「Memory errors」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The compression data read out of the semiconductor memory chips 23-1 to 23-256 are returned to the original order of transfer, have their errors corrected by a decoder, and are output.例文帳に追加

半導体メモリチップ２３−１〜２３−２５６から読み出された圧縮データは、元の転送順序に戻され、デコーダで誤り訂正され、出力される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of sufficiently preventing read errors due to Vth blurs without widening a Vth window.例文帳に追加

Ｖｔｈ ｗｉｎｄｏｗを広げることなくＶｔｈボケによる読み出しエラーを十分に防ぐことが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Encoding efficiency is enhanced and memory requirements are reduced by an ordering process, based on the likelihood of producing lesser prediction errors for the kind of estimation modes.例文帳に追加

予測モードの種類に対するより少ない符号化誤差を生じる尤度に基づいた順序付けプロセスにより、符号化効率を高め、メモリ要求を軽減する。 - 特許庁

To relieve more bit errors of a WL end cell being adjacent to a block selection gate transistor in a NAND type flash memory.例文帳に追加

本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、ブロック選択ゲートトランジスタに隣接するＷＬ端セルのビットエラーをより多く救済できるようにする。 - 特許庁

To provide technology capable of mounting an electrically conductive actuator using shape memory alloy, etc. in high precision without being influenced upon by various errors.例文帳に追加

種々の誤差に影響されることなく、形状記憶合金等を用いた導電性アクチュエータを高精度に取り付け可能な技術を提供する。 - 特許庁

To actualize a floating gate memory which is free of writing errors causing readout destruction, even if a tunnel insulating film is made thin as to a semiconductor storage device.例文帳に追加

半導体記憶装置に関し、トンネル絶縁膜を薄くしても、読み出し破壊に結び付く誤書き込みを生じないフローティング・ゲート・メモリを実現する。 - 特許庁

To provide a delay locked loop circuit for a semiconductor memory apparatus preventing timing errors during transmission of a delay locked loop clock.例文帳に追加

遅延ロックループクロックが伝送される過程で発生するタイミングエラーを未然に防止できるようにした半導体記憶装置の遅延ロックループ回路を提供する。 - 特許庁

To provide a receiving apparatus for simply correcting OFDM (orthogonal frequency division multiplexing) signal frequency errors, by way of circuit configuration with a reduced computation amount and a decreased memory volume.例文帳に追加

演算量及びメモリ量を少なくした回路構成により、ＯＦＤＭ信号の周波数誤差を簡易に補正する受信装置を提供する。 - 特許庁

If there are any uncorrectable errors in a memory forming the bank 2 or bank 3, the MCH 12 degenerates the memory bank including the memory and forms the other bank and a bank 1 into a mirror configuration before a BIOS 14a boots the OS.例文帳に追加

バンク２若しくはバンク３のいずれかを構成するメモリに訂正不可能なエラーのあるメモリが存在すれば、ＭＣＨ１２は当該メモリを含むメモリバンクを縮退させ、残ったバンク及びバンク１でミラー構成とした後、ＢＩＯＳ１４ａはＯＳを起動させる。 - 特許庁

In a memory device and a memory device operation method, functions of correcting errors and/or, resuming a reading and/or writing process can be realized, where memory buffers 170 and 185 are provided which hold information available for use after an failure has occurred in programming information in memory arrays 180 and 195.例文帳に追加

メモリデバイス及びメモリデバイスの操作方法に関するものであり、エラー修正、及び／または、読み取り処理及び／または書き出し処理を再開始する機能を実現するために、メモリアレイ１８０，１９５に情報をプログラムすることにフェイルした後に利用可能な情報を保持するメモリバッファ１７０，１８５を具備する。 - 特許庁

To provide a memory system configuration for detecting and correcting plural errors on plural channels without requiring a complicated data correcting method and supporting hot swapping of a memory, where a fault occurs, as well.例文帳に追加

複雑なデータ修復方法を必要とせず、複数チャネル上の複数エラーに対するエラー検出および訂正を行うと共に、障害の発生したメモリのホットスワッピングもサポートする、メモリシステム構成を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory card in which a problem caused by detection errors between respective voltage detectors never be caused in the nonvolatile memory card and its controller, and circuit scale can be reduced.例文帳に追加

不揮発性メモリとそのコントローラ部での各々の電圧検出器間の検出誤差による問題を生じることがなく、かつ回路規模を減少することが可能な不揮発性メモリカードを提供することである。 - 特許庁

