「MAGNETIZATION」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

After that, magnetization inversion in a potential defect part is promoted by performing heating processing S20 for the medium.例文帳に追加

さらにその後、加熱処理Ｓ２０を媒体に施すことで、潜在的な欠陥部分における磁化反転を促進させる。 - 特許庁

Thereafter, a protective film is formed (steps S107, S108) followed by post-processing (step S109) and magnetization (step S110).例文帳に追加

そののち、保護膜を形成し（ステップＳ１０７，Ｓ１０８）、後処理（ステップＳ１０９）および着磁を行う（ステップＳ１１０）。 - 特許庁

A ratio θr/θp of a magnetization angle θr and a pole pitch angle θp of the magnet is set to satisfy an expression of 0.5≤θr/θp≤0.9.例文帳に追加

また、マグネットの着磁角θｒと極ピッチ角θｐとの比θｒ／θｐを０.５≦θｒ／θｐ≦０.９とする。 - 特許庁

The magnet 11 has an axis of easy magnetization in a direction of crossing the direction 10 on at least the end faces.例文帳に追加

その永久磁石は、少なくとも両端面では所定方向に交差する方向に磁化容易軸をもつものである。 - 特許庁

The bar-code nanowire containing iron and gold has magnetic and optical multifunctional properties and its magnetization intensity can be easily controlled.例文帳に追加

本発明の鉄−金ナノワイヤーは、磁性（Magnetic）−光学（Optical）の複合機能（Multifunctional）を有し、ナノワイヤーの磁化度の制御が容易である。 - 特許庁

To provide a stable and safe switching apparatus whose overcurrent protecting circuit functions efficiently even in a biased magnetization state.例文帳に追加

偏磁状態になっても過電流保護回路が有効に機能する安定で安全なスイッチング電源装置を提供する。 - 特許庁

To provide a CPP-GMR (current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance) sensor structure in which the magnetization orientations of a free layer and a reference layer are not orthogonal.例文帳に追加

自由層および基準層の磁化配向が非直交である、ＣＰＰ‐ＧＭＲセンサ構造を提供すること。 - 特許庁

The non-magnetic metal layer is applied with an electric signal to generate a magnetic field, for controlling magnetization of the second ferromagnetic layer.例文帳に追加

この非磁性金属層に電気信号を入力して磁界を発生させ、第２強磁性体層の磁化を制御する。 - 特許庁

When the small magnetic material is of disk shape and structured to form a single magnetic domain, magnetization direction is controlled by current supply.例文帳に追加

微小磁性体がディスク形状であり単一磁区構造の場合は、電流供給により磁化の向きを制御する。 - 特許庁

In this case, magnetization can be established in the condition of always or temporarily keeping magnetic coercive force.例文帳に追加

この場合の磁気化は、常時保磁力を有している状態でも、一時的に保磁力を有している状態でもよい。 - 特許庁

Further, the interval of the spaces is 2 to 15 mm, and directions of the grooves are inclined to the directions of magnetization of the steel by 85° or less.例文帳に追加

さらには溝間隔が２〜１５ｍｍ、溝の方向が鋼板の磁化方向に対して８５°以下の方向とする。 - 特許庁

As a result, the residual magnetization is demagnetized by the concentration of the magnetic flux by the annular rib 24, and the returning motion of the armature can be prevented from being disable when the coil is disenergized by the latching by the residual magnetization of the air gap closed in energizing the coil.例文帳に追加

この結果、環状リブ24による磁束集中によって残留磁気をなくし、コイルの励磁時に閉じたエアギャップの残留磁気によるラッチングによって、コイルが消勢された時、アーマチュアの戻り動作ができなくなることを防止する。 - 特許庁

A magnetic bias film 112 is a film to apply the magnetic bias in the magnetization easy axis direction to the soft magnetic film 111, to be brought into contact with the soft magnetic film 111, and to be formed on both sides of the soft magnetic film 111 in its magnetization easy axis direction.例文帳に追加

磁気バイアス膜１１２は、軟磁性膜１１１に対して、磁化容易軸方向の磁気バイアスを加えるための膜であり、軟磁性膜１１１に接し、軟磁性膜１１１の磁化容易軸方向において、軟磁性膜１１１の両側に形成されている。 - 特許庁

