「PHASE-III」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a III-V compound semiconductor crystal containing antimony for upgrading the quality of a compound semiconductor crystal containing antimony grown by using a metal-organic vapor- phase growth method.例文帳に追加

有機金属気相成長法を用いて成長したアンチモンを含有する化合物半導体の結晶を高品質化する、アンチモン含有III−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the vapor phase growth method for epitaxially growing a group III-V compound semiconductor layer on a substrate in a vapor phase growth device by the hydride vapor phase growth method, gas etching is performed in the vapor phase growth device by interrupting the epitaxial growth at least once in the way of epitaxial growth of the group III-V compound semiconductor layer.例文帳に追加

気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 - 特許庁

To provide a device and a method for producing a group III-V nitride film containing at least Al, by which the effect of corrosion caused by gaseous AlCl on the film can be eliminated or reduced and by which the group III-V nitride film having good properties is produced by a chloride vapor phase epitaxial method (HVPE method).例文帳に追加

ＡｌＣｌガスによる腐食の影響を除去または軽減して、塩化物気相エピタキシャル法（ＨＶＰＥ法）によって特性が良好な、少なくともＡｌを含むIII−Ｖ族窒化物膜の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a Group III nitride crystal in a liquid phase process wherein the dislocation does not increase when the crystal being grown.例文帳に追加

液相法において結晶成長中に転位が増殖しないＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The cathode part for electron emission which can emit electrons by applying the electric field includes a group III nitride layer (12) deposited on an electrode (11) by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

そのような電子放出用陰極部は、たとえば蛍光表示装置などにおいて好ましく利用され得るものである。 - 特許庁

The method for producing the group III nitride crystal substrate involves a step to grow a group III nitride crystal 2 by a liquid phase method on the recessed and projected surface of a ground substrate 1 having at least a group III nitride crystal layer 1a on which the recessed and projected surface is formed.例文帳に追加

凹凸表面が形成されたＩＩＩ族窒化物結晶層１ａを少なくとも有する下地基板１を準備し、下地基板１の凹凸表面上に液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶２を成長させる工程を含むＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法。 - 特許庁

In the growth step, a group III nitride crystal 12 is grown by a liquid phase method on the base substrate 11 to obtain a grown substrate 10 comprising the base substrate 11 and the group III nitride crystal 12.例文帳に追加

成長工程では、下地基板１１上にＩＩＩ族窒化物結晶１２を液相法により成長させて、下地基板１１とＩＩＩ族窒化物結晶１２とを有する被成長基板１０を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial substrate and a vapor phase growth system which suppress the deposition of indium contained particles on a surface of a film of a group III nitride containing indium.例文帳に追加

インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

An intermediate layer 3 having a lower hardness than a group III nitride single crystal 6 grown by a flux method is formed on the base film 2 by a vapor-phase growth method.例文帳に追加

下地膜２上に、フラックス法で育成されたＩＩＩ族窒化物単結晶６よりも硬度の低い中間層３を気相成長法で形成する。 - 特許庁

By employing a halide vapor phase growth method and a V-III ratio of 30-80, the semiconductor crystal A having no crack is obtained.例文帳に追加

この時Ｖ−ＩＩＩ比を３０以上８０以下としたハライド気相成長法とすることでクラックの無い半導体結晶Ａを得ることができる。 - 特許庁

The group III-V nitride crystal film wherein a spinel phase comprising zinc, gallium, and oxygen is present at the interface between the substrate and the nitride crystal film is also provided.例文帳に追加

さらに、該基板と該族窒化物結晶膜との界面に亜鉛とガリウムと酸素からなるスピネル相が介在するＩＩＩ−Ｖ族窒化物結晶膜。 - 特許庁

During Phase III, the world reeled under the impact of two world wars and the Great Depression, while disparities in living standards and other areas grew between the United States and Japan.例文帳に追加

第Ⅲ期においては、二度にわたる世界大戦と大恐慌という歴史的惨事を経験し、日米間における生活 水準等の格差は拡大した。 - 経済産業省

To provide a vapor phase epitaxy method for a III-V compound semiconductor such that embedding growth on a structure having been made uneven is carried out over the entire area in a wafer surface, and stable embedding flattening irrelevant to the uneven shape is achieved.例文帳に追加