Writing and erasing errors to a data written block and data erased block, respectively, are detected in a bit unit in order of the physical block number by using firmware and the errors are totaled to calculate a BER (Bit Error Rate) of the flash memory.例文帳に追加

ファームウエアによって、物理ブロック番号順に、データ書込済のブロックに対してはその書込みエラーを、データ消去済ブロックに対してはその消去エラーを、それぞれｂｉｔ単位で検出し、それらを総計して当該フラッシュメモリのBER（Bit Error Rate）を算出する。 - 特許庁

Writing and erasing errors to a data written block and data erased block, respectively, are detected in a symbol unit in order of the physical block number by using firmware and the errors are totaled to calculate an SER (Symbol Error Rate) of the flash memory.例文帳に追加

ファームウエアによって、物理ブロック番号順に、データ書込済のブロックに対してはその書込みエラーを、データ消去済ブロックに対してはその消去エラーを、それぞれシンボル単位で検出し、それらを総計して当該フラッシュメモリのSER（Symbol Error Rate）を算出する。 - 特許庁

When a correctable error is detected in read data from a memory, an error address is held in a corresponding memory controller, error notification is performed on this system controller for control the memory controller, without the intervention of MPU from the system controller, and data are read from the error address to correct errors, and are then rewritten.例文帳に追加

メモリからのリードデータに訂正可能なエラーを検出すると、エラーアドレスを対応するメモリコントローラ内に保持し、該システムコントローラに対してエラー通知を行い、該システムコントローラからＭＰＵの介在なしに該メモリコントローラを制御し、該エラーアドレスからデータをリードしてエラーを訂正してからリライトする。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory free from read errors even if there are variations in ferroelectric capacitance or in reversed electric charges in the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

記憶媒体をなす強誘電体容量や強誘電体容量の反転電荷量がばらついても、誤読み出しを起こさないようにした強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

Image data stored in the memory 103 for storing reduced images are to be performed the decoding process by being used after being expanded as needed at the time of occurrence of errors.例文帳に追加

縮小画像格納用メモリ１０３に格納された画像データは、エラー発生時に必要に応じて拡大し利用することにより復号化処理を行う。 - 特許庁

To provide an image outputting device which can be performed without operating a frame memory by two screens to process a correction of the image data including the errors after an expansion processing.例文帳に追加

伸張処理後のエラーを含む画像データについて補正処理するために、２画面分フレームメモリを使用せずに行うことができる画像出力装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory in which output noise is reduced by decreasing the number of times of discrimination output and read-out errors of discrimination output can be reduced.例文帳に追加

判定出力回数を減少させることにより出力ノイズを低減させ、判定出力の読み出し誤りを低減させる半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

To always respond to an instruction for reading a home address at a high speed regardless of whether or not object data are stored in a cache memory, and to lower occurrence probability of errors.例文帳に追加

対象データがキャッシュメモリ上に格納されているかいないかに係わらず、常に高速にホームアドレスを読む命令に応答でき、かつエラーの発生確率を低くすること。 - 特許庁

When the number of errors exceeds an error threshold value and the number of resets exceeds a reset threshold value, a refresh operation is executed for the block of the semiconductor nonvolatile memory device 120.例文帳に追加

エラー数がエラー閾値を上回り、かつ、リセット回数がリセット閾値を上回ると、半導体不揮発性メモリ装置１２０の該当ブロックに対してリフレッシュ操作が実行される。 - 特許庁

When the external memory is pulled out during executing the job, re-insertion is urged, and when the re-insertion is not performed even when a definite time passes, the job is finished with errors.例文帳に追加

ジョブ実行中に外部メモリが引き抜かれた場合、再挿入を促し、一定時間が経過しても、再挿入されなければ、そのジョブをエラー終了とする。 - 特許庁

When the tin alloy obtained thereby is applied to a soldering material, errors of memory in a semiconductor or the like are suppressed, and the reliability of an electronic component can be improved.例文帳に追加

これにより得られる錫合金をはんだ材料に適用する場合には、半導体などのメモリーエラーを抑制し、電子部品の信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

To minimize errors in a magnetoresistive solid-state storage device such as a magnetic random access memory (MRAM) element array or the like.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）素子アレイ等の磁気抵抗固体記憶素子（１００）における誤りを最小限にすることを可能にする例示的な実施形態を開示する。 - 特許庁

To prevent data errors by more securely recording and storing management information in a medium than user data, against concentrated access to the management information and a deteriorated characteristic of a memory.例文帳に追加

