「WaveGuide」に関連した英語例文の一覧と使い方(259ページ目) - Weblio英語例文検索

The radius of the choke flange 40 or the like is defined by a formula of (radius of flange [mm]) ≥{(length of short side of rectangular waveguide [mm])/2}+{(guide wavelength [mm])/4}+12 [mm] and a width of a microwave seal face of the choke flnage 40 (outward opposite face 47) is selected to be 12 [mm] or over.例文帳に追加

これらチョークフランジ４０等の半径は、（フランジ半径［ｍｍ］）≧｛（矩形導波路短辺の長さ［ｍｍ］）／２｝＋｛（管内波長［ｍｍ］）／４｝＋１２［ｍｍ］との式で定義され、チョークフランジ４０のマイクロ波封止面（外側対向面４７）の幅を１２［ｍｍ］以上とする。 - 特許庁

After a laser waveguide 107 and an electrode, etc. are formed on the semiconductor laser wafer 101, the end surface of a resonator is provided by cleaving a surface parallel to a page space, and a semiconductor laser chip is obtained by dividing with a surface vertical to the page space and further parallel to a dividing line 108.例文帳に追加

半導体レーザウエハ１０１にレーザ導波路１０７や電極を形成した後、紙面に平行な面に劈開して共振器端面を設け、紙面に垂直かつ分割線１０８に平行な面で分割することにより半導体レーザチップを得る。 - 特許庁

Further, Si is used for the peak part of the conductive film and then the lid made of multicomponent glass can be joined with the optical waveguide substrate by anode joining to eliminate the need to process the Si and conductive film in different processes, thereby simplifying the manufacture processes.例文帳に追加

また、導電膜の最上部をＳｉとすることにより、多成分ガラスからなる蓋１１２を陽極接合で光導波路基板に接合できるようになり、Ｓｉと導電膜とを別々の工程で加工する必要がなくなり、製造工程が簡略化される。 - 特許庁

An optical multiplexer demultiplexer 2 is formed by providing a circuit which has an array waveguide diffraction grating, a variable optical attenuator 3 is connected to a light output part 9 of the optical multiplexer demultiplexer 2, and a photodetecting element 5 is connected to the output side of the variable optical attenuator 3.例文帳に追加

アレイ導波路回折格子を有する回路を設けて光合分波器２を形成し、光合分波器２の光出力部９にそれぞれ可変光減衰器３を接続し、可変光減衰器３の出力側に受光素子５を接続する。 - 特許庁

The two-dimensional photonic crystal has a slab-shaped main body 31, vacancies 32 periodically arrayed in the main body 31, a waveguide 33 formed by linearly providing defects of vacancies 32, and a resonator 34 formed by providing defects of vacancies 32 in dots.例文帳に追加

２次元フォトニック結晶２１は、スラブ状の本体３１と、本体３１に周期的に配列された空孔３２と、空孔３２の欠陥を線状に設けて成る導波路３３及び空孔３２の欠陥を点状に設けて成る共振器３４を有する。 - 特許庁

A semiconductor laser region (LD region) 100a equipped with a strip-form waveguide structure and an EA-type light modulator region (EA region) 100b are made, with an isolation region 100c in-between, on a semiconductor substrate 1 consisting of InP or the like.例文帳に追加

ＩｎＰ等からなる半導体基板１上に、ストライプ状の光導波路構造を備えた半導体レーザ領域（ＬＤ領域）１００ａとＥＡ型光変調器領域（ＥＡ領域）１００ｂがアイソレーション領域１００ｃを挟んで形成されている。 - 特許庁

A semiconductor-based optical switch engine 200 switches the light inputted from an input switch element 300 to an output switch element 308 and each output 210 of the input switch element is directly coupled with the respective input 220 of an output switch element 308 via an optical waveguide 200.例文帳に追加

