「K cell」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When reading data from the memory cell by the threshold level k (k≤n), the arithmetic circuit 21 accumulates the parameter data from threshold level i to k (i≤k) and generates the voltage data.例文帳に追加

演算回路２１は、閾値レベルｋ（ｋ＜＝ｎ）でメモリセルからデータを読み出すとき、閾値レベルｉからｋ（ｉ＜＝ｋ）までのパラメータデータを累積し、電圧データを発生する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a memory cell in which data X(z-k) and X(z-n+k) are stored can be specified without using a circuit storing an address and a digital filter.例文帳に追加

アドレスを記憶する回路を用いずに、データＸ(z^-k)とＸ(z^-n+k)とが記憶されているメモリセルを特定できる半導体記憶装置およびデジタルフィルタを提供すること。 - 特許庁

Cobalt as starting material of the nanoparticle is fed into a crucible 41 of the K cell 40.例文帳に追加

Ｋセル４０のるつぼ４１にはナノ粒子の原材料となるコバルトが投入される。 - 特許庁

A substrate cart K has multiple trays T in which a number of solar cell mounting parts 41 are formed.例文帳に追加

基板カートＫは、多数の太陽電池搭載部４１が形成された複数のトレイＴを有する。 - 特許庁

The operation part of a cell-phone K is mainly structured of a key top 12, a plate member 8, and a substrate 9.例文帳に追加

携帯電話機Ｋの操作部は、主にキートップ１２、プレート部材８、基板９で構成されている。 - 特許庁

A conversion circuit 4-1 converts data comprising k bits (a natural number of 3 or more; k<=n) stored in the memory cell array to data comprising h bits (a natural number of 2 or more; k<=h), based on a conversion rule.例文帳に追加

変換回路４−１は、メモリセルアレイに記憶するｋビット（ｋ＜＝ｎで、３以上の自然数）からなるデータを、変換則に基づき、ｈビット（ｋ＜＝ｈで、２以上の自然数）のデータに変換する。 - 特許庁

In the FFAG accelerator using an electromagnet with the cell number of N having a magnetic field distribution expressed in B=B_0(r/r_0)^k, a second stable region of betatron vibration or after that with the k value higher than a first stable region (A) where the k-value is close to an original point (k=0) is to be an operating point.例文帳に追加

Ｂ＝Ｂ_０（ｒ／ｒ_０）^ｋで表される磁場分布を持つセル数Ｎの電磁石を用いたＦＦＡＧ加速器において、上記ｋ値が原点（ｋ＝０）に近い第１の安定領域（Ａ）よりも高い第２又はそれ以降のベータトロン振動の安定領域を動作点とする。 - 特許庁

There is provided the solar cell module in which a non-light receiving surface of a photoelectric conversion cell is sealed with an insulating material having a thermal conductivity of 0.3 W/m K or more.例文帳に追加

熱伝導率が０．３Ｗ／ｍ・Ｋ以上の絶縁性材料で光電変換セルの非受光面側を封止した太陽電池モジュール。 - 特許庁

Based on the cooling coefficient K and the generated heat amount J of the unit cell, the temperature rising amount ΔT of the unit cell is found.例文帳に追加

求めた冷却係数Ｋと単電池の発熱量Ｊとにより、単電池の温度上昇量ΔＴを求める。 - 特許庁

The data storage circuit includes at least one static latch circuit and a plurality of dynamic latch circuits when setting 2^k threshold voltage (k is a natural number equal to 3 or more) in each memory cell in the memory cell array.例文帳に追加

データ記憶回路は、メモリセルアレイ内の各メモリセルに２^ｋ個（ｋは３以上の自然数）の閾値電圧を設定する場合、少なくとも１つのスタティックラッチ回路と、複数のダイナミックラッチ回路を有している。 - 特許庁

The boosting cell in row K (1≤K≤M) is controlled according to the voltage of the input terminal of a boosting cell in row KA ((KA=(K-1) when (K-1)>0, KA=M when (K-1)=0)).例文帳に追加

Ｋ列目（１≦Ｋ≦Ｍ）の昇圧セルは、ＫＡ列目（（Ｋ−１）＞０のときはＫＡ＝（Ｋ−１）、（Ｋ−１）＝０のときはＫＡ＝Ｍ）の昇圧セルの入力端子の電圧に応じて制御される。 - 特許庁

There is provided a method for increasing the quantity of a carboxylated vitamin K-dependent protein in a cell including a step to introduce a second heterologous nucleic acid encoding vitamin K epoxide reductase (VKOR) into a cell expressing a first nucleic acid encoding a vitamin K-dependent protein under a condition to express the first nucleic acid and the second nucleic acid and produce the vitamin K-dependent protein and VKOR.例文帳に追加