When the ball 5 being a magnetic substance does not pass in a passage 3, a magnetic flux of a Y1 direction directed from an N pole magnetization face 11a of the first magnet 11 to an S pole magnetization face 12b of the second magnet 12 is detected with the magnetic sensor 20.例文帳に追加

通過路３内を磁性体である球体５が通過していないときは、第１の磁石１１のＮ極着磁面１１ａから第２の磁石１２のＳ極着磁面１２ｂに向かうＹ１方向の磁束が磁気センサ２０で検知される。 - 特許庁

In this case, the magnetization-change suppressor 69 determines the magnetization-current command Id_-com3 by Id_-com3=(Iq-a)×b (for Iq>a) and increases the level of the exciting current Id to be superimposed, in response to the increase in the level of the torque current Iq.例文帳に追加

この場合、着磁変化抑制部６９は、着磁電流指令Ｉd＿com3を、Ｉd＿com3＝（Ｉｑ−ａ）×ｂ（但し、Ｉｑ＞ａの場合）により決定し、トルク電流Ｉｑのレベルが増加するのに応じて重畳する励磁電流Ｉｄのレベルを増加させる。 - 特許庁

An MTJ element is comprised of a free layer 11 wherein a magnetization state is changed in accordance with data, a tunnel insulating layer 12 disposed on the free layer 11, and a pin layer 13 which is disposed on the tunnel insulating layer 12 and in which a magnetization state is fixed.例文帳に追加

ＭＴＪ素子は、データに応じて磁化状態が変化するフリー層１１と、フリー層１１上に配置されるトンネル絶縁層１２と、トンネル絶縁層１２上に配置され、磁化状態が固定されるピン層１３とから構成される。 - 特許庁

A T_2 filter for attenuating magnetization having a short T_2 relaxation time by providing a time during which magnetization is attenuated dependently on a T_2 relaxation time between initial 90° pulses and initial magnetic gradient pulses is inserted in a pulse sequence of a DOSY method.例文帳に追加

ＤＯＳＹ法のパルスシーケンスにおいて、最初の９０°パルスと、最初の磁場勾配パルスとの間に、Ｔ_2緩和時間に依存して磁化が減衰する時間を設けることでＴ_2緩和時間の短い磁化を減衰させるＴ_2フィルターを挿入した。 - 特許庁

To provide a stator core that suppresses a surplus high-frequency magnetization component and a magnetization component which is vertical with respect to the surface of a steel plate by controlling a flow of magnetic flux in the stator core in order to strike a balance between the torque performance and the efficiency of a motor.例文帳に追加

電動機のトルク性能と効率を両立させるため、固定子鉄心における磁束の流れを制御し、余分な高周波磁化成分及び鋼板面に垂直な磁化成分を抑制可能な固定子鉄心を提供する。 - 特許庁

A magnet wherein a coercive force is 0.5-2.5 kOe at room temperature, a squareness ratio expressed by a ratio of a remanent magnetization to magnetization in a magnetic field of 10 kOe is ≥80%, and following general expression (I) is satisfied as a permanent magnet is used.例文帳に追加

室温での保磁力が０．５ｋＯｅ以上２．５ｋＯｅ以下、かつ１０ｋＯｅの磁場での磁化に対する残留磁化の比で表した角型比が８０％以上であることを永久磁石として次の一般式を満たすものを使う。 - 特許庁

The magnetic information recording medium is provided with the backing layer consisting essentially of Fe an C, essentially having an amorphous structure and having an easy magnetization axis in the intra surface direction and a magnetic layer having an easy magnetization axis in the vertical direction and recording information.例文帳に追加

ＦｅとＣを主成分とし、実質的に非晶質構造を有し、かつ面内方向に磁化容易軸を有する裏打ち層と、垂直方向に磁化容易軸を有し情報を記録する磁性層とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The volume of the center magnet in terms of magnetization is set to be smaller than the volume of each peripheral magnet in terms of magnetization, the magnet assembly is constituted, and the strength of the magnetic field in a center area of the substrate is locally increased.例文帳に追加

中央磁石の同磁化に換算したときの体積を各周辺磁石の同磁化に換算したときの体積と比較して小さく設定して前記磁石組立体を構成し、処理基板中央領域での磁場強度を局所的に高める。 - 特許庁