半導体ベースの光スイッチエンジン(200)は、入力スイッチ素子(300)からの入力光を出力スイッチ素子(308)にスイッチングし、入力スイッチ素子のそれぞれの出力(220)が、光導波路(200)を介して出力スイッチ素子(308)の個々の入力(220)に直接的に結合されている。 - 特許庁

The AWG chip 10 has an external shape cut curvilinearly along the contour of the AWG 3, and is cut in a part of an input slab waveguide 5 at an angle to its optical axis into a first portion 10a and a second portion 10b.例文帳に追加

ＡＷＧチップ１０は、アレイ導波路回折格子３の輪郭に沿って曲線状に切断された外形を有し、入力スラブ導波路５部分で、その光軸に対して斜めに切断されて、第１の部分１０ａと第２の部分１０ｂに２分割されている。 - 特許庁

Phase variation ϕ_U of the path of the optical waveguide between the first coupling part and the second coupling part and phase variation ϕ_H of the path of the ring resonator between the first coupling part and the second coupling part satisfy the relation 0.8≤ϕ_U/ϕ_H≤1.2.例文帳に追加

第１の結合部から第２の結合部までの間の光導波路の経路の位相変化量φ_Ｕと、第１の結合部から第２の結合部までの間のリング共振器の経路の位相変化量φ_Ｈとは、０．８≦φ_Ｕ／φ_Ｈ≦１．２を満たしている。 - 特許庁

By selecting the absolute value of the refractive index temperature coefficient of the optical resin 21 larger than that of quartz, an optical path length in the optical resin 21 portion varies by heating, which changes a converging position by each wavelength in the converging face of a second slab waveguide 14.例文帳に追加

光学樹脂２１の屈折率温度係数の絶対値を石英のそれよりも大きく選択することで、光学樹脂２０部分での光路長が加熱により変化し、第２のスラブ導波路１４の集光面において波長毎の集光位置が変化する。 - 特許庁

To provide a phase mask for making a diffraction grating, reducing 0-th order light component to the minimum, increasing the diffraction efficiency of transmission ± first order light not to cause noise in reflection spectrum of the transferred diffraction grating in an optical waveguide such as an optical fiber.例文帳に追加

０次光成分を極力少なくし、透過±１次光の回折効率を極力多くして、転写した光ファイバー等の光導波路の回折格子の反射スペクトル中にノイズが発生しないようにした回折格子作製用位相マスクを提供する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes an active layer 104 formed on a substrate 101, a ridge waveguide 107a formed on the active layer 104, and a semiconductor laminate body which emits light from at least one of a front end face and rear end face.例文帳に追加

半導体発光素子は、基板１０１の上に形成された活性層１０４及び該活性層１０４の上に形成されたリッジ導波路１０７ａを含み、前端面及び後端面の少なくとも一方から光を放射する半導体積層体を有している。 - 特許庁

To provide a waveguide slot array antenna, capable of exciting respective radiation slots by standing waves, and capable of preventing a decline of the design flexibility of a feeding circuit connected to the poststage, while preventing degradation in the radiation characteristics of radiated electromagnetic waves.例文帳に追加

放射された電磁波の放射特性に劣化が生じることを防止しながら、各放射スロットを定在波で励振することができるとともに、後段に接続される給電回路の設計自由度の低下を防止することができる導波管スロットアレーアンテナを得る。 - 特許庁

To reduce the damage given to a semiconductor laser having a ridge optical waveguide, when gold wires are wire-bonded and to propagate the fundamental mode of the laser without cutoff, and in addition, to suppress the light output kink of a semiconductor laser module.例文帳に追加

リッジ型光導波路を有する半導体レーザにおいて、金線をワイヤボンドした際のダメージを低減すると共に、半導体レーザの基本モードをカットオフすることなく伝搬し、また、半導体レーザモジュールにおいて、光出力キンクを抑制することができるようにする。 - 特許庁