ウェーハ面内全域にて凹凸加工された構造を埋め込み成長可能であり、かつ、凹凸形状によらない安定した埋め込み平坦化が可能なIII−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法を提供する。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor layer is grown on a substrate W by supplying the decomposed material to a reaction chamber 57 of an organometallic vapor-phase growth furnace 51, after at least partially decomposing the organic nitrogen material G4.例文帳に追加

有機窒素原料Ｇ４の少なくとも一部分を分解させた後に、分解された原料を有機金属気相成長炉５１の反応室５７に供給してIII−Ｖ化合物半導体層を基板Ｗ上に成長する。 - 特許庁

The process for producing the thermosetting aqueous resin composition comprises subjecting a solution of the self-water-dispersible acrylated aromatic epoxy resin (I), the phenolic resin (II) and the blocked isocyanate (III) in an organic solvent to emulsification through phase inversion in an aqueous medium.例文帳に追加

および、該自己水分散性アクリル化芳香族エポキシ樹脂（Ｉ）とフェノール樹脂（II）とブロックイソシアネート（III） とが溶解している有機溶剤溶液を、水性媒体中に転相乳化する熱硬化性水性樹脂組成物の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor layer employs a group III-V semiconductor compound represented in a general form Al_xGa_yIn_zN (0≤x<1, 0<y<1, 0<z<1, x+y+z=1) as its main constituent and its film formation takes place through laser assist metal-organic vapor phase growth.例文帳に追加

本発明の半導体層は、一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０≦ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるIII−Ｖ族半導体化合物を主成分とし、レーザアシスト有機金属気相成長法により成膜されたものである。 - 特許庁

To provide a group III nitride quaternary and pentad material system used in a semiconductor structure such as a laser diode, a transistor and a photodetector, inhibiting or eliminating phase separation, and improving luminous efficiency, and also to provide a method.例文帳に追加

レーザダイオード、トランジスタ、光検出器などの半導体構造に使用され、相分離を抑制または解消するとともに発光効率を向上させるIII族窒化物４元及び５元材料系並びに方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises adding a potassium permanganate aqueous solution to an iron(III) salt aqueous solution and agitating them, to oxidize manganese ion in the iron(III) salt aqueous solution and to precipitate the oxidized manganese species as a solid phase.例文帳に追加

第２鉄塩水溶液に過マンガン酸カリウム水溶液を添加、攪拌し、第２鉄塩水溶液中に存在するマンガンイオンを酸化して、固相として析出させることを特徴とする第２鉄塩水溶液中のマンガンイオン除去方法。 - 特許庁

The navigation arithmetic processing part III includes the unscented Kalman filter 12 for forming a measuring system into a mathematical expression, using a Doppler shift signal based on the carrier wave phase, and a measuring system model by a pseudo-distance signal based on the code phase from the GPS signal processing part II, and for estimating a true value of a measured value taking peripheral information into account.例文帳に追加

前記航法演算処理部IIIは、前記信号処理部IIからの搬送波位相からドップラーシフト信号、符号位相から疑似距離信号による測定系モデルを用いて、測定系を数式化し、周辺情報を考慮して測定値の真値を推定するアンセンテッドカルマンフィルタ１２とを含んでいる。 - 特許庁

When manufacturing aluminum-based group III nitride crystal by vapor phase-growing it on a substrate by reacting a group III halide gas containing an aluminum halide such as aluminum trichloride with a nitrogen source gas such as ammonia on the substrate, there is employed a two step growing method where the both gases are reacted preliminarily at 300-550°C and then at 1,100-1,600°C.例文帳に追加

三塩化アルミニウム等のハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスとアンモニア等の窒素源ガスとを基板上で反応させることにより基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物結晶を製造する際に、予め３００〜５５０℃で前記両ガスを反応させ、次いで１１００℃〜１６００℃で同両ガスを反応させる二段成長法を採用する。 - 特許庁

The substantially non-photosensitive thermographic recording material contains a phase II behenic acid silver and/or a phase III behenic acid silver having a specific X-ray diffraction spectrum, by 1% to a phase I behenic acid silver having a specific X-ray diffraction spectrum, in a thermosensitive element constituted of a substrate, the phase I behenic acid silver, a reducer and a binder.例文帳に追加

