「LeC」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A connection request of a multicast send VCC from the LAN emulation client LEC 1611a is accepted, identification of the LEC 1611a is registered in a position of FROM of a connection management table and connection response is returned to the LEC 1611a by a CPU 2.例文帳に追加

マルチキャストサーバ（ＢＵＳ）において、ＬＥＣとの接続を、複数の接続ポートのうちいずれかの接続ポートからのマルチキャストセンドＶＣＣをマルチスキャンフォワードＶＣＣとして全ての接続ポートに戻すよう接続ポート間をポイント−マルチポイント接続（Ｐ−ＭＰ）するフレームベーススイッチとを有する構成とした。 - 特許庁

All LEC terminals 11 to 14 and an LECS (LAN Emulation Configuration Server) correspond to extension of a JOIN message.例文帳に追加

ＬＥＣ端末１１〜１４全てとＬＥＣＳ端末２１とがＪＯＩＮメッセージの拡張に対応している。 - 特許庁

Plural follower controller units FoC1, FoC2, FoC3 are connected to one leader controller unit LeC through a CAN communication bus 82.例文帳に追加

１つのリーダーコントローラユニットＬｅＣと複数のフォロワーコントローラユニットＦｏＣ１，ＦｏＣ２，ＦｏＣ３とをＣＡＮ通信バス８２を介して接続する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for producing a semiconductor single crystal capable of suppressing polycrystallization and a bottom-out phenomenon during growth and improving the production yield of a single crystal ingot, in producing a single crystal ingot by an LEC method.例文帳に追加

LEC法による単結晶インゴットの製造において、成長中の多結晶化や底付き現象を抑制して単結晶インゴットの製造歩留まりを向上することができる半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

(Note 3) On October 15, a general agreement was reached on a number of financial institutions, led by such major U.S. banks as the Bank of America, Citigroup, and JP Morgan, jointly creating a fund and purchasing qualified assets with high ratings held by SIV (M-LEC (Master Liquidity Enhancement Conduit) framework). 例文帳に追加

（注３）10 月 15 日、バンク・オブ・アメリカ、シティグループ、JP モルガン等の米国大手銀行を中心とする民間金融機関が共同で基金を設立し、既存の SIV が保有する高格付けの適格資産を買取ることが大筋で合意された（M－LEC（Master Liquidity EnhancementConduit）構想）。 - 金融庁

The present invention provide a transgenic rat having a radiation-sensitive gene, particularly a congenic rat having a radiation-sensitive genetic substance derived from an inbred strain LEC rat and established by backcrossing the inbred strain LEC rat to an inbred strain Fischer 344 rat.例文帳に追加

放射性感受性遺伝子を有する遺伝子導入ラット、特に、近交系ＬＥＣラットを近交系Ｆｉｓcｈｅｒ３４４ラットに戻し交配することによって樹立した、近交系ＬＥＣラット由来の放射性感受性遺伝物質を有するコンジェニックラット。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus capable of pulling up a single crystal having a stable diameter in manufacturing a compound semiconductor crystal by the LEC (LIQUID ENCAPSULATED CZOCHRALSKI) method.例文帳に追加

ＬＥＣ法によって化合物半導体結晶を製造するに際し，安定した直径の単結晶を引き上げるようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal by growing good quality single crystal ingot with good reproducibility while inhibiting local and accidental pyrolysis-recrystallization in seed crystals from developing, in growing crystals by a liquid encapsulated Czochralski method (LEC method).例文帳に追加

液体封止チョクラルスキー法（LEC法）による結晶成長において、種結晶における局所的で不測な熱分解・再結晶の発生を抑制して、良質な単結晶インゴットを再現性よく育成する化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a compound semiconductor single crystal by a LEC method, by which the crystal is stably grown by preventing the occurrence of lamella.例文帳に追加

ラメラの発生を防止して安定に結晶成長させることができるＬＥＣ法化合物半導体単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaAs single crystal by an LEC method, by which a GaAs single crystal wafer with few square pits can be obtained.例文帳に追加

角ピットの少ないＧａＡｓ単結晶ウェハを得ることが可能なＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for growing gallium arsenide single crystal, by which the occurrence of cloudiness due to B_2O_3 in liquid encapsulate Czochralski(LEC) method is eliminated, the seeding is facilitated and which is performed with excellent reproducibility.例文帳に追加

ＬＥＣ法によるＢ_2Ｏ_3の白濁の発生を解消し、種付けが容易、且つ再現性良く実施できる砒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a printed circuit board power connector system conforming to each standard of UL or LEC for high-voltage connection, responding to a demand to increase amperage density.例文帳に追加

