「Hydrogen Fluoride」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, nonmetallic atoms such as oxygen atoms or the like coupled to the surface of the substrate 3 are removed by the hydrogen fluoride to expose the surface of the substrate 3, and the surface of the exposed substrate 3 is bonded to copper atoms in the mixed solution.例文帳に追加

半導体基板３の表面に結合していた酸素原子等の非金属原子が弗化水素によって除去されて半導体基板３の表面が露出し、該露出した半導体基板３の表面と上記混合水溶液中の銅原子とが結合する。 - 特許庁

In the process of detoxication of asbestos, waste can be treated with waste by using hydrogen fluoride discharged from the process of treatment of the organic halogen compound like chlorofluorocarbon, and two kinds of wastes can be simultaneously treated at low cost.例文帳に追加

アスベストの無害化処理において、フロン等の有機ハロゲン化合物処理工程から排出されるフッ化水素を用いることにより、廃棄物で廃棄物を処理することができ、安価に同時に２種類の廃棄物の処理を行うことが出来る。 - 特許庁

(2) By anodizing the metal base material or the porous sintered compact of metal powder in an electrolyte of mixed acid ammonium fluoride and hydrogen peroxide, a nanoporous oxide layer is formed on the surface of the base material or the surface of the porous sintered compact.例文帳に追加

（２）金属基材、または金属粉末の多孔質焼結体を、酸性フッ化アンモニウムと過酸化水素水の混合電解溶液中で陽極酸化することにより、前記基材表面または多孔質焼結体の表面にナノポーラス酸化物層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for carrying out cleaning treatment with first gas containing the steam of hydrogen fluoride and water in the same chamber, and rinsing treatment with second gas containing at least one steam to be selected from water and alcohol.例文帳に追加

同一チャンバ内でフッ化水素および水の蒸気を含む第１ガスによる洗浄等の処理と水およびアルコールから選ばれる少なくとも１つの蒸気を含む第２ガスによるリンス処理を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrode active material for an electric double layer capacitor is obtained by forming a meso-phase pitch by polymerizing condensed polycyclic hydrocarbon under existence of hydrogen fluoride and boron trifluoride, and carrying out contact treatment of the meso-phase pitch to an organic solvent dissolving at least the condensed polycyclic hydrocarbon.例文帳に追加

フッ化水素および三フッ化ホウ素の存在下に縮合多環炭化水素を重合させてメソフェーズピッチを得、得られたメソフェーズピッチを、少なくとも前記縮合多環炭化水素を溶解する有機溶媒と接触処理することにより得られる、電気二重層キャパシタ用電極活物質。 - 特許庁

When measuring a content of silicon in a solution containing an organic silicon compound, the solution containing the organic silicon compound is previously treated with hydrogen fluoride, and then is introduced into an ICP optical emission spectrometer, thereby measuring the content of silicon.例文帳に追加

有機珪素化合物を含有する溶液中の珪素の含有量を測定するに際し、有機珪素化合物を含有する溶液を予め弗化水素で処理した後に誘導結合プラズマ発光分析装置に導入することにより珪素の含有量を測定する。 - 特許庁

In this method, the ratio of hydrogen fluoride to water vapor can be changed in conformity with the oxide film to be removed.例文帳に追加

フッ化水素及び水蒸気を含む混合ガスを生成し、シリコンウェーハにこの混合ガスを噴射して酸化膜の除去等の処理を行う方法であって、フッ化水素と水蒸気との比を除去対象の酸化膜に合わせて変更可能なことを特徴とする処理方法を提供する。 - 特許庁

The high-purity, high-crystallinity carbonized product is obtained by heat-treating raw material mesophase pitch at ≥500°C, wherein the raw material mesophase pitch is obtained by polymerizing a condensed polycyclic hydrocarbon or a substance containing the same in the presence of hydrogen fluoride and boron trifluoride.例文帳に追加

弗化水素および三弗化硼素の存在下で縮合多環炭化水素またはこれを含有する物質を重合させて得られた原料メソフェーズピッチを、５００℃以上の温度で熱処理することによって高純度かつ高結晶性の炭素化物を得る。 - 特許庁

The method of producing the itaxial silicon wafer comprises cutting a silicon single crystal grown by a Czochralski method while doping nitrogen to obtain a wafer, then cleaning the wafer with an aqueous solution containing hydrogen fluoride(HF) and growing an epitaxial layer on the surface of the wafer.例文帳に追加

