1153万例文収録!

「Word Structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Word Structureの意味・解説 > Word Structureに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

Word Structureの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 169



例文

The magnetic RAM using the Schottky diode includes a stacked structure of word lines, a resistance variation pattern, and bit lines and is characterized by that a resistance variation element pattern and the semiconductor layer pattern or the semiconductor layer pattern and bit lines form the Schottky diode.例文帳に追加

ワードライン、抵抗変化素子パターン、半導体層パターン及びビットラインの積層構造を含み、抵抗変化素子パターンと半導体層パターン又は半導体層パターンとビットラインはショットキーダイオードを形成することを特徴とするショットキーダイオードを用いたマグネチックRAMである。 - 特許庁

On the basis of a word and part-of-speech information obtained by a morpheme analyzing means 10, a grammar interpreting means 12 detects the participial sentence of the sentence according to the Japanese grammatical rule to detect the principal sentence of the sentence and a subordinate sentence having a hierarchical structure.例文帳に追加

文法解釈手段12は、形態素解析手段10において得られた単語および品詞情報に基づいて、日本語文法規則にしたがって、当該文における連体文を検出することで、当該文の主文および階層構造を有する従文を検出する。 - 特許庁

A memory cell 1 is a nonvolatile memory cell having a single-layer polysilicon structure, and is provided with a selection transistor T1 connected to a word line SWL, a cell transistor T2 connected to the selection transistor T1 in series, and a capacitor C1 connected to a gate of the cell transistor T2.例文帳に追加

メモリセル1は、単層ポリシリコン構造を有する不揮発性のメモリセルであり、ワード線SWLに接続された選択トランジスタT1と、該選択トランジスタT1に直列に接続されたセルトランジスタT2と、該セルトランジスタT2のゲートに接続されたキャパシタC1とを備える。 - 特許庁

To provide a mounting structure, capable of reducing a memory size and sufficiently ensuring the interval between a word line and first and second charge accumulation sections for recording information for changing a memory cell into an array for a memory, that can make a semiconductor non-volatile memory cell operate by a simpler method and can reduce the manufacturing cost.例文帳に追加

半導体不揮発性メモリセルをより簡便な方法で動作させることができ、かつ製造コストの低減が可能であるメモリについて、メモリサイズの低減化とともに、ワード線と、情報を記録する第1及び第2電荷蓄積部との間隔を十分に確保してメモリセルをアレイ化できる実装構造を提供する。 - 特許庁

例文

The structure of patent claims, if the claims are formulated through the use of a device, process or material, including microorganism strain or other biological material, is the following: the wordUsing,” a name allowing the identification of the device, process, material, including microorganism strain or other biological material and the purpose of the use. 例文帳に追加

特許クレームが装置,方法又は物質(微生物の菌株その他の生体物質を含む)の使用を通じて組み立てられる場合は,当該クレームの構成は,次のとおりである。「用いている」の語,当該装置,方法,物質(微生物の菌株その他の生体物質を含む)の識別が可能な名称及び使用の目的。 - 特許庁


例文

This information management system 1 is provided with: a task database 11 mutually associating task information by a hierarchical structure and storing the related task information associated with each other as related task information; and a service database 12 and a word-of-mouth information management database 13 storing the related information and the task information.例文帳に追加

情報管理システム1は、タスク情報を階層構造により相互に関連付けると共に、関連するタスク情報同士を関連タスク情報として関連付けて格納するタスクデータベース11と、関連情報とタスク情報とを格納するサービスデータベース12及び口コミ情報管理データベース13とを備える。 - 特許庁

To provide a method for reducing the total power consumption by introducing a structure in which information is written through only a bit line to which a memory cell is connected with respect to one word line to be driven, and reducing power consumption caused by voltage transition of other bit lines to which the cell is not connected.例文帳に追加

駆動すべき1つのワードラインに対してメモリセルが連結されたビットラインのみを通じて情報を書き込む構造を導入し、セルが連結されていない他のビットラインが遷移されることにより発生する不要な電力消耗を減らし、メモリの全体消費電力を減少させることができる方法を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device comprises a plurality of memory cell portions 11 arranged in a matrix structure in a semiconductor substrate 10, a plurality of bit lines 12, each consisting of a diffusion layer extended in the column direction, a buried insulation film 16, a plurality of word lines 13 which are formed on the buried insulation layer 16 and are extended in the row direction.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板11に行列状に配置された複数のメモリセル部11と、列方向に延びる拡散層からなる複数のビット線12と、埋め込み絶縁膜16と、埋め込み絶縁膜16の上に形成され、行方向に延びる複数のワード線13とを備えている。 - 特許庁

