばエピタキシャル成長法による高機能の化合物半導体の製造原料利用することが出来る。 - 特許庁

PROCESS AND APPARATUS FOR MOCVD GROWTH OF COMPOUND INCLUDING GaAsN ALLOY USING AMMONIA PRECURSOR WITH CATALYST例文帳に追加

アンモニア前駆体を触媒と共に用いてＧａＡｓＮ合金を含む化合物をＭＯＣＶＤ成長させるための方法と装置 - 特許庁

To suppress facet formation in a process of epitaxial growth on the inner wall surface in a trench formed in a substrate.例文帳に追加

基板に形成したトレンチ溝の内壁面にエピタキシャル成長する際にファセット面の形成を抑制することができるようにする。 - 特許庁

We recognize the importance of a methodized process in order to ensure more balanced global economic growth.例文帳に追加

我々は、より均衡ある世界経済の成長を確保するためのプロセスは秩序立てて行われる必要があることを認識する。 - 経済産業省