LeCとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for manufacturing a GaAs single crystal by an LEC method, by which a GaAs single crystal wafer with few square pits can be obtained.例文帳に追加

角ピットの少ないＧａＡｓ単結晶ウェハを得ることが可能なＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of producing a compound semiconductor single crystal by a LEC method, by which the crystal is stably grown by preventing the occurrence of lamella.例文帳に追加

ラメラの発生を防止して安定に結晶成長させることができるＬＥＣ法化合物半導体単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus capable of pulling up a single crystal having a stable diameter in manufacturing a compound semiconductor crystal by the LEC (LIQUID ENCAPSULATED CZOCHRALSKI) method.例文帳に追加

ＬＥＣ法によって化合物半導体結晶を製造するに際し，安定した直径の単結晶を引き上げるようにする。 - 特許庁

All LEC terminals 11 to 14 and an LECS (LAN Emulation Configuration Server) correspond to extension of a JOIN message.例文帳に追加

ＬＥＣ端末１１〜１４全てとＬＥＣＳ端末２１とがＪＯＩＮメッセージの拡張に対応している。 - 特許庁

(Note 3) On October 15, a general agreement was reached on a number of financial institutions, led by such major U.S. banks as the Bank of America, Citigroup, and JP Morgan, jointly creating a fund and purchasing qualified assets with high ratings held by SIV (M-LEC (Master Liquidity Enhancement Conduit) framework).発音を聞く 例文帳に追加

（注３）10 月 15 日、バンク・オブ・アメリカ、シティグループ、JP モルガン等の米国大手銀行を中心とする民間金融機関が共同で基金を設立し、既存の SIV が保有する高格付けの適格資産を買取ることが大筋で合意された（M－LEC（Master Liquidity EnhancementConduit）構想）。 - 金融庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal by growing good quality single crystal ingot with good reproducibility while inhibiting local and accidental pyrolysis-recrystallization in seed crystals from developing, in growing crystals by a liquid encapsulated Czochralski method (LEC method).例文帳に追加

液体封止チョクラルスキー法（LEC法）による結晶成長において、種結晶における局所的で不測な熱分解・再結晶の発生を抑制して、良質な単結晶インゴットを再現性よく育成する化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for producing a semiconductor single crystal capable of suppressing polycrystallization and a bottom-out phenomenon during growth and improving the production yield of a single crystal ingot, in producing a single crystal ingot by an LEC method.例文帳に追加

LEC法による単結晶インゴットの製造において、成長中の多結晶化や底付き現象を抑制して単結晶インゴットの製造歩留まりを向上することができる半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

The present invention provide a transgenic rat having a radiation-sensitive gene, particularly a congenic rat having a radiation-sensitive genetic substance derived from an inbred strain LEC rat and established by backcrossing the inbred strain LEC rat to an inbred strain Fischer 344 rat.例文帳に追加

放射性感受性遺伝子を有する遺伝子導入ラット、特に、近交系ＬＥＣラットを近交系Ｆｉｓcｈｅｒ３４４ラットに戻し交配することによって樹立した、近交系ＬＥＣラット由来の放射性感受性遺伝物質を有するコンジェニックラット。 - 特許庁