「IPA」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In a method of drying a semiconductor substrate, isopropyl alcohol(IPA) vapor is blown onto semiconductor wafers 3 at an angle θ of 20°-50° from the bottom side at drying of the wafers 3 by blowing vaporized IPA onto the wafers 3 through nozzles 13 and nozzle holes 13a through the use of a controlled IPA drier, which dries about 50 semiconductor wafers 3 at one time.例文帳に追加

５０枚程度の半導体ウェーハ３を乾燥させる、制御したＩＰＡ乾燥装置を用いて、気化されたＩＰＡをノズル１３およびノズル穴１３ａを通じて半導体ウェーハ３に吹き付けることにより半導体ウェーハ３を乾燥させる際に、ＩＰＡ蒸気を垂直下方方向から半導体ウェーハ３の側に向かって２０°〜５０°の角度θで吹き付けるようにする。 - 特許庁

Consequently, the removal of residual compounds by ultrapure water and the generation of a water spot by IPA are controlled efficiently.例文帳に追加

これにより、超純水による残留化合物の除去、ならびにＩＰＡによる水斑の発生が効率よく抑制される。 - 特許庁

The supply of IPA vapor is started while the substrate W is cleaned in the other equipment, so that a processing time can be furthermore shortened.例文帳に追加

また、他装置における洗浄処理中にＩＰＡ蒸気の供給を開始するため、処理時間をさらに短縮できる。 - 特許庁

As a diluting liquid, pure water (ion-exchanged water) in a rinsing tank 17, isopropyl alcohol(IPA) liquid in a drying tank 18, or the like, may be used.例文帳に追加

希釈液としてリンス槽１７の純水（イオン交換水）、乾燥槽１８用のＩＰＡ液等を用いることもできる。 - 特許庁

IPA vapor and nitrogen gas start to be supplied from a first supply nozzle 240 and a second supply nozzle 250 respectively while the substrate W is cleaned in the other equipment, and a flow area AI2 of IPA vapor and a flow area AN2 of nitrogen gas are formed.例文帳に追加

他装置における基板Ｗの洗浄処理中に第１供給ノズル２４０および第２供給ノズル２５０から、それぞれＩＰＡ蒸気および窒素ガスの供給を開始し、ＩＰＡ蒸気の気流域ＡＩ２および窒素ガスの気流域ＡＮ２を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a substitution treatment is performed so as to enhance drying performance, but IPA liquid vaporizes in the treatment space wherein the humidity is lowered, so that drying defects due to heat of vaporization generated in the IPA drying can be effectively prevented and enables superior substrate drying.例文帳に追加

また、乾燥性能を高めるために置換処理を行っているが、湿度が低下した処理空間でＩＰＡ液が蒸発するため、ＩＰＡ乾燥時に発生する気化熱に起因する乾燥不良を効果的に抑えて基板乾燥を良好に行うことができる。 - 特許庁

The organic matter concentration in the liquid is measured on the basis of a sensor reading of an IPA concentration sensor 340 in the vaporized sample.例文帳に追加

この気化試料中におけるＩＰＡ濃度センサ３４０のセンサ指示値に基づき上記液体中の有機物濃度を測定する。 - 特許庁

When the IPA liquid is supplied, a measuring device 5 detects water concentration in the liquid on the surface of the wafer.例文帳に追加

このＩＰＡ液の供給時には、測定装置５によって、ウエハＷの表面上の液中における水分濃度が検出される。 - 特許庁

A cooling device 3 of this fuel cell system FCS is constructed as an isopropyl alcohol(IPA)/acetone/H2-based chemical heat pump HP1.例文帳に追加

燃料電池システムＦＣＳの冷却装置３は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）／アセトン／Ｈ_2系のケミカルヒートポンプＨＰ１として構築される。 - 特許庁

Namely, the start and stop of the X-ray irradiation are set corresponding to supply timing of the IPA liquid (combustible organic solvent).例文帳に追加

すなわち、Ｘ線照射の開始および停止をＩＰＡ液（可燃性有機溶剤）の供給タイミングに対応して設定している。 - 特許庁

On the basis of the water concentration, a control unit 21 decides whether the supply of the IPA liquid is to be ended.例文帳に追加

そして、この水分濃度に基づいて、制御部２１により、ＩＰＡ液の供給が終了されるべきであるか否かが判定される。 - 特許庁

A method for measuring the surface shape of a semiconductor thin film like a poly-silicon film 13 formed on a semiconductor substrate 11 includes measurement with a spectro-ellipsometer or IPA quantitative analyze with GC/MS after having exposed the semiconductor thin film in IPA vapor and having dried it.例文帳に追加