(1) ＣＺ法によって窒素ドープで育成したシリコン単結晶から切り出されたウェーハをフッ酸（ＨＦ）を含む水溶液を用いて洗浄した後、当該ウェーハの表面上にエピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法である。 - 特許庁

This fluorine-containing elastomer composition is provided by containing the polyol crosslinkable fluorine-containing elastomer, polyol-based crosslinking agent and a tetrabutyl phosphonium hydrogen fluoride crosslinking promotor, expressed by general formula: (C_4H_9)_4PF-(HF)_n [wherein, n is 1 or 2].例文帳に追加

ポリオール架橋性含フッ素エラストマー、ポリオール系架橋剤および一般式(C_4H_9)_4PF・(HF)_n (ここで、nは1または2である)で表わされるテトラブチルホスホニウムハイドロジェンフルオライド架橋促進剤を含有してなる含フッ素エラストマー組成物。 - 特許庁

The method for selectively removing a high-k material includes a step for providing a high-k material layer 5 on a semiconductor substrate; and a step for immersing the high-k material layer 5 into a solution containing hydrogen fluoride, an organic compound, and an inorganic acid.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ物質の選択的除去方法は、半導体基板の上にｈｉｇｈ−ｋ物質層５を設けるステップと、前記ｈｉｇｈ−ｋ物質層５を、フッ化水素、有機化合物及び無機酸を含む溶液にさらすステップとを含む。 - 特許庁

In a nonaqueous electrolyte battery, a mixture of a moisture absorbing substance which absorbs moisture mixed in a nonaqueous electrolyte and does not cause neutralization reaction with hydrogen fluoride and a salt forming substance which forms an hardly-soluble salt with fluorine is arranged in the nonaqueous electrolyte.例文帳に追加

非水電解質二次電池において、非水電解質液に混入した水分を吸収し、かつ、フッ化水素と中和反応を起こさない水分吸収物質と、フッ素と難溶性塩を形成する塩形成物質と、を混合させた状態で非水電解質液内に配置する。 - 特許庁

An adsorbent for a nonaqueous secondary battery is hydrogen fluoride mixed in the nonaqueous secondary battery, the adsorbent having a specific surface area of 300-1,000 m^2/g and being amorphous activated alumina particles.例文帳に追加

非水系二次電池内に混入するフッ化水素の吸着剤であって、当該吸着剤は、比表面積が３００〜１０００ｍ^２／ｇであり、かつ、アモルファス状の活性アルミナ粒子であることを特徴とする非水系二次電池用吸着剤。 - 特許庁

When silicon tetrafluoride gas is brought into contact with silicon to remove phosphorus and arsenic contained in the silicon tetrafluoride produced by the reaction of hydrogen fluoride with silicon, the contact of the silicon tetrafluoride gas with silicon is performed at 300-800°C under a condition of (V/Q)≥k.例文帳に追加

珪素とフッ化水素との反応で生成した四フッ化珪素ガス中に含有するリン、ヒ素を除去するため該四フッ化珪素ガスを珪素と接触させるに際し、３００〜８００℃の範囲で、（Ｖ／Ｑ）≧ｋの条件で珪素と該四フッ化珪素ガスを接触させる。 - 特許庁

The etching solution is composed of (1) 99 wt.% or more tripropylene glycol monomethyl ether for the total etching solution, (2) 0.4 wt.% or less water for the total etching solution, (3) hydrogen fluoride, and (4) one or two of amine selected from a group composed of hydroxylamine and ammonia.例文帳に追加

（１）エッチング液全体に対して９９重量％以上のトリプロピレングリコールモノメチルエーテル、（２）エッチング液全体に対して０．４重量％以下の水、（３）フッ化水素、及び（４）ヒドロキシルアミン、及びアンモニアから選択される１種又は２種のアミンからなるエッチング液。 - 特許庁

When the inside of a reaction tube 2 is stabilized at a predetermined pressure and temperature, the controller 100 allows cleaning gas consisting of hydrogen fluoride and nitrogen to be introduced into the reaction tube 2 from a treatment gas introduction tube 17 and eliminates a reaction product adhered to the interior of the apparatus.例文帳に追加

反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、制御部１００は、処理ガス導入管１７からフッ化水素と窒素とからなるクリーニングガスを反応管２内に導入し、装置内部に付着した反応生成物を除去する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining an alcohol-free difluoroacetic acid ester, which is capable of removing alcohol contained in the difluoroacetic acid ester through an easy method using an ordinary reactor and, if required, can be applied to a case in which hydrogen fluoride is contained.例文帳に追加