The outer circumferential magnet 3 is formed in a ring shape, and is so arranged as to surround the outer periphery of the target 2 along a direction where the direction of magnetization becomes along the radial direction of the ring shape, and along a direction where the direction of magnetization becomes parallel to the front surface of the target 2.例文帳に追加

外周磁石３を、リング状として、磁化方向が当該リング形状の径方向に沿っていて、ターゲット２の外周を取り囲むように、且つ概磁化方向がターゲット２の前面と平行となる方向に沿うように配置する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium provided with two or more magnetic layers formed on a substrate, the axis of easy magnetization in the uppermost magnetic layer and the axis of easy magnetization in the lower magnetic layer are oriented in the directions perpendicular to each other.例文帳に追加

支持体上に２層以上の磁性層が設けられた磁気記録媒体に於いて、最上層磁性層の磁化容易軸と下層磁性層の磁化容易軸とが互いに直交する方向に配向されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁

Thereby, the negative electrode active material layer 21B has magnetism, and by having the maximum intensity of magnetization obtained by magnetization curve of 0.0006 T or more, the electron conductivity of the negative electrode active material layer 21B can be improved.例文帳に追加

れにより負極活物質層２１Ｂは磁化を有し、磁化曲線により得られる最大磁化の強さを０．０００６Ｔ以上とすることにより、負極活物質層２１Ｂの電子伝導性を向上させることができるようになっている。 - 特許庁

In the magnetic sensor, each of laminates 11, 21, 31 and 41 constituting the first to fourth MR elements respectively includes a magnetization free layer 61 in which the direction of a magnetization J61 varies depending on signal magnetic field, a nonmagnetic inclusion layer 62, and a magnetic anchoring layer 63, in sequence.例文帳に追加

第１から第４のＭＲ素子を構成する積層体１１，２１，３１，４１は、信号磁場に応じて磁化Ｊ６１の向きが変化する磁化自由層６１と、非磁性の介在層６２と、磁化固着層６３と、を順にそれぞれ含むものである。 - 特許庁

The domain wall displacement layer 10 includes a free magnetic region 13 having an invertible magnetization direction, and the magnetization direction of the free magnetic region 13 is inverted by current-induced domain wall displacement by carrying writing current to the free magnetic region 13.例文帳に追加

磁壁移動層１０は、磁化方向が反転可能な磁化自由領域１３を有しており、磁化自由領域１３の磁化方向は、書き込み電流を磁化自由領域１３に流すことによって電流誘起磁壁移動によって反転される。 - 特許庁

The magnetization direction of the free layer and the magnetization direction of the stabilization layer are substantially orthogonal to each other.例文帳に追加

磁気デバイスは、さらに、安定化層として知られている、自由層とは反対側の面を介して第１の反強磁性層と接触している、強磁性体から作製される層を備えており、前記自由層および安定化層の磁化方向は実質的に垂直である。 - 特許庁

To easily provide a permanent magnet magnetized heavily by magnetizing almost along the axis of easy magnetization in each direction, with the axis of easy magnetization in almost width at one end side part of width direction while almost in thickness direction at a part except for it.例文帳に追加

磁化容易軸が、幅方向の一端側部分でほぼ幅方向、そこを除く部分でほぼ厚さ方向であり、各方向の磁化容易軸にほぼ沿って磁化することによりそれぞれ強く磁化した永久磁石体を容易に得ることができる。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction type magnetic random access memory cell array that achieves both the thermal stabilization of the magnetization of a free layer and reduction in electric current required for changing the direction of magnetization, to improve operational performance.例文帳に追加

フリー層の磁化状態の熱的安定化と磁化方向を変化させるために要する電流の低電流化とを両立させることにより、動作性能を向上させることが可能な磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetization state determination method and a magnetization state determination device, which grasps precisely positional deviation, a width dimension or the like of a non-magnetized domain, and selects efficiently a permanent magnet for a voice coil motor out of a management value.例文帳に追加

無着磁領域の位置ズレや幅寸法等を的確に把握することができ、管理値外のボイスコイルモータ用永久磁石を効率的に選別することが可能な着磁状態判定方法及び着磁状態判定装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, this permanent magnet having superior multi-pole magnetization is subjected to heat treatment at the Curie point or higher, when it is subjected to fine magnetization of not more than 500 μm in the pitch value width for reducing the residual magnetism to 5% or lower of the magnetizing peak value, thus improving the pitch width accuracy.例文帳に追加