To reduce area loss due to generation of a dead space, wiring change or the like by providing a layout structure which enables a signal wiring of an upper layer to be disposed while reducing crosstalk to a bit line and a word line, and which is suitable for a signal wiring direction on a chip without being limited by block arrangement rotation.例文帳に追加

ビット線及びワード線に対するクロストークを低減しながら上層の信号配線を配置可能とし、かつブロック配置ローテーションの制約がなくチップ上の信号配線方向に適合したレイアウト構造を有することで、デッドスペースの発生や配線乗り換えによる面積ロスを低減する。 - 特許庁

例文

To effectively use the interiors of trench regions for a wiring, to contrive reduction in a chip size, to reduce the size of a cell pattern in the direction intersecting orthogonally a word line in the case where a semiconductor device is applied to the memory cell of a CMOS STRAM, and to enable the speedup of the STRAM in the device using a trench element isolation structure.例文帳に追加

トレンチ型素子分離構造を用いた半導体装置において、トレンチ領域の内部を配線のために有効に活用し、チップサイズの縮小化を図り、CMOS型のSRAMのメモリセルに適用した場合には、ワード線に直交する方向のセルパターン寸法を縮小化し、SRAMの高速化を実現する。 - 特許庁

例文

In hierarchical bit line structure provided with a main bit line and a sub-bit line, whole chip size can be reduced by arranging a serial diode switch requiring no additional gate control signal and a unit serial diode cell comprising a nonvolatile ferroelectric capacitor between the word line and the sub-bit line so as to realize the cross point cell array.例文帳に追加

本発明は、メインビットラインとサブビットラインを備える階層的ビットライン構造において、別途のゲート制御信号が不要な直列ダイオードスィッチと不揮発性強誘電体キャパシタからなる単位直列ダイオードセルをワードラインとサブビットラインとの間に配置してクロスポイントセルアレイを具現することにより、全体的なチップサイズを縮小することができる。 - 特許庁

This semiconductor memory has memory array structure, in which a plurality of word lines for selecting the prescribed memory cell and a plurality of bit lines are arranged in an intersectional state, and the memory is provided with two memory cells (e.g. MC1, MC2) constituting one bit and a sense amplifier connected electrically to each of the memory cells via bit lines.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、所定のメモリセルを選択するための複数本のワード線と複数本のビット線とが交差して配列されたメモリアレイ構造を有し、1ビットを構成する2つのメモリセル(たとえばMC1、MC2)と、それらのメモリセルの各々にビット線を介して電気的に接続されたセンスアンプとを備えている。 - 特許庁

Words inputted by voice are digitized into a digital signal to structure a word database on a hard disk drive 17 and it is made possible to reproduce the voice in the form of this digital signal as words by symbol input, so that a DSP 15 can perform continuous reproduction corresponding to an intonation and a pause to obtain natural pronunciation.例文帳に追加

音声入力による単語をディジタル信号化して単語データベースとしてハードディスク装置17上に構築し、このディジタル信号化した音声を記号入力によって台詞として再生できるようにし、再生の際に自然な発声に近づけるためにDSP15によりイントネーションや間合いに対応して連続再生可能とする。 - 特許庁

In addition, each of the extracted keyword is converted to the same type of a word as a dictionary headword, and then sorted in a specified order to structure a group of digital data.例文帳に追加

本発明のデータベース中の処理の対象となる複数のディジタル情報を処理するディジタル情報処理方法は、ディジタル情報の一つに関連して入力された入力文の項構造の各要素に対応した、かつ、前記入力文の主要な語を抽出し、そして、抽出した語をそれぞれ辞書の見出し語と同じ形の語に変形し、一定の順序に並べて、ディジタルデータのまとまりを構成する。 - 特許庁