半導体基板１１上に形成されたポリシリコン膜１３の如き半導体薄膜の表面形状を，分光エリプソメトリを用いて測定するか，もしくは，半導体薄膜をＩＰＡＶａｐｏｒにさらして乾燥させた後，ＧＣ．ＭａｓｓによりＩＰＡを定量分析して測定する。 - 特許庁

This polyamide molding composition solving the problem contains a copolyamide containing terephthalic acid (TPA), isophthalic acid (IPA), 1,6-hexadiamine (HMDA) and another aliphatic diamine having 9-12 carbons (9-12C diamine), wherein the content of the 9-12C diamine, particularly 9-12C aliphatic unbranched diamine and the isophthalic acid are defined.例文帳に追加

テレフタル酸(TPA)、イソフタル酸(IPA)、1,6-ヘキサンジアミン(HMDA)、及び、9〜12個の炭素原子（C9-C12-ジアミン）を有する別の脂肪族ジアミンを含むコポリアミドを含むポリアミド成形組成物によって達成され、C9-C12-ジアミン、特に好ましくは脂肪族の非分枝C9-C12ジアミン、及び、イソフタル酸の定義された含有量に従う。 - 特許庁

Further, the pre-drying processing is not immediately executed for the substrate W subjected to rinsing processing, but executed after a low-concentration IPA is supplied to the substrate surface Wf to substitute the ringing liquid (DIW) adhering on the substrate surface Wf with IPA.例文帳に追加

しかも、この実施形態では、リンス処理を受けた基板Ｗに対して乾燥前処理を直ちに行うのではなく、低濃度ＩＰＡを基板表面Ｗfに供給して基板表面Ｗfに付着しているリンス液（ＤＩＷ）をＩＰＡに置換した上で乾燥前処理を行っている。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which homogenizes and stabilizes the concentration of an organic solvent in an atmosphere containing an organic solvent such as IPA(isopropyl alcohol) or the like.例文帳に追加

ＩＰＡ等の有機溶剤を含む雰囲気における有機溶剤濃度を均一かつ安定なものとした基板処理装置を提供する。 - 特許庁

The sensor Sa is arranged on a position displaced by a predetermined distance d1 along a light traveling direction from an imaging plane IPa of a light flux 14a.例文帳に追加

センサＳａは、光束１４ａの結像面ＩＰａから光進行方向に沿って所定距離ｄ１だけ変位した位置に配置される。 - 特許庁

To efficiently replace pure water stuck to a substrate lower surface with IPA (isopropyl alcohol) when turning a processing object surface of a substrate downwards and processing the substrate.例文帳に追加

基板の処理対象面を下向きにして基板を処理する際に、基板下面に付着した純水をＩＰＡに効率よく置換すること。 - 特許庁

The first dry gas generation part 870 generates the dry gas, by bubbling IPA liquid stored in a heating reserver 871 using nitrogen gas.例文帳に追加

第１乾燥ガス生成部８７０は、加熱槽８７１に貯留されたＩＰＡ液を窒素ガスでバブリングすることにより乾燥ガスを生成する。 - 特許庁

After the spaces 41, 42 are made in the liquid-tight state by the IPA (as shown in Fig.5(b)), chemical solution is supplied to the spaces 41, 42 (as shown in Fig.5(c)).例文帳に追加

空間４１，４２がＩＰＡ液により液密状態にされた後（（ｂ）参照）、空間４１，４２に薬液が供給される（（ｃ）参照）。 - 特許庁

Cleaning liquid composed of isopropylalcohol (IPA) and ultrapure water is premixed to have a desired concentration before being supplied to a treatment tank 11.例文帳に追加

イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と超純水とよりなる洗浄液を処理槽１１に供給する前に所望の濃度にあらかじめ混合する。 - 特許庁

When moisture concentration measured by the concentration measurement part 5 is 0.01 weight% or less, the IPA is supplied to an intermediate tank 6.例文帳に追加

そして、濃度測定部５により測定された水分濃度が０．０１重量％以下であるときには、中間タンク６にＩＰＡを送液する。 - 特許庁

To suppress formation of a watermark while effectively removing liquid remaining on a wafer surface with a simple structure without using IPA.例文帳に追加

簡単な構造でＩＰＡを使用することなく、ウェーハ表面に残存した液体を効果的に除去すると共にウォーターマークの発生を抑制する。 - 特許庁

A mixture solution of IPA with water after the drying processing flows through the inclined path of the upper receiver 10, and drops in the evaporation path 21 of the lower receiver 20.例文帳に追加