また、ピッチ値幅５００μｍ以下の微細着磁を施すに当たり、キューリー点以上の温度での熱処理で残留磁気を着磁ピーク値の５％以下に低減し、ピッチ幅精度を向上させた多極着磁性に優れた永久磁石。 - 特許庁

A driving unit comprises: a stepping motor; an interlock part linked to an output shaft of the stepping motor; a detection part for detecting a position of the interlock part; and a magnetization control part for controlling magnetization of the stepping motor based on the detection result by the detection part.例文帳に追加

駆動ユニットであって、ステッピングモータと、ステッピングモータの出力軸に連接された連動部と、連動部の位置を検出する検出部と、検出部の検出結果に基づいてステッピングモータの励磁を制御する励磁制御部とを備える駆動ユニット。 - 特許庁

By setting the in-plane direction coercive force of the in-plane magnetization layer larger than the perpendicular residual magnetization of the recording layer, the influence of the mirror image effect of the soft magnetic lining layer on a reproduction output at the recording density of a wide range is reduced.例文帳に追加

面内磁化層の面内方向の保磁力を記録層の垂直方向の残留磁化より大きくすることにより、広範囲の記録密度において軟磁性裏打ち層の鏡像効果による再生出力への影響を低減する。 - 特許庁

The magnetic device includes a magnetic layer having a variable magnetization direction and known as a free layer; a first anti-ferromagnetic layer for trapping the magnetization direction of the free layer; and a layer formed of a ferromagnetic substance, brought into contact with the first anti-ferromagnetic layer via a surface opposite to the free layer, and known as a stabilization layer.例文帳に追加

本発明は、自由層として知られている、可変磁化方向を有する磁気層と、前記自由層と接触している、前記自由層の磁化方向をトラップすることができる第１の反強磁性層とを備えた磁気デバイスに関する。 - 特許庁

Since the practical magnetization quantity at a part where the magneto- resistive sensor film is disposed is reduced, thereby increases an angle of magnetization of the first ferromagnetic layer 22 rotated by the magnetic field guided by the magnetic flux guide 10, high sensitivity can be obtained.例文帳に追加

磁気抵抗センサ膜が配置されている部分の実効的な磁化量が小さくなっているため、磁束ガイド１０によって導かれた磁界によって回転する第１の強磁性層２２の磁化の角度が大きくなるので、高い感度が得られる。 - 特許庁

The metal multilayer is stacked with one or more metal layers and formed, such that the direction of the easy axis of magnetization of the ferromagnetic layer and the antiferromagnetic layer, which are located at the metal multilayer, and the direction of the easy axis of magnetization of the ferromagnetic free layer are orthogonal.例文帳に追加

多層構造金属層は一層以上の金属により積層され、多層構造金属層に位置する強磁性層、反強磁性層の磁化容易軸方向及び強磁性自由層の磁化容易軸方向が直交するように形成させる。 - 特許庁

When recording is performed on the disk, modulation recording is performed so that each total length in longitudinal direction of a magnetization region 30 of straight polarity and a magnetization region 31 of negative polarity become identical by a recording current waveform outputted from the head.例文帳に追加

ディスク上に記録するときにヘッドから出力される記録電流波形により、正極性の磁化領域３０及び負極性の磁化領域３１において、それぞれの長手方向の長さの総和が等しくなるように変調記録される。 - 特許庁

The first and second magneto-resistance effect elements MTJ1, MTJ2 include, as basic structures, magnetic free layers 11-1, 11-2 variable in magnetization directions, magnetic pinned layers 12-1, 12-2 invariable in magnetization directions, and spacer layers 13-1, 13-2 disposed therebetween.例文帳に追加

第一及び第二磁気抵抗効果素子MTJ１，MTJ２は、磁化方向が可変の磁気フリー層１１−１，１１−２、磁化方向が不変の磁気ピンド層１２−１，１２−２、及び、これらの間に配置されるスペーサー層１３−１，１３−２を基本構造とする。 - 特許庁

For this device, a lower electrode layer is formed on a silicon substrate, thereafter a Co50Fe film of 50 nm is formed as a magnetization fixed layer 1, and Cu of 6 nm as a nonmagnetic intermediate layer 2 and a Co50Fe film as a magnetization free layer 3 of 2.5 nm are formed thereon.例文帳に追加

