「Hydrogen Fluoride」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

In such a case, the acidic solution prepared to 0.3 to 0.98, more preferably 0.56 to 0.93 in the ratio X of the sum of the concentrations per mol each of the hydrofluoric acid and hydrogen ions to the sum of the concentrations per mol each of the hydrofluoric acid and fluoride ions is used as the etchant.例文帳に追加

この場合、エッチング液としては、フッ酸とフッ化物イオンの各々１モル当りの濃度の和に対するフッ酸と水素イオンの各々１モル当りの濃度の和の比率Ｘが、０．３〜０．９８、好ましくは０．５６〜０．９３に調製した酸性溶液を使用する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the glass substrate for the information recording medium having an end surface treatment step for polishing end surfaces of the glass substrate by using a polishing brush or a polishing pad and a polishing liquid, the polishing liquid contains a hydrogen fluoride based solvent.例文帳に追加

ガラス基板の端面を研磨ブラシ又は研磨パッドと研磨液を用いて研磨する端面処理工程を有する情報記録媒体用ガラス基板の製造方法において、前記研磨液が、フッ酸系溶剤を含むことを特徴とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。 - 特許庁

To restrain an etching rate from lowering caused by continuous etching by only a mixed acid, by etching buffered hydrofluoric acid after etching by the mixed acid that is a chemical liquid mixed with hydrogen fluoride HF and nitric acid HNO_3, and to uniformly remove a conductive film on a surface of a substrate, or a conductive film on a reverse face of the substrate.例文帳に追加

フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ_3）との混酸を用いたエッチング方法では、この混酸を供給し続けている個所のエッチングレートが低下する傾向が見られ、基板の表面または裏面のポリシリコン膜を、均一に除去することは困難である。 - 特許庁

To provide a printing plate image eliminating fluid (correction fluid) which can eliminate the total surface of a printing plate image section for a lithography such as a PS plate using an aluminum as a supporting body, or a thermal CTP plate by containing no hydrogen fluoride or a fluorine compound as an effective component.例文帳に追加

有効成分としてフッ化水素乃至フッ素化合物を含有させなくても、アルミニウムを支持体とするＰＳ版、サーマルＣＴＰ版等の平版の刷版画像部を全面消去することができる刷版画像消去液（修正液）を提供すること。 - 特許庁

After bringing into reaction an optical isotropic pitch, which is obtained by polymerizing a condensed polycyclic compound or a material containing the same under the presence of hydrogen fluoride/boron trifluoride, and at least one kind of crosslinking agent selected from p-benzoquinone, anthraquinone, and sulfur, a thermal treatment is performed at a temperature of 800°C or higher.例文帳に追加

縮合多環式化合物またはこれを含有する物質を弗化水素・三弗化硼素の存在下で重合させて得られた光学的等方性ピッチと、ｐ-ベンゾキノン、アントラキノン、硫黄から選ばれる少なくとも１種の架橋剤とを反応させた後、８００℃以上の温度で熱処理する。 - 特許庁

To provide a system and a method for measuring the amount of compounds producing a highly corrosive acidic gas, e.g. hydrogen fluoride, after decomposition, supplying an acidic gas remover for removal of the acidic gases efficiently to an acidic gas treating apparatus and realizing a reduction of the running cost.例文帳に追加

本発明によれば、分解により弗化水素のような高腐食性を有する酸性ガスを生成する化合物量を測定し、酸性ガスを除去するための酸性ガス除去剤を酸性ガス処理装置に効率良く供給し、ランニングコストの低減を実現するシステムと方法を提供することができる。 - 特許庁

The waste solution used for etching and/or washing the electronic parts is used and adjusted to respective concentrations of 50-150 g/liter nitric acid, 10-75 g/liter hexafluoro silicic acid and ≤1 g/liter hydrogen fluoride to make the pickling solution, and the stainless steel is pickled by using this pickling solution.例文帳に追加