本発明は、通常の反応装置を用いて簡便な方法でジフルオロ酢酸エステルに含まれるアルコールを除去することができ、必要に応じてフッ化水素を含む場合にも適用できる、アルコールを含まないジフルオロ酢酸エステルを得る方法を提供する。 - 特許庁

When the inside of a reaction tube 2 is stabilized at predetermined pressure and temperature, the control part 100 introduces a cleaning gas comprising hydrogen fluoride and nitrogen into the reaction tube 2 from a treatment gas introduction tube 17 to remove a reaction product adhering to the interior of the apparatus.例文帳に追加

反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、制御部１００は、処理ガス導入管１７からフッ化水素と窒素とからなるクリーニングガスを反応管２内に導入し、装置内部に付着した反応生成物を除去する。 - 特許庁

The method of cleaning a semiconductor substrate is provided with an HF (Hydrogen Fluoride) treatment process (treatment S23) for cleaning the semiconductor substrate with HF water solution, and an ozone treatment process (treatment S25) for cleaning the semiconductor substrate with ozone water consisting of deionized water and ozone contained therein after the HF treatment process (treatment S23).例文帳に追加

半導体基板の洗浄方法は、半導体基板をＨＦ水溶液で洗浄処理するＨＦ処理工程（処理Ｓ２３）と、ＨＦ処理工程（処理Ｓ２３）の後、半導体基板を純水にオゾンが含有されてなるオゾン水で洗浄処理するオゾン処理工程（処理Ｓ２５）とを備える。 - 特許庁

After a polishing process ends, a top surface of the glass substrate is observed using an optical microscope after a pit defect which has an easy-to-observe size is obtained through 5 μm etching using an acid etching solution including hydrogen fluoride, nitric acid, etc., and then isotropic etching of a processing deformed layer (a flaw etc.) remaining at a chamfer part.例文帳に追加

研磨工程終了後、ガラス基板の表面を、フッ酸や硝酸等を含む酸性のエッチング溶液を用いて５μｍエッチングし、面取り部に残留する加工変質層（キズなど）を等方的にエッチングして観察しやすい大きさのピット欠陥にした後、光学顕微鏡を用いて観察する。 - 特許庁

By forming the furnace tube 5 of quartz and etching the surface layer portion of the furnace tube with a hydrogen fluoride (HF) solution or carrying out gas phase etching with a highly reactive gas to quartz, the average weight concentration is set to be 2 ppm or less, then dehydration and sintering are carried out.例文帳に追加

また、炉心管５を石英で形成し、炉心管表層部をフッ化水素（ＨＦ）溶液によりエッチング、または、石英と反応性の高いガスにより気相エッチングすることにより、平均重量濃度を２ｐｐｍ以下にして脱水、焼結を行なう。 - 特許庁

To provide a lithium-ion secondary battery in which elevation of voltage inside the battery caused by formation of hydrogen fluoride in an electrolytic liquid containing a fluorine based electrolyte and damage of an electrode can be suppressed, and rupture of the battery and leakage of the electrolytic liquid do not occur, and which has high safety and a long life.例文帳に追加

フッ素系電解質を含む非水電解液中におけるフッ化水素の生成による電池内圧の上昇および電極の損傷を抑制し、電池の破裂や電解液の液漏れなどが生じることのない安全性の高く、しかも長寿命なリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁

In this method for forming a silicon-based thin film by using the high-frequency plasma CVD method, a feed gas should contain silicon fluoride, hydrogen, and an oxygen atom that is equal to or more than 0.1 ppm and equal to or less than 0.5 ppm to a silicon atom.例文帳に追加

高周波プラズマＣＶＤ法を用いてシリコン系薄膜を形成する方法において、原料ガスにフッ化ケイ素及び水素を含み、前記原料ガス中にシリコン原子に対して０．１ｐｐｍ以上０．５ｐｐｍ以下の酸素原子を含有させることを特徴とする。 - 特許庁

The microfabrication processing agent consisting of hydrogen fluoride, at least two components, and a solvent with acceptor number of each component of 35 or less and specific inductive capacity of 40 or less, and etching rate to the high permittivity film at 25°C twice or more than that to the silicone oxide film at 25°C.例文帳に追加

本発明の微細加工処理剤は、フッ化水素と、少なくとも２成分からなり、各成分のアクセプター数が３５以下、比誘電率が４０以下の溶媒とを含み、高誘電率膜に対する２５℃でのエッチレートがシリコン酸化膜に対する２５℃でのエッチレートの２倍以上であることを特徴とする。 - 特許庁

