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W3を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 444



例文

Here, the thickness dimension W3 of the press-fit part 24 is established to be same or less than the thickness dimension W3 of the pin body 23.例文帳に追加

このとき、プレスフィット部24の厚み寸法W3はピン本体23の厚み寸法31以下に設定されている。 - 特許庁

A borehole 3 having a predetermined inner diameter W3 (W2<W3<W1) is formed in material 4 to be crushed (borehole forming step).例文帳に追加

被破砕物4に対して所定内径W3(W2<W3<W1)の削孔3を形成する(削孔形成工程)。 - 特許庁

Thereafter, highly cleaned water W3 is circulated as unused water by a piping 5.例文帳に追加

この後、配管5はその高度浄化水W3を未使用水に循環する。 - 特許庁

In the insulation film I3, a third layer wiring W3 is formed.例文帳に追加

絶縁膜I3内には、第3層配線W3が形成されている。 - 特許庁

例文

A port number "P3+(W3*2)" is stored in the NAT device 3.例文帳に追加

NAT装置3にポート番号「P3+(W3*2)」が記憶される。 - 特許庁


例文

Therefore, when manually connecting an external cable to the terminal part of the second section W2, a second partition wall S2 and a third partition wall S3 isolate the second section W2 from the third section W3 so as to prevent a worker from accidentally touching the third section W3 where the power devices are located.例文帳に追加

故に、第2区画W2に手を入れて端子部に外部電線を接続する際、電力機器が配置されている第3区画W3との間が第2及び第3隔壁S2,S3で隔絶されているために第3区画W3に誤って手が入ることがない。 - 特許庁

Thus the suction width can be adjusted in two steps, i.e., W3 and W4.例文帳に追加

これにより、サクション幅がW3、W4の二段階で調整される。 - 特許庁

By the contact of the extracted gasoline W2 and the gasoline vapor W3, a part of the gasoline vapor W3 is absorbed by the extract gasoline W2, and the gasoline vapor W3 which is not absorbed by the extract gasoline W2 is introduced to a canister 21.例文帳に追加

前記抽出ガソリンW2と前記ガソリン蒸気W3との接触によりガソリン蒸気W3の一部を抽出ガソリンW2に吸収させ、抽出ガソリンW2に吸収されなかったガソリン蒸気W3をキャニスタ21へ導入する。 - 特許庁

XPath is a W3-Standard and for further information about that, ask your preferred XSL/XML book, or http://www.w3.org/. 例文帳に追加

XPath は W3 規格です、そしてそれに対する詳細な情報については、 XSL/XML の本もしくは、 http://www.w3.org/ を訪ねてください。 - PEAR

例文

Electrolytic plating is applied to a semiconductor wafer W3 in which such patterns are formed.例文帳に追加

このようなパターンが形成された半導体ウェハW3に対して、電解めっきを実施する。 - 特許庁

例文

The pump 30 pumps up tertiary treated water W3 stored in a final sedimentation tank 16.例文帳に追加

ポンプ30は最終沈殿槽16に貯えられた3次処理水W3を汲み上げる。 - 特許庁

The relationship between the respective parts in thickness W1-W3 is expressed by W1=W2<W3.例文帳に追加

各部の厚みW1〜W3の関係は、W1=W2<W3となっている。 - 特許庁

The mass W2 of the intermediate layer 10 is larger than the mass W3 of the cover 6.例文帳に追加

中間層10の質量W2は、カバー6の質量W3よりも大きい。 - 特許庁

In a step S5, weighting coefficients w1 and w3 are calculated on the basis of the calculated differential.例文帳に追加

ステップS5で、算出された差分に基づき、重み付け係数w1,w3が算出される。 - 特許庁

That is, the SRAM cell 1 is designed such that W2=W3=W4 and L2=L3=L4.例文帳に追加

すなわち、SRAMセル1は、W2=W3=W4、且つL2=L3=L4となるように設計されている。 - 特許庁

A mixed flow of the powder 4, liquid W5 and fluids W2 and W3 can be jetted out as well.例文帳に追加

粉体W4と流体W2と液体W5と流体W3の混合流も噴射できる。 - 特許庁

An occupant receiving this mixture W3 can obtain sufficient directivity and excellent spot feeling.例文帳に追加

このような混合気体W3を受ける乗員は充分な指向性と高いスポット感を得ることができる。 - 特許庁

The port P3 is connected through a third distribution path W3 to a discharge port of a pump P.例文帳に追加

ポートP3は、第3の流通路W3を介してポンプPの吐出口に接続する。 - 特許庁

A circumferential width W1 of the sliding contact surface 55b is larger than a circumferential width W3 of the connection portion 56.例文帳に追加

摺接面55bの周方向幅W1は、連結部56の周方向幅W3よりも大きい。 - 特許庁

A surfactant is introduced from the second chemical tank 32 into the raw material W3.例文帳に追加

