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IPAを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 234



例文

To provide a thermal transfer recording medium whose transferred image shows superb resistance to not only water but also solvents such as xylene and IPA, with outstanding image definition.例文帳に追加

転写画像が、水だけでなく、キシレンやIPAなどの溶剤に対しても優れた耐性を有し、画像精細性にも優れる熱転写記録媒体を提供する。 - 特許庁

Since it is simply required to supply the mixture for replacing the rinse liquid onto the surface of the substrate, consumption of IPA required for producing the mixture can be suppressed.例文帳に追加

また、リンス液を置換するだけの混合液を基板表面に供給すればよいことから、混合液の生成に必要なIPAの消費量を抑制できる。 - 特許庁

After finish of the etching treatment to a specified number of wafers W, the anodized surface of the upper chamber part 5 in the process chamber 2 is wiped with cloth or the like wet with IPA or water.例文帳に追加

所定枚数のウェハWに対するエッチング処理の終了後、プロセスチャンバー2における上部チャンバー部5のアナダイズ表面をIPAや水を濡らした布などで拭く。 - 特許庁

Replacing operation is carried out to replace pure water stored in a processing bath 1 with IPA (isopropyl alcohol), and then cooling operation is carried out to cool a processing solution in a cooling unit 25.例文帳に追加

次に、置換処理を行わせて処理槽1に貯留している純水をIPAで置換した後、冷却ユニット25で処理液を冷却する冷却処理を行わせる。 - 特許庁

例文

In a substrate processing apparatus 1 that processes a substrate 9, an IPA jet nozzle 40 is arranged to face a surface to be processed of a substrate 9 held by a holder 21.例文帳に追加

基板9に処理を施す基板処理装置1において、支持部21に支持された基板9の被処理面に対向してIPA噴出ノズル40を設ける。 - 特許庁


例文

Before IPA is supplied, the decompressing means decompresses the inside of the chamber to remove air from the inside of the chamber 110 (substantially to remove oxygen).例文帳に追加

減圧手段は、IPAを供給する前に、チャンバ110の内部の空気(実質的に酸素の除去が目的である)を除去するために、チャンバ内部を減圧する。 - 特許庁

A substrate W lifted upward out of the processing tank 20 by a lifting equipment, is dried by moving through the nitrogen gas flow and reaching atmosphere including IPA steam.例文帳に追加

昇降機構30によって処理槽20から引き揚げられる基板Wは窒素ガス流を通過してIPA蒸気を含む雰囲気に到達することにより乾燥される。 - 特許庁

After the substrate surface Wf covered with an IPA liquid is supplied with an HFE liquid to replace the IPA liquid with the HFE liquid so that the entire substrate surface Wf is covered with the HFE liquid, a high-temperature nitrogen gas is supplied to the substrate back surface Wb to heat the substrate W, and the HFE liquid is removed from the substrate surface Wf.例文帳に追加

IPA液で覆われた基板表面WfにHFE液を供給してIPA液をHFE液で置換して基板表面Wfの全部がHFE液で覆われた後に、高温窒素ガスが基板裏面Wbに供給されて基板Wが加熱されるとともに、基板表面WfからHFE液が除去される。 - 特許庁

A substrate processing method includes: a step of holding and rotating a substrate W so as to turn the processing object surface to a lower surface; a step of supplying DIW (pure water) to the lower surface of the substrate and executing rinsing processing to the substrate; and a step of supplying mist containing IPA and an N_2 gas to the lower surface of the substrate and replacing the DIW with the IPA thereafter.例文帳に追加

基板処理方法は、処理対象面が下面となるように基板Wを保持して回転させる工程と、基板の下面にDIW(純水)を供給して基板にリンス処理を施す工程と、その後、基板の下面にIPA(イソプロピルアルコール)とN_2ガスとを含むミストを供給してDIWをIPAで置換する工程と、を備える。 - 特許庁

例文

As a result, since it becomes suffice to supply the IPA vapor only to the bath 20 having a volume smaller than an accommodation vessel 10, the consumption amount of vapor of an organic solvent can be reduced.例文帳に追加

その結果、IPA蒸気の供給は収容器10より容積が小さい処理槽20に行えば足りることとなるため、有機溶剤の蒸気の消費量を削減できる。 - 特許庁

例文

In a substrate washing apparatus 1 for treating the substrate 9, an IPA (isopropyl alcohol) jet nozzle 40 is provided in opposed relation to the surface to be treated of the substrate 9 supported on a support part 21.例文帳に追加