A processing method is provided, wherein a mixed gas containing hydrogen fluoride and water vapor is produced and the produced mixed gas is sprayed against a silicon wafer to perform a processing such as removal of an oxide film.例文帳に追加

特に、フッ酸水等のウェット系の洗浄では難しい開口した欠陥の内壁酸化膜を効率よく除去するようにし、また、酸化膜除去レートを工程中にコントロールすることにより、ウェーハの品質をできるだけ均一にする。 - 特許庁

Inert gas is force-fed in a hermetically sealed vessel 10 storing the waste solution containing the anhydrous hydrogen fluoride to put out and send the waste solution from the hermetically sealed vessel 10 into a neutralization tank 11, and neutralization treatment of the waste solution by an alkali solution charged in the neutralization tank 11 in advance is carried out.例文帳に追加

無水フッ酸を含む廃液が入れられた密閉容器１０に不活性ガスを圧入することにより，廃液を密閉容器１０から押し出して中和槽１１に送液し，中和槽１１に予め入れておいたアルカリ液によって廃液を中和処理する。 - 特許庁

In a process for producing the chemical conversion coating film of titanium oxide having the photocatalytic performance on the surface of an aluminium material, the process is characterized by including a chemical conversion process bringing the aluminium material into contact with an admixture solution of titanium fluoride and hydrogen peroxide to form the chemical conversion coating film on the surface of the aluminium material.例文帳に追加

アルミニウム材の表面に、光触媒能を有する酸化チタン化成皮膜を、製造する方法であって、アルミニウム材を、フッ化チタン塩と過酸化水素との混合溶液に晒して、アルミニウム材表面に化成皮膜を生成させる、化成処理工程、を有することを特徴としている。 - 特許庁

A first stripping composition containing an amine compound, hydrogen fluoride, a carbonate and a polar organic solvent, as a first chemical liquid for stripping the resist or the like, is mixed with a SCF (supercritical fluid) to prepare a first process fluid, and the first process fluid is supplied to a process chamber (step S4).例文帳に追加

レジスト等を剥離するための第１薬液としてアミン化合物とフッ化水素と炭酸エステルと極性有機溶媒とを含有する第１剥離用組成物がＳＣＦと混合されて第１処理流体が調製され、この第１処理流体が処理チャンバーに供給される（ステップＳ４）。 - 特許庁

The susceptor has a through-hole at a periphery of the through-hole for lift pin insertion, and the vapor-phase epitaxy is carried out by placing the semiconductor wafer on the susceptor after the reverse principal surface of the semiconductor wafer with a hydrogen-fluoride-based solution.例文帳に追加

前記サセプタは、上記リフトピン挿通用貫通孔の周囲に貫通孔を有し、前記気相成長を、前記半導体ウェーハの主裏面を弗酸系溶液により洗浄した後、該半導体ウェーハを前記サセプタ上に載置して行う。 - 特許庁

As an etchant for wet etching of a ridge stripe provided on a compound semiconductor substrate having an off angle to the [111] direction or [1-1-1] direction from the crystal surface (100), a solution including hydrogen fluoride, a solution including boron, or a buffered hydrofluoric acid is used.例文帳に追加

（１００）結晶面から［１１１］方向または［１−１−１］方向にオフ角を有する化合物半導体基板上に設けられたストライプ状のリッジ部をウェットエッチングするエッチャントとして、フッ化水素を含有する溶液、臭素含有溶液、またはバッファードフッ酸を用いる。 - 特許庁

To provide a method for producing fluoromethyl hexafluoroisopropyl ether ((CF_3)_2CH-O-CH_2F), without using hydrogen fluoride or a large amount of sulfuric acid, therefore, without accompanying the by-production of a large amount of acidic waste materials and also adoptable industrially.例文帳に追加

フッ化水素や多量の硫酸を用いることなく、従って大量の酸廃棄物の副生を伴わず、かつ、工業的に採用できるフルオロメチルヘキサフルオロイソプロピルエーテル(（ＣＦ_3）_2ＣＨ−Ｏ−ＣＨ_2Ｆ）の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this low hydrogen based coated arc welding rod for tacking, a steel core wire is coated with a coating agent containing, by weight, 20 to 50% metallic carbonate, 0.2 to 3.5% metallic fluoride, 22 to 55% iron powder and 0.5 to 3.0% fluorine-4 silicon mica.例文帳に追加