アンペア数密度を増大する要請があり、高電圧の接続のためＵＬ或はＩＥＣの各標準に合致する印刷回路基板電力コネクタシステムを供給する。 - 特許庁

To make it possible in the LEC (liquid seal Czochralski) method to prevent the solid/liquid interface shape from bending concavely and to prevent polycrystal formation due to the evaporation of compound semiconductor elements from the surface of a crystal surface.例文帳に追加

ＬＥＣ法において、固液界面形状の凹面化及び結晶表面から化合物半導体元素の揮発による多結晶化を防ぐようにする。 - 特許庁

To provide a technique of obtaining a large diameter gallium phosphide single crystal by the liquid encapsulation Czochralski method (LEC) while preventing the occurrence of crack and polycrystallization.例文帳に追加

液体封止引上げ法（ＬＥＣ）により、割れおよび多結晶化の発生を防止して大口径のリンカガリウム単結晶を得る技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

Storing the SVC among the LEC terminals 11 to 14 by a time of the KEEP TIMER can avoid a communication disabled state due to the momentary interruption of SVC with the LES terminal 22.例文帳に追加

ＬＥＣ端末１１〜１４間のＳＶＣをＫＥＥＰ ＴＩＥＭＲの時間内だけ保持することで、ＬＥＳ端末２２との間のＳＶＣ瞬断による通信不可状態を回避する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound single crystal through an LEC (liquid encapsulated Czochralski) method, whereby a solid-liquid interface can be controlled to be convexly curved toward a melt, even when growing a large-diameter single crystal.例文帳に追加

大口径の単結晶を育成する際にも、固液界面形状を融液側に凸面に制御可能としたＬＥＣ法による化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method is one using the LEC method, wherein the lowest surface of the liquid phase as a raw material melt 4 is situated below the region of the heat generation part of a resistance heater 5 in the initial stage of growing a compound semiconductor single crystal 9 by pulling.例文帳に追加

化合物半導体単結晶９を引き上げ育成する初期段階で、原料融液４である液相の最下面の位置を、抵抗加熱ヒータ５の発熱部の領域から下に外す。 - 特許庁

To provide a method for growing a compound semiconductor single crystal by regulating a solid-liquid boundary shape in such a manner that the compound semiconductor single crystal can be obtained with good reproducibility by an LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) method.例文帳に追加

ＬＥＣ法にて再現性良く化合物半導体単結晶を得ることができるように固液界面形状を規定する化合物半導体単結晶の成長方法を提供すること。 - 特許庁

A command EGR valve opening Lec is determined from the EGR valve opening correction coefficient Je, which is determined from difference c-t, and the target EGR valve opening Le to drive an EGR valve.例文帳に追加

次に、差Φｃ−Φｔから求めたＥＧＲバルブ開度補正係数Ｊｅと、目標ＥＧＲバルブ開度Ｌｅとから指令ＥＧＲバルブ開度Ｌｅｃを求め、ＥＧＲバルブを駆動する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor single crystal by an LEC method, or the like in which the heat insulation of the outer periphery of a heater and the heat reflectance at the inner side surface of a structural member being a holding material are enhanced.例文帳に追加

ヒータ外周囲の断熱及び支持材である構造部材における内側面の熱反射率を高めたＬＥＣ法等による化合物半導体単結晶の製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal employing a single crystal pulling method (LEC method) using a liquid encapsulant, by which the occurrence of the lamella of a crystal can be prevented with high reproducibility.例文帳に追加

液体封止材を用いた単結晶引上法（ＬＥＣ法）において、再現性よく結晶のラメラ発生を防止することを可能とした化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the production of a large-diameter compound semiconductor crystal 8 of a crystal diameter of 200 mm or more by an LEC method, the number of crystal rotation during the single crystal production is determined in the range of 3 to 8 (rpm).例文帳に追加

ＬＥＣ法により結晶径が２００ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶８を製造する際に、単結晶製造中の結晶回転数を３〜８（ｒｐｍ）の範囲に定めるものである。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal having a large diameter of 150 mm or more by an LEC method where the solid-liquid boundary surface of a growing crystal has an optimum shape and polycrystallization is prevented.例文帳に追加

ＬＥＣ法により結晶径１５０ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止することにある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an LEC process compound semiconductor single crystal capable of preventing the occurrence of a crack in a processing process and the occurrence of a slip in an epitaxial growth process by stably and effectively removing the internal strain.例文帳に追加