支持体ならびに特定のＸ線回析スペクトルを有する相Ｉベヘン酸銀と還元剤及び結合剤からなる感熱要素に、特定のＸ線回析スペクトルを有する相ＩＩベヘン酸銀及び／又は相ＩＩＩベヘン酸銀を相Ｉベヘン酸銀に対して１％含有することを特徴とする実質的に非−感光性のサーモグラフィ記録材料。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic device using a group III nitride compound semiconductor by using an appropriate index for highly purifying an epitaxial film grown under a varying growth condition in an organic metal vapor phase epitaxy furnace.例文帳に追加

有機金属気相成長炉において変動する成長条件の下で成長されるエピタキシャル膜の高純度化のための適切な指標を用いて、III族窒化物系化合物半導体を用いる電子デバイスを作製する方法を提供する。 - 特許庁

Next, a seed crystal film 6 comprising a nonpolar group-III nitride and having a crystal orientation of axis a, axis c, and axis m is formed by a vapor phase growth method.例文帳に追加

次いで、非極性面ＩＩＩ族窒化物からなり、ａ軸、ｃ軸およびｍ軸の結晶方位を有する種結晶膜６を気相成長法によって形成する。 - 特許庁

The method of forming a semiconductor film comprises a process S120a of placing a substrate in an organic metal vapor phase deposition apparatus, and a process S130 of supplying a gallium source material, a indium source material, a arsenic source material, a nitride source material, and a phosphorus source material to the organic metal vapor phase deposition apparatus, to form the III-V compound semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜を形成する方法は、有機金属気相成長装置内に基板を置く工程Ｓ１２０ａと、ガリウムソース材料、インジウムソース材料、砒素ソース材料、窒素ソース材料、及び燐ソース材料を前記有機金属気相成長装置に供給してIII−Ｖ族化合物半導体膜を形成する工程Ｓ１３０と備える。 - 特許庁

The generated GaCl_3 gas is supplied to the second reaction unit 30 through a group III halide supply pipe 50 connected to the first reaction unit 20 and reacts with the NH_3 gas to vapor-phase grow the GaN film on the substrate 35 provided in the second reaction unit 30.例文帳に追加

生成したGaCl_3ガスは、第１の反応部２０に接続されたIII族ハロゲン化物供給管５０を通じて、第２の反応部３０に供給され、NH_3ガスと反応することにより、第２の反応部３０に設けられた基板３５の上にGaN膜が気相成長する。 - 特許庁

A seed crystal film 6 comprising a nonpolar group-III nitride and having a crystal orientation of axis a, axis c, and axis m is formed by a vapor phase growth method in a manner capable of covering the mask.例文帳に追加

非極性面ＩＩＩ族窒化物からなり、ａ軸、ｃ軸およびｍ軸の結晶方位を有する種結晶膜６をマスクを被覆するように気相成長法によって形成する。 - 特許庁

The oxidative desulfurization of fuel oil comprises treating a sulfur compound-containing fuel oil with an oxidizing agent in the presence of a promoter selected from (i) a transition metal catalyst, (ii) a phase transfer catalyst and (iii) a Bronsted acid.例文帳に追加

硫黄化合物を含有する燃料油を、（ｉ）遷移金属触媒、（ｉｉ）相間移動触媒及び（ｉｉｉ）ブレンステッド酸から選ばれる助触媒の存在下、酸化剤で処理する。 - 特許庁

To provide a method by which a crystal film composed of a single crystal in which defects are further reduced and having good flatness can be produced at a higher speed when an aluminum-based group III nitride crystal film is produced by a hydride vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

ハイドライド気相エピタキシャル成長法においてアルミニウム系III族窒化物結晶膜を製造するに当たり、より高速で、より欠陥の少ない単結晶からなる結晶膜であって、膜の平坦性が良好な結晶膜を製造することのできる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and equipment which can easily manufacture a low cost III group nitride semiconductor crystal by a hydlide vapor phase epitaxy method while doping a silica element with excellent controllability and reproducibility using a crystal growth furnace in which a quartz component is used.例文帳に追加

石英部材を使用した結晶成長炉を用いて、優れた制御性及び再現性でもって珪素元素をドープしながら、容易にかつ低いコストでIII族窒化物系半導体結晶をハイドライド気相成長法により製造できる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Therein, the partial pressure of a group III element raw material gas in a gas charged into a reaction vessel is reduced, while the constant composition layer is grown in the gas phase.例文帳に追加