基板9に処理を施す基板処理装置1において、支持部21に支持された基板9の被処理面に対向してIPA(イソプロピルアルコール)噴出ノズル40を設ける。 - 特許庁

An upper receiver 10 provided with an inclined path and a lower receiver 20 having an evaporation path 21 are provided below a drying region in a processing tank 2 of an IPA drying apparatus.例文帳に追加

IPA乾燥装置の処理槽2の乾燥領域の下方に、傾斜流路を設けた上方受け部10と、蒸発用流路21を有する下方受け部20とを設ける。 - 特許庁

To provide a washing method/device including a draining process wherein a use amount of IPA (isopropyl alcohol) or a draining drying liquid taking the place thereof is little while sufficiently removing water.例文帳に追加

水分を十分に除去しながら、IPA(イソプロピルアルコール)あるいはこれに代わる水切り乾燥液の使用量が少ない水切り工程を含む洗浄方法・装置を提供する。 - 特許庁

Next, IPA steam is supplied onto the surface of the silicon wafer 1, and the chemicals supplied into the hole 3 of the silicon wafer 1 are held, while only the chemicals on the surface of the silicon wafer 1 are removed.例文帳に追加

次に、シリコンウェーハ1の表面にIPA蒸気を供給し、シリコンウェーハ1のホール3内に供給された薬液を保持しつつ、シリコンウェーハ1表面の薬液のみを除去する。 - 特許庁

To provide a vapor dryer reducing residual foreign matters and suppressing generation of stain like watermark when drying using an organic solvent like IPA.例文帳に追加

IPA等の有機溶剤を使用して乾燥する場合において、残留異物を低減し、ウオータマーク(水しみ)等の染みの発生を抑制することができる蒸気乾燥装置を提供することにある。 - 特許庁

Since surface tension of the mixture is lower than that of the rinse liquid (DIW) and higher than that of the IPA, rapid Marangoni convection can be prevented from being caused on the surface of the substrate.例文帳に追加

混合液の表面張力はリンス液(DIW)よりも低く、かつIPAよりも高いので基板表面上で急激なマランゴニ対流が引き起こされるのを防止できる。 - 特許庁

Therefore, the concentration of IPA to be supplied can be reduced without reducing dry performance, and a resist film formed on the surface of the wafer W can be prevented from being dissolved.例文帳に追加

このため、乾燥性能を低下させることなく、供給するIPAの濃度を低下させることができ、基板W表面に形成されたレジスト膜の溶解を防止することができる。 - 特許庁

The drying means comprises an IPA nozzle 90 for ejecting isopropylalcohol, first gas jet nozzles 330 for jetting nitrogen gas, and second gas jet nozzles 320.例文帳に追加

乾燥手段は、イソプロピルアルコール(IPA)を噴射するためのIPAノズル90と、窒素ガスを噴射するための第1ガス噴射ノズル330と、第2ガス噴射ノズル320とで構成される。 - 特許庁

The molding material mixed with the IPA is sieved by the oscillation sieve 2, and then transportated to the calendar molding machine 3 through a transportation path 30 of the oscillation feeder 4, for molding into a sheet.例文帳に追加

IPAと混合された成形材料を振動ふるい機2にて篩ったのち、振動フィーダ4の搬送路30にてカレンダ成形機3へ搬送し、シート状に成形する。 - 特許庁

CRYPTREC, an abbreviation of Cryptography Research and Evaluation Committees, is a cryptographic technique evaluation project undertaken by the CRYPTREC Advisory Committee (chaired by Hideki Imai, professor of University of Tokyo) convened by MPHPT and METI, and by the CRYPTREC Evaluation Committee (also chaired by Hideki Imai) convened by TAO and IPA (see Fig. 1 for the CRYPTREC organization). 例文帳に追加

CRYPTREC とはCryptography Research and Evaluation Committeesの略であり、総務省及び経済産業省が共同で開催する暗号技術検討会(座長:今井秀樹東京大学教授)と、通信・放送機構(TAO)及び情報処理振興事業協会(IPA)が共同で開催する暗号技術評価委員会(委員長:今井秀樹東京大学教授)による暗号技術評価プロジェクトを指す(CRYPTREC の体制図は図1参照)。 - 経済産業省