To provide a polymer optical waveguide integrally having low light loss with ≤0.7 dB/cm amount of loss (1), ≥300°C heat resistance (2), high optical isotropy with ≤0.01 birefringence (3) and excellent workability brought about by high chemical resistance (4).例文帳に追加

損失量０．７ｄＢ／ｃｍ以下の低い光損失性、 ３００℃以上の耐熱性、 複屈折率０．０１以下の高い光学的等方性、及び 高い耐薬品性を有することによる優れた加工性を併せ持つ高分子光導波路を提供する。 - 特許庁

A positional variation detection mechanism 501 which detects the inserting position of an inserted plate 103 into the core 101 of the optical waveguide is provided, the position of the inserted plate is driven and controlled according to the detected position of the inserted palate detected by the positional variation detection mechanism.例文帳に追加

挿入板１０３の光導波路のコア１０１への挿入位置を検出する位置変化検出機構５０１を設け、この位置変化検出機構により検出した挿入板の検出位置に応じて、挿入板の位置を駆動制御する。 - 特許庁

The reflection faces 34A and 34B of the core 32 face to the cavity part 35 sealed by the upper clad layer 36 and are not exposed, thus adhesives 12 and 22 do not come into contact with the reflection face 34A and 34B even though the optical waveguide 30 and substrates 10 and 20 are bonded.例文帳に追加

コア３２の反射面３４Ａ，３４Ｂが上部クラッド層３６により封止された空隙３５に面しており、露出していないため、光導波路３０を基板１０，２０に接着しても、接着剤１２，２２が反射面３４Ａ，３４Ｂに接することがない。 - 特許庁

To provide a new semiconductor optical waveguide element, having the excellent frequency characteristics and the manufacturing method thereof by processing a clad layer into an inverted mesa shape by the selective etching method, wherein a cap layer is the mask, and thereby decreasing the parasitic capacity around an active layer.例文帳に追加

クラッド層を、キャップ層をマスクとする選択性のエッチング法で逆メサ状に加工することで、活性層周辺の寄生容量を低減し、これにより、周波数特性の優れた新規な半導体光導波素子とその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

Signal light La emitted from an optical waveguide end 33a is collimated by a collimator lens 41, then reflected on a first light reflection surface 52 of a mirror array 50, and detected by a receiver 80A arranged on a principal plane 21 of a base plate 20.例文帳に追加

光導波路端３３ａから出射した信号光Ｌａは、コリメートレンズ４１によってコリメートされたのち、ミラーアレイ５０の第１の光反射面５２において反射し、基板２０の主面２１上に配置された受信装置８０Ａによって検出される。 - 特許庁

One end sides of coated optical fiber tapes 7 and the coated optical fiber 7a fixed to respective fixing parts 24, 25 are inserted into the part storing part 4 of the body 1 and are respectively connected to the input end and output end of an array waveguide type diffraction grating 11.例文帳に追加

各固定部品２４，２５に固定されている光ファイバテープ心線７および光ファイバ心線７ａの一端側はボディ１の部品収容部４に挿入し、それぞれアレイ導波路型回折格子１１の入力端と出力端に接続する。 - 特許庁

To obtain a solid state image sensor capable of forming a waveguide having a reflective film exhibiting good surface aspect, coating performance and adhesiveness and high reflectivity in which hydrogen being fed to a light receiving sensor section is restrained from being absorbed into an underlying film.例文帳に追加

受光センサ部に供給される水素が下地膜に吸収されることが抑えられ、且つ表面様相及び被覆性、さらには密着性の良い、高反射率を有する反射膜が形成された導波路を有する固体撮像素子を得るようにする。 - 特許庁

After the film is formed by using the material, the film is selectively irradiated with light to generate difference in the refractive index, when a clad layer is formed in the region irradiated with light, and the film part around the clad is left as the core layer, thereby manufacturing the optical waveguide.例文帳に追加

これらの材料を用いて成膜した後、これに選択的に光照射することによって屈折率差を生じさせて光照射した領域にクラッド層を形成し、その周囲の膜部分をコア層として残存させて光導波路を製造する。 - 特許庁