電子部品のエッチングおよび／または洗浄に使用された廃液を用いて、硝酸濃度が５０〜１５０ｇ／リットル、ヘキサフルオロケイ酸濃度が１０〜７５ｇ／リットルおよびフッ化水素濃度が１ｇ／リットル以下に濃度調整して酸洗液とし、この酸洗液を用いてステンレス鋼を酸洗する。 - 特許庁

The wet etching solution includes: hydrogen fluoride in an amount of 0.1-3% by weight of the etching solution; one or more inorganic acids selected from the group consisting of nitric acid, sulfuric acid, and hydrochloric acid, in an amount of 10-40% by weight of the etching solution; and water in an amount of the remainder percent by weight of the etching solution.例文帳に追加

本発明は、０．１〜３重量％のフッ化水素、１０〜４０重量％の、硝酸、硫酸及び塩酸から一つ以上選択される無機酸、及び残余重量％の水を含んでおり、金属シリサイド膜に対するシリコン酸化膜の選択性が高い湿式エッチング溶液を構成する。 - 特許庁

A partial region on the surface of the aluminum foil is brought into contact with an acidic first liquid comprising hydrogen fluoride, and thereafter, the surface of the aluminum foil at least comprising the part is brought into contact with an acidic second liquid comprising hydrochloric acid, so that the aluminum foil is subjected to etching treatment.例文帳に追加

アルミニウム箔の表面上で一部の領域にフッ化水素を含む酸性の第１の液を接触させた後、一部の領域を少なくとも含むアルミニウム箔の表面上に塩酸を含む酸性の第２の液を接触させることによってアルミニウム箔をエッチング処理する。 - 特許庁

Or, a hydrogen peroxide solution containing metal ion impurities is contacted with, in sequence, H+ type cation exchange resin, fluoride ion type anion exchange resin, then carbonated ion (CO32-) type or carbonated hydrogen ion (HCO3-) type anion exchange resin, and finally H+ type cation exchange resin.例文帳に追加

また、金属イオン不純物が含まれた過酸化水素水を、Ｈ^+型カチオン交換樹脂と接触させた後、フッ化物イオン型アニオン交換樹脂と接触させ、次いで、炭酸イオン(CO_3^2-)型または炭酸水素イオン(HCO_3^-)型アニオン交換樹脂と接触させ、さらに、Ｈ^+型カチオン交換樹脂と接触させる精製過酸化水素水の製造方法。 - 特許庁

To provide a system using a bag filter with a pre-coated layer formed on the surface for treating VOC's such as toluene and xylene, or exhaust gas containing special gases such as hydrogen fluoride, chlorine, hydrogen chloride and sulfite gas generated in chemical plants, in addition to PCB and dioxins generated in waste incineration facilities or viscous mist generated in the course of coating.例文帳に追加

表面にプレコート層を形成したバグフィルタを用い、ごみ焼却などの処理施設から発生するＰＣＢやダイオキシンあるいは塗装時に発生する粘性ミストに加え、トルエン、キシレンなどのＶＯＣあるいは化学工場などから発生するフッ化水素、塩素、塩化水素、亜硫酸ガスのような特殊ガスを含んだ排ガスの処理を行うシステムを提供する。 - 特許庁

The fluorine-containing polyether compound is produced by reacting a fluorine-containing dicarboxylic acid fluoride compound [II] (wherein l and m are each independently an integer of at least 10; and l+m is 30-200) with an aniline compound [III] (wherein R^1 is hydrogen, 1-3C alkyl or phenyl group; R^2 is hydrogen or a trimethylsilyl group; and X is bromine or iodine).例文帳に追加

含フッ素ジカルボン酸フルオリド化合物(ここで、lおよびmはそれぞれ独立に10以上の整数であり、l+mは30〜200である)を、アニリン化合物(ここで、R^1は水素原子、炭素数1〜3のアルキル基またはフェニル基であり、R^2は水素原子またはトリメチルシリル基であり、Xは臭素原子またはヨウ素原子である)と反応させ、含フッ素ポリエーテル化合物を得る。 - 特許庁