乾燥処理後のＩＰＡと水との混合液は、上方受け部１０の傾斜流路を流れ、下方受け部２０の蒸発用流路２１に落下する。 - 特許庁

The formed IPA micro liquid drops are jetted out toward the surface to be processed of the substrate 9 and collide with the surface to be processed of the substrate 9 in rotating.例文帳に追加

生成されたＩＰＡ微小液滴は基板９の被処理面に向けて噴出され、回転中の基板９の被処理面に衝突する。 - 特許庁

To provide a surface-treating agent capable of imparting water repellency, oil repellency, and IPA repellency to various kinds of base materials, in particular, electronic components, and having high heat resistance.例文帳に追加

各種基材、特に電子部品に撥水性、撥油性および撥ＩＰＡ性を付与するとともに、耐熱性の高い表面処理剤の提供。 - 特許庁

The substrate is washed by using purified water and the washed substrate is dried by using the vapor of IPA as the organic solvent in the unit 2.例文帳に追加

第２の基板処理ユニット２は、純水による基板の洗浄を行った後に、有機溶剤としてのＩＰＡ蒸気を用いて基板の乾燥を行う。 - 特許庁

These active species are allowed to react each other near the surface of a substrate to form, for example, a thin insulating film containing IPA molecules with a thickness of 50 nm.例文帳に追加

これらの活性種を基板の表面近傍で反応させ、例えば、ＩＰＡ分子を含む厚さ５０ｎｍの絶縁膜の薄膜を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the IPA molecules contained in the thin film are selectively removed by plasma processing using an ammonia gas to form pores uniformly in the thickness direction.例文帳に追加

さらに、アンモニアガスを用いたプラズマ処理により、薄膜中に含まれるＩＰＡ分子を選択的に脱離させて、厚さ方向に均一な空孔を形成する。 - 特許庁

To provide a flux removing method in which IPA (isopropyl alcohol) is not used, flux can be sufficiently removed, and a device is not complicated.例文帳に追加

ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を使用せず、しかも、フラックスを充分に除去することができ、装置が複雑化しないフラックスの除去方法を提供する。 - 特許庁

Ketjen black, activated carbon, and isopropyl alcohol (IPA) are churned to make a solution, and then a polytetrafluoroethylene (PTFE) aqueous solution is mixed into the solution to produce slurry.例文帳に追加

ケッチェンブラックと活性炭とイソプロピルアルコール(ＩＰＡ）とを攪拌し、その溶液にポリテトラフルオロエチレン(ＰＴＦＥ)水溶液を混合することでスラリーを作成する。 - 特許庁

Then when the replacement processing is performed, the high-temperature IPA liquid is supplied to the substrate surface Wf to replace a rinse liquid on the substrate surface Wf.例文帳に追加

そして、置換処理を行う際には、高温ＩＰＡ液を基板表面Ｗｆに供給することで基板表面Ｗｆ上のリンス液を置換している。 - 特許庁

Preferably, the pressurized medium is a sublimatic pressurized medium such as dry ice or an alcoholic pressurized medium such as an isopropanol (IPA) solution, methanol, 1-octanol and butanol.例文帳に追加

前記加圧媒質は、好ましくは、ドライアイス等の昇華性の加圧媒質、又は、イソプロパノールＩＰＡ液、メタノール、１−オクタノール、ブタノール等のアルコール系の加圧媒質である。 - 特許庁

In addition, the drainage control water leading dryer apparatus 1 is configured so that a pressure and a flow speed of the IPA vapor and the nitrogen gas N2, and a drainage speed from the drainage opening 17 can be variably adjusted.例文帳に追加

又、ＩＰＡ蒸気および窒素ガスＮ２の圧力と流速、並びに、排水口１７からの排水速度は可変調整可能に構成する。 - 特許庁

Thereafter, gas spouted out from the first supply nozzle 40 is switched from the IPA vapor to nitrogen gas (inert gas), a flow area of nitrogen gas is formed at the same position with the flow area AI, and the substrate W is made to pass through the flow area of nitrogen gas so as to be dried out by vaporizing droplets of IPA condensed on the surface of the substrate W.例文帳に追加

その後、第１供給ノズル４０からの吐出を窒素ガス（不活性ガス）に切り替え、ＡＩと同じ位置に窒素ガスの気流域を形成し、この気流域に基板Ｗを通過させ、基板Ｗ表面に凝縮したＩＰＡの液滴を気化させることにより乾燥を行う。 - 特許庁

Besides, since the cross sectional area of the gas supply opening 35 is much larger than the cross sectional area of the gas inlet opening 33, the IPA gas does not form gas flow of ejecting from the gas supply opening 35, and the atmosphere containing the IPA vapor in the upper part of the processing chamber 20 has no danger of being disturbed.例文帳に追加