ビタミンＫ依存性タンパク質をコードする第一の核酸を発現する細胞に、ビタミンＫエポキシドレダクターゼ（ＶＫＯＲ）をコードする第二の異種核酸を、前記第一の核酸及び第二の核酸がそれぞれ発現されてビタミンＫ依存性タンパク質及びＶＫＯＲを生産する条件下で導入することを含む、細胞内のカルボキシル化ビタミンＫ依存性タンパク質の量を増加させる方法。 - 特許庁

The cosmetic further contains a lipid bilayer vesicle including K^+ and Cl^- ions to increase the K^+ and Cl^- ion concentrations in the cell to regulate the cell volume in combination with the reduction of the Ca^2+ ion concentration on the surface layer of the cell.例文帳に追加

また、上記化粧料には、細胞内のＫ^+及びＣｌ^-イオン濃度を上昇せしめるべくＫ^+及びＣｌ^-イオンを内包せしめた脂質二分子膜小包を配合せしめ、細胞表層上のＣａ^2+イオン濃度の減少とも相まって細胞容積を調整せしめる。 - 特許庁

The cell part 2 has an insulating substrate 4, at least two electrodes A, K formed thereon, and a dischargeable gas distributed in contact with these electrodes A, K.例文帳に追加

セル部２は、絶縁性の基材４、その上に形成された少くとも二本の電極Ａ，Ｋ及びこれらの電極Ａ，Ｋに接して配された放電可能な気体を有する。 - 特許庁

This semiconductor storage device includes a plurality of memory cell array blocks 32, and an array area 30 connected to a data I/O lines 41 amounting to k lines (k is a natural number).例文帳に追加

半導体記憶装置は複数のメモリセルアレイブロック３１を含むと共に、ｋ本（ｋは自然数）のデータ入出力線４１に接続されたアレイ領域３０を含む。 - 特許庁

The ratio Rsch of a region on a Schottky junction 7 to a region of an anode electrode 1, the cell pitch W, the diffusion depth Xj of a p+ anode layer 2 meet a relation W<K(Xj/Rsch) with K set to 5 or less.例文帳に追加

ショットキー接合部７の領域のアノード電極１の領域に対する割合Ｒsch と、セルピッチＷと、Ｐ^+ アノード層２の拡散深さＸJ の関係を、Ｗ＜Ｋ（Ｘj ／Ｒsch ）を満足させながら、Ｋの値を５以下とする。 - 特許庁

When violation of timing arises, the cell layout (e.g. CL_BF[k]) which becomes an initial value is substituted for the next layout (e.g. CL_BF[k+1]), and the computer system returns to the actual load extraction and repeats the similar operation.例文帳に追加

タイミング違反が生じた場合には、初期値となるセルレイアウト（例えばＣＬ＿ＢＦ［ｋ］）を次のセルレイアウト（例えばＣＬ＿ＢＦ［ｋ＋１］）に差し替え、実負荷抽出に戻って同様の処理を繰り返す。 - 特許庁

A fastening bolt 64 is fastened with designated fastening torque while remaining the gap K, and the cell laminate 50 is fastened.例文帳に追加

そして、この間隙Ｋを残したまま、締結ボルト６４を所定の締め付けトルクで締め付け、セル積層体５０を締結する。 - 特許庁

The porous separator for a nonaqueous electrolyte secondary cell has a thermal conductivity in a thickness direction of 0.5 W/(m K) or more.例文帳に追加

厚み方向の熱伝導率が、０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である非水系電解液二次電池用多孔質セパレータ。 - 特許庁

A cell growth inhibitor that is a peptide represented by formula (I): A-B-D-E-F-(G)_r-(K)_s-L, and its salt are provided.例文帳に追加

式（Ｉ）：Ａ−Ｂ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−（Ｇ）_r−（Ｋ）_s−Ｌで示されるペプチドである細胞成長阻害剤、及びその塩を含む。 - 特許庁

There is disclosed a non-volatile memory cell structure utilizing a charge trapping high-k dielectric (22) in the place of a triple film stack.例文帳に追加

本発明は、３層膜スタックの場所に電荷トラッピングｈｉｇｈ−ｋ誘電体（２２）を用いる不揮発性メモリセル構造を開示する。 - 特許庁

Individual internal data lines 45 amounting to k+m+n lines (n is a natural number) are arranged for every memory cell array block 31.例文帳に追加

メモリセルアレイブロック３１毎にｋ＋ｍ＋ｎ本（ｎは自然数）の個別内部データ線４５が配設される。 - 特許庁

However, the direct term corresponds to (K×T_2/T_1) of a right side first term when, for instance, the cell model is an equation (equation 7).例文帳に追加