Helical antennas 16 consisting of six elements e.g. are arranged concentrically around a feeding pin 15 of the feeding connector 14 on the upper surface of the reflector 13 as circularly polarized wave antennas, and helical feeding pins 17 having the same length are projected into the radial waveguide 11.例文帳に追加

反射板１３の上面には、円偏波アンテナとして例えば６素子のヘリカルアンテナ１６を給電用コネクタ１４の給電ピン１５に対して同心円状に配置し、同じ長さのヘリカル給電ピン１７をラジアル導波路１１内に突出させている。 - 特許庁

The optical waveguide 10 includes the quartz substrate 11, a buffer layer 12 prepared on the quartz substrate 11, cores 13a, 13b prepared on the buffer layer 12, and an upper clad 14 prepared on the buffer layer 12 covering the cores 13a, 13b.例文帳に追加

本発明による光導波路１０は、石英基板１１と、石英基板１１上に設けられたバッファ層１２と、バッファ層１２上に設けられたコア１３ａ，１３ｂと、コア１３ａ，１３ｂを覆ってバッファ層１２上に設けられた上部クラッド１４とを備える。 - 特許庁

To provide an optical device capable of preventing leaked light from being made incident on a light receiving element through various propagation paths on a substrate even when a light emitting element, the light receiving element and a waveguide are formed on the same substrate, and to provide the manufacturing method of the optical device.例文帳に追加

同一の基板上に発光素子及び受光素子や導波路が形成されている場合でも、漏れ光が基板上の様々な伝搬経路を経て受光素子に入射することを防ぐことが出来る光学装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a waveguide type optical device, using a substrate including a part of ≤20 μm in thickness, which is free of breakage of the substrate and peeling of a polarizing means, such as a metal film breaking off the substrate and has a high yield and high productivity.例文帳に追加

厚みが２０μｍ以下の部分を含む基板を使用した導波路型光デバイスにおいて、基板の破損や金属膜などの偏光手段が基板から剥離することがなく、しかも歩留まりが良く生産性の高い導波路型光デバイスを提供すること。 - 特許庁

First to third optical waveguides 74, 83 and 85 are arranged on an optical waveguide substrate 72, the optical waveguides 74 and 83 are closely arranged each other, and a directional coupler 84 which transfers power of light having a prescribed wavelength is formed.例文帳に追加

光導波路基板７２上は第１〜第３の光導波路７４、８３、８５が配置されており、このうちの光導波路７４、８３は互いに近接して配置され所定の波長の光のパワーを移行する方向性結合器８４を形成している。 - 特許庁

To provide an optical controlling element with which a modulating electrode is routed, even for the optical controlling element having a complicated optical waveguide such as that turned back on one end portion of a substrate, and further a lower driving voltage and chirping suppression are realized.例文帳に追加

基板の一端部で折り返された光導波路などのように複雑な光導波路を有する光制御素子に対しても、変調電極の取り回しが可能であり、しかも、低駆動電圧やゼロチャープを実現可能な光制御素子を提供すること。 - 特許庁

To provide an optical waveguide which hardly deforms even through the heat treatment at high temperature in the manufacture process but can realize desired optical characteristics and can be connected with an optical fiber with high accuracy and can decrease adsorption loss of light at 1.39 μm wavelength.例文帳に追加

製造工程中の高温熱処理を経てもほとんど変形せず、所望の光学特性を達成できると共に光ファイバと高精度な接続を行うことができ、また波長１．３９μｍの光吸収損失を低減できる光導波路を提供する。 - 特許庁

An opening region where no silicon thin film is formed is formed in a slit shape directly above the optical waveguide and the width of a slit opening 34s where no silicon thin film is formed is adjusted to determine the extent of absorption of the light generated intermediately.例文帳に追加