管理情報へのアクセス集中やメモリ特性の悪化に対して、メディア内で管理情報をユーザデータよりも安全に記録、保存し、データエラーを防ぐようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that reduces the fluctuation of the threshold voltages of memory cell transistors and the occurrence of soft errors while the device secures the degree of freedom for setting the threshold voltages of peripheral transistors.例文帳に追加

周辺トランジスタの閾値電圧設定の自由度を確保しつつ、メモリセルトランジスタの閾値電圧のばらつき、ソフトエラーの発生を低下できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Since conventional reference cells can be eliminated, the chip size can be reduced, and discrimination errors due to the variations of the memory cells or temporal changes of retained charges are prevented.例文帳に追加

従来のリファレンスセルを削除できるのでチップ面積を削減できると共に、メモリセルのばらつきや保持電荷の経時変化に起因する誤判定を防止できる。 - 特許庁

Defining this macro causes some lightweight checks to be performed to detect some buffer overflow errors when employing various string and memory manipulation functions. 例文帳に追加

このマクロを定義すると、文字列やメモリの操作を行う様々な関数を使用する際にバッファオーバーフローを検出するための軽めのチェックが実行されるようになる。 - JM

To provide a memory writing device capable of reducing communication errors, and performing a high speed writing processing by preliminarily changing the communicating speed of a plurality of arithmetic units on a network, and performing writing processing in a memory.例文帳に追加

ネットワーク上にある複数の演算装置の通信速度を予め変更してからメモリへの書き込み処理を行うことによって、通信エラーを減らすとともに高速な書込処理を行うことのできるメモリ書込装置を提供する。 - 特許庁

To make it possible to use another buffer memory when one buffer memory is full in its capacity and can not store any more, or to make it possible to record by using another recording controller even if there are errors when video recording by making buffer control in two independent video recording systems with one input controller.例文帳に追加

２つの独立した録画処理系に対し、一つの入力制御手段でバッファ制御を行い、一方のバッファメモリが容量一杯等により格納できなくなった場合に他方のバッファメモリの使用を可能にする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element which is allowed to compensate for a cell threshold voltage in order to prevent various errors caused by fluctuation in cell threshold voltage occurring depending on characteristics of the nonvolatile memory element, and its self compensation method.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子の特性に応じてセルしきい電圧に変動を生じることで発生する種々のエラー不良を防ぐためにセルしきい電圧を補償できるようにした不揮発性メモリ素子とその自己補償方法を提供する。 - 特許庁

To inform a user so that a type of errors related to setting a cartridge or accessing data generated when a coloring agent cartridge with a data memory element is set to a printer can be identified.例文帳に追加

データ記憶素子を備えた着色剤カートリッジをプリンタに装着する際に生じたカートリッジの装着やデータアクセスに関わるエラーの種類が分かるようにユーザに通知できるようにする。 - 特許庁

To provide a control device that is tolerant of uncorrectable errors after OS booting by providing a mirror function even if a memory with an uncorrectable error detected is degenerated.例文帳に追加

訂正不可能なエラーの検出されたメモリが縮退された場合でも、ミラー機能を提供してＯＳ起動後の訂正不可能なエラーに対する耐性の強い制御装置を提供する。 - 特許庁

Then, the CPU 9 reads the data written in the memory 10, and obtains a sine curve whose sum of squares of errors from the read data is minimum by the calculation of a least-square method.例文帳に追加

次に、ＣＰＵ９は、メモリ１０に書き込まれたデータを読み出し、最小自乗法による演算によって各データとの誤差の自乗和が最小となるサイン曲線を求める。 - 特許庁

When working with large projects in the IDE, i.e. those having large numbers of classes, libraries,or required projects, you may experience slowed UI responsiveness or even Out of Memory errors. 例文帳に追加

IDE で大規模なプロジェクト、つまり、大量のクラスやライブラリ、あるいは必須オブジェクトがあるプロジェクトを扱うと、UI の応答が悪くなり、場合によっては「メモリー不足エラー」になることもある。 - NetBeans

An error block management method for a flash disk device comprising a flash memory and a controller for the flash memory has the steps of recording information about logical sectors 23 with errors in an error management table 17 in the controller, and referring to the error management table 17 when the flash memory is accessed.例文帳に追加

フラッシュメモリと該フラッシュメモリのコントローラとから成るフラッシュディスク装置のエラーブロック管理方法であって、エラーが発生した論理セクタ２３の情報を前記コントローラに設けられたエラー管理テーブル１７に記録するステップと、前記フラッシュメモリへアクセスする際に前記エラー管理テーブル１７を参照するステップとを有する。 - 特許庁

Meanwhile, when the write data includes reset data, it is determined, for a memory cell in which the reset data is written, whether there is an error in the read data read from the memory cell and the write data, and writing is repeatedly implemented using a second mode of writing the data only in a memory cell where errors occur, until there is no more error.例文帳に追加

一方、書込データがリセットデータを含む場合、リセットデータが書き込まれるメモリセルに対し、そのメモリセルから読み込んだ読込データと書込データとに誤りがあるか否かを判定し、誤りがなくなるまで誤りが生じたメモリセルに対してのみ繰り返しデータの書き込みを行う第２モードで書込動作を行う。 - 特許庁

In a first control unit 26a, when a memory controller 56a records the event in a first memory 57a, if a recording error detector 58a detects any record errors of the memory 57a, a communication control part 51a instructs a communication control part 51b of a second control unit 26b connected with a network 15 to record the event.例文帳に追加

第１の制御装置２６ａは、メモリ制御部５６ａがイベントを第１のメモリ５７ａに記録するときに、記録エラー検出部５８ａがメモリ５７ａの記録エラーを検出した場合は、通信制御部５１ａが、ネットワーク１５に接続された第２の制御装置２６ｂの通信制御部５１ｂにイベントの記録を指示する。 - 特許庁

The method includes the steps of:determining a bit error rate and/or a number of bit errors associated with a signal indicating information read from a particular part of a memory; comparing the bit error rate and/or the number of bit errors with an error threshold; and determining whether to retire the particular part of the memory at least partially based on the comparison.例文帳に追加

メモリの特定部分から読み出した情報を表す信号に関連する、ビット誤り率および／またはビット誤り数を決定するステップと、前記ビット誤り率および／または前記ビット誤り数をエラー閾値と比較するステップと、および少なくとも部分的には前記比較に基づいて、前記メモリの前記特定部分を退役させるか否かを決定するステップとを有する。 - 特許庁

To provide a BIST (built in self test) system using an ECC (error correction code) which corrects a single bit error in a given memory word with a given address and in which the ECC has the maximum number of bit errors which can be corrected for itself in the given memory word.例文帳に追加

所与のアドレスの所与のメモリ・ワード内の単一ビット誤りを訂正するＥＣＣを使用するＢＩＳＴシステムであって、前記ＥＣＣが、前記所与のメモリ・ワード内で自分が訂正できるビット誤りの最大数を有するＢＩＳＴシステムを提供すること。 - 特許庁

The evaluation of instruction data S104 for operating a semiconductor circuit 100 and the circuit 100 is performed by storing the instruction data S104 in an external memory 104 and repeating the rewriting of the memory 104 until all errors are eliminated from the data S104.例文帳に追加

外部メモリ１０４に半導体回路１００を動作させる命令データＳ１０４を格納し、命令データＳ１０４の誤りがなくなるまで外部メモリ１０４の書き換えを繰り返し、命令データＳ１０４および半導体回路１００の評価を行なう。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for measuring a circuit pattern line width, which enable reduction in measuring errors of line width and shorten ing of the processing time, without requiring a large capacity memory.例文帳に追加

線幅の計測誤差を減少させ、かつ、大容量のメモリを必要としないで処理時間を短縮することができる回路パターン線幅計測方法および回路パターン線幅計測装置を提供する。 - 特許庁

To prevent occurrence of errors at the time of transmitting data between latch parts in copy-back program operation and to shorten a time by changing operation of the latch part of a page buffer, in a nonvolatile memory apparatus.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置において、ページバッファのラッチ部の動作を変更することにより、コピーバックプログラム動作におけるラッチ部間のデータ伝送時のエラー発生を無くし、かつ時間を短縮する。 - 特許庁

To provide a delay-fixed loop device for a semiconductor memory that can prevent or reduce the occurrence of errors in a delay time of a clock, caused by a noise from a power supply or other random noise.例文帳に追加

電源からの雑音やその他のランダムな雑音に起因するクロックの遅延時間の誤差の発生を防止または低減することができる半導体メモリ用遅延固定ループ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide associative memory capable of detecting retrieved data errors in all the CAM words at the same time irrespective of execution of data reading and retrieving operation, and coincidence and noncoincidence of the retrieval result.例文帳に追加

データの読み出しや検索動作の実行、検索結果の一致不一致に係わらず、全てのＣＡＭワードの被検索データのエラーを同時に検出することができる連想メモリを提供する。 - 特許庁