Relating to the blender 1, when a granular molding material is mixed with IPA which is an assistance for a binder in a mixing container 9 that is in closed state, they are agitated with an impeller 11.例文帳に追加

混合機1において、粒状の成形材料とバインダ用助剤であるIPAとを、密閉状態の混合容器9にて混合する際に、それらを撹拌翼11にて撹拌する構成とする。 - 特許庁

Thus, the dry gas generated in the plurality of gas generation parts 830 and 870 is supplied to the processing chamber 20, and concentration of the IPA vapor in the chamber 20 can be increased.例文帳に追加

このように、処理チャンバ20には複数の乾燥ガス生成部830、870で生成された乾燥ガスが供給され、処理チャンバ20内のIPA蒸気の濃度を高くすることができる。 - 特許庁

In addition, after sending the etchant is stopped (step S4), sending of isopropyl alcohol (IPA) as an environment regulator is started (step S5), so that the inside of the processing chamber is put in low relative permittivity environments.例文帳に追加

また、エッチャントの送込を停止した(ステップS4)後、環境調整剤としてイソプロピルアルコール(IPA)の送込を開始して(ステップS5)、処理チャンバー内を低比誘電率環境に整えている。 - 特許庁

In the finishing processing, since the small quantity of IPA can draw out the deionized water present in the depths of the fine patterns on the substrates W, the deionized water is prevented from remaining in the fine patterns on the substrates W.例文帳に追加

仕上げ処理では、基板Wの微細パターンの奥に入り込んだ純水を少量のIPAで引き出すことができるので、基板Wの微細パターン中に純水が残留するのを防止できる。 - 特許庁

While a substrate W is rotated within an almost horizontal face in a horizontal posture that the substrate surface Wf which has gotten wet with rinse liquid is turned up, IPA liquid is supplied to the substrate surface Wf.例文帳に追加

リンス液で濡れた基板表面Wfを上方に向けた水平姿勢で基板Wが略水平面内にて回転されながらIPA液が基板表面Wfに供給される。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for treating washing wastewater capable of effectively treating IPA, DMSO, TMAH, a surfactant or the like contained in washing wastewater in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造工程の洗浄排水に含まれるIPA、DMSO、TMAH、界面活性剤などを効果的に処理できる洗浄排水処理方法および処理装置を提供する。 - 特許庁

Preferably, substitution of water is made for acid remaining on the semiconductor substrate without drying after the acid treatment, and substitution of IPA is made for the water remaining on the semiconductor substrate without drying.例文帳に追加

好ましくは、酸処理の後に、半導体基板上に残留した酸を乾燥させることなく水で置換し、且つ半導体基板上に残留した水を乾燥させることなくIPAで置換する。 - 特許庁

The molecular active species of 1, 3, 5-trimethyl-1, 3, 5-trivinyl siloxane (V3D3) and isopropyl alcohol (IPA) are generated by supplying the compounds to a chamber 12 and exciting the compounds with a plasma.例文帳に追加

1,3,5−トリメチル1,3,5−トリビニルシクロトリシロキサン(V3D3)とイソプロピルアルコール(IPA)とをチャンバ12内に供給し、プラズマによりこれらを励起してこれらの化合物の分子状の活性種を発生させる。 - 特許庁

To easily and efficiently remove volatile organic substances such as IPA in waste water containing volatile organic substances and to recover high-quality treated water which can be used as the raw water for the production of ultrapure water.例文帳に追加

揮発性有機物含有排水中のIPA等の揮発性有機物を容易かつ効率的に除去して、超純水製造用原水とすることができる高水質の処理水を回収する。 - 特許庁

This substrate processing device 1 dilutes a sample gas by mixing the sample gas with a nitrogen gas in a concentration measuring portion 60, and measures a concentration of an IPA gas included in the sample gas after dilution.例文帳に追加

この基板処理装置1は、濃度計測部60においてサンプルガスと窒素ガスとを混合することによりサンプルガスを希釈し、希釈後のサンプルガス中に含まれるIPAガスの濃度を計測する。 - 特許庁

To make a reduction of an organic solvent consumption amount compatible with that of a drying processing time duration, and to reduce defects resulting from a drying process, in an organic solvent steam drying of an IPA or the like after cleaning a substrate.例文帳に追加