安定かつ効果的に内部歪みを除去して、加工工程でのクラックの発生及びエピ工程でのスリップの発生を防止できるＬＥＣ法化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The number of crystal rotation during the production of the single crystal is decided in the range of 8-12 rpm in the method for producing the compound semiconductor single crystal having a large diameter of 150 mm or more by the LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法により結晶径が１５０ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造する方法において、単結晶製造中の結晶回転数を８〜１２（ｒｐｍ）の範囲に定める。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor crystal by which the reproducibility of crystal growth conditions is assured and a stable single crystal yield is obtained, in a single crystal pulling method using a liquid encapsulating agent (LEC method).例文帳に追加

液体封止剤を用いた単結晶引き上げ法（ＬＥＣ法）において、結晶成長条件の再現性を確保し、安定した単結晶歩留まりを得る化合物半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal preventing an adhesive residue of a liquid sealant at a crystal diameter increasing part and the occurrence of cracks of the crystal in a liquid encapsulated Czochralski (LEC) method.例文帳に追加

液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法)において、結晶増径部への液体封止剤の付着残留を防止し、結晶のクラック発生を防ぐ化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A storage medium reading driver 114 in the leader controller unit LeC reads out an application control program and controls the program so that only the inherent application control program is stored in a flash memory 115 in the corresponding follower control unit out of the units FoC1 to FoC3.例文帳に追加

リーダーコントローラユニットＬｅＣの記憶媒体読取ドライバ１１４にてアプリケーション制御プログラムを読取り、各フォロワーコントローラユニットＦｏＣ１，ＦｏＣ２，ＦｏＣ３内のフラッシュメモリ１１５に固有のアプリケーション制御プログラムのみが格納されるように制御する。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a single crystal by utilizing an LEC method while controlling vapor pressure in which a high quality compound semiconductor single crystal free from twin and polycrystal can be grown.例文帳に追加

蒸気圧制御しながらＬＥＣ法を利用して結晶成長を行う単結晶成長装置であって、双晶や多結晶のない、高品質の化合物半導体単結晶を育成できる単結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for uniformizing the brightness distribution of a light emitting diode (LED) substrate by suppressing the occurrence of a ring-like void at a crystal Top side in the production of GaP single crystal by a liquid encapsulated Czochralski (LEC) method.例文帳に追加

液体封止引き上げ法によるＧａＰ単結晶を製造する際に、結晶Ｔｏｐ側に発生するリング状のボイドの発生を抑えて発光ダイオード（ＬＥＤ）基板の輝度分布を均一にする技術の提供を課題とする。 - 特許庁

The broadcast unknown servers(BUS) are mounted on an ATM network in the case of communication between LAN emulation clients(LEC) and the BUS is assigned to each communication protocol used for the communication by each LAN emulation client.例文帳に追加

ＬＡＮエミュレーションクライアント（ＬＥＣ）間の通信について、ＡＴＭネットワークに、ブロードキャスト・アンノウン・サーバ（Broadcast and Unknown Server、「ＢＵＳ」という）を複数実装し、前記各ＬＡＮエミュレーションクライアントによって通信される通信プロトコル毎にＢＵＳを割り当てる。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal by an LEC method, which is based on a heat treatment method in which the heat treatment time is shortened while reducing the degree of the occurrence of crystal defects such as cracks or slips in the crystal.例文帳に追加

結晶にクラックやスリップ等の結晶欠陥を誘起させる度合を低減しつつ、熱処理時間の短縮を図った熱処理方法によるＬＥＣ法化合物半導体単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing the gallium phosphide single crystal having a diameter of ≥63.5 mm (2.5 in) by the LEC method using B_2O_3, the ratio (d/Db) of the crystal diameter d to the inner diameter Db of a crucible is set to be ≥0.7.例文帳に追加

酸化ホウ素（Ｂ_2Ｏ_3）を用いた液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法）で、直径が６３．５ｍｍ（２．５インチ）以上のリン化ガリウム単結晶を育成する製造方法において、結晶直径ｄ／ルツボ内径Ｄｂを０．７以下とする。 - 特許庁

To prevent that the solid-liquid interface becomes a recessed face to the surface of a melt and polycrystallization caused by the volatilization of As from a crystal surface when the crystal diameter is changed in a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶直径を変更した場合の、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、且つ結晶表面からのＡｓが揮発することによる多結晶化を防ぐ。 - 特許庁