光導波路の直上は、スリット状にシリコン薄膜を形成しない開口領域を設けてあり、このシリコン薄膜が形成されていないスリット状の開口34sの幅を調整することによって、中間生成光の吸収の度合いが決定される。 - 特許庁

To provide a low-priced and highly reliable multi-point optical fiber type liquid level sensor, that is, a beam-condensing optical fiber type multi liquid level sensor by using a low-cost optical waveguide part inserted of a conventional optical fiber part.例文帳に追加

本発明は、従来の光ファイバ部品に変わる安価な光導波路部品を用いることによって、安価で信頼性の高いマルチポイントの光ファイバ式液面レベルセンサ、すなわち、集光型光ファイバ式マルチ液面レベルセンサを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a highly reliable optical element, wherein distance between lower and upper electrodes is reduced as much as possible, voltage applied to a core layer is efficiently and satisfactorily secured to reduce voltage consumption, and optical loss of an optical waveguide is reduced.例文帳に追加

下部電極と上部電極との距離を可及的に小さく抑え、コア層に印加する電圧を効率良く十分に確保して消費電圧を低減させると共に、光導波路の光損失量を小さく抑える信頼性の高い光学素子を提供する。 - 特許庁

A plurality of pairs of first slots 10 for radiation having 45° angle with respect to a pipe axis and parallel to each other are provided on the wide wall surface of a square waveguide 1 where the pipe width in the direction of the wide wall is a half or nearly a half of an intra-pipe wave length λg.例文帳に追加

広壁方向の管幅が管内波長λｇの半分またはほぼ半分である方形導波管１の広壁面に管軸と４５度の角度を有するとともに互いに平行な放射用の第１のスロット１０の対を複数設ける。 - 特許庁

In the probe 13 for vertically polarized wave arranged in the front, the front face of a short plate 14 which is extended from the short face 11b of the circular waveguide to the front, through the other rear prove 12 for horizontally polarized wave and is arranged is used as a short face 14a.例文帳に追加

一方、前方に配置した垂直偏波用プローブ１３では、円形導波管のショート面１１ｂから後方の他方の水平偏波用プローブ１２を通過して前方に延ばして配置したショート板１４の前面をショート面１４ａとする。 - 特許庁

To eliminate that the efficiency of electric heating and the equal of heating are damaged by the fact that the occupied area on a wall surface of a heating room of a waveguide to transfer the high frequency power to the heating room is large in a high-frequency heating device having electric heating means.例文帳に追加

電熱加熱手段を有する高周波加熱装置において、加熱室に高周波を伝搬させる導波管の加熱室壁面における占有面積が大きいことによる電熱加熱の効率および、加熱の均一性が損なわれること。 - 特許庁

The lower part support member 220 is composed of a first and a second lower part support members 220A and 220B, each of which has a face inclined so as to be brought into linear contact with an edge portion of a lower face 202A of the second waveguide type optical element 202, the lower face facing the mount 210.例文帳に追加

下部支持部材２２０は、第１及び第２の下部支持部材２２０Ａ、２２０Ｂで構成され、それぞれ、マウント２１０と対向する、第２の導波路型光素子２０２の下面２０２Ａの縁部と線状に接触するように傾斜した面を有する。 - 特許庁

This photosensitive fluorine-containing polyimide precursor composition for the optical waveguide contains (A) a specific fluorine-containing polyimide precursor and (B) a compound or its salt containing a polymerizable unsaturated group and an amino group in its molecule.例文帳に追加

（Ａ）フッ素を含有する特定のポリイミド前駆体 （Ｂ）１分子中に重合性不飽和基とアミノ基を有する化合物および／またはその塩を含有してなる光導波路用感光性含フッ素ポリイミド前駆体組成物を用いることにより上記課題を解決しうる。 - 特許庁

To provide a laser device capable of confining comparatively many mode strengths in a gain medium even when the gain medium is sufficiently thinner than the oscillating wavelength, wherein the waveguide loss becomes smaller and the threshold value for the laser oscillation can be reduced.例文帳に追加