7. Excimer laser oscillators, copper laser oscillators, metal laser oscillators, sodium laser oscillators, barium laser oscillators, carbon monoxide laser oscillators, carbon dioxide laser oscillators, hydrogen fluoride laser oscillators, deuterium fluoride oscillators, and laser oscillators designed to be excited by excitation transfer from oxygen, krypton ion laser oscillators, argon laser oscillators and gas laser oscillators other nitrogen laser oscillators which fall under any of the following 例文帳に追加

（七）　エキシマーレーザー発振器、銅レーザー発振器、金レーザー発振器、ナトリウムレーザー発振器、バリウムレーザー発振器、一酸化炭素レーザー発振器、二酸化炭素レーザー発振器、ふっ化水素レーザー発振器、ふっ化重水素レーザー発振器、酸素からの励起移動によって励起するように設計したよう素レーザー発振器、クリプトンイオンレーザー発振器、アルゴンイオンレーザー発振器又は窒素レーザー発振器以外のガスレーザー発振器であって、次のいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

The electrolytic electrode for synthesizing the fluorine compound by use of a molten-salt electrolytic bath containing hydrogen fluoride includes: an electrode substrate, at least the surface of which is composed of a conductive carbon material; a conductive diamond layer which covers part of the surface of the electrode substrate; and a metal-fluoride-containing film which covers an exposed portion of the electrode substrate, which is not covered by the conductive diamond layer.例文帳に追加

フッ化水素を含む溶融塩電解浴を用いてフッ素化合物を合成するための電解用電極であって、前記電解用電極は、少なくともその表面が導電性炭素材料から成る電極基材と、前記電極基材表面の一部に被覆された導電性ダイヤモンド層と、を有し、前記導電性ダイヤモンド層が被覆されていない前記電極基材の露出部に金属フッ化物含有膜を被覆させたことを特徴とする電解用電極。 - 特許庁

The cleaning liquid for removing cerium oxide remaining on the surface of an object to be cleaned contains (1) hydrogen fluoride, and (2) at least one kind of ammonium salt selected from a group consisting of ammonium chloride, ammonium nitrate, ammonium sulfate, tetramethylammonium chloride, tetramethylammonium nitrate, and tetramethylammonium sulfate.例文帳に追加

被洗浄物表面に残存する酸化セリウムを除去する洗浄液において、（１）フッ化水素と、（２）塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも1種のアンモニウム塩と、を含むことを特徴とする洗浄液。 - 特許庁

The method for efficiently preparing an α,α-difluoromethyl compound comprises reacting an aldehyde as a raw material with a specific fluoroamine and a complex (Et_3N-nHF) of triethylamine and anhydrous hydrogen fluoride thermally or under the irradiation with microwaves and/or electromagnetic waves near microwave.例文帳に追加

アルデヒドを原料とし、特定のフルオロアミン、及びトリエチルアミンと無水フッ化水素の錯体（Ｅｔ_３Ｎ−ｎＨＦ）を用いて、熱的に、若しくはマイクロ波及び／又はマイクロ波近傍の電磁波の照射下で反応させることにより、目的とするα，α−ジフルオロメチル化合物を効率よく製造することが可能となる。 - 特許庁

This method for production comprises a first step of reacting triethylamine with methyl formate in an alcoholic solvent and obtaining triethylmethylammonium formate and a second step of reacting the triethylmethylammonium formate with anhydrous hydrogen fluoride and boron trifluoride in the presence of a solvent having a low solubility of the triethylmethylammonium borate.例文帳に追加

トリエチルアミンとギ酸メチルをアルコール溶媒中で反応させ、トリエチルメチルアンモニウムギ酸塩を得る第一工程、トリエチルメチルアンモニウムギ酸塩と無水フッ化水素及び三フッ化ホウ素とをトリエチルメチルアンモニウムテトラフルオロボレートの溶解度が低い溶媒の存在下に反応させる第二工程からなる製造方法。 - 特許庁

To provide a sheet-shaped lithium-ion secondary battery, capable of quickly fixing hydrogen fluoride (HF) produced during use, and thus, has a long service life.例文帳に追加