原料W3には、第2の薬液タンク32より界面活性剤が導入される。 - 特許庁

The number of winding wires of each reactor in which the currents ia1, ia2 flow is W3, W1.例文帳に追加

電流ia1,ia2が流れるそれぞれのリアクトルの巻線数はW3,W1である。 - 特許庁

A processing substrate W1 and a substrate W3 for inspection are supported by the support pins 134.例文帳に追加

処理基板W1および検査用基板W3は、これら支持ピン134により支持される。 - 特許庁

The filtrate is used again as a part of washing water W3 in the washing process 300.例文帳に追加

濾液は、再び洗浄工程300において洗浄水W3の一部として使用される。 - 特許庁

A groove width W3 of the middle inclined grooves 9 is gradually reduced toward a ground-contact end Te side.例文帳に追加

ミドル傾斜溝9の溝幅W3は、接地端Te側に向かって漸減する。 - 特許庁

A mixing chamber 3b in which the respective chemicals w2 and w3 flow, is arranged in excavating rods 2 and 3.例文帳に追加

掘削ロッド2,3に、各薬液w2,w3が流入する混合室3bを設ける。 - 特許庁

Pieces of polysilicon wiring W1, W2, W3, W4 connect the polysilicon gauge resistors R1, R2, R3, R4 in the form of a bridge.例文帳に追加

ポリシリコン配線W1,W2,W3,W4は、ポリシリコンゲージ抵抗R1,R2,R3,R4をブリッジ状に接続する。 - 特許庁

Width W3 is set equal to that of the connection conductor for terminals or not less than width W2.例文帳に追加

W3は、端子用接続導体の幅、又は、幅W2以上となるように設定されている。 - 特許庁

A first to a third cell group W1 to W3 are formed on the outer peripheral face of the roll base 11.例文帳に追加

第1乃至第3のセル群W1〜W3はロール基体11の外周面に形成されている。 - 特許庁

First, a width W1 of a commodity G and a width W3 of a film are obtained.例文帳に追加

まず、商品Gの幅W1およびフィルムの幅W3を入手する。 - 特許庁

By this constitution, the cleaned water W2 is further cleaned up to highly purified water W3 in the high-degree cleaned apparatus 3.例文帳に追加

こうして高度浄化装置3は浄化水W2をさらに高度浄化水W3まで浄化する。 - 特許庁

A mixing chamber 3e in which the chemicals W2 and W3 flow, is arranged in an excavating rod.例文帳に追加

掘削ロッドに、薬液W2,W3が流入する混合室3eを設ける。 - 特許庁

When tweezers 34 are inserted under a semiconductor wafer W3, a projection 36 for pushing the semiconductor wafer W3 pushed out of a wafer cassette 41 forward to the inner part is provided at the tweezers 34, and is arranged on the tweezers 34 so that the wafer W3 can be placed on the tweezers 34 while the wafer W3 is pressed to the deepest part of the wafer cassette 41.例文帳に追加

半導体ウェハW3下にツィーザ34が挿入された時に、ウェハカセット41から前方にせり出した半導体ウェハW3を奥に押し込む突起部36をツィーザ34に設け、ウェハカセット41の最も奥までウェハW3を押し込んだ状態で、ツィーザ34上にウェハW3を載せることができるようにツィーザ34上に配置する。 - 特許庁

Adjusting opening parts 44 having a specified diameter L3, W3 are installed in the central position of the spring part 20.例文帳に追加

バネ部20の中心位置には、所定径L3,W3の調整開口部44が開口形成される。 - 特許庁

Amplitude of a passing wave W3 reduces in response to the amplitude of the reflected wave W2.例文帳に追加

透過波W3の振幅は、反射波W2の振幅に対応して減少する。 - 特許庁

A second annular part 22 has a prescribed width W3 and lights with the second illumination light.例文帳に追加

第二の環状部22は、所定幅W3を有し、第二の照明光によって光輝する。 - 特許庁

For the base part 11 and the projection part 12, a maximum thickness W3 from the back surface 2b is equal to or smaller than 0.1 mm.例文帳に追加

基部11及びはみ出し部12は、裏面2bからの最大厚さW3が0.1mm以下である。 - 特許庁

At the position w3, coating solution is dripped on the rotating work 20 with a mobile coating solution nozzle 26.例文帳に追加

位置w3では、可動塗布剤ノズル26で、回転中のワーク20上に塗布剤を滴下させる。 - 特許庁

A width W3 of the punching portion 5 is formed to be a length not less than a maximum width W2 of the slot 20.例文帳に追加

抜き部5の巾W3がスロット20の最大巾W2以上の長さに形成される。 - 特許庁

A spoofed packet attack that uses a random source IP will cause the kernel to generate a temporary cached route in the route table, viewable with netstat -rna | fgrep W3. 例文帳に追加