発振波長より十分に薄い利得媒質を用いる場合でも、これへモード強度の比較的多くを閉じ込めることが可能であって、導波路損失が小さくなり、レーザ発振のしきい値を低減することができるレーザ素子を提供することである。 - 特許庁

To reduce damage at the time of wire-bonding a gold wire and to propagate the fundamental mode of a semiconductor laser without cutting off, in a semiconductor laser having a ridge optical waveguide; and to suppress the light output kink in a semiconductor laser module.例文帳に追加

リッジ型光導波路を有する半導体レーザにおいて、金線をワイヤボンドした際のダメージを低減すると共に、半導体レーザの基本モードをカットオフすることなく伝搬し、また、半導体レーザモジュールにおいて光出力キンクを抑制し得るようにする。 - 特許庁

A laser oscillation section 20 and a waveguide path grating section 21 are integrally formed on one substrate so that the length L of a resonator of the laser oscillation section 20 can be reduced, the modulation bandwidth can be higher, and higher speed signals can be transmitted.例文帳に追加

レーザ発振部２０と導波路グレーティング部２１とを同一基板１上に一体的に形成することにより、レーザ発振部２０の共振器の長さＬを短くすることができ、変調帯域を高くすることができ、より高速信号を伝送することができる。 - 特許庁

This optical wavelength conversion module is formed by coupling directly a semiconductor laser 10 generating a laser beam 11 as a fundamental wave, a waveguide type wavelength selecting element 20 selecting the wavelength of the laser beam 11 and an optical wavelength conversion element 15 converting the wavelength of the laser beam 11 one another.例文帳に追加

基本波としてのレーザービーム11を発する半導体レーザー10と、レーザービーム11の波長を選択する導波路型の波長選択素子20と、レーザービーム11を波長変換する光波長変換素子15とを互いに直接結合して光波長変換モジュールを形成する。 - 特許庁

The resin composition for an optical waveguide contains (A) an ethylenically unsaturated group-containing carboxylic acid resin having at least one ethylenically unsaturated group and at least one carboxyl group in the molecule, (B) a diluent and (C) a photopolymerization initiator.例文帳に追加

分子中に少なくとも１個のエチレン性不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基を有するエチレン性不飽和基含有カルボン酸樹脂（Ａ）と希釈剤（Ｂ）と光重合開始剤（Ｃ）を含有することを特徴とする光導波路用樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a plane waveguide type optical circuit which is applicable to compensate the inclination of signal light power for multiwavelength signal light existing in a signal light wavelength band and can excellently hold excitation light for the Raman amplification of the multiwavelength signal light.例文帳に追加

信号光波長帯域内にある多波長信号光に対する信号光パワーの傾斜の補償に適用でき、かつ、多波長信号光をラマン増幅するための励起光を良好に保持することが可能な平面導波路型光回路を提供する。 - 特許庁

To provide a passive optical communication network of a wavelength division multiplex system which can align a wavelength of an optical signal with a passband wavelength of a waveguide type lattice router in the passive optical communication network of a wavelength division multiplex system without a temperature monitoring function.例文帳に追加

温度モニターリング機能のない波長分割多重方式の受動型光通信網において、光信号の波長を導波路型の格子ルータの通過帯域波長に同調させることができる波長分割多重方式の受動型光通信網を提供する。 - 特許庁

In a groove-shaped circularly polarized wave generator having a groove 12 along a tube axis direction on a side wall of a circular waveguide 11, by providing a capacitive narrowed gap 13 in the groove 12, frequency characteristics in a reflection phase of the groove become smooth and band widening can be achieved.例文帳に追加

円形導波管１１の側壁に管軸方向に沿って溝１２を設けた溝形円偏波発生器において、前記溝１２に容量性の絞り１３を設けることで、溝の反射位相の周波数特性が緩やかとなり、広帯域化が実現できる。 - 特許庁