正極と負極とをセパレータを介して積層してなる電極群を、電解質塩に少なくとも六フッ化リン酸リチウム（ＬｉＰＦ_６）を含む非水電解液と共にラミネートフィルムからなる外装ケースに収納してなるリチウムイオン二次電池において、使用に伴い生成するフッ化水素（ＨＦ）をすみやかに固定することができ、もって長寿命を有するシート状のリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁

The curable polymer composition comprises at least (A) an acrylic copolymer containing a silicon atom-bonded hydrogen atom, (B) a compound having at least two aliphatic unsaturated bonds in one molecule, (C) a fluoroolefin copolymer mainly composed of a vinylidene fluoride and (D) a catalyst for hydrosilylation reaction.例文帳に追加

(Ａ)ケイ素原子結合水素原子を含有するアクリル系共重合体、(Ｂ)一分子中に少なくとも２個の脂肪族不飽和結合を有する化合物、(Ｃ)フッ化ビニリデンを主成分とするフルオロオレフィン共重合体、および(Ｄ)ヒドロシリル化反応用触媒を少なくとも含む硬化性ポリマー組成物。 - 特許庁

Unreacted hydrogen fluoride (HF) may be removed from hexafluorocarbon during the above azeotropic distillation or alternatively by an azeotropic distillation wherein an HF-hexafluoroethane azeotropic or azeotrope-like composition is removed from the overhead and substantially pure HF is taken out in the bottom stream.例文帳に追加

未反応の弗化水素（HF）は、上記の共沸蒸溜の間にヘキサフルオロカーボンから除去されるか、または別法として共沸蒸溜によりHF-ヘキサフルオロエタン共沸混合物または共沸混合物様組成物が塔頂から、そして純粋なHFが塔底流中に取り出されるようにして除去することが出来る。 - 特許庁

The method for producing the alkylnaphthaldehyde includes formylating an alkylnaphthalene selected from the group consisting of monomethylnaphthalene, dimethylnaphthalene, trimethylnaphthalene and tetramethylnaphthalene with carbon monoxide within the temperature range of from -40°C to 30°C in the presence of hydrogen fluoride and boron trifluoride to afford the corresponding alkylnaphthaldehyde.例文帳に追加

フッ化水素および三フッ化ホウ素の存在下、モメチルナフタレン、ジメチルナフタレン、トりメチルナフタレンあるいはテトラメチルナフタレン類からなる群から選ばれるアルキルナフタレンを−４０℃から３０℃の温度範囲で一酸化炭素によるホルミル化をして、それぞれのアルキルナフトアルデヒドを得ることを特徴とする、アルキルナフトアルデヒドの製造方法。 - 特許庁

To provide a method of producing an orthoester compound in which a carboxylic acid group is protected from an oxetane ester compound without using a boron trifluoride compound which must use a reactor in which a special coating is performed in an industrial production in order to react with water to generate hydrogen fluoride.例文帳に追加

水と反応してフッ化水素を生成するため、工業的な生産においては特殊なコーティングが施された反応装置を使用しなければならない三フッ化ホウ素化合物を使用せずに、オキセタンエステル化合物からカルボン酸基が保護されたオルトエステル化合物を製造する方法を提供することにある。 - 特許庁

The cleaning liquid for removing the cerium oxide is configured including at least one acid selected from a group comprising hydrogen fluoride, hydrochloric acid, nitric acid, sulphuric acid, acetic acid, phosphorous acid, iodin acid and hydrobromic acid, and water, and dissolves and removes the cerium oxide as the cerium ion.例文帳に追加

本発明に係る洗浄液は、酸化セリウムを除去する洗浄液であって、フッ化水素と、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、リン酸、ヨウ素酸及び臭化水素酸からなる群より選択される少なくとも何れか１種の酸と、水とが含み構成され、前記酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて除去することを特徴とする。 - 特許庁

This method for purifying 1,1-difluoroethane is provided by bringing crude 1,1-difluoroethane containing at least 1 kind of compound selected from unsaturated compounds containing 2C atoms in its molecule and hydrogen fluoride as impurities in contact with a fluorination catalyst in a gas phase state to reduce the content of the unsaturated compounds containing 2C atoms.例文帳に追加

不純物として分子内に炭素原子２個を含む不飽和化合物類からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物とフッ化水素とを含有する粗１，１−ジフルオロエタンを気相状態でフッ素化触媒と接触させ、分子内に炭素原子２個を含む不飽和化合物類の含有量を低減させる。 - 特許庁

The composition comprises one or more compounds selected from the group consisting of an alkoxy N-hydroxyalkyl alkanamide, an alkanol amine, a polar substance having a dipole moment of 3 or more and a damage preventing agent, and at least one of a fluoride-based reducing agent and a hydroxide-based reducing agent or a hydrogen peroxide.例文帳に追加

アルコキシＮ−ヒドロキシアルキルアルカンアミドと、アルカノールアミン、双極子モーメントが３以上の極性物質及び損傷防止剤よりなるグループから選ばれた１つ以上の化合物と、フッ化物系還元剤及び水酸化物系還元剤のうちいずれか１つ以上又は過酸化水素とを含む。 - 特許庁

In the method for analyzing the semiconductor substrate, the semiconductor substrate containing an analyte is etched by a vapor phase cracking method using hydrogen fluoride vapor and ozone-containing gas produced by discharge, and a recovery liquid is discharged on the semiconductor substrate after etching, so that the analyzing target is recovered along with the recovery liquid.例文帳に追加

本発明は、フッ化水素の蒸気と、放電により発生させたオゾン含有ガスとを用いた気相分解法により分析対象物を含む半導体基板をエッチングし、エッチング後の半導体基板上に回収液を吐出し、回収液とともに分析対象物を回収する半導体基板の分析方法に関する。 - 特許庁

There is provided an improved process for preparing the fluoromethyl 2,2,2-trifluoro-1-(trifluoromethyl)ethyl ether (sevoflurane) by reacting 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propanol with formaldehyde and hydrogen fluoride either (A) under distillation conditions or (B) in the presence or with the secondary addition of a solvent selectively extracting the sevoflurane.例文帳に追加

１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールとホルムアルデヒド及びフッ化水素とのＡ）蒸留条件下又はＢ）選択的にセボフルランを抽出できる溶媒の存在に於いて又は２次的な添加により反応させることで、フルオロメチル２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチルエーテル（セボフルラン）を調製する為の改良した工程である。 - 特許庁

The high purity gaseous fluorine generator using electrolyzing a mixed molten salt containing hydrogen fluoride comprises an electrolytic cell separated into an anode chamber 5 and a cathode chamber 8 by a membrane 28, and a pressure retaining means 50 for feeding gas to the anode chamber 5 and the cathode chamber 7, respectively and for retaining the pressure in the both chamber chambers.例文帳に追加

フッ化水素を含む混合溶融塩を電気分解して高純度のフッ素ガスを生成するためのフッ素ガス発生装置であって、隔壁２８によって陽極室５と陰極室７に分離された電解槽と、前記陽極室５と前記陰極室７にそれぞれガスを供給し、前記陽極室５及び前記陰極室７内を所定の圧力に維持する圧力維持手段５０を備えたものである。 - 特許庁

This improved process for preparing fluoroethyl 2,2,2-trifluoro-1-(trifluoromethyl)ethyl ether (sevoflurane) comprises the reaction of 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propanol with formaldehyde and hydrogen fluoride either (A) under distillation condition or (B) in the presence of or with the secondary addition of a solvent capable of selectively extracting sevoflurane.例文帳に追加

１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールとホルムアルデヒド及びフッ化水素とのＡ）蒸留条件下又はＢ）選択的にセボフルランを抽出できる溶媒の存在に於いて又は２次的な添加により反応させることで、フルオロメチル２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチルエーテル（セボフルラン）を調製する為の改良した工程である。 - 特許庁

The fluorine in the perfluorocompound containing only fluorine as halogen is converted into hydrogen fluoride by bringing the perfluorocompound into contact with a catalyst containing Al, Ni and W as active components, the multiple oxide of Ni and Al and that of W and Ni at 500-800°C in the presence of steam or steam and oxygen.例文帳に追加

ハロゲンとしてフッ素のみを含有するパーフルオロコンパウンドを、水蒸気または水蒸気と酸素の存在下で、５００〜８００℃の温度で、ＡｌとＮｉとＷを触媒活性成分とし、ＮｉとＡｌよりなる複合酸化物と、ＷとＮｉよりなる複合酸化物を含む触媒と接触させてパーフルオロコンパウンド中のフッ素をフッ化水素に転化する。 - 特許庁

The process for cleaning a semiconductor wafer uses a cleaning solution containing an ammonium-alkaline ammonium component in an initial composition, wherein the semiconductor wafer is brought into contact with the cleaning solution in an individual-wafer treatment, and in the course of cleaning hydrogen fluoride is added as further component to the cleaning solution, and the cleaning solution has at the end of cleaning, a composition that differs from the initial composition.例文帳に追加

初期の組成においてアンモニウム−アルカリ性の成分を含有する洗浄溶液を用いて、その際、前記半導体ウェハを枚葉式処理で洗浄溶液と接触させ、かつ洗浄の経過において、フッ化水素を他の成分として前記洗浄溶液に添加し、かつ前記洗浄溶液は、洗浄の完了時に、初期と組成とは異なる組成を有する、半導体ウェハを洗浄する方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method causing no deterioration in catalyst activities for manufacturing trans-1,3,3,3-tetrafluoropropene by fluorinating 1-chloro-3,3,3-trifluoropropene with hydrogen fluoride that comprises a simple additional treatment when an unreacted raw material or an intermediate is recovered to be used again as a raw material.例文帳に追加

１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンをフッ化水素でフッ素化してトランス−１，３，３，３−テトラフルオロプロペンを製造する方法であって、未反応原料や中間体を回収して再度原料として使用する際に、簡便な処理を追加することで触媒の活性低下を招くことのない製造方法を提供する。 - 特許庁

In this formation method of silicon-based thin films for introducing a feed gas, where silicon fluoride and hydrogen are contained into a vacuum vessel, and for forming the silicon-based thin films on a substrate introduced into the vacuum vessel by a high-frequency plasma CVD method, light emission intensity due to SiF α (440 nm) is to be higher than that due to Hα (656 nm).例文帳に追加

真空容器内にフッ素化シリコンと水素を含む原料ガスを導入し、前記真空容器内に導入した基板上に高周波プラズマＣＶＤ法を用いてシリコン系薄膜を形成する方法であって、ＳｉＦα（４４０ｎｍ）に起因する発光強度が、Ｈα（６５６ｎｍ）に起因する発光強度以上であることを特徴とする。 - 特許庁

When hydrogen fluoride gas is introduced into the exhaust pipe 15 to clean the exhaust pipe 15 during the process of depositing silicon oxide film on the semiconductor wafer 10 using the heat treatment equipment 1, the deposition of the silicon oxide film and the removal of the reaction product adhering to the exhaust pipe 15, etc., can be performed simultaneously and the maintenance cycle of the heat treatment equipment 1 can be prolonged.例文帳に追加

そして、熱処理装置１を用いた半導体ウエハ１０へのシリコン酸化膜の形成工程中に、排気管１５内にフッ化水素ガスを導入して排気管１５を洗浄すると、シリコン酸化膜の形成と排気管１５等に付着する反応生成物の除去とが並行して実行され、熱処理装置１のメンテナンスサイクルが長くなる。 - 特許庁

In a step (d), a porous polysilicon layer 5 is formed by performing positive electrode oxidation processing with a constant current while performing light irradiation on the exposed polysilicon layer 3 by using the silicon oxide layer 4 as a mask material layer, and by using an electrolytic solution that is prepared by mixing 55 wt.% of hydrogen fluoride aqueous solution and ethanol with a ratio of 1:1, and cooled at 0°C.例文帳に追加