でた らめな送信元 IPアドレスを用いた偽造パケット攻撃により、カーネルは、一時的なキャッシュ経路を経路情報テーブルに生成します。 こ れは netstat -rna | fgrep W3 で見ることができます。 - FreeBSD

In addition, part of cooling water circulating through the water jacket W2 and W3 is sent through a third cooling water tube 53 to be supplied to the water jacket W3 again.例文帳に追加

更に、該ウォータージャケットW2,W3を通流した冷却水の一部は、第3冷却水管53を通じて再び前記ウォータージャケットW3へ供給される。 - 特許庁

A panel W3 is positioned by interfitting the locating pin 26 with a locating hole R, and simultaneously seating of the panel W3 is detected according to the movement of the detection pin 47.例文帳に追加

ロケートピン26とロケート穴Rとの相互嵌合によってパネルW3を位置決めし、同時にパネルW3の着座を検知ピン47の動きに応じて検知する。 - 特許庁

First to third channel widths W1, W2, W3 formed by the rib pieces 96, 97 become narrower successively, namely they are in a relationship of W1≥W2≥W3.例文帳に追加

また、リブ片96,97により形成される第1〜第3の流路幅W1,W2,W3が順に狭くなる(即ち、W1≧W2≧W3の関係を持つ)構成となっている。 - 特許庁

The total (W2+W3) of the mass W2 of the intermediate layer 10 and the mass W3 of the cover 6 is not less than 8.4 g and less than 12.0 g.例文帳に追加

中間層10の質量W2と上記カバー6の質量W3の合計(W2+W3)は、8.4gより大きく12.0g未満である。 - 特許庁

The frame F moves up and down to sequentially carry substrates W1, W2, W3 into the respective lanes L1, L2, L3, and peeling liquid is supplied from the upper liquid curtain nozzles L12, L22, L32 to upper ends of the respective substrates W1, W2, W3.例文帳に追加

フレームFが昇降して各レーンL1、L2、L3に基板W1、W2、W3を順に搬入して、各基板W1、W2、W3の上端に上側液カーテンノズルL12、L22、L32から剥離液を供給する。 - 特許庁

Also, even if an insect, etc. infiltrates the second section W2 during installation work, or a foreign material such as a machine screw, etc. enters into the second section W2, the second partition wall S2 and the third partition wall S3 block their intrusion into the third section W3.例文帳に追加

また、施工作業中に虫などが第2区画W2に進入したり、あるいは誤ってビスなどの金属製の異物が入り込んでも、第2及び第3隔壁S2,S3によって第3区画W3への進入が妨げられる。 - 特許庁

In the reduced cross-section, a length L is set to satisfy the relationship 2×W1≤L≤6×W1 with respect to an arm width W1 of the vibration arms and a width W3 is set to satisfy the relationship W3<W2 with respect to a width W2 between outer side edges of the vibration arms.例文帳に追加

断面減少部は、長さLを振動腕の腕幅W1に対して2×W1≦L≦6×W1に、幅W3を振動腕の外側の側辺間の幅W2に対してW3<W2に設定する。 - 特許庁

The pair of corner contact members 40 presses on both respective corner portions W3 via the polishing tape T to polish both corner portions W3 at a time.例文帳に追加

また、一対のコーナー接触部材40が研磨テープTを介して両方のコーナー部W3をそれぞれ押圧するようにして、両方のコーナー部W3を一度に研磨するようにした。 - 特許庁

Outputs when predetermined parameters are inputted to the local modules 43-1 to 43-3 are outputted after being multiplied by factors W1 to W3 and synthesized at gates 44-1 to 44-3.例文帳に追加

ローカルモジュール43−1乃至43−3に所定のパラメータが入力された場合における出力を、ゲート44−1乃至44−3において、係数W1乃至W3を乗算して合成し、出力する。 - 特許庁

Thickness of the negative electrode plate W3 is manufactured such that the ratio of the discharge capacity of the negative electrode plate W3 to that of the positive electrode plate W1 is ≥1.0 and ≤1.3 after initial charging.例文帳に追加

負極板W3の厚さは、初回充電後の正極板W1の放電容量に対する負極板W3の放電容量の比率が1.0以上1.3以下となるように調製されている。 - 特許庁

例文

When ply width of each of belt plies 7A-7D is W1-W4 and tread grounding width is Tw, 0.7 Tw≤W2<W1, W3, 0.85 Tw≤W1, W3, and W4≥5 mm.例文帳に追加

各ベルトプライ7A〜7Dのプライ巾をW1〜W4、トレッド接地巾をTwとしたとき、0.7Tw≦W2<W1, W3、0.85Tw≦W1, W3、W4≧5mmである。 - 特許庁

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