「P and V」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Based on the cylinder pressure P_θ and cylinder volume V_θ (θ indicates a crank angle), an internal energy correlation value (ΣV×dP_θ/dθ×Δθ) correlated with internal energy consumed inside a cylinder is calculated.例文帳に追加

筒内圧P_θと筒内容積V_θ（θはクランク角）とに基づいて、筒内で消費される内部エネルギと相関を有する内部エネルギ相関値（ΣV・dP_θ/dθ・Δθ）を算出する。 - 特許庁

One mounting plate (40) for upper arm and multiple connecting plates (70) for upper arm are used as wiring for electrically connecting the upper arm-side switching elements (130) to a positive node (P) or output terminals (U, V, W).例文帳に追加

正側ノード（P）又は出力端子（U,V,W）に上アーム側スイッチング素子（130）を電気的に接続するための配線として、１つの上アーム用搭載板（40）及び複数の上アーム用接続板（70）が用いられている。 - 特許庁

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

The upper die U1 is provided with a projective shaft V extended from the pushing surface P and the tip end part of the shaft part 14 in the caulking member is crushed with the pushing surface P in a state in which the projective shaft V is inserted into the through-hole 16.例文帳に追加

上型Ｕ１は押圧面Ｐから延びる突軸Ｖを備え、突軸Ｖを貫通穴１６に挿通させた状態で押圧面Ｐによりカシメ部材の軸部１４の先端をつぶす。 - 特許庁

The motor is defined as rotating R1 (P/S) (P: encoder pulse) with the command value of 1 (V), and when a 12-bit command value Nl is given from the substrate 20, the DA substrate outputs an E1 (V) voltage.例文帳に追加

モータは１［Ｖ］の指令値でＲ１［Ｐ／Ｓ］（Ｐ：エンコーダパルス）で回転するとし、基板２０から１２ｂｉｔの指令値Ｎ１を与えるとＤＡ基板はＥ１［Ｖ］の電圧を出力するとする。 - 特許庁

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

The walking pitch number calculating means 301 determines the pitch number from P=V/I when the pitch number is defined as P (step/minute), the walking speed as V (m/minute) and the stride as I (m/step).例文帳に追加

歩行ピッチ数算出手段３０１は、ピッチ数をＰ（歩／分）、歩行速度をＶ（ｍ／分）、歩幅をＩ（ｍ／歩）としたとき、Ｐ＝Ｖ／Ｉの式からピッチ数を求める。 - 特許庁

Positive - negative judgment is conducted by calculating a vector v[jV] from a given point P to a vertex jV, and calculating inner product (v[jV],n[iS]) of the v[jV] and a normal n[iS] of a an iS-th face in step S106.例文帳に追加

与えられた点Ｐから頂点ｊ_ｖへのべクトルｖ［ｊ_ｖ］を計算し、ステップＳ１０６ではｖ［ｊ_ｖ］とｉ_Ｓ番目の面の法線ｎ［ｉ_Ｓ］との内積（ｖ［ｊ_ｖ］，ｎ［ｉ_Ｓ］）を計算し、正負判定を行う。 - 特許庁

The method is to form a semiconductor material of low-resistance p-type compounds on a substrate, and includes (a) a stage which forms a semiconductor material of p-type impurity-doped group III-V compounds on the substrate and (b) a stage which carries out a micro wave processing on the semiconductor material of the p-type impurity-doped group III-V compounds.例文帳に追加

基板上に低抵抗ｐ型化合物半導体材料を形成する方法であって、（ａ）基板上にｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料を形成する段階と、（ｂ）ｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料上に対してマイクロ波処理を施す段階と、を備えたことをを特徴とする。 - 特許庁

The method for forming a low resistance p-type compound semiconductor material on a substrate comprises a step (a) for forming a III-V compound semiconductor material doped with p-type impurities on a substrate, and a step (b) for subjecting the III-V compound semiconductor material doped with p-type impurities to microwave processing.例文帳に追加

基板上に低抵抗ｐ型化合物半導体材料を形成する方法であって、（ａ）基板上にｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料を形成する段階と、（ｂ）ｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料上に対してマイクロ波処理を施す段階と、を備えたことをを特徴とする。 - 特許庁

Word line selection is performed by decoding logic operating at V_DD while a bit line drive is switched between V_DD and a higher voltage V_P for programming.例文帳に追加

ワード・ライン選択は、Ｖ_ＤＤにおいて動作するデコード論理によって実施され、一方ビット・ライン・ドライブは、Ｖ_ＤＤとプログラミングのためのより高い電圧Ｖ_Ｐとの間でスイッチ切替えされる。 - 特許庁

A light emitting layer 12 made of a group III-V nitride semiconductor is formed between a first semiconductor layer 11 made of an n-type group III-V nitride semiconductor and a second semiconductor layer 13 made of a p-type group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

ｎ型のIII-Ｖ族窒化物半導体からなる第１半導体層１１と、ｐ型のIII-Ｖ族窒化物半導体からなる第２半導体層１３との間に、III-Ｖ族窒化物半導体からなる発光層１２が形成されている。 - 特許庁

A pulse voltage a frequency of which is approximately 1 MHz, a high level of approximately 1 V, and a low level of -5 V to -7 V are applied to a P type Well 123.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１２３には，周波数が約１ＭＨｚであって，高レベル側が約１Ｖ，低レベル側が−５〜−７Ｖのパルス電圧が印加される。 - 特許庁

An avalanche photodiode comprises a p-type contact layer 102 that is composed of a p-type group III-V compound semiconductor containing antimony and is formed on a substrate 101, and a light absorption layer 103 that is composed of a group III-V compound semiconductor containing Sb and is formed on the p-type contact layer 102.例文帳に追加

アンチモンを含むｐ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から構成されて基板１０１の上に形成されたｐ型コンタクト層１０２と、Ｓｂを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から構成されてｐ型コンタクト層１０２の上に形成された光吸収層１０３とを備える。 - 特許庁

A P-type transistor Tr31 is disposed in front of the P-type transistor Tr22 and is driven by the intermediate-voltage power source V_M and stops output of the intermediate-voltage electric power V_M to the source of the P-type transistor Tr22.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＴｒ３１は、Ｐ型トランジスタＴｒ２２の前段であって、中圧電源Ｖ_Mにより駆動し、フォトダイオードの駆動を停止させるとき、中圧電源Ｖ_MをＰ型トランジスタＴｒ２２のソースへの出力を停止する。 - 特許庁

In this semiconductor light-emitting element, a p-type guide layer 14 interposed between an activated layer 13 and a p-type clad layer 15 is constituted of compound semiconductors of groups III to V containing B (boron) as a group-III element, specifically a p-type BInP, a p-type BGaAs or a p-type BAlP.例文帳に追加

活性層１３とｐ型クラッド層１５との間に設けられたｐ型ガイド層１４が、ＩＩＩ族元素としてＢ（ホウ素）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、具体的には、ｐ型ＢＩｎＰ、ｐ型ＢＧａＡｓまたはｐ型ＢＡｌＰにより構成されている。 - 特許庁

When an APC select signal FA is set to an H-level for starting an APC operation, a monitor voltage V_A is immediately generated by a monitor voltage generating circuit 16A, and an error voltage V_EA corresponding to a difference between the monitor voltage V_A and a reference voltage V_P is outputted by an error amplifier circuit 18A.例文帳に追加

ＡＰＣ動作を開始させるためＡＰＣ選択信号ＦＡをＨレベルにすると、直ちにモニタ電圧生成回路１６Ａよりモニタ電圧Ｖ_Ａが生成され、誤差増幅回路１８Ａよりモニタ電圧Ｖ_Ａと基準電圧Ｖ_Ｐとの差分に応じた誤差電圧Ｖ_ＥＡが出力される。 - 特許庁

An interpolator 100 receives a sin signal and a cos signal from a center 22, and outputs velocity V and a position P to a control part 31.例文帳に追加

インターポレータ１００は、センサ２２からのｓｉｎ信号及びｃｏｓ信号を入力されて、速度Ｖ及び位置Ｐを制御部３１に出力する。 - 特許庁

The CPU1, CPU2 are fed with power from a main power supply P, and connected between a positive bus bar V and a negative bus bar GND.例文帳に追加