酸化シリコン層４をマスク材料層として５５ｗｔ％のフッ化水素水溶液とエタノールとを１：１で混合し０℃に冷却した電解溶液を用い、露出したポリシリコン層３に光照射を行いながら定電流で陽極酸化処理を行い多孔質ポリシリコン層５を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

To provide a process for producing phosphorus pentafluoride by separating/extracting phosphorus pentafluoride from a pentavalent-phosphorus compound or a solution thereof or from a composition obtained by reacting the pentavalent-phosphorus compound or solution thereof with hydrogen fluoride, and a process for producing a hexafluorophosphate using the phosphorus pentafluoride thus obtained as a raw material to produce a high-purity hexafluorophosphate.例文帳に追加

５価のリン化合物若しくはその溶液、又は前記５価のリン化合物若しくはその溶液とフッ化水素とを反応させて得られた組成物から五フッ化リンを分離・抽出して当該五フッ化リンを製造する五フッ化リンの製造方法、及び得られた五フッ化リンを原料として純度の高い六フッ化リン酸塩を製造する六フッ化リン酸塩の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the oxime involves using a fired product of a layered titanosilicate obtained by mixing a silicon compound, a titanium compound, water, a structure-regulating agent and hydrogen fluoride, and subjecting the resultant mixture to a hydrothermal synthetic reaction when producing the oxime by subjecting the ketone to the ammoxidation reaction with a peroxide and ammonia in the presence of the titanosilicate having an MWW structure.例文帳に追加

ＭＷＷ構造を有するチタノシリケートの存在下に、ケトンを過酸化物及びアンモニアによりアンモキシム化反応させてオキシムを製造する際、上記チタノシリケートとして、ケイ素化合物、チタン化合物、水、構造規定剤及びフッ化水素を混合して水熱合成反応に付し、得られた層状チタノシリケートを焼成することにより調製されたものを使用する。 - 特許庁

This method for producing a highly reactive polybutene is to convert terminal fluorine groups into terminal vinylidene groups by bringing an oligomer containing ≥80 mole% of a regular repeating structural unit and, as one terminal group, ≥60 mole% of molecule having terminal vinylidene group and 0.005-15 mole% of molecule having a terminal fluorinated group into contact with an inorganic material to remove hydrogen fluoride.例文帳に追加

規則正しい繰り返し構造単位を８０モル％以上含み、かつ一方の末端基として、ビニリデン基を有する分子を６０モル％以上、およびフッ素化末端基を有する分子を０．００５〜１５モル％含有するブテンオリゴマーを、無機物と接触させて脱フッ化水素処理することにより、フッ素化末端基を末端ビニリデン基に変換することを特徴とする高反応性ポリブテンの製造方法。 - 特許庁

When the polycrystalline silicon is etched to the depth of 15 μm with regard to the cross section using a mixed acid solution containing an aqueous solution of 50% hydrogen fluoride and an aqueous solution of 70% nitric acid in the ratio of 1:50, the etching depth at the boundary between the seed crystal part and the precipitated silicon part is at most 200 μm.例文帳に追加

その多結晶シリコンの横断面に対して、５０％フッ化水素水溶液と７０％硝酸水溶液との比率が１：５０の混酸溶液により１５μｍのエッチング処理を行ったとき、種芯部分と析出シリコン部分との境界部分におけるエッチング深さが２００μｍ以下となる。 - 特許庁

In the method of dry-etching the silicon nitride film 103 for dry-etching the silicon nitride film 103, the silicon nitride film 103 is dry-etched with no generation of plasma by using a process gas at least containing a hydrogen fluoride gas (HF gas) and a fluorine gas (F_2 gas) for an object to be processed 100 with the silicon nitride film 103 formed.例文帳に追加