A special array end structure and a method for manufacturing the same provided by the present invention allow most effectively backing three resistance layers including a diffusion bit line, a control gate, and a word gate polycrystalline silicon (here the control gate polycrystalline silicon may overlap on the diffusion bit line), using only a metal line of three layers while maintaining a minimum metal wiring pitch.例文帳に追加

本発明では、特別のアレー端構造体及びそれらの製作方法を提供することによって、拡散ビット線、コントロールゲート、及びワードゲート多結晶シリコンの3つの抵抗層(ここでコントロールゲート多結晶シリコンは、拡散ビット線と重なることができる)が、最小金属配線ピッチを維持しながら3層だけの金属線を使用して、最も効果的に裏打ちされる。 - 特許庁

A load to the receiver of the data is evaluated quickly irrespective of the structure of the data or the like prior to conventional data processing by determining whether a key word exists at a prescribed frequency or more within a retrieval objective range of the data or not in a transmitter or the receiver, retaled to the data transmitted from the transmitter to the receiver.例文帳に追加

送信装置から受信装置に送信するデータに関して、送信装置あるいは受信装置において、データの検索対象範囲内でキーワードが所定回数以上存在したか否かなどを判定することにより、データの受信装置に対する負荷を、従来のデータ処理よりも前に、データの構造等に関係なく高速で評価することを特徴とする。 - 特許庁

In the report "HEISEI 17 NEN SHOTOKU SAIBUNPAI CHOUSA HOUKOKUSHO" by the Ministry of Health, Labor and Welfare, a factor analysis of the increase in the Gini coefficient shows that the increase (by household on the initial income basis18) between 2002 and 2005 stems mainly from the prevailing changes in social structure, such as 1) the increase in the number of elderly households along with demographic aging and 2) the shrinking household size with the share of single households on the rise. Further, 3) the widening disparity (in the true sense of the word), which is not subject to the changes in social structure, is actually responsible for less than 10% of the total increase in the Gini coefficient (see Figure 2-2-20). Globalization and technological progress are cited as the two main factors behind the actual widening disparity.例文帳に追加

厚生労働省「平成17年所得再分配調査報告書」が行ったジニ係数上昇の要因分析の結果を見ると、2002年~2005年のジニ係数(世帯単位、当初所得ベース18)上昇は、①人口構成の高齢化による高齢者世帯の増加や②単独世帯の増加等の世帯の小規模化といった社会構造の変化が主な要因であり、このような社会構造の変化の影響を除いた③真の格差拡大による部分はジニ係数上昇分全体の1割弱を占めるに過ぎないことが分かる(第2-2-19図)。 - 経済産業省

In this document summarization method and system, in automatically summarizing a document, the structural characteristics of the document are grasped to be structured according to a fixed rule, and then a pattern frequently occurring in the structured paragraph of the document is extracted to automatically summarize the document using natural language processing (NLP) technology such as rhetorical structure information on the document, paragraph division of document level, and word cooccurrence information.例文帳に追加

本発明は、文書を自動的に要約するにあたって文書の構造的な特徴を把握し一定の規則で構造化させた後、文書の構造化された段落において頻繁に発生するパターンを抽出し、文書の修辞構造情報、文書レベルの段落分割、単語共起情報など自然語処理(NLP)技術を用いて文書を自動要約する方法及びシステムを旨とする。 - 特許庁

例文

In a buried bit line type flash memory arranged such that a bit line 5 functioning as source-drain formed by implanting impurity ions into a semiconductor substrate 1 intersects a word line 7 functioning as a gate electrode, a three layer structure ONO film 6 of silicon oxide film/silicon nitride film/silicon oxide film is formed after impurity ions for forming the bit line 5 are implanted and annealing for activation is performed.例文帳に追加

半導体基板1に不純物がイオン注入されて形成されたソース/ドレインとして機能するビットライン5と、ゲート電極として機能するワードライン7とが交差する構成の埋め込みビットライン型フラッシュメモリにおいて、ビットライン5を形成するための不純物のイオン注入及びその活性化のためのアニール処理を行った後に、シリコン酸化膜/シリコン窒化膜/シリコン酸化膜からなる3層構造のONO膜6を成膜する。 - 特許庁




  
Copyright Ministry of Economy, Trade and Industry. All Rights Reserved.
  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS