「P and V」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As the V group atom substituting for N, P (phosphorus), As (arsenide), Sb (animony), and Bi (bismuth) are used.例文帳に追加

Nに置換するＶ族原子としては、P（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）を用いることができる。 - 特許庁

Each of the first and second electrode layers 11 and 13 includes IV or III-V semiconductor groups doped with a p-type carrier or an n-type carrier.例文帳に追加

第１及び第２の電極層１１，１３は、P型或いはn型キャリアーがドープされたIV族或いはIII-V族の半導体から構成される。 - 特許庁

A divider 68 of the DC-DC converter controller 40 uses a load power value P and V_L as the input voltage of the DC-DC converter body 20 as inputs and computes P/V_L=I_B.例文帳に追加

ＤＣＤＣコンバータ制御部４０の除算器６８は負荷電力値ＰとＶ_Lとを入力としＰ／Ｖ_L＝Ｉ_Bを算出する。 - 特許庁

And then, a caustification rection is carried out under a given addition rate of the green solution and temperature while stirring the stirrer with the stirring power of 0.1 kw/m^3 or more of P/V value during the reaction.例文帳に追加

つづいて反応中のP/V値が0.1 kw/m^3以上となる攪拌力で攪拌しながら所定の緑液添加速度、温度で苛性化反応を行う。 - 特許庁

The oscillation (rocking) condition in the horizontal (H) direction and the oscillation (rocking) condition in the vertical (V) direction of the micro mirror 1 are revised according to P temp.例文帳に追加

P tempによって、微小ミラー１の水平（H）方向の振動（揺動）条件、垂直（V）方向の振動（揺動）条件が変更される。 - 特許庁

In the high-level period T4 of the initial VC, a signal line driving circuit 103 outputs black display voltage V_p in a horizontal direction, and in the high-level period T4 of the succeeding VC, image display voltage V_p is supplied.例文帳に追加

最初のＶＣがハイレベル期間Ｔ４で、信号線駆動回路１０３は黒表示電圧Ｖｐを水平方向に出力する。 - 特許庁

In a coordinate system (U, V) on the screen P2, the P is used for the origin and a V-axis is projection of the v-axis on the image forming plane P1.例文帳に追加

また、スクリーンＰ２上の座標系（Ｕ，Ｖ）は、Ｐを原点とし、Ｖ軸は作像面Ｐ１上のｖ軸を投影した方向にとる。 - 特許庁

The color image pattern for position detection is detected in such a manner that a predetermined ratio of a peak value V_P of sensor output V_S of an optical sensor 8' is set as a threshold TH, and trailing edges of the color image patterns for position detection are detected when the sensor output V_S reaches the threshold TH.例文帳に追加

位置検出用色画像パターンの検出を光学的センサ８’のセンサ出力V_Sのピーク値V_Pの一定割合をしきい値THとし、センサ出力V_Sがしきい値THに到達したときに位置検出用色画像パターンの後縁を検出するようにした。 - 特許庁

To provide a p-type oxide semiconductor of group II to V useful as a light emitting element or a light receiving element material or a photocatalyst and to provide a method for manufacturing the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

発光素子や受光素子材料、あるいは光触媒として有用なIIないしV族の p型酸化物半導体と、そのような p型酸化物半導体の得られる製造方法とを提供する。 - 特許庁

The tailing pulse TP has a wave form which tails after the short pulse P, and in which voltage V gradually drops over a longer time than the applying time Δt(P) of the short pulse P.例文帳に追加

テーリングパルスＴＰは、短パルスＰの尾を引くような、短パルスＰの印加時間Δt(P)よりも長時間に渡って電圧Vが漸次低下する波形を有している。 - 特許庁

The potential of the segment electrode of a pixel in an on-display state when the erase period starts is alternately set to V_p and -V_p once each and then set to the ground potential V_GND.例文帳に追加

消去期間開始時に、オン表示としていた画素のセグメント電極の電位をＶ_ｐ、−Ｖ_ｐに交互に一回ずつ設定し、その後接地電位Ｖ_ＧＮＤに設定する。 - 特許庁

Each opening 6a is formed so that its volume V_O is larger than the sum of a volume V_P of the connection electrode 14 disposed in the opening space 6a and a volume V_L of the low-melting point metal film 16.例文帳に追加

各開口６ａは、その容積Ｖ_Oが、その開口６ａ内に配置される接続電極１４の体積Ｖ_Pと低融点金属膜１６の体積Ｖ_Lとの和より大きいように形成されている。 - 特許庁

Assuming that output voltages of the Hall elements 1-n are V_1-V_n, and that output voltages of the Hall elements 1'-n' are V'_1-V'_n, the position P' of the magnet 9 for the Hall element is determined from equation: P'=F(V_1-V'_1, V_2-V'_2, etc, V_n-V'_n).例文帳に追加

ホール素子用磁石９の位置Ｐ’は、ホール素子１〜ｎの出力電圧Ｖ_１〜Ｖ_ｎ、ホール素子１’〜ｎ’の出力電圧をＶ’_１〜Ｖ’_ｎとすると、Ｐ’＝Ｆ（Ｖ_１−Ｖ’_１，Ｖ_２−Ｖ’_２，・・・，Ｖ_ｎ−Ｖ’_ｎ）より求まる。 - 特許庁

Light receiving elements 17B arranged by a predetermined number between the pixel P_0-pixel P_n detect emitted light of two adjacent pixel P_i-1 and pixel P_i, and output a light receiving signal 17A (voltage V_si-1' and V_si) of two adjacent pixel P_i-1 and pixel P_i.例文帳に追加

画素Ｐ_0〜画素Ｐ_nの間に所定の数ずつ配置された各受光素子１７Ｂにおいて、隣接する２つの画素Ｐ_i-1，Ｐ_iの発光光が検知され、隣接する２つの画素Ｐ_i-1，Ｐ_iの受光信号１７Ａ（電圧Ｖ_si-1’，Ｖ_si）が出力される。 - 特許庁

In the case of a PAL system, a counter 2 for delay and a flip-flop circuit 3 obtain a pseudo-vertical synchronizing signal PV(P)' obtained by delaying the rear edge of a vertical synchronizing signal PV(P) of the system and the signal PV(P)' is supplied to the counter 1 through the PAL terminal of the circuit 4.例文帳に追加

ＰＡＬ方式の場合、遅延用カウンタ２及びフリップ・フロップ回路３により、該方式の垂直同期信号Ｐ_V(P)の後縁が遅延された疑似垂直同期信号Ｐ_V(P)’が得られ、切換回路４のＰＡＬ端子を介してカウンタ１に供給される。 - 特許庁

Then, even if the outside diameter of the pole P is different, the peripheral face of the pole P abuts on the V-shaped groove 4a, and the V-shaped groove 4a and the catching part 5a can catch the pole P.例文帳に追加

これにより、ポールＰの外径が異なっても、Ｖ字溝４ａにポールＰの外周面が当り、Ｖ字溝４ａと挟持部５ａとでポールＰを挟持できる。 - 特許庁

The second group III-V compound semiconductor layer is functioned as a light absorption layer, an energy gap of the second group III-V compound semiconductor layer is smaller than that of the first group III-V compound semiconductor layer, and Be or C is used as a p-type dopant in the respective semiconductor layers.例文帳に追加

第２のIII−V族化合物半導体層が光吸収層として機能し、第２のIII−V族化合物半導体層のエネルギーギャップは、第１のIII−V族化合物半導体層のそれより小さく、各半導体層におけるｐ型のドーパントとしては、Ｂｅ又はＣが用いられる。 - 特許庁

Moreover, the first group III-V compound semiconductor layer and the second group III-V compound semiconductor layer may contain at least one or more among (In, Ga, Al) and (As, P, N), respectively.例文帳に追加

また、第１のIII−V族化合物半導体層と第２のIII−V族化合物半導体層は（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）と（Ａｓ，Ｐ，Ｎ）のうち少なくともそれぞれ一つ以上含んでいても良い。 - 特許庁

The windmill parameter is constituted only of three functions of an output set value P(V), a revolution speed set value N(V), and a pitch angle set value θ(V) which are described by the wind velocity (V).例文帳に追加

風車パラメータは、風速（Ｖ）により記述される出力設定値Ｐ（Ｖ）と回転数設定値Ｎ（Ｖ）とピッチ角設定値θ（Ｖ）の３変数のみから形成される。 - 特許庁

The junction region 19 comprises an n-type III-V compound semiconductor layer 25 and a p-type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

接合領域１９は、ｎ型III−Ｖ化合物半導体層２５およびｐ型III−Ｖ化合物半導体層２７からなる。 - 特許庁

A tunnel junction TJ is formed with the p-type III-V group compound semiconductor layer 18 and the n-type III-V group compound semiconductor 20.例文帳に追加

ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１８とｎ型III−Ｖ族化合物半導体層２０とによってトンネル接合ＴＪが形成されている。 - 特許庁

A P type transistor Tr21 is driven with the high-voltage electric power V_H and outputs intermediate-voltage electric power V_M to the transfer gate.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＴｒ２１は、高圧電源Ｖ_Hにより駆動し、転送ゲートに中圧電源Ｖ_Mを出力する。 - 特許庁

A P-type transistor Tr22 is driven with high-voltage electric power V_H and outputs the high-voltage electric power V_H to a transfer gate.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＴｒ２２は、高圧電源Ｖ_Hにより駆動し、転送ゲートに高圧電源Ｖ_Hを出力する。 - 特許庁

The fiber 3a contacts closely with the V-groove 1a upto the P-point, and is separated gradually from the V-groove 1a in a rear side thereof while drawing a curved line.例文帳に追加

裸ファイバは、Ｐ点までＶ溝に密着し、その後方では、徐々にＶ溝から曲線を描いて離れる。 - 特許庁

In addition, a source driver 14 sets the potentials V_s(P, n), V_s(N, n) so determined as to satisfy equation: C=(V_s(P, n)+V_s(N, n))/2-ΔV_gd(n) in source wiring, according to gradation n, and positive pole driving or negative pole driving.例文帳に追加

また、ソースドライバ１４は、Ｃ＝（Ｖ_ｓ（Ｐ，ｎ）＋Ｖ_ｓ（Ｎ，ｎ））／２−ΔＶ_ｇｄ（ｎ）を満足するようにして定められた電位Ｖ_ｓ（Ｐ，ｎ），Ｖ_ｓ（Ｎ，ｎ）を階調ｎおよび正極性駆動か負極性駆動かに応じてソース配線に設定する。 - 特許庁

III-V GaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND p-TYPE ELECTRODE APPLIED THERETO例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族ＧａＮ系化合物半導体及びそれに適用されるｐ型電極 - 特許庁

Signal values of a B mode signal B, a velocity signal V and a power signal P are compared in each pixel.例文帳に追加

画素毎にＢモード信号Ｂ、速度信号Ｖ、パワー信号Ｐの信号値を比較する。 - 特許庁

Then, p type transistor M12 is turned on and the output node OUT becomes Vcc level (16 V).例文帳に追加

そうすると、ｐ型トランジスタＭ12はオンして、出力ノードOUTはＶcc(１６Ｖ)レベルになる。 - 特許庁

To provide a III-V GaN based compound semiconductor and a p-type electrode applied thereto.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族ＧａＮ系化合物半導体及びそれに適用されるｐ型電極を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE III-V NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W can be cited.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

An unheated zone Y is provided between a final heat panel P and a pressure roller V of an ejection port.例文帳に追加

最終のヒートパネルＰと排出口の加圧ローラＶの間に非加熱ゾーンＹを設ける。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF p-TYPE GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD OF LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の作製方法及び発光素子の作製方法。 - 特許庁

A driving unit moves the light source and the light receiving unit at a speed V in a sub scanning direction for the original P.例文帳に追加

駆動部は、光源及び受光部を原稿Ｐに対して副走査方向に速度Ｖで移動させる。 - 特許庁

The modes subject to vibration control are three degrees of freedom, i.e., rolling p, pitching q and heaving v.例文帳に追加