ＣＰＵ１，ＣＰＵ２は主電源Ｐから電力が供給され、正極母線Ｖと負極母線ＧＮＤ間に接続される。 - 特許庁

The hard layer 150 is a layer with metal as a main body and of more than 300 Vickers hardness HV, and, for example, an Ni-P plated layer is recommendable.例文帳に追加

硬質層１５０は、金属を主体とし、ビッカース硬さＨ_V ３００以上の層であり、例えば、Ｎｉ−Ｐメッキ層が推奨される。 - 特許庁

The part to be treated 31 is disposed in a definite pitch (P), and moves at the velocity (v) sliding on the anode 23-1 and 23-2.例文帳に追加

被処理部品３１は、一定のピッチ（Ｐ）で配列し、陽極２３−１，２３−２と摺動して速度（ｖ）で移動する。 - 特許庁

Each identity includes a private key s_i and a public key v_i, and a publicly known generator is α such that α^q≡1 (mod p).例文帳に追加

各アイデンティティは秘密鍵ｓ_ｉおよび公開鍵ｖ_ｉを含み、公開される生成元はα^ｑ≡１（ｍｏｄ ｐ）であるようなαである。 - 特許庁

The thickness dimension of the non-magnetic layer 4 is in the range of 1-50 nm and surface roughness (P-V) is in the range of ≥2 nm and ≤20 nm.例文帳に追加

非磁性層４の厚さ寸法は、１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲、表面粗さ（Ｐ−Ｖ）が２ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の範囲とする。 - 特許庁

In an arithmetic means 17, the content LWC and average particle size MVD of water droplets are operated, on the basis of those values q1, q2, Tw1, Tw2, V∞, T∞ and P∞.例文帳に追加

演算手段１７では、それらの値ｑ１，ｑ２；Ｔｗ１，Ｔｗ２；Ｖ∞；Ｔ∞；Ｐ∞に基づいて、水滴の含有率ＬＷＣおよび平均粒子径ＭＶＤが演算される。 - 特許庁

To reduce an amount of leakage occurring between a compression chamber P or an intake chamber V and spring holes 38 and 48.例文帳に追加

圧縮室Ｐ又は吸気室Ｖとバネ孔３８，４８との間で生じるリーク量を低減させる。 - 特許庁

Metals such as Al (aluminum), Ti (titanium), W (tungsten), Nb (niobium) and V (vanadium) can be used as a material of the p-side electrode.例文帳に追加

Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｖ（バナジウム）といった金属が、ｐ側電極の材料として使用可能となる。 - 特許庁

The alkaline aqueous solution preferably contains an oxyacid salt of one or more kinds of element selected from Al, Si, P, Ti, V and Zr.例文帳に追加

また、アルカリ性水溶液が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒから選ばれる１種以上の元素の酸素酸塩を含有することが望ましい。 - 特許庁

In addition, formation of a silane coupling agent layer on the reinforcing bar having an oxide layer containing Fe, P and V on its surface is recommended.例文帳に追加

表面にＦｅとＰとＶとを含む酸化物層を有する鉄筋に、さらにシランカップリング剤層が積層されていることが好ましい。 - 特許庁

Preferable substance is a Y(P, V)O4: Eu3+ fluorescent material doped with trivalent Tb3+ ion and bivalent Mg2+ ion.例文帳に追加

好ましい物質は、三価のＴｂ^3+イオンと二価のＭｇ^^2+イオンをドープしたＹ（Ｐ，Ｖ）Ｏ_4：Ｅｕ^3+蛍光体である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an electrode that is appropriately connected to both of p-type and n-type group III-V nitride semiconductor layers.例文帳に追加

Ｐ型およびＮ型III−Ｖ族窒化物半導体層の両方に対して良好に接続される電極を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The explanatory voice and images of the exhibition object in the direction of a gaze vector V from the point Q to the point P are selectively presented.例文帳に追加

点Ｑから点Ｐへ向かう注視ベクトルＶの方向にある展示物の解説用音声や画像を選択的に提示する。 - 特許庁

When electrons are extracted from the floating gate, row lines WLl-WLn are made 0 V, high voltage is given to the VE, and the P well is made high voltage.例文帳に追加