金属炭酸塩を２０〜５０重量％（以下、％と称する。）、金属弗化物を０．２〜３．５％、鉄粉を２２〜５５％、フッ素四ケイ素雲母を０．５〜３．０％を含む被覆剤を用いて鋼心線に塗布したことを特徴とする仮付け用低水素系被覆アーク溶接棒。 - 特許庁

New limestone and recycled limestone are supplied to the upper part of a reactor 1 and exhaust gas is made to flow in the reactor 1 so that the exhaust gas is brought into contact with the supplied limestone and an acid component such as hydrogen fluoride is reacted with the particle of the supplied limestone and removed from the exhaust gas.例文帳に追加

ニューフィードの石灰石と再利用石灰石とが反応器１の上部に供給され、この反応器１に排ガスが流通され、反応器１内において石灰石と接触し、フッ化水素等の酸性成分が石灰石粒子と反応し、排ガスから除去される。 - 特許庁

The regenerating method for the base material comprises dipping article having the organic silicon-based coating layer, the oxide coating layer, or the organic silicon-based coating layer and the oxide coating layer on the base material in an aqueous solution containing the hydrogen fluoride compound and the surfactant and removing at least a part or the whole of the coating layer.例文帳に追加

フッ化水素化合物と界面活性剤とを含有する水溶液に、基材上に有機ケイ素系被覆層、酸化物被覆層、又は有機ケイ素系被覆層及び酸化物被覆層を有する物品を浸漬して、前記被覆層の少なくとも一部または全部を除去することを含む基材の再生方法。 - 特許庁

A control part 100 controls a heater for heat-up 16 to heat the interior of a reaction tube 2 to a predetermined temperature and supplies a cleaning gas containing a fluorine gas, a hydrogen fluoride gas, and a chlorine gas from a processing gas introduction tube 17 to the reaction tube 2 with the reaction tube 2 heated to the predetermined temperature.例文帳に追加

制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して反応管２内を所定の温度に加熱した状態で、処理ガス導入管１７から反応管２内にフッ素ガスとフッ化水素ガスと塩素ガスとを含むクリーニングガスを供給する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for treatment of perfluoride enabling reduction of the amount of water used in treating the high-temperature exhaust gas produced in decomposition of e.g. PFCs gas and containing acidic gases, e.g. hydrogen fluoride, in high concentration.例文帳に追加

ＰＦＣｓガスなどの分解処理により生成した高温で高濃度のフッ化水素などの酸性ガスを含む排ガスを処理する際に使用する水量を削減できる過フッ化物処理方法および過フッ化物処理装置を提供する。 - 特許庁

The metal niobium or niobium compound is dissolved in a solution containing hydrogen fluoride, and introduced to a separation device after the acid concentration of the solution is optimized, whereby the intended chemical component is separated in the state where the outflow of niobium which obstructs the measurement by a measuring device is suppressed as much as possible.例文帳に追加

金属ニオブまたはニオブ化合物をフッ化水素を含む溶液に溶解し、溶液中の酸濃度を最適化した後に分離装置に導入することにより、測定装置による測定の際に妨害となるニオブの流出を極力抑えた状態で目的とする化学成分を分離する方法。 - 特許庁

In a method, while being cooled, a silicon wafer 3 with an oxide film is brought into contact with hydrogen fluoride gas, and hereby condensation (not including a silicon oxide component) is generated on a wafer surface, to thereby etch an oxide film on the silicon wafer surface.例文帳に追加

酸化膜付きシリコンウェーハ３を冷却しつつ、フッ化水素ガスと接触させることによりウェーハ表面に結露（但しシリコン酸化成分を含まない）を発生させることによって、シリコンウェーハ表面の酸化膜をエッチングする方法。 - 特許庁

A gas stream containing a fluorocompound containing only fluorine as a halogen is brought into contact with an Al-containing catalyst such as a catalyst comprising Al and Ni, a catalyst comprising Al and Zn, or a catalyst comprising Al and Ti in the presence of steam at about 200 to 800°C to convert fluorine contained in the gas stream to hydrogen fluoride, whereby the fluorocompound containing only fluorine as a halogen can be efficiently decomposed.例文帳に追加

ハロゲンとしてフッ素のみを含有するフッ素化合物を含むガス流を、水蒸気の存在下でＡｌとＮｉ，ＡｌとＺｎ，ＡｌとＴｉからなる触媒のようにＡｌを含んでなる触媒と約２００〜８００℃で接触させて、前記ガス流中のフッ素をフッ化水素に転化する。 - 特許庁