窒化珪素膜１０３をドライエッチングする窒化珪素膜１０３のドライエッチング方法であって、窒化珪素膜１０３が形成された被処理体１００に対して、少なくともフッ化水素ガス（ＨＦガス）とフッ素ガス（Ｆ_２ガス）とを含む処理ガスを用いて、プラズマを生成することなく、窒化珪素膜１０３をドライエッチングする。 - 特許庁

In the wet etching method of a gallium oxide single crystal for etching a gallium oxide single crystal with an HF (hydrogen fluoride) solution, a gallium oxide single crystal is immersed in an HF solution of ≥47% concentration and etched at a room temperature, thereby etching the gallium oxide single crystal in a depth direction at an etching speed of ≥60 nm/h.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶をＨＦ溶液でエッチングすることを特徴とする酸化ガリウム単結晶のウェットエッチング方法であり、例えば濃度４７％以上のＨＦ水溶液中に酸化ガリウム単結晶を浸漬して室温でエッチングすることで、酸化ガリウム単結晶を深さ方向に６０ｎｍ／ｈ以上のエッチング速度でエッチングすることができる。 - 特許庁

HF (hydrogen fluoride) gas is supplied to a wafer W having a thermal oxidation film 72, a BPSG (boron phosphorous silicate glass) film 75 and a deposit film 76 to etch the BPSG film 75 and the deposit film 76 selectively by hydrofluoric acid while residue 41 consisting of H_2SiF_6 generated upon the etching is decomposed into HF and SiF_4 through heating.例文帳に追加

熱酸化膜７２、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６を有するウエハＷに向けてＨＦガスを供給して、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６をフッ酸により選択的にエッチングし、該エッチングの際に発生するＨ_２ＳｉＦ_６からなる残留物４１を加熱によってＨＦとＳｉＦ_４に分解する。 - 特許庁

A method of etching a silicon oxide film includes a decomposition step of feeding a blended gas containing a hydrogen-fluoride gas HF and an ammonia gas NH_3 over a surface of the silicon oxide film, making chemical reaction carried out on the silicon oxide film and the blended gas, and decomposing the silicon oxide film to produce a reaction product; and a heating step of then heating and removing the reaction product.例文帳に追加

シリコン酸化膜をエッチングする方法において，シリコン酸化膜の表面に，フッ化水素ガスＨＦ及びアンモニアガスＮＨ_３を含む混合ガスを供給し，シリコン酸化膜と混合ガスとを化学反応させ，シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程を行い，その後，反応生成物を加熱して除去する加熱工程を行う。 - 特許庁

In the method of producing a carbon material for an electric double layer capacitor electrode, a pitch obtained by polymerizing condensed polycyclic hydrocarbon or a substance comprising the same in the presence of hydrogen fluoride-boron trifluoride is heat-treated, and is next subjected to activation treatment at 500 to 700°C using an activation agent comprising ≥70 wt.% sodium hydroxide.例文帳に追加

縮合多環式炭化水素またはこれを含有する物質を弗化水素・三弗化硼素の存在下で重合させて得られたピッチを熱処理し、次いで水酸化ナトリウムを７０重量％以上含む賦活剤を用いて５００〜７００℃で賦活処理することを特徴とする電気二重層キャパシタ電極用炭素材料の製造方法。 - 特許庁

The casket is manufactured by a first step of preparing the gasket 13 by molding rubber or resin, a second step of exposing to at least one kind of gas plasma selected from gaseous hydrogen, gaseous nitrogen, gaseous oxygen, gaseous fluorine, gaseous fluoride and inactive gas, and a third step of forming the film 16 on the exposed surface of the gasket 13 by exposing to the plasma of a gaseous hydrocarbon.例文帳に追加

また、ゴムや樹脂を成形してガスケット１３を作成する第１の工程と、水素ガス、窒素ガス、酸素ガス、フッ素ガス、及びフッ化物ガス、不活性ガスから選ばれた少なくとも一種のガスのプラズマに上記ガスケット１３を曝す第２の工程と、炭化水素ガスのプラズマに曝すことにより上記ガスケット１３の暴露面に非晶質炭素膜１６を形成する第３の工程とからなる。 - 特許庁