なお、直達項とは、例えば電池モデルを前記（数７）式とした場合における右辺第１項の（Ｋ・Ｔ_２／Ｔ_１）に相当する。 - 特許庁

In a vacuum chamber 10, a K cell 40 is arranged just below a substrate W retained by a substrate retention part 30.例文帳に追加

真空チャンバー１０には、基板保持部３０に保持された基板Ｗの直下にＫセル４０が配置されている。 - 特許庁

A K-cell 40 is arranged immediately below a substrate W held by a substrate holding unit 30 in a vacuum chamber 10.例文帳に追加

真空チャンバー１０には、基板保持部３０に保持された基板Ｗの直下にＫセル４０が配置されている。 - 特許庁

The filter contains at least one liquid crystal cell 6 containing a dichroic dye, in which fluctuation in the color temperature of the transmitted light is specified to 500 K.例文帳に追加

２色性色素入りの液晶セル６を少なくとも１個含み、その透過光における色温度の変動が５００Ｋ以下とする。 - 特許庁

The resistance of each cell is determined from the ratio μ'/k' relative to each single particle group and the prescribed size of the cells (S13).例文帳に追加

次に、各単一粒子群に関する比μ’／ｋ’と、セルの所定寸法とから、各セルの抵抗を決定する（Ｓ１３）。 - 特許庁

Common internal data lines 43 amounting to k+m lines (m is a natural number) are commonly arranged in the memory cell array blocks 31.例文帳に追加

メモリセルアレイブロック３１に共通にｋ＋ｍ本（ｍは自然数）の共通内部データ線４３が配設される。 - 特許庁

Blast treatment is performed on a surface of the substrate cart K excluding the solar cell mounting parts 41.例文帳に追加

基板カートＫにおける表面には、太陽電池搭載部４１を除いて、ブラスト処理が施されている。 - 特許庁

The second program operation which is an MSB program is performed to program the third cell to a PV3 state and simultaneously to program the second cell and the (k) cell to a PV2 state.例文帳に追加

ＭＳＢプログラムである第２プログラム動作を行い、第３セルをＰＶ３状態にし、同時に第２セルおよび第ｋセルをＰＶ２状態にプログラムする。 - 特許庁

The K-bit prefetch section decodes a column address in response to a second clock for accessing the memory cell array, and prefetches K data corresponding to the column address decoded from the memory cell connected to the activated word line.例文帳に追加

Ｋビットプリフェッチ部は、前記メモリセルアレイにアクセスするための第２クロックに応答してカラムアドレスをデコーディングして前記活性化されたワードラインに連結されたメモリセルから前記デコーディングされたカラムアドレスに対応するＫ個のデータをプリフェッチする。 - 特許庁

This voltage equalizer detects the voltage Vb(k) of each unit cell (step S100), and charges or discharges a cell where a voltage difference from a voltage (reference voltage Vbst) to become a reference is at or over a threshold Vr among detected voltages thereby equalizing the voltage.例文帳に追加

各単電池の電圧Ｖｂ(k)を検出し（ステップＳ１００）、その検出された電圧のうち基準となる電圧（基準電圧Ｖｂｓｔ）との電圧差が閾値Ｖｒ以上の単電池を充電し又は放電させて電圧の均等化を図る。 - 特許庁

To provide a cell expressing an insulin gene, an SURI (a subunit of ATP-sensitive K^+ channel) gene and α_11.3 (a subunit of L type potential- dependent calcium channel) gene from a noninsulin production cell.例文帳に追加

非インスリン産生細胞からインスリン遺伝子並びにＳＵＲ１（ＡＴＰ感受性Ｋ^+チャネルのサブユニット）遺伝子及びα_11.3（Ｌ型電位依存性カルシウムチャネルのサブユニット）遺伝子を発現する細胞を提供すること。 - 特許庁

Temperature rise profiles of the solar cell 2 are respectively obtained by measuring a temporal variation in the temperature of the solar cell 2 by K-thermocouples 64, 65 when the interconnectors 5 are irradiated with a laser beam.例文帳に追加

Ｋ−熱電対６４，６５によってレーザ光線が照射された際の太陽電池セル２の温度の時間変化を測定することで、太陽電池セル２の昇温プロファイルがそれぞれ求められる。 - 特許庁

Consequently, when the empty tank 152 is placed on a holding plate 182, a clearance K is formed between the bottom face of the holding plate 182 and the cell upper face of a load cell 188.例文帳に追加

これにより、空のタンク１５２を保持プレート１８２に載置するような場合には、保持プレート１８２の底面とロードセル１８８のセル上面との間に間隙Ｋを形成する。 - 特許庁

The tumorousness of human myeloid leukemia cell strain K 562 cells into which the gene construct has been introduced is significantly eliminated, and the cells are more liable to undergo cell death by apoptosis.例文帳に追加