浮遊ゲートから電子を抜くときは、行線ＷＬ１〜ＷＬｎを０Ｖにし、ＶＥに高電圧をを与え、Ｐウエルを高電圧にする。 - 特許庁

Moreover, the amplitude V of the pulse voltage P and/or the pulse repetitive number (f) can be fluctuated with time.例文帳に追加

また、パルス電圧Ｐの振幅Ｖ及び／又はパルス繰返し数ｆを経時的に変動させることができる。 - 特許庁

The active region 21 is provided between the p-type group III-V compound semiconductor layer 15 and the AlGaInAs layer 17.例文帳に追加

活性領域２１は、ｐ型III−Ｖ化合物半導体層１５とＡｌＧａＩｎＡｓ層１７との間に設けられている。 - 特許庁

A hysteresis region H for maintaining a preceding control manner is provided between the position control region P and the speed control region V.例文帳に追加

位置制御領域Ｐと速度制御領域Ｖとの間には、従前の制御形態を維持するヒステリシス領域Ｈを設ける。 - 特許庁

The sensor 5 detects flexure P_y in Y-axis directions and flexure speed V_y in the Y-axis directions at the tip part of the structure 2.例文帳に追加

センサー５は、構造体２先端部のＹ軸方向の撓みＰ_ｙとＹ軸方向の撓み速度Ｖ_ｙを計測する。 - 特許庁

P/V RATIO DETERMINING METHOD OF INKJET INK COMPOSITION FOR COLOR FILTER, METHOD FOR MANUFACTURING COLOR FILTER, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY例文帳に追加

カラーフィルタ用インクジェットインク組成物のＰ／Ｖ比決定方法、カラーフィルタの製造方法、及び液晶表示装置 - 特許庁

Amplitude V of the pulse voltage P and/or pulse repetitive number (f) can be adjusted depending on the type of the living thing.例文帳に追加

パスル電圧Ｐの振幅Ｖ及び／又はパルス繰返し数ｆは、生物の種類に応じて調整することができる。 - 特許庁

The first carrier block layer 19b is formed between a first part 15a of the active layer 15 and a p-type III-V compound semiconductor layer 15.例文帳に追加

第１のキャリアブロック層１９ｂは、活性層１５の第１の部分１５ａとｐ型III−Ｖ化合物半導体層１５との間に設けられている。 - 特許庁

The second carrier block layer 21b is formed between the second part 17b of the active layer 17 and the p-type III-V compound semiconductor layer 15.例文帳に追加

第２のキャリアブロック層２１ｂは、活性層１７の第２の部分１７ｂとｐ型III−Ｖ化合物半導体層１５との間に設けられている。 - 特許庁

A float 17 is provided in the installation pit P, and a flexible pipe 16 is connected to the float 17 from the suction/exhaust port 9 of the air valve V.例文帳に追加

その設置ピットＰ内にフロート１７を設け、このフロート１７に空気弁Ｖの吸排気口９からフレキシブル管１６を接続する。 - 特許庁

The photographic element includes a photosensitive silver halide emulsion layer combined with a cyan type 'NB coupler' of formula I (where the NB coupler, Y, Z", Z*, W2, n, p and V are defined as described in the specification).例文帳に追加

下式（Ｉ）で表されるシアン系「ＮＢカプラー」が組み合わされている感光性ハロゲン化銀乳剤層を含んで成る写真要素。 - 特許庁

The foreign atoms are exemplified by Al, Zr, Zn, Ti, P, Cr, V, Sc, Ga, In, Fe, Ag, Sc, Mn, Co, Ni, and Cu.例文帳に追加

異種原子としては、Ａｌ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｐ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｃ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ａｇ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕが挙げられる。 - 特許庁

The photographic element includes a photosensitive silver halide emulsion layer combined with an 'NB coupler' of formula I (where the NB coupler, Y, Z*, p, V and R4 are defined as described in this specification).例文帳に追加

下式（Ｉ）で表される「ＮＢカプラー」が組み合わされている感光性ハロゲン化銀乳剤層を含んで成る写真要素： - 特許庁

The additive contains one or more elements selected from Si, Al, P, Mg, Mn, Y, V, Mo, Co, Nb, Fe, and Cr.例文帳に追加

この添加物は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｎｂ、ＦｅおよびＣｒのうち一つ以上の元素を含んでいる。 - 特許庁