また、ガス導入口３３の断面積よりもガス供給口３５の断面積の方が著しく広いため、ガス供給口６５からはＩＰＡの蒸気が吐出してガス流を形成することはなく、処理槽２０の上方に形成されたＩＰＡの蒸気を含む雰囲気がガス流によってかき乱されるおそれもない。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing apparatus 1 including wafer cleaning devices 30A to 30C washing the wafer W and a drying machine DS drying the wafer W having been cleaned, with IPA, a gas/liquid separation tank DT is incorporated which functions as a scrubber for removing the IPA used in the drying process.例文帳に追加

ウェーハＷを洗浄するウェーハ洗浄装置３０Ａ〜３０Ｃと、洗浄された前記ウェーハＷをＩＰＡにより乾燥させる乾燥機ＤＳと、を備える半導体製造装置１に、乾燥処理で用いられたＩＰＡを除去するスクラバーとして機能する気液分離タンクＤＴを内蔵させる。 - 特許庁

For more information on detailed technical matters in the 2002 CRYPTREC activities, please refer to the CRYPTREC Report 2002 provided by IPA and TAO based on the discussions at the Symmetric-key Cryptography Subcommittee and the Public-key Cryptography Subcommittee established under CRYPTREC and the Committee. 例文帳に追加

なお、2002 年度の CRYPTREC 活動のうち、詳細な技術的事項については、暗号技術評価委員会並びに同委員会の下に設置された共通鍵暗号評価小委員会及び公開鍵暗号評価小委員会における議論を踏まえて、IPA 及び TAO によってまとめられている「CRYPTREC Report 2002」を御参照頂きたい。 - 経済産業省

Since the processing solution is cooled by the cooling operation and it becomes hard for pure water to dissolve into IPA, the pure water can be efficiently removed from the processing solution.例文帳に追加

処理液は冷却処理にて冷却されており、純水がＩＰＡに対して溶けにくくされているので、効率的に処理液から純水を除去できる。 - 特許庁

And the substrate W is held within the bath 20, under which condition IPA vapor flows FI are discharged toward an opening 20P of the bath 20 from the nozzles 40.例文帳に追加

そして、処理槽２０内に基板Ｗが保持された状態で供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気流ＦＩを処理槽２０の開口部２０ｐに向けて吐出する。 - 特許庁

Thereafter, the substrate W is made to pass through the flow area AI2 of IPA vapor and the flow area AN2 of nitrogen gas in this sequence so as to be dried out as the substrate W is pulled up in one direction.例文帳に追加

その後基板Ｗを、ＩＰＡ蒸気の気流域ＡＩ２、窒素ガスの気流域ＡＮ２の順で通過させつつ、一方向に引き揚げ、乾燥させる。 - 特許庁

To provide a wastewater treatment apparatus which lowers a concentration of IPA of a water to be treated such as a cleaning wastewater to a lower concentration by using a reverse osmosis membrane apparatus and also reduces a volume of the wastewater.例文帳に追加

逆浸透膜装置を用いて、洗浄廃水等の被処理水のＩＰＡを低濃度に低下させるとともに、廃水の容積を減らす（減容化）ことを達成する。 - 特許庁

To provide a method for cleaning and drying a substrate for suppressing minute defects on the surface of the substrate, when drying the substrate by supplying an organic solvent vapor, such as IPA.例文帳に追加

ＩＰＡ等の有機溶剤蒸気を供給して基板を乾燥する場合に、基板表面の微小欠陥を抑制するための基板の洗浄乾燥方法を提供する。 - 特許庁

Rinse liquid adhered on the substrate surface Wf is substituted by the liquid mixture by supplying a liquid mixture (IPA+DIW) to the substrate surface Wf after a rinsing process.例文帳に追加

リンス処理後に基板表面Ｗｆに混合液（ＩＰＡ＋ＤＩＷ）を供給して基板表面Ｗｆに付着しているリンス液を混合液に置換する。 - 特許庁

With the substrate W covered with liquid IPA as a displacement liquid held in the drying chamber 31, liquid carbon dioxide covers the surface of the substrate W.例文帳に追加

置換液であるＩＰＡ液で覆われた基板Ｗが乾燥処理チャンバ３１内に保持された状態で、液体二酸化炭素が基板Ｗの表面を覆う。 - 特許庁

To suppress transfer of particles by preventing dew from condensing on a supply pipe for an organic solvent, such as IPA and also preventing vapor of the organic solvent from dissolving in pure water.例文帳に追加

ＩＰＡ等の有機溶剤の供給用配管における結露を防止し、有機溶剤の蒸気の純水への溶解を防止してパーティクルの転写を抑制する。 - 特許庁