In the LEC (liquid encapsulated Czochralski) growth process of the GaAs single crystal, the crystal and a crucible for a raw material are rotated in opposite directions with a relative rotating speed n (rpm) of the crystal and the crucible set within the range of 10≤n≤30.例文帳に追加

ＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶の成長方法において、結晶と原料用ルツボを互いに逆方向に回転させ、その結晶と原料用ルツボとの相対回転数ｎ（ｒｐｍ ）を１０≦ｎ≦３０の範囲に設定する。 - 特許庁

To provide a means which controls the variation of the amount of zinc in a melt for growing a zinc-added GaP single crystal by preventing the volatilization of Zn by evaporation in manufacturing the zinc-added GaP single crystal by a liquid encapsulated pulling method (LEC method).例文帳に追加

液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法）によるＺｎ添加ＧａＰ単結晶の製造において、Ｚｎの蒸発による揮散を防止して、Ｚｎ添加ＧａＰ単結晶成長用融液におけるＺｎ量のばらつきを抑制する手段を提供する。 - 特許庁

To drastically improve the yield of compound semiconductor single crystals by controlling the shape of a solid-liquid interface to a shape projected toward the melt side with good reproducibility in the growth initial stage from the seeding part up to a constant diameter part in the growth by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法での成長において、種付け部から定径部までの成長初期段階での固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御し、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能とする。 - 特許庁

To repeatedly use a vessel for growing single crystals by drastically improving the yield of good quality single crystals almost free from crystal defects such as transposition without necessitating complicated equipment in a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、煩雑な設備を要せずに、転位等の結晶欠陥の少ない良質な単結晶を得る収率を大幅に向上させ、単結晶成長用容器の繰り返し利用を可能にする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gallium phosphide single crystal, which is a method for growing the gallium phosphide single crystal having a diameter of ≥63.5 mm (2.5 inch) by a liquid encapsulation Czochralski method (LEC method) using boron oxide (B_2O_3), and by which the occurrence of voids in a wafer is suppressed.例文帳に追加

酸化ホウ素（Ｂ_2Ｏ_3）を用いた液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法）で育成される直径が６３．５ｍｍ（２．５インチ）以上のリン化ガリウム単結晶製造方法において、ウェーハのボイドの発生を抑制したリン化ガリウム単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

To drastically improve the yield of a compound semiconductor single crystal by controlling the shape of the solid-liquid interface to be a convex form projected to the melt side in the whole growth process with a good reproducibility in a production method of the compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。 - 特許庁

When the compound semiconductor single crystal is pulled up and grown by the LEC method, and when a vertical length of a heat generating part of the heater is defined as L and a vertical length of the final single crystal to be manufactured is defined as T, the single crystal is manufactured by using a heater having the relation of T/3≤L<T/2.例文帳に追加

ＬＥＣ法により化合物半導体単結晶を引き上げ育成するに際し、ヒータの発熱部の上下方向長さをＬ、製造しようとする最終的な単結晶の上下方向長さをＴとしたとき、Ｔ／３≦Ｌ＜Ｔ／２の関係となるヒータを用いて製造する。 - 特許庁

To improve the yield of production of an entire-area single crystal by preventing the surface of a melt at the solid-liquid interface from becoming concave by specifying the relationship between the length of the non-heat-generating region of a heater and the liquid phase height of the raw material melt in a method for producing a compound semiconductor single crystal by the LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、ヒータの非発熱領域長さと原料融液の液相高さとの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上させる。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal by an LEC method, which prevents the solid-liquid interface from becoming a surface recessed toward a melt and improves the production yield of the whole area single crystal by specifying the relation between the internal circumference and the total length of each slit width of a cylindrical heater.例文帳に追加

円筒形ヒータの内周とスリット幅合計長さの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上し得るＬＥＣ法による化合物半導体単結晶成長装置を提供すること。 - 特許庁

To drastically improve the yield of a compound semiconductor single crystal by controlling the shape of the solid-liquid interface to be a convex shape projected toward the melt side with a good reproducibility over the whole growing process in a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。 - 特許庁

To make it possible to reduce the defect by the contact of a solid-liquid interface with the basilar part of a crucible by that the radiant heat from a raw material melt is intercepted by a heat insulating material and the convex degree of a convex shape of a solid-liquid interface is balanced in the manufacturing method of a compound semiconductor single crystal by a LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、原料融液からの輻射熱を断熱材で遮断することで、固液界面の凸面形状の凸度のバランスをとり、固液界面とルツボ底部との接触による不良を低減することを可能にする。 - 特許庁