シリコン基板上に下部電極層を形成した後、磁化固定層１としてＣｏ５０Ｆｅ膜を５０ｎｍ成膜し、その上に非磁性中間層２としてＣｕを６ｎｍ、さらに磁化フリー層３としてＣｏ５０Ｆｅ膜を２．５ｎｍ成膜する。 - 特許庁

A method of manufacturing the MR element 5 includes a step of forming a magnetization fixed layer 22 on an underlying layer 21, a step of forming a tunnel barrier layer 23 on the magnetization fixed layer 22, and a step of forming the free layer 24 on the tunnel barrier layer 23.例文帳に追加

ＭＲ素子５の製造方法は、下地層２１の上に磁化固定層２２を形成する工程と、磁化固定層２２の上にトンネルバリア層２３を形成する工程と、トンネルバリア層２３の上に自由層２４を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The magnetoresistive element has a pinned magnetic layer whose magnetization direction is fixed, a magnetic free layer whose magnetization direction is inverted in accordance with a magnetic field generated with the write current, and a nonmagnetic layer sandwiched between the pinned magnetic layer and the magnetic free layer.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、書き込み電流により発生する磁界に応じて磁化方向が反転する磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間に挟まれた非磁性層と、を備える。 - 特許庁

This method includes a magnetic field smaller than a coercive force of a hard bias layer (111) and larger than a coercive force of the magnetic shields (1, 3) which is applied in the direction opposite to the magnetization direction of the hard bias layer, and the magnetic shields are magnetized in the direction opposite to the magnetization direction of the hard bias layer.例文帳に追加

本発明は、ハードバイアス層（１１１）の磁化方向とは逆方向に、ハードバイアス層の保磁力よりも小さく、磁気シールド（１、３）の保磁力よりも大きい磁場を印加し、磁気シールドをハードバイアス層の磁化方向とは逆方向に着磁する。 - 特許庁

The magnetization coil comprises an inner yoke 1 of soft magnetic material having a hole 9 for inserting a permanent magnet becoming a magnetization object in the center and a wiring groove 4 formed in the outer circumference in correspondence with a magnetization pattern, a wire 5 laid in the wiring groove 4 along the wiring groove 4, and an outer yoke 7 of soft magnetic material covering the outside of the inner yoke 1.例文帳に追加

着磁コイルは、中心部に着磁対象となる永久磁石を挿入する磁石挿入孔９を有し、外周に着磁パターンに応じた配線溝４が形成された軟磁性材料からなる内側ヨーク１と、前記配線溝４の中にこの配線溝４に沿わせて配線された電線５と、前記内側ヨーク１の外側を覆う軟磁性材料からなる外側ヨーク７とを有する。 - 特許庁

To provide a method for writing and reading data bits larger than 2-data bits to and from an MRAM cell, in which the MRAM cell is constituted by a magnetic tunnel junction formed of a reading layer exhibiting a reading magnetization direction, and a storage layer including a first storage ferromagnetic layer exhibiting a first storage magnetization direction and a second storage ferromagnetic layer exhibiting a second storage magnetization direction.例文帳に追加

２データビットより多いデータビットをＭＲＡＭセルに対して書き込み読み出すための方法であって、当該ＭＲＡＭセルは、読み出し磁化方向を呈する読み出し層と、第１記憶磁化方向を呈する第１記憶強磁性層と第２記憶磁化方向を呈する第２記憶強磁性層と から成る記憶層とから形成された磁気トンネル接合から構成される。 - 特許庁

The method of manufacturing the secondary battery including a separator 14 which constitutes the power generation element includes a magnetization process of magnetizing the magnetic foreign matter contained in the separator 14 by a magnetization section 41 and a detection process of acquiring information about presence of the magnetic foreign matter with a Gauss meter 42 by detecting a magnetic field of the magnetic foreign matter magnetized in the magnetization process.例文帳に追加

発電要素を構成するセパレータ１４を含む二次電池の製造方法であって、セパレータ１４に含まれる磁性体異物を着磁部４１により着磁させる着磁工程と、前記着磁工程で着磁された前記磁性体異物の磁場を検知することにより、前記磁性体異物の有無に関する情報をガウスメータ４２により取得する検知工程と、を有する二次電池の製造方法。 - 特許庁