単結晶基板上に、それぞれＧａ、ＡｓおよびＰを構成元素として含む組成変化層および一定組成層を基板側からこの順に含むIII-Ｖ族化合物半導体層を気相成長させて、エピタキシャルウエハを製造する方法において、該一定組成層の気相成長中に、反応容器内に導入されるガス中のIII 族原料ガスの分圧を減少させることを特徴とする。 - 特許庁

The optical recording medium comprises a phase change type recording layer on a substrate.例文帳に追加

基板上に相変化型の記録層を有する光記録媒体において、該記録層を形成する原子の組成が、下記式（Ｉ）、（II）、（III）、（IV）又は（Ｖ）で表される特定の原子比率を有することを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

This carbon fiber of vapor phase method has the volume of micropore having ≤2 nm pore diameter in a range of 0.01-0.4 ml/g and the isothermal line of nitrogen adsorption and desorption exhibiting II or III type.例文帳に追加

細孔直径２ｎｍ以下であるミクロ孔の容積が、０．０１〜０．４ｍｌ／ｇの範囲にあって、窒素吸着脱離等温線がＩＩ型あるいはＩＩＩ型を示す気相法炭素繊維。 - 特許庁

This method comprises the step of preparing a sapphire substrate 10, the step of forming an intermediate layer 11 containing aluminum and nitrogen on the sapphire substrate 10 by a vapor phase growth method at a growth temperature of 1,100-1,300°C, and the step of growing a group III nitride layer 12 on the intermediate layer 11.例文帳に追加

サファイア基板１０を用意する工程と、サファイア基板１０上に、アルミニウムと窒素とを含む中間層１１を、１１００℃以上１３００℃以下の成長温度で気相成長法により形成する工程と、前記中間層１１の上にIII族窒化物層１２を成長する工程とを含む。 - 特許庁

This is a process for purifying a polycarbonate resin, which process comprises: (i) mixing an organic solvent solution of the polycarbonate resin with a chelating agent in an amount sufficient to remove contaminant metals from the polycarbonate resin and water: (ii) separating the organic solvent solution phase from the water phase; and (iii) recovering the polycarbonate resin from the obtained organic solvent solution phase.例文帳に追加

ポリカーボネート樹脂を精製する方法であって、（ｉ）ポリカーボネート樹脂の有機溶媒溶液、ポリカーボネート樹脂中に混入する金属類を除去するに十分な量のキレート化剤および水を混合し、（ｉｉ）次いで、有機溶媒溶液相と水相とを分離し、（ｉｉｉ）得られた有機溶媒溶液相からポリカーボネート樹脂を回収することを特徴とするポリカーボネート樹脂の精製方法。 - 特許庁

The ink composition for ink jet recording is obtained by emulsifying in an aqueous medium an oil phase wherein a dye is dissolved in an organic solvent having a boiling point of 150°C or higher, and it contains a compound represented by formula (I), (II) or (III).例文帳に追加

沸点が１５０℃以上である有機溶媒に染料が溶解している油相を水性媒体中に乳化し、下記式（Ｉ）、（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で表わされる化合物を含むインクジェット用インク組成物。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for producing a crystal, by which a group III element nitride crystal such as a GaN single crystal formed by liquid phase growth is taken out from a raw material liquid in a short period of time.例文帳に追加

液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法および装置を提供する。 - 特許庁

To produce a high-quality group-III nitride crystal by increasing the solubility of nitrogen in a melt and increasing the growth rate even when the nitrogen source material is supplied by dissolving from a gas phase into the melt.例文帳に追加

窒素原料を気相から融液中に溶解して供給する場合にも、融液中の窒素の溶解度を増加させ、成長速度を速くして、高品質なＩＩＩ族窒化物結晶を作製する。 - 特許庁

In a method of manufacturing an AIN semiconductor for an electronic device, NH_3 gas and aluminum chloride gas, which is a result from sublimation or evaporation with absolute aluminum chloride, of which the total of impurity components other than group III elements is 0.001 wt.% or less, that has been heated are caused to react each other by a hydride vapor-phase deposition, to allow crystal growth of AIN on a substrate.例文帳に追加

III族元素以外の不純物成分の合計が０．００１重量％以下である無水塩化アルミニウムを加熱して昇華又は気化させた塩化アルミニウムガスとＮＨ_3ガスとをハイドライド気相成長法により反応させ、基板上にＡｌＮを結晶成長させる電子デバイス用のＡｌＮ半導体の製造方法である。 - 特許庁