上記遺伝子構築物が導入されたヒト骨髄性白血病細胞株Ｋ５６２細胞の腫瘍源性は有意に消失するとともに、該細胞はアポトーシスによる細胞死が起こりやすくなる。 - 特許庁

I-bit (i<=k) data are stores in the first memory cell, and h-bit (h<i) data generated from the i-bit data are stored in the second memory cell.例文帳に追加

第１メモリセルにｉビット（ｉ＜＝ｋ）のデータを記憶し、第２メモリセルにｉビットのデータより生成されるｈビット（ｈ＜ｉ）のデータを記憶する。 - 特許庁

In retrieval operation, the storage unit of the first memory cell and that of the second memory cell are selected in parallel, and a current corresponding to stored data is supplied onto a local match line ML1-ML2^k arranged accordingly.例文帳に追加

検索動作時、第１のメモリセルの記憶単位および第２のメモリセルの記憶単位を並行に選択して記憶データに応じた電流を、対応して配置されるローカルマッチ線ＭＬ１−ＭＬ２＾ｋ上に供給する。 - 特許庁

The hues of each cell comprising the color based image code are discriminated by sampling a predetermined number of pixels from each cell and then applying a MCC (max channel based clustering) method, a WBCC (white balance based color clustering) method, a SLACC (single-linkage algorithm based color classification) method, or a KMACC (K-means algorithm based color classification) method.例文帳に追加

カラーベースのイメージコードを構成する各セルで所定数のピクセルを標本抽出した後、ＭＣＣ法、ＷＢＣＣ法、ＳＬＡＣＣ法、ＫＭＡＣＣ法を適用してセルの色相を判別する。 - 特許庁

A cell count section 1 counts the number of cells which arrive in a transmission queue buffer 121 by each prescribed period T and an average count section 4a obtains a value resulting from the total cell number divided by each period kT by a number (k) on the basis of the count result.例文帳に追加

セル計数部１でセル送出待バッファ１２１に到着するセル数を所定の周期Ｔ毎に計数し、この計数結果に基づき平均計数部４ａで周期ｋＴ毎の合計セル数をｋで割った値を求める。 - 特許庁

A gap K is formed between the side member 62 and an end plate 61 since a side member 62 arranged between end plates on both ends of the cell laminate 50 is shorter than the laminated length of the cell laminate 50.例文帳に追加

セル積層体両端のエンドプレート間に配設されたサイドメンバ６２は、セル積層体５０の積層長さより短寸なため、サイドメンバ６２とエンドプレート６１との間には間隙Ｋが形成される。 - 特許庁

In the mounting structure 1 of the solar-cell modules, the solar- cell modules 2 are mounted extending over projecting sections 61 on a folded- plate roof 6 in which the projecting sections 61 are continued in one direction K.例文帳に追加

本発明の太陽電池モジュールの取付構造１は、突出部６１が一方向Ｋに連続した折板屋根６上に、突出部６１を跨いで太陽電池モジュール２が設けられている。 - 特許庁

The path length correction section 49 corrects the propagation path length by multiplying a default value of the propagation path length by a correction coefficient represented by 1+K*ΔTc using a variation amount ΔTc from a predetermined reference temperature of the acoustic cell and a predetermined thermal expansion coefficient K.例文帳に追加

経路長補正部４９は、伝播経路長のデフォルト値に、音響セルの温度の所定の基準温度からの変化量ΔＴｃおよび所定の熱膨張係数Ｋを用いて１＋Ｋ・ΔＴｃで表される補正係数を乗じることにより伝播経路長を補正する。 - 特許庁

A data storage circuit is connected to the bit line, and when threshold voltage of 2^k pieces (k: natural number) are set to respective memory cells in the memory cell array, the data storage circuit has at least one static latch circuit storing write-in data and a plurality of dynamic latch circuits.例文帳に追加

データ記憶回路は、ビット線に接続され、メモリセルアレイ内の各メモリセルに２^ｋ個（ｋは自然数）の閾値電圧を設定する場合、書き込みデータを記憶する少なくとも１つのスタティックラッチ回路と、複数のダイナミックラッチ回路とを有している。 - 特許庁

When a call request is newly given from a new terminal in a cell, a control signal reception part 7 individually obtains signal vectors U1to UK with respect to K-pieces of delay paths and obtains the predicted SINR value of the new terminal when the new terminal is stored from an inter-element correlation matrix Φ and the signal vectors U1 to UK of the respective paths.例文帳に追加

セル内の新規端末から新たに発呼要求が生じると、制御信号受信部７でそのＫ個の遅延パスに対する信号ベクトルＵ_1〜Ｕ_Kを個別に求め、素子間相関行列Φと各パスの信号ベクトルＵ_1〜Ｕ_Kとから、新規端末を収容した場合における該新規端末の予測ＳＩＮＲ値をもとめる。 - 特許庁