基板洗浄後のIPA等の有機溶剤蒸気乾燥において、有機溶剤使用量の削減と乾燥処理時間の削減を両立し、かつ乾燥工程に起因する欠陥を削減する。 - 特許庁

In the substrate-temperature elevating chamber 7, the substrate 10 is heated with heaters 24, 24, to about 100°C to evaporate (dry) fine IPA particles at an invisible level or pure water remaining without being replaced.例文帳に追加

基板昇温室7では、基板10をヒータ24・24で凡そ100℃に加熱(昇温)し、目視が不可能なレベルの微細なIPAや、置換されずに残留している純水を蒸発(乾燥)させる。 - 特許庁

While a rinse liquid sticking on the substrate surface Wf is replaced with an IPA liquid, clean dry air (CDA) is supplied to a gap space SP to keep a periphery atmosphere of the substrate surface Wf at a low-humidity atmosphere.例文帳に追加

基板表面Wfに付着しているリンス液をIPA液に置換する間、低露点空気(CDA)が間隙空間SPに供給されて基板表面Wfの周囲雰囲気が低湿度雰囲気に保たれる。 - 特許庁

Then, in condition that the processing container 10c is shut off with a shutter 10h, the water at the surface of the semiconductor substrate wafer 100 is washed off by the steam of chemicals for drying in high concentration, for example, IPA steam 25.例文帳に追加

その後、処理槽10cをシャッター10hで遮断した状態で高濃度の乾燥用薬液の蒸気、例えばIPA蒸気25により半導体基板ウェハ100の表面の水を洗い落とす。 - 特許庁

To suppress formation of a watermark on the surface of a substrate having been dried by reducing the used amount of isopropyl alcohol (IPA) or th like as much as possible, and minimizing production of droplets and mist.例文帳に追加

IPA等の使用量を可能な限り減少させ、しかも液滴やミストの発生を最小限に抑えることによって、乾燥後の基板表面にウォーターマークが発生することを抑制できるようにする。 - 特許庁

Since the substrate W is dried by high temperature nitrogen gas in the processing bath 20 having a capacity smaller than that of a container 10, need for an organic solvent, e.g. IPA, can be eliminated or the quantity thereof being used can be reduced.例文帳に追加

その結果、収容器10より容積の小さい処理槽20内で高温の窒素ガスによる基板Wの乾燥が行われるため、IPA等の有機溶剤が不要となる、またはその使用量を削減できる。 - 特許庁

Consequently, the rinse liquid on the substrate surface Wf is replaced with the high-temperature IPA liquid with high replacement efficiency to suppress the amount of a rinse liquid remaining on the substrate surface Wf small before spin drying processing.例文帳に追加

このため、基板表面Wf上のリンス液が高い置換効率で高温IPA液に置換されてスピン乾燥処理前に基板表面Wf上に残存するリンス液の量を抑制することができる。 - 特許庁

Respective IPA and IPB in the system level IP 31 are described while being divided into processing algorithm description parts 33A and 33B, input data structure definition parts 34A and 34B and output data structure definition parts 35A and 35B.例文帳に追加

システムレベルIP31において各IPA,Bは、処理アルゴリズム記述部33A,33Bと、入力データ構造定義部34A,34Bと、出力データ構造定義部35A,35Bとに分かれて記述されている。 - 特許庁

In the system level IP31, each of IPA, IPB is described by being divided into processing algorithm description portions 33A, 33B, input data structure definition portions 34A, 34B, and output data structure definition portions 35A, 35B.例文帳に追加

システムレベルIP31において各IPA,Bは、処理アルゴリズム記述部33A,33Bと、入力データ構造定義部34A,34Bと、出力データ構造定義部35A,35Bとに分かれて記述されている。 - 特許庁

Meanwhile, the controller 7 controls an arm swaying mechanism 62 to move an arm 61 at the constant velocity to move a pure water supplying nozzle 64 and an IPA vapor supplying nozzle 65 toward the outside of the wafer W.例文帳に追加

その一方で、制御装置7は、アーム揺動機構62を制御して、純水供給ノズル64およびIPAベーパ供給ノズル65がウエハWの外方に向けて移動するようにアーム61を一定速度で動かす。 - 特許庁

To provide a substrate processing device that excellently remove pure water from the surface of a substrate without wasting a low-surface-tension liquid, such an IPA liquid, nor time, and to provide a substrate processing method.例文帳に追加

IPA液などの低表面張力液体および時間の無駄を生じることなく、基板の表面から純水を良好に除去することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供する - 特許庁

The tube for supports to be provided includes a porous stretched polytetrafluoroethylene tube having an IPA bubble point, which is a substituting property of pore diameter, of 2 to 12 kPa and a large pore diameter and high porosity as high as 75 to 90%.例文帳に追加

孔径の代替特性となるIPAバブルポイントが2〜12kPa、気孔率が75〜90%という大孔径高気孔率である多孔質延伸ポリテトラフルオロエチレンチューブからなる支持体用チューブを提供する。 - 特許庁

The chemical heat pump HP1 is provided with a tank 20 storing IPA, a circulating pipe line 21, a pump 22 provided on the circulating pipe line 21, heat exchangers 23, 25, a dehydrogenation reactor 24 and a hydrogenation reactor 26.例文帳に追加

ケミカルヒートポンプHP1は、IPAが貯蔵されたタンク20、循環管路21、循環管路21上に設けられたポンプ22、熱交換器23,25、脱水素反応器24および水素化反応器26を備える。 - 特許庁

IPA, in which ice fine particles are mixedly contained, is sprayed on a curing modified layer 20a, to produce a cracked part 21a or a missing part 21b caused by the collision of the ice fine particles, and an inner non-modified layer 20b is exposed partially.例文帳に追加

硬化変質層20aに対して氷微粒子が混在されたIPAを吹き付け、氷微粒子の衝突によって亀裂部21aないしは欠損部21bを生じさせ、内部の非変質層20bを部分的に露呈させる。 - 特許庁

The slurry tank is provided with a belt conveyer 72 for supplying incinerator fly ashes, a water supply pipe 74, an alcohol supply pipe 76, a circulation line 78, and a stirring apparatus 80 for stirring the incinerator fly ashes, water, IPA, and the circulated slurry.例文帳に追加

スラリー槽は、焼却飛灰を供給するベルトコンベヤ72と、水供給管74と、アルコール供給管76と、循環ライン78と、焼却飛灰、水、IPA及び循環されたスラリーを攪拌する攪拌機80とを備える。 - 特許庁

Ten laser drive current generating circuits (a) to (j), which have respectively a delay means, are combined with each other as shown in the diagram, the output ends of the circuits are divided into two groups, and the two groups are respectively connected with a semiconductor laser LD via terminals IPA and IPB.例文帳に追加

それぞれ遅延手段を有する10個のレーザ駆動電流発生回路a〜jを図示のように組み合わせ、出力端を2群に分けてそれぞれ端子IPA,IPBを介して半導体レーザLDに接続する。 - 特許庁

To replace processing liquid efficiently using a small amount of solvent of low surface tension in substrate processing method and apparatus for replacing the surface treatment liquid of a substrate with a solvent of low surface tension such as IPA.例文帳に追加

基板表面の処理液をIPAなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく置換する。 - 特許庁

As an org. solvent used when the stretch packaging film is processed into a cylindrical stretch film by center sealing, a mixture of a good solvent and a poor solvent to the amorphous polymer, for example, THF and IPA is preferable.例文帳に追加

そしてセンターシールにより筒状のストレッチフイルムに加工する場合の有機溶剤としては、例えばTHFとIPAのような該非晶性ポリマに対して良溶媒と貧溶媒との混合溶媒が好ましく使用される。 - 特許庁

To efficiently and surely replace a processing liquid by less consumption of a low surface tension solvent in substrate processing method and apparatus for replacing a liquid for processing the surface of the substrate by a low surface tension solvent such as IPA.例文帳に追加

基板表面の処理液をIPAなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく確実に置換する。 - 特許庁

例文

A substrate W is immersed into the rinse liquid rC dissolving carbon dioxide stored in a processing tank 20 to clean the surface, and then the substrate W is pulled up into a chamber 10 under IPA gas atmosphere and dried.例文帳に追加

二酸化炭素溶解リンス液rCを貯留した処理槽20内に基板Wを浸漬して表面洗浄を行った後に、IPAガス雰囲気下におかれているチャンバ10内に引き上げて基板Wを乾燥する。 - 特許庁




  
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