A Raman cell 1, having collimate lens 2a and 2d at the incident part and outgoing part of laser beams with Nd: YAG laser fourth higher harmonics in which hydrogen gas is used as a medium, is divided into operating sections in two stages, that is, lens 2a-2b and lens 2c-2d by two calcium fluoride lens 2b and 2c.例文帳に追加

Nd：YAGレーザ第４高調波のレーザ光の入射部と出射部にコリメートレンズ２ａ，２ｄを有し、水素ガスを媒体とするラマンセル１の内部を、２枚の弗化カルシウムレンズ２ｂ，２ｃにより、レンズ２ａ−２ｂ間、及びレンズ２ｃ−２ｄ間の２段の作用区画を設ける。 - 特許庁

This method prepares a corrosion liquid for silicon wafer crystal defect evaluation by mixing the potassium permanganate KMnO_4 and the hydrogen fluoride HF with a volume ratio of 0.5-1:1-3 and employs a wet chemical method to evaluate silicon wafer crystal defects whose specific resistance value is 0.01 Ωcm or less.例文帳に追加

シリコンウェハの結晶欠陥評価用腐蝕液を、過マンガン酸カリＫＭｎＯ_４とフッ化水素ＨＦを０．５〜１：１〜３の体積比で混合して調製し、比抵抗値が０．０１Ωｃｍ以下のシリコンウェハの結晶欠陥を化学的湿式方法で実施した。 - 特許庁

A board 1 formed of silicon or silicon carbide in which a protective film is formed in a specified part of a surface is heated at 500°C or higher and 1,000°C or lower and a part in which a protection film of the board 1 is not, is formed, being subjected to dry etching by supplying hydrogen fluoride gas together with the atmospheric gas.例文帳に追加

表面の所定部分に保護膜２が形成された珪素又は炭化珪素からなる基板１を５００℃以上１０００℃以下に加熱し、フッ化水素ガスを雰囲気ガスと共に供給して基板１の保護膜２が形成されていない部分をドライエッチングする。 - 特許庁

A plurality of electron emission elements are arranged in the substrate 1 for forming the electron source, a layer 7 containing SiO_2 as a principle component is formed on the substrate 1, and an etching rate of the SiO_2 layer 2 with a 0.4 wt.% hydrogen fluoride ammonium aqueous solution (NH_4-HF_2) is specified to 150 nm/min or less at room temperature.例文帳に追加

複数の電子放出素子が配される電子源形成用基板であって、基板１上にＳｉＯ_2を主成分とする層７を有し、このＳｉＯ_2層７の室温における０．４ｗｔ％フッ化水素アンモニウム水溶液（ＮＨ_4−ＨＦ_2）でのエッチングレートを１５０ｎｍ／ｍｉｎ以下とする。 - 特許庁

The process hydrofluorinates chloro(fluoro)butane of the general formula: C_4H_5Cl_xF_5-x (wherein, x=1 to 5) with hydrogen fluoride in the presence of a catalyst chosen from the derivatives of IIIa, IVa, IVb, Va, Vb and VIb metals, especially antimony pentachloride or tin tetrachloride, at 50-150°C and under 2-40 bar.例文帳に追加

周期表IIIa族、 IVa族、 IVb族、Va族、Vb族、及び VIb族元素の金属の誘導体から選ばれる触媒、特に五塩化アンチモン及び四塩化スズの存在下、温度50℃〜150℃で、圧力２〜40barでフッ化水素により一般式Ｃ_4Ｈ_5Ｃｌ_XＦ_5-X（式中、ｘ＝１〜５）のクロロ（フルオロ）ブタンをヒドロフルオロ化する。 - 特許庁

The circumferential edge of the stuck substrate is sealed with the sealing material which is a hot-melt adhesive having resistance to hydrogen fluoride and a softening point of more than 60°C, and whose melt viscosity is less than 650 mPa s at a melt temperature of 180°C and more than 300 mPa s at a melt temperature of 80°C.例文帳に追加

耐フッ酸性を有し、軟化点が６０℃以上の熱溶解型の接着剤であって、溶融温度１８０℃における溶融粘度が６５０ｍＰａ・ｓ以下であり、溶融温度８０℃における溶融粘度が３００ｍＰａ・ｓ以上の封止材で貼合せガラス基板の周縁を封止する。 - 特許庁