In the process for epitaxially growing a III-V compound semiconductor containing nitrogen in a group V element by metal organic vapor phase epitaxy, the III-V compound semiconductor is heat treated in nitrogen atmosphere following to epitaxial growth in hydrogen atmosphere.例文帳に追加

本発明の結晶成長方法は、有機金属気相成長法によりＶ族元素中に窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させる方法であって、水素雰囲気中でＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長した後に、窒素雰囲気中で前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に熱処理を行う。 - 特許庁

Thereafter, the carrier gas is switched from a hydrogen gas to an argon gas that is one of noble gases and a semiconductor layer 14 made of InGaN with a film thickness of 100 nm is formed on the upper surface of the underlying layer 13 by providing the TMG and TMI for one hour with the TMI/TMG gas phase ratio of 0.9 and V/III compound supplying mole ratio of 10,000.例文帳に追加

その後、キャリアガスを水素ガスから希ガスであるアルゴンガスに切り替え、ＴＭＧとＴＭＩとをＴＭＩのＴＭＧに対する気相比が０．９で、Ｖ族／III 族供給モル比が１００００として１時間供給することにより、下地層１３の上面にＩｎＧａＮからなり、膜厚が１００ｎｍの半導体層１４を成長させる。 - 特許庁

In a process for forming a p-type AlGaInP III-V compound semiconductor layer comprising zinc by using dimethylzinc, etc., by a metal organic vapor phase epitaxy, a growth velocity is made at least 0.3 nm/s.例文帳に追加

有機金属気相成長法によりジメチル亜鉛などを用いて亜鉛を含有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程において、成長速度を０．３ｎｍ／秒以上とする。 - 特許庁

To provide a single crystal growing method for growing a single crystal with high crystallinity by a vapor phase method on an SiC seed crystal, and to provide a group III nitride single crystal and an SiC single crystal obtained by using the method.例文帳に追加

気相法によりＳｉＣ種結晶上に結晶性のよい単結晶を成長させる単結晶成長方法、その方法により得られるＩＩＩ族窒化物単結晶およびＳｉＣ単結晶を提供する。 - 特許庁

In the production method for a nitride semiconductor 1 for producing a nitride compound semiconductor layer 3 by using organometallic chemical vapor phase growth, a group III source gas containing the organometals of a group III source is intermittently supplied onto a substrate 2, and a gas containing nitrogen is supplied to the substrate 2.例文帳に追加

本発明に係る窒化物系半導体の製造方法は、窒化物系化合物半導体層３を有機金属化学気相成長法を用いて製造する窒化物系半導体１の製造方法において、ＩＩＩ族源の有機金属を含むＩＩＩ族原料ガスを間欠的に基板２上に供給すると共に、窒素を含むガスを基板２上に供給することを特徴とする。 - 特許庁

In the case of heating a semi-insulated GaAs substrate 1 inside a reaction pipe and growing the compound of group III elements and group V elements on the GaAs substrate 1 with the method of vapor phase epitaxial growth, by leading oxygen into the reaction pipe just before growing a target epitaxial layer, a residual Si impurity, which can not be completely removed by sulfuric acid etching, is inactivated.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１を反応管内で加熱し、ＧａＡｓ基板１上に III族元素とＶ族元素との化合物を気相エピタキシャル成長法により成長させる際、目的とするエピタキシャル層の成長を行う直前に酸素を反応管内に導入することにより、硫酸エッチングでは除去しきれない残留Ｓｉ不純物を不活性化する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the compound semiconductor epitaxial wafer which comprises the steps of heating a compound semiconductor substrate 1 arranged in a reaction tube while allowing raw materials of groups III to V to flow through the reaction tube and growing epitaxial layers 2 and 3 having an objective element structure on the substrate 1 in a vapor phase, the substrate 1 is cleaned with CH_3Cl immediately before growing the epitaxial layer 2.例文帳に追加

反応管内に設置した化合物半導体基板１を加熱し、その反応管内にIII族−Ｖ族の原料を流してその基板１上に目的とする素子構造のエピタキシャル層２，３を気相成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、上記エピタキシャル層２の成長を行う直前に、その基板１をＣＨ_3Ｃｌでクリーニングする。 - 特許庁