振動の抑制対象となるモードは、ロールｐ、ピッチｑ、ヒーブｖの３自由度である。 - 特許庁

The output voltage V depends on a resistivity p and a weight W of the scrap materials 10.例文帳に追加

出力電圧Ｖは、スクラップ材１０の抵抗率ρと重量Ｗに依存する。 - 特許庁

V-P switching points are displayed at an ordinate axis on both the screen 4 and the screen 5.例文帳に追加

時間軸表示画面４と位置軸表示画面５の両方にＶ−Ｐ切換点を縦軸として表示する。 - 特許庁

The p-type clad layer 54 and the buried layer 56 are made of group III-V compound semiconductor containing p-type first dopant.例文帳に追加

ｐ型クラッド層５４及び埋め込み層５６はｐ型の第１ドーパントを含むIII−Ｖ族化合物半導体からなる。 - 特許庁

In this V-ribbed belt driver 1 with the V-ribbed belt 8 suspended between a V-ribbed pulley 9 having V-rib grooves 11 used as a driving pulley and at least one driven pulley, a pitch P between ribs 7 of the V-ribbed belt 8 is 90-95% in size to a pitch P' between the rib grooves 11 of the V-ribbed pulley 9.例文帳に追加

Ｖリブ溝１１を有するＶリブドプーリ９である駆動プーリと少なくともひとつの従動プーリにＶリブドベルト８を懸架したＶリブドベルト駆動装置１において、上記Ｖリブドベルト８のリブ７間のピッチＰがＶリブドプーリ９のリブ溝１１間のピッチＰ´に対して９０〜９５％の大きさであるＶリブドベルト駆動装置である。 - 特許庁

The EA modulator device 37b has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 17b, a III-V compound semiconductor SCH layer 19b, a III-V compound semiconductor active layer 21b, a III-V compound semiconductor SCH layer 23b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 25b.例文帳に追加

ＥＡ型変調器デバイス部４７ｂは、ｎ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層１７ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層１９ｂ、III-Ｖ族化合物半導体活性層層２１ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層２３ｂ、ｐ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層２５ｂを有する。 - 特許庁

The potential difference between the first magnetic layer 23 and the second magnetic layer 25 is preferably ≤0.1 (V).例文帳に追加

二層の磁性層が絶縁層で分離されている多層膜を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、電極間の印加電圧をV(V)、上記多層膜の磁気抵抗変化率をP、電極間の電気抵抗をR（Ω）とした時に、VP／√Rの値が2.08／10^5 Ω・V以上となるように、VとRを設計する。 - 特許庁

The DC device 47a has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 3b, a III-V compound semiconductor SCH layer 5b, a III-V compound semiconductor active layer 7b, a III-V compound semiconductor SCH layer 9b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 11b.例文帳に追加

ＬＤデバイス部４７ａは、ｎ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層３ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層５ｂ、III-Ｖ族化合物半導体活性層層７ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層９ｂ、およびｐ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層１１ｂを有する。 - 特許庁

The multiple oxide solid soln. having a triclinic structure is an oxide ion conductor whose atomic compsn. is represented by the formula Bi46M8O89 (where M is V and As, P and S, or V, P and S).例文帳に追加

原子組成がＢｉ_46Ｍ_8 Ｏ_89（Ｍは、ＶとＡｓ，ＰとＳ，またはＶとＰとＳを示す）で表される酸化物イオン伝導体である三斜晶系構造の複酸化物固溶体。 - 特許庁

in which d is a diameter (mm) of the positive electrode positioned inside a side tube part and ID is an inside diameter (mm) of the side tube part, and V/P≥0.12 in which V is a volume (mm^3) of the positive electrode top-most part and P is an input power (W).例文帳に追加

（２）側管部内側に位置する陽極の径ｄ（ｍｍ）が、側管部の内径ＩＤ（ｍｍ）に対して０．５ＩＤ≦ｄ≦０．９５ＩＤで、陽極先端部の体積Ｖ（ｍｍ^３）が入力電力Ｐ（Ｗ）に対して、Ｖ／Ｐ≧０